基板清洗装置及方法、显示装置的制造装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种基板清洗装置、基板清洗方法、显示装置的制造装置及显示装置的制造方法，能够减少清洗工序数且能够防止污染粒子再次附着于基板。实施方式所涉及的基板清洗装置(1)具备：输送部(2)，输送基板(W)；以及供给喷嘴(3)，向被该输送部(2)输送的基板(W)的被清洗面(S)供给清洗液，该清洗液为，在能够除去氧化膜的液体中以溶解状态及微小气泡状态含有氧化性气体；该供给喷嘴(3)以到达被清洗面(S)上的微小气泡一边抑制大小变化一边移动至基板(W)的外缘的流速供给清洗液。

权利要求

1.一种基板清洗装置，其特征在于，具备：

输送部，输送基板；以及

供给喷嘴，向被所述输送部输送的所述基板的被清洗面供给清洗液，该清洗液为，在能够除去氧化膜的液体中以溶解状态及微小气泡状态含有氧化性气体；

所述供给喷嘴以到达所述被清洗面上的所述微小气泡一边抑制大小变化一边移动至所述基板的外缘的流速供给所述清洗液。

2.一种基板清洗装置，其特征在于，具备：

输送部，输送基板；以及

多个供给喷嘴，向被所述输送部输送的所述基板的被清洗面分别供给清洗液，该清洗液为，在能够除去氧化膜的液体中以溶解状态及微小气泡状态含有氧化性气体；

所述多个供给喷嘴，沿所述基板的被清洗面排列设置于与所述基板的输送方向相交叉的方向上，在与所述基板的被清洗面平行的平面内相对于所述基板的输送方向分别向相同方向倾斜，相对于所述基板的被清洗面分别向相同方向倾斜，所述多个供给喷嘴以到达所述被清洗面上的所述微小气泡一边抑制大小变化一边移动至所述基板的外缘的流速分别供给所述清洗液。

3.如权利要求1或2所述的基板清洗装置，其特征在于，所述氧化性气体含有O2及O3中的至少一种气体。

4.如权利要求1或2所述的基板清洗装置，其特征在于，所述能够除去氧化膜的液体含有HF、NH4F及H2O2中的至少一种液体。

5.如权利要求1或2所述的基板清洗装置，其特征在于，所述基板为用于形成薄膜晶体管的绝缘性基板或者单晶Si基板。

6.如权利要求5所述的基板清洗装置，其特征在于，所述基板的至少一部分通过所述能够除去氧化膜的液体的处理而表现出疏水性。

7.如权利要求5所述的基板清洗装置，其特征在于，所述基板的至少一部分通过所述氧化性气体的处理而表现出亲水性。

8.一种基板清洗方法，使用基板清洗装置清洗基板，该基板清洗装置具备：输送部，输送所述基板；以及供给喷嘴，向被所述输送部输送的所述基板的被清洗面供给清洗液，该清洗液为，在能够除去氧化膜的液体中以溶解状态及微小气泡状态含有氧化性气体；所述基板清洗方法的特征在于，通过所述供给喷嘴，向被所述输送部输送的所述基板的被清洗面，以到达所述被清洗面上的所述微小气泡一边抑制大小变化一边移动至所述基板的外缘的流速供给所述清洗液。

9.一种基板清洗方法，使用基板清洗装置清洗基板，该基板清洗装置具备：输送部，输送所述基板；以及多个供给喷嘴，向被所述输送部输送的所述基板的被清洗面分别供给清洗液，该清洗液为，在能够除去氧化膜的液体中以溶解状态及微小气泡状态含有氧化性气体；所述基板清洗方法的特征在于，所述多个供给喷嘴，沿所述基板的被清洗面排列设置于与所述基板的输送方向相交叉的方向上，在与所述基板的被清洗面平行的平面内相对于所述基板的输送方向分别向相同方向倾斜，相对于所述基板的被清洗面分别向相同方向倾斜；

通过所述多个供给喷嘴，以到达被所述输送部输送的所述基板的被清洗面的所述微小气泡一边抑制大小变化一边移动至所述基板的外缘的流速供给所述清洗液。

10.如权利要求8或9所述的基板清洗方法，其特征在于，所述氧化性气体含有O2及O3中的至少一种气体。

11.如权利要求8或9所述的基板清洗方法，其特征在于，所述能够除去氧化膜的液体含有HF、NH4F及H2O2中的至少一种液体。

12.如权利要求8或9所述的基板清洗方法，其特征在于，所述基板为用于形成薄膜晶体管的绝缘性基板或者单晶Si基板。

13.如权利要求12所述的基板清洗方法，其特征在于，所述基板的至少一部分通过所述能够除去氧化膜的液体的处理而表现出疏水性。

14.如权利要求12所述的基板清洗方法，其特征在于，所述基板的至少一部分通过所述氧化性气体的处理而表现出亲水性。

15.一种显示装置的制造装置，具备对显示装置中使用的基板进行清洗的基板清洗装置，其特征在于，所述基板清洗装置为权利要求1或2所述的基板清洗装置。

16.一种显示装置的制造方法，具有对显示装置中使用的基板进行清洗的基板清洗工序，其特征在于，在所述基板清洗工序中，使用权利要求8或9所述的基板清洗方法对所述基板进行清洗。

