晶片加工用胶带

摘要

本发明提供一种晶片加工用胶带，其防止了接合剂层从粘合带的粘合剂层剥离。该晶片加工用胶带中，接合剂层(3)的外周部(32)的剥离力大于接合剂层(3)的预定贴合半导体晶片的贴合预定部(30)的剥离力，贴合预定部(30)的剥离力为0.01N/英寸以上且小于0.4N/英寸时，外周部(32)的剥离力为贴合预定部(30)的剥离力的30倍以上或0.9N/英寸以上的两值中较小值，贴合预定部(30)的剥离力为0.4N/英寸以上且小于0.9N/英寸时，外周部(32)的剥离力为0.9N/英寸以上。

权利要求

1.一种晶片加工用胶带，其是将剥离膜、在所述剥离膜的一部分上形成的接合剂层、和在基材膜上形成有粘合剂层的粘合带进行层积得到的晶片加工用胶带，所述粘合带形成为覆盖所述接合剂层且在所述接合剂层的周围与所述剥离膜邻接的形式，其特征在于，所述接合剂层外周部的与所述粘合剂层之间的剥离力大于所述接合剂层预定贴合半导体晶片的贴合预定部的与所述粘合剂层之间的剥离力。

2.一种晶片加工用胶带，其是将剥离膜、在所述剥离膜的一部分上形成的接合剂层、和在基材膜上形成有粘合剂层的粘合带进行层积得到的晶片加工用胶带，所述粘合带形成为覆盖所述接合剂层且在所述接合剂层的周围与所述剥离膜邻接的形式，其特征在于，如下部位的与所述粘合剂层之间的剥离力大于所述接合剂层预定贴合半导体晶片的贴合预定部的与所述粘合剂层之间的剥离力，所述部位是所述接合剂层外周部的一部分，所述部位包含半导体晶片的贴合时成为与所述剥离膜剥离的起点的起点部。

3.一种晶片加工用胶带，其是将剥离膜、在所述剥离膜的一部分上形成的接合剂层、和在基材膜上形成有粘合剂层的粘合带进行层积得到的晶片加工用胶带，所述粘合带形成为覆盖所述接合剂层且在所述接合剂层的周围与所述剥离膜邻接的形式，其特征在于，所述接合剂层的外周部中的、半导体晶片的贴合时成为与剥离膜剥离的起点的起点部的与所述粘合剂层之间的剥离力大于所述接合剂层预定贴合半导体晶片的贴合预定部的与所述粘合剂层之间的剥离力。

4.如权利要求1～3中任一项所述的晶片加工用胶带，其特征在于，所述贴合预定部的剥离力为0.01N/英寸以上且小于0.4N/英寸时，所述外周部、所述外周部的一部分或所述起点部的剥离力为所述贴合预定部的剥离力的30倍以上或0.9N/英寸以上的两值中较小值，所述贴合预定部的剥离力为0.4N/英寸以上且小于0.9N/英寸时，所述外周部、所述外周部的一部分或所述起点部的剥离力为0.9N/英寸以上。

5.如权利要求4所述的晶片加工用胶带，其特征在于，

对所述外周部、所述外周部的一部分或所述起点部进行了激光照射。

6.如权利要求4所述的晶片加工用胶带，其特征在于，

对所述外周部、所述外周部的一部分或所述起点部进行了电晕表面改性处理。

7.如权利要求4所述的晶片加工用胶带，其特征在于，

对所述外周部、所述外周部的一部分或所述起点部进行了加热处理。

8.如权利要求4所述的晶片加工用胶带，其特征在于，

所述外周部、所述外周部的一部分或所述起点部中，在所述接合剂层与所述粘合剂层之间贴有增强带。

9.如权利要求4所述的晶片加工用胶带，其特征在于，

所述外周部、所述外周部的一部分或所述起点部中，在所述接合剂层与所述粘合剂层之间涂布有接合剂。

说明书

晶片加工用胶带

技术领域

[0001] 本发明涉及晶片加工用胶带，特别是涉及用于半导体晶片的切割和拾取的晶片加工用胶带。

背景技术

[0002] 人们开发出了这样的“晶片加工用胶带”：该晶片加工用胶带兼具在将半导体晶片切断成一片片半导体芯片时用于固定半导体晶片的切割带和用于将切割后的半导体芯片接合在基板等上的芯片粘贴(die bonding)膜的这两者的功能。晶片加工用胶带主要由剥离膜、发挥切割粘合带的作用的粘合胶带、和发挥芯片粘贴膜的作用的接合剂层构成。

[0003] 近年来，在面向便携设备的存储器等电子设备领域中，要求更进一步的薄型化和高容量化。因此，对于将厚度为50μm以下的半导体芯片多级层积的安装技术的要求逐年增高。

[0004] 为了应对这样的要求，有人开发并公开了一种上述的晶片加工用胶带，其能够实现薄膜化，具有能够嵌入半导体芯片的电路表面的凹凸这样的柔软性(例如参照专利文献1、2)。

[0005] 晶片加工用胶带通常为比半导体晶片的尺寸大但不与环形框架接触的程度的形状，从接合剂层侧冲切至接合剂层与粘合剂层的的界面部分，贴合时利用晶圆贴片机贴合在半导体晶片和支持该晶片的环形框架上，在环形框架上切成圆形。

[0006] 最近，考虑上述作业性，对晶片加工用胶带实施预切加工。“预切加工”是指对粘合带(在基材膜上形成有粘合剂层)预先实施冲切加工，详细地说，将基材膜和粘合剂层以可贴合在环形框架上且不超出环形框架的尺寸按圆形实施冲切加工。

[0007] 如果使用实施了预切加工的晶片加工用胶带，则如图5所示，在利用晶