说明书

基板清洗装置及方法、显示装置的制造装置及其制造方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种用清洗液清洗基板的基板清洗装置及基板清洗方法，此外还涉及一种显示装置的制造装置及显示装置的制造方法。

背景技术

[0002] 基板清洗装置在液晶显示装置及半导体装置等的制造工序中，向玻璃基板及半导体晶片等基板的表面供给清洗液，对其基板表面进行清洗。在该基板清洗装置中，例如存在一边输送作为清洗对象的基板一边向该基板表面供给清洗液的基板清洗装置。

[0003] 在使用清洗液的基板清洗中，例如在利用提离法进行基板清洗的情况下，进行使用臭氧水(O3水)的有机物除去及氧化膜形成，其后，进行使用稀氢氟酸溶液(DHF溶液)的氧化膜除去(例如参照专利文献1)。由此可从基板表面上除去污染粒子。

[0004] 专利文献1：日本特开2002-131777号公报

[0005] 但是，在上述基板清洗中，需要有进行使用臭氧水的有机物除去及氧化膜形成的工序和进行使用稀氢氟酸溶液的氧化膜除去的工序这两个清洗工序。另外，在使用稀氢氟酸溶液除去氧化膜除去之后，存在以前被除去的污染粒子再次附着于基板表面的情况。

发明内容

[0006] 本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于，提供一种既能够减少清洗工序数，又能够防止污染粒子对基板的再次附着的基板清洗装置、基板清洗方法、显示装置的制造装置及显示装置的制造方法。

[0007] 本发明实施方式的第一特征在于，基板清洗装置中，具备：输送部，输送基板；以及供给喷嘴，向被输送部输送的基板的被清洗面供给清洗液，该清洗液为，在能够除去氧化膜的液体中以溶解状态及微小气泡状态含有氧化性气体；供给喷嘴以到达被清洗面上的微小气泡一边抑制大小变化一边移动至基板的外缘的流速供给清洗液。

[0008] 本发明实施方式的第二特征在于，基板清洗装置中，具备：输送部，输送基板；以及多个供给喷嘴，向被输送部输送的基板的被清洗面分别供给清洗液，该清洗液为，在能够除去氧化膜的液体中以溶解状态及微小气泡状态具有氧化性气体；多个供给喷嘴，沿基板的被清洗面排列设置于与基板的输送方向相交叉的方向上，在与基板的被清洗面平行的平面内，相对于基板的输送方向分别向相同方向倾斜，相对于基板的被清洗面分别向相同方向倾斜。

[0009] 本发明实施方式的第三特征在于，在基板清洗方法中，使用基板清洗装置对基板进行清洗，该基板清洗装置具备：输送部，输送基板；以及供给喷嘴，向被输送部输送的基板的被清洗面供给清洗液，该清洗液为，在能够除去氧化膜的液体中以溶解状态及微小气泡状态含有氧化性气体；其中，通过供给喷嘴向被输送部输送的基板的被清洗面以到达被清洗面上的微小气泡一边抑制大小变化一边移动至基板的外缘的流速供给清洗液。

[0010] 本发明实施方式的第四特征在于，在基板清洗方法中，使用基板清洗装置对基板进行清洗，该基板清洗装置具备：输送部，输送基板；以及多个供给喷嘴，向被输送部输送的基板的被清洗面分别供给清洗液，该清洗液为，在能够除去氧化膜的液体中以溶解状态及微小气泡状态含有氧化性气体；其中，多个供给喷嘴，沿基板的被清洗面排列设置于与基板的输送方向相交叉的方向上，在与基板的被清洗面平行的平面内，相对于基板的输送方向分别向相同方向倾斜，相对于基板的被清洗面分别向相同方向倾斜；通过多个供给喷嘴向被输送部输送的基板的被清洗面供给清洗液。

[0011] 本发明实施方式的第五特征在于，在显示装置的制造装置中，具备对显示装置中使用的基板进行清洗的基板清洗装置，其中，该基板清洗装置为所述第一或者第二特征的基板清洗装置。

[0012] 本发明实施方式的第六特征在于，在显示装置的制造方法中，具有对显示装置中使用的基板进行清洗的基板清洗工序，其中，在基板清洗工序中，使用所述第三或者第四特征的基板清洗方法对基板进行清洗。

[0013] 根据上述第一到第六中的任一特征，能够减少清洗工序数，还能够防止污染粒子再次附着于基板。

附图说明

[0014] 图1是表示本发明第一实施方式的基板清洗装置的概略构成的图。

[0015] 图2是用于说明图1所示的基板清洗装置所进行的基板清洗的清洗过程的第一说明图。

[0016] 图3是用于说明上述清洗过程的第二说明图。

[0017] 图4是用于说明上述清洗过程的第三说明图。

[0018] 图5是表示本发明第二实施方式的基板清洗装置所具备的多个供给喷嘴的俯视图。

[0019] 图6是表示图5所示的供给喷嘴的侧视图。

[0020] 图7是用于说明本发明第三实施方式的非晶体硅薄膜晶体管的制造工序的第一说明图。

[0021] 图8是用于说明上述图7的后续的制造工序的第二说明图。

[0022] 图9是用于说明上述图8的后续的制造工序的第三说明图。

[0023] 图10是用于说明本发明第四实施方式的多晶硅薄膜晶体管的制造工序的第一说明图。

[0024] 图11是用于说明上述图10的后续的制造工序的第二说明图。

[0025] 图12是用于说明上述图11的后续的制造工序的第三说明图。

具体实施方式

[0026] (第一实施方式)

[0027] 参照图1～图4说明本发明的第一实施方式。

[0028] 本发明第一实施方式的基板清洗装置1(参照图1)作为制造显示装置即液晶显示器的制造装置的一部分而设置，该显示装置的制造装置具备：在基板W上制作液晶驱动用的TFT电路及电极图案的制造装置(未图示)、在形成有TFT电路及电极图案等的基板W上形成配光膜的配光膜形成装置(未图示)、在形成有定向膜的基板W上形成包围各单元单位的显示区域的框状密封件的密封件形成装置(未图示)、向形成有密封件的基板W的各单元单位的显示区域上滴下液晶材料的液晶供给装置(未图示)、将滴下了液晶材料的基板W和其它基板粘贴在一起的基板粘贴装置(未图示)、将基板粘贴后使密封件硬化的密封件硬化装置(未图示)等，此外，还具备在各制造装置内及装置间的基板移动工序的必要部位进行清洗的基板清洗装置1。

[0029] 如图1所示，第一实施方式的基板清洗装置1具备：输送基板W的输送部2；向由该输送部2输送的基板W的被清洗面S供给清洗液的供给喷嘴3；使气体溶解于清洗液的加压溶解部4；输送液体用的泵5；供给清洗液的液体供给部6；供给气体的气体供给部7；以及对各部进行控制的控制部8。

[0030] 输送部2具有彼此平行地排成一列的多个辊2a及使这些辊2a旋转的驱动源即旋转马达2b等。将各辊2a分别设置为可旋转，并按等间隔排列。旋转马达2b与控制部8电连接，其驱动受控制部8控制。该输送部2通过旋转马达2b使各辊2a旋转，使载置于这些辊2a上的矩形状的基板W在图1中的箭头A方向移动。

[0031] 供给喷嘴3设置于输送部2的上方，向通过输送部2移动的基板W的被清洗面S喷射清洗液，将其供给到该被清洗面S上。作为该供给喷嘴3可使用例如喷射清洗液的单流体喷嘴(单流体用的喷射喷嘴)。

[0032] 加压溶解部4通过作为液体供给流路的配管11与供给喷嘴3连接，在高压下使气体溶解于清洗液中，将溶解有该气体的清洗液经由配管11供给到供给喷嘴3。该加压溶解部4作为使气体溶解于清洗液的溶解部发挥作用。

[0033] 在配管11内，在位于供给喷嘴3的附近设置有调节流量的阀11a。该阀11a与控制部8电连接，其驱动受控制部8控制。另外，配管11内设置有计测流量的流量计11b。该流量计11b与控制部8电连接，将其计测结果输入到控制部8。

[0034] 在此，若打开阀11a，则含有溶解气体的清洗液从供给喷嘴3喷射。此时，由于清洗液被压力释放至大气压，进行了压力释放的清洗液相对于溶解气体达到过饱和状态，因而在该清洗液中产生大量的微小气泡。因此，由供给喷嘴3向移动的基板W的被清洗面S喷射清洗液，向该被清洗面S上供给含有微小气泡的清洗液。

[0035] 此外，微小气泡为含有微米气泡(MB)、微纳米气泡(MNB)及纳米气泡(NB)等概念的微细气泡，例如，微米气泡为具有10μm～数十微米的直径的气泡，微纳米气泡为具有数百纳米～10μm的直径的气泡，纳米气泡为具有数百纳米以下的直径的气泡。

[0036] 泵5在液体供给流路内设置于加压溶解部4的上游侧，成为向供给喷嘴3供给清洗液的驱动源。该泵5与控制部8电连接，其驱动受控制部8控制。

[0037] 液体供给部6通过作为液体供给流路的配管12并经由泵5与加压溶解部4连接，向该加压溶解部4供给液体。在此，作为液体使用能够除去氧化膜的液体例如稀氢氟酸(DHF)溶液。除此之外也可使用界面活性剂等。

[0038] 气体供给部7通过作为气体供给流路的配管13而连接于液体供给流路的配管12的中途，向通过该配管12的清洗液供给气体使而其含有气体。在此，作为气体可使用氧化性气体例如臭氧(O3)。

[0039] 配管13内设置有调节流量的阀13a。该阀13a与控制部8电连接，其驱动受控制部8控制。另外，配管13内还设置有计测流量的流量计13b。该流量计13b与控制部8电连接，其计测结果被输入到控制部8。

[0040] 控制部8具备：对各部进行集中控制的微型计算机、存储有与基板清洗有关的基板清洗信息及各种程序等的存储部。该控制部8基于基板清洗信息及各种程序，一边由输送部2输送基板W，一边由供给喷嘴3向移动中的基板W的被清洗面S喷射清洗液，进行向该被清洗面S上供给含有多个微小气泡的清洗液的基板清洗，具体而言，就是进行向其供给能够除去氧化膜的液体即稀氢氟酸溶液中以溶解状态及微小气泡状态含有氧化性气体即臭氧的清洗液的基板清洗。此外，微小气泡的产生量由控制部8对阀13a的开口度进行调节，可通过调节供给到清洗液的气体量进行变更。

[0041] 若将上述清洗液供给到基板W的被清洗面S上，则如图2所示，可通过清洗液中的臭氧O3除去被清洗面S上的有机物F1，同时，通过该臭氧O3而使被清洗面S改性，在该被清洗面S上形成氧化膜F2。由此，使被有机物F1覆盖的污染粒子M被氧化膜F2覆盖，将存在于有机物F1上的污染粒子M通过臭氧O3进行氧化，而成为氧化金属Ma。此外，如图3所示，通过清洗液中的氟化氢HF将被清洗面S上的氧化膜F2除去。由此，可将被氧化膜F2覆盖的污染粒子M及氧化金属Ma从被清洗面S上除去。此外，还使臭氧O3与有机物F1进行反应，通过分解而生成CO2、CO、H2O(参照图2)。

[0042] 另外，如图4所示，多个负电位的微小气泡附着于正电位的污染粒子(例如铝粒子)M，将该污染粒子M包围。此时，在基板W为正电位的情况下，多个负电位的微小气泡附着于基板W的被清洗面S上。由此，可使包围污染粒子M的多个微小气泡与基板W的被清洗面S上的多个微小气泡发生电排斥，防止以前被除去的污染粒子M再次附着于基板W的被清洗面S。此外，在基板W为负电位的情况下，也由于包围污染粒子M的微小气泡与基板W的被清洗面S产生电排斥，因而可防止污染粒子M对基板W的被清洗面S的再次附着。

[0043] 这三种现象(图2、图3及图4所示的现象)依次在基板W的被清洗面S上的各处发生。由于由此可同时进行利用臭氧DE有机物除去、氧化膜形成以及利用稀氢氟酸溶液的氧化膜除去，因而，能够减少清洗工序数。此外，由于多个微小气泡附着于污染粒子M而将该污染粒子M包围，因而，能够防止以前除去的污染粒子M再次附着于基板W的被清洗面S。

[0044] 在此，为了提高使用含有微小气泡的清洗液来清洗基板W的被清洗面S的清洗性能，使包含于从供给喷嘴3喷射的清洗液的微小气泡到达基板W的被清洗面S之后、一边抑制其大小变化、一边例如保持直径直到到达基板W的外缘是比较重要的。由于被清洗面S上的微小气泡或者与其它微小气泡结合而变大或者随时间的流逝而消失，因而有时不能保持其直径而直到到达被清洗面S的外缘。该情况下，会造成防止上述再次附着的效果不充分，致使清洗能力降低。另外，为了进一步提高利用上述三种现象的清洗能力，而需要依次更换基板W被清洗面S上的清洗液。

[0045] 例如，在使用将圆形状的基板W载置于工作台、一边以该工作台中央为旋转中心使工作台旋转、一边向工作台上的基板W供给清洗液的类型的清洗装置的情况下，供给到基板W上的清洗液因基板W旋转产生的离心力而向基板W的外缘扩散。这种情况下，只要将清洗液简单地供给到基板W的被清洗面S的中央附近即可，但是，如本发明第一实施方式所述，在沿一方向输送基板W的情况下，需要关注基板W的被清洗面S上的清洗液的扩散。

[0046] 因此，在本发明第一实施方式中，将从供给喷嘴3喷射出的清洗液的流速设定为到达基板W的被清洗面S上的微小气泡在抑制大小变化的同时、即在保持允许范围内的大小即允许大小的同时、移动至基板W的外缘的流速。例如，将其流速设定为，既保持微小气泡的直径又移动至基板W的外缘的流速。作为用于实现该流速的设定值，可预先通过实验求出，而将其存储于控制部8所具备的存储部，由控制部8打开阀11a至基于该设定值的开口度。与此对应，使供给喷嘴3按上述流速喷射清洗液。此外，在只通过利用阀11a开口而使流速调节不充分的情况下，除根据流量计11b所计测的流量由控制部8控制阀11a的开口度外，还能够调节泵5的送液能力等，进而使流速与上述的设定值一致。

[0047] 若按上述流速从供给喷嘴3喷射清洗液，则该清洗液中的多个微小气泡分别到达基板W的被清洗面S上，其后，一边保持直径一边到达基板W的外缘。其结果是，多个微小气泡能够可靠包围从被清洗面S上除去的污染粒子M，因而，能够可靠防止以前被除去的污染粒子M再次附着于基板W的被清洗面S。此外，由于多个微小气泡保持直径直到到达基板W的外缘，可得到能够可靠进行被清洗面S上的清洗液的置换的流速，因而能够促进在被清洗面S上各处产生的上述三种现象而提高清洗能力。

[0048] 如以上说明所述，根据本发明第一实施方式，清洗液在能够除去氧化膜的液体即稀氢氟酸溶液中，以溶解状态及微小气泡状态具有氧化性气体即臭氧，该清洗液由供给喷嘴3供给到基板W的被清洗面S。由此而同时进行利用臭氧的有机物除去及氧化膜形成以及利用稀氢氟酸溶液的氧化膜除去，因而，能够削减清洗工序数。另外，由于利用供给喷嘴3，以到达基板W的被清洗面S上的微小气泡一边抑制大小变化、例如一边保持直径、一边移动至基板W外缘的流速喷射清洗液，将清洗液供给到基板W的被清洗面S上，因而使多个微小气泡更可靠地包围从被清洗面S上除去的污染粒子M，因此，能够更可靠地防止以前被除去的污染粒子M再次附着于基板W的被清洗面S。

[0049] (第二实施方式)

[0050] 参照图5及图6说明本发明的第二实施方式。

[0051] 本发明第二实施方式基本上与第一实施方式相同。在第二实施方式中，只对与第一实施方式的不同点加以说明，与在第一实施方式进行了说明的部分相同的部分则添加相同的符号，也省略其说明。

[0052] 如图5所示，本发明第二实施方式的基板清洗装置1中设置有多个供给喷嘴3，这些供给喷嘴3沿基板W的被清洗面S在与基板W的输送方向(图5中的箭头A方向)交叉的方向、例如在与输送方向正交的方向排列设置成一列，此外，在与基板W的被清洗面S平行的平面内，相对于基板W的输送方向分别向相同的方向倾斜。此外，如图6所示，各供给喷嘴3相对于基板W的被清洗面S分别向相同的方向倾斜。此时，各供给喷嘴3中，供给清洗液的供给口朝向输送方向的下游侧。

[0053] 在此，基板W今后将具有形成为大型化的趋势，随着其大型化，如上所述而设置有多个供给喷嘴3。但是，如在上述第一实施方式中进行了说明那样，需要着眼于基板W的被清洗面S上的清洗液的扩散，由于只是简单地设置多个供给喷嘴3，将会造成从相邻的供给喷嘴3喷射的清洗液彼此相互干扰，因而到达基板W的被清洗面S的微小气泡难以抑制其大小变化并难以到达基板W的外缘，从而难以防止污染粒子M再次附着于基板W的被清洗面S。

[0054] 因此，如上所述，将各供给喷嘴3沿基板W的被清洗面S在与基板W的输送方向(图5中箭头A方向)正交的方向排列设置一列，在与基板W的被清洗面S平行的平面内，相对于基板W的输送方向分别向相同的方向倾斜角度θ1，此外，相对于基板W的被清洗面S分别向相同的方向倾斜角度θ2。由此，从相邻的供给喷嘴3喷射的清洗液彼此在基板W的被清洗面S上向相同的方向流动，抑制清洗液彼此相互干扰，因而，到达基板W的被清洗面S的微小气泡易于抑制其大小变化并易于到达至基板W的外缘，进而能够抑制污染粒子M再次附着于基板W的被清洗面S。

[0055] 此外，在与被清洗面S平行的平面内相对于基板W的输送方向的倾斜角度θ1以下述方式设定，即，使从相邻的供给喷嘴3喷射的清洗液彼此在基板W的被清洗面S上相对于基板W的输送方向分别向相同方向倾斜角度θ1。该角度θ1根据从供给喷嘴3喷射的清洗液直接到达被清洗面S的供给范围的大小而设定。此外，由于从供给喷嘴3喷射的清洗液以圆锥状扩散，因而供给范围受到供给喷嘴3和基板W的间隔距离的影响，因此，也要考虑其间隔距离。

[0056] 如以上说明所述，根据本发明第二实施方式，能够得到与第一实施方式同样的效果。此外，如上所述，各供给喷嘴3沿基板W的被清洗面S在与基板W的输送方向相交叉的方向排列设置，在与基板W的被清洗面S平行的平面内，相对于基板W的输送方向分别向相同的方向倾斜，此外，相对于基板W的被清洗面S分别向相同的方向倾斜。若利用这些供给喷嘴3向基板W的被清洗面S供给清洗液，则从相邻的供给喷嘴3喷射的清洗液彼此在基板W的被清洗面S上向相同的方向流动，抑制清洗液彼此相互干扰，因而，达到基板W的被清洗面S的微小气泡容易抑制其大小变化并容易到达至基板W的外缘，从而能够抑制污染粒子M再次附着于基板W的被清洗面S。

[0057] (第三实施方式)

[0058] 参照图7(a)～(c)、图8(a)～(c)以及图9(a)及(b)来说明本发明的第三实施方式。图7～图9是将非晶体硅薄膜晶体管(TFT)的制造方法之一例以制造工序顺序示出的剖面图，在本发明第三实施方式中，对将第一实施方式的基板清洗装置1的基板清洗方法应用于非晶体硅薄膜晶体管的制造方法的应用例加以说明。

[0059] 首先，如图7(a)所示，在玻璃基板111上形成栅电极121。栅电极112能够通过以下方式形成：在上述玻璃基板111上使用溅射法或者蒸镀法堆积低电阻导电性材料(电极材料)而形成导电层，其后，在上述导电层上形成抗蚀图案膜，通过以该抗蚀图案膜为掩膜的光刻法对上述导电层进行图案形成而形成。上述栅电极112例如图案形成为岛状。

[0060] 此外，在作为具备上述TFT的薄膜晶体管基板(TFT基板)制造有源矩阵基板的情况下，能够通过对上述导电层进行图案形成，而能够同时图案形成栅极线及栅电极112。

[0061] 作为上述导电性材料可列举铝、钛、钽、钼、铟锡氧化物、氧化锡、钨、铜及铬等低电阻金属及其合金，但是不限定于此。另外，上述栅极线及栅电极112既可以用单层形成，也可以做成组合多组由上述导电性材料构成的层的层叠结构。

[0062] 另外，在上述图案形成中，也可以使用干式蚀刻或者湿式蚀刻中的任一方。

[0063] 接着，如图7(b)所示，以覆盖上述栅电极112的方式例如使用等离子CVD法或者溅射法等，从玻璃基板111侧起依次对由氮化硅等构成的栅极绝缘层113、非晶体硅层114、4
由掺杂了磷等的n型杂质的n 硅构成的欧姆接触层115连续成膜。

[0064] 其后，如图7(c)所示，对上述非晶体硅层114及欧姆接触层115进行蚀刻。

[0065] 此外，上述非晶体硅层114及欧姆接触层115的蚀刻在例如氯气、或者、氯化氢及六氟化硫系气体等中利用干式蚀刻法，或者也可以通过将把氢氟酸(HF)和硝酸(HNO3)的混合酸用水(H2O)或者醋酸(CH3COOH)进行了稀释的水溶液用作蚀刻液的湿式蚀刻法进行。

[0066] 另外，用于上述蚀刻的抗蚀剂掩膜可在上述蚀刻之后，使用含有有机碱的剥离液等进行剥离除去。图7(c)表示将上述非晶体硅层114及欧姆接触层115这两层图案形成为岛状之后除去了上述抗蚀剂掩膜的状态。

[0067] 然后，如图8(a)所示，在上述栅极绝缘层113、非晶体硅层114及欧姆接触层115上使用溅射法或者蒸镀法堆积低电阻导电性材料(电极材料)，形成作为源电极116a及漏电极116b(参照图8(b))的导电层116，在其上形成抗蚀剂掩膜。

[0068] 然后，通过蚀刻除去设置于上述抗蚀剂掩膜的开口部的上述导电层116，如图8(b)所示，进行源/漏电极分离图案形成。由此，形成由上述导电层116构成的源电极116a及漏电极116b。

[0069] 其后，如图8(c)所示，继续进行蚀刻，对上述欧姆接触层115进行蚀刻。

[0070] 其后，如图9(a)所示，进一步对上述非晶体硅层114也进行局部蚀刻，进行调整沟道部的厚度的沟道蚀刻处理。

[0071] 上述沟道蚀刻处理后，使用含有有机碱的剥离液等将上述抗蚀剂掩膜剥离除去。

[0072] 此外，上述沟道蚀刻处理后，为了对上述非晶体硅层114的表面进行疏水化，而在剥离上述抗蚀剂掩膜后，由于使在上述非晶体硅层114的表面成为易于吸附由导电层材料即、金属、硅、氮化硅以及抗蚀剂等构成的微细污染物(相当于第一实施方式的污染粒子M)等的状态，因而在剥离上述抗蚀剂掩膜后，吸附有多种微细污染物，而成为产生不良及特性下降的原因。为了除去这些污染物质，以往，在O3水处理之后使用进行DHF(稀氢氟酸)处理的工序，通过使O3的MNB包含于DHF，因气泡的压坏而使非晶体硅表面间隙的污染物除去效果得到改善。

[0073] 因此，作为上述抗蚀剂掩膜剥离后的清洗处理，供给使能够除去氧化膜的液体即氢氟酸溶液中以溶解状态及微小气泡状态含有氧化性气体即臭氧的清洗液，通过进行含有上述非晶体硅层114的表面的基板(相当于第一实施方式的基板W)整体的清洗，而除去存在于非晶体硅层114表面的污染物等，防止再次附着。因此，由于基板表面确保清洁，因而能够有助于减轻伴随污染物的再次附着而产生的成品率低及提高TFT特性。

[0074] 其后，如图9(b)所示，利用等离子CVD法或者溅射法等在玻璃基板111上侧整个面上形成氮化硅等的钝化膜(保护膜)117。

[0075] (第四实施方式)

[0076] 参照图10(a)～(c)、图11(a)～(c)及图12来说明本发明的第四实施方式。图10～图12是将多晶硅薄膜晶体管的制造方法之一例按制造工序示出的剖面图，在本发明第四实施方式中，对将第一实施方式的基板清洗装置1的基板清洗方法应用于多晶硅薄膜晶体管的制造方法的应用例加以说明。

[0077] 如图10(a)所示，利用等离子CVD法在玻璃基板211上作为基底绝缘膜形成厚度为50nm的硅氮化膜212，并形成厚度为200nm的硅氧化膜213。接着，在硅氧化膜213上形成厚度为50nm的非晶体硅膜214。接着，为了降低非晶体硅膜214中的氢，而用450℃的温度进行退火。而且，对非晶体硅膜214照射激元激光，使非晶体硅膜214变化为多晶硅膜215。

[0078] 接着，在多晶硅膜215上涂敷光致抗蚀剂，经由选择曝光及显影工序，形成规定的抗蚀剂图案。而且，以该抗蚀剂图案为掩膜，对多晶硅膜215进行干式蚀刻，如图10(b)所示，只在规定的区域保留多晶硅膜215。其后，除去抗蚀剂图案。

[0079] 接着，供给在能够除去氧化膜的液体即氢氟酸溶液中以溶解状态及微小气泡状态含有氧化性气体即臭氧的清洗液，进行含有多晶硅膜215的基板(相当于第一实施方式的基板W)表面的清洗。可同时除去基板表面的污染粒子(相当于第一实施方式的污染粒子M)及照射激元激光而使非晶体硅膜214变化为多晶硅膜时产生的存在于晶界的异物(相当于第一实施方式的污染粒子M)等，也防止其再次附着。因此，能够确保基板表面的清洁性及平滑性，有效利用下一工序的硅氧化膜的功能。

[0080] 接着，如图10(c)所示，利用等离子CVD法在玻璃基板211上侧整个面形成30nm厚度的硅氧化膜216。而且，利用溅射法在硅氧化膜216上形成300nm厚度的Al-Nd(铝-钕：Nd含有率为2atm％)膜。其后，使用光致抗蚀剂在Al-Nd膜上形成规定的抗蚀剂图案，以该抗蚀剂图案为掩膜对Al-Nd膜进行干式蚀刻，形成金属图案217。其后，除去抗蚀剂图案。
14 -2
而且，以金属图案217为掩膜在加速电压为25kV、注入量为7×10 cm 的条件下向多晶硅膜215离子注入P(磷)，形成作为n型TFT的源极及漏极的n型杂质区域218，然后，用激元激光照射玻璃基板211的上面整个面，使注入的P电活化。

[0081] 接着，如图11(a)所示，通过湿式蚀刻除去金属图案217。

[0082] 接着，如图11(b)所示，通过等离子CVD法，在硅氧化膜216上形成90nm厚的硅氧化膜219。而且，通过溅射法在硅氧化膜219上形成300nm厚度的Al-Nd(铝-钕：Nd含有率为2atm％)膜。其后，使用光致抗蚀剂在Al-Nd膜上形成规定的抗蚀剂图案，以该抗蚀剂图案为掩膜对Al-Nd膜进行干式蚀刻而形成栅电极220。

[0083] 此时，在TFT形成区域，从上看时，在栅电极220的边缘部分和源极侧杂质区域218之间设置有作为LDD(Lightly Doped Drain)区域221的区域。

[0084] 接着，以栅电极220为掩膜在加速电压为25kV、注入量为7×1014crn-2的条件下向多晶硅膜215离子注入P(磷)，在源极侧及漏极侧的杂质区域218的旁边形成LDD区域221。其后，在400℃的温度下进行退火，使注入到LDD区域221的P(磷)电活化。

[0085] 接着，如图11(c)所示，通过等离子CVD法在硅氧化膜219及栅电极220上形成350nm厚度的硅氮化膜222。其后，在400℃的温度下进行退火，使注入到LDD区域221的P(磷)电活化，同时，通过硅氮化膜222中的氢使位于沟道区域和栅极氧化膜的界面等的缺陷氢化，以改善TFT特性。

[0086] 接着，使用光致抗蚀剂，在硅氮化膜222上形成具有接触孔形成用开口部的抗蚀剂膜，而且，以该抗蚀剂膜为掩膜对硅氮化膜222、硅氧化膜219及硅氧化膜216进行干式蚀刻，如图12所示，形成与TFT的杂质区域218连通的接触孔。

[0087] 接着，通过溅射法在基板211的上侧整个面上依次堆积100nm厚度的Ti、20nm厚度的Al、50nm厚度的Ti，用这些金属掩埋接触孔，同时，在硅氮化膜222上形成金属膜。其后，通过光刻法形成掩膜图案，对金属膜进行干式蚀刻，如图12所示，形成与TFT的源极及漏极电连接的电极223。

[0088] (其它实施方式)

[0089] 此外，本发明的上述实施方式为例示，发明的范围不限于此。上述的实施方式可进行各种变更，例如，可以从上述的实施方式所示的所有构成要素中删除几个构成要素，此外，也可以将不同的实施方式的构成要素进行适当组合。

[0090] 在上述实施方式中，作为微小气泡的产生方法使用了加压溶解，但是不局限于此，例如也可以通过微小气泡生成部等预先生成含有微小气泡的清洗液，从供给喷嘴3喷射该清洗液，或者也可以在供给喷嘴3的内部等将气体卷入清洗液的涡流中而生成微小气泡，从供给喷嘴3喷射含有该微小气泡的清洗液。

[0091] 另外，在上述实施方式中，为了使到达基板W的被清洗面S上的微小气泡一边抑制大小变化一边移动至基板W的外缘，而控制喷射清洗液的流速，但是，也可以取而代之控制喷射清洗液的压力。

[0092] 另外，在上述实施方式中，作为供给喷嘴3使用了单流体喷嘴，但是不限于此，也可以使用高压喷嘴及超声波喷嘴或者双流体喷嘴。特别是通过使用高压喷嘴及双流体喷嘴，并进一步提高从喷嘴喷射的清洗液的流速及喷射压力，而使清洗液的置换性变得更加良好，因而，能够提高清洗效率。

[0093] 另外，在上述实施方式中，基板W的被清洗面S也可以带有正电位及负电位中的任一种，例如也可以使用带电装置使基板W的被清洗面S带负电位。该情况下，与基板W的被清洗面S带正电的情况相比，只要负电位的微小气泡附着于污染粒子M，就能够防止污染粒子M再次附着于基板W的被清洗面S。特别是由于不需要附着于基板W的被清洗面S上的微小气泡，因此能够容易进行与该量对应的清洗液的流速调整。

[0094] 另外，在上述实施方式中，是以水平状态输送基板W，但是不限于此，也可以倾斜输送基板W。该情况下，与水平状态的基板W相比，由于在基板W的被清洗面S上的清洗液的流速上升，因而能够促进被清洗面S上的清洗液的置换。此外，将清洗液向倾斜状态的基板W的上端部供给。

[0095] 另外，在上述实施方式中，作为氧化性气体是以臭氧(O3)为例，但是，还能够使用含有O2(氧)及O3(臭氧)中的至少一种气体的氧化性气体。另外，作为能够除去氧化膜的液体还能够使用含有DHF(稀氢氟酸)、NH4F(氟化铵)及H2O2(双氧水)中的至少一种液体的能够除去氧化膜的液体。

[0096] 另外，根据用途，例如作为基板W还可使用用于形成薄膜晶体管的绝缘性基板或者单晶Si基板。该情况下，还能够使用通过能够除去氧化膜的液体的处理至少局部表现出疏水性、或者通过氧化性气体的处理至少局部表现出亲水性的基板W。除此之外，基板W也可以是至少一部分是以Si为主成分的材料，此时，能够使用基板W的至少一部分为非晶质或者结晶性的Si的基板W。该情况下，该Si也可以是渗杂(注入)非晶质或者结晶性P的Si。

[0097] 虽然对本发明的几个实施方式进行了说明，但是，这些实施方式只是作为例子提出的，不意图限定发明的范围，这些新的实施方式可通过其他各种方式加以实施，在不脱离发明主旨的范围内能够进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形，都包含于发明的范围及主旨中，同时，还包含于权利要求所记载的发明及其等同的范围中。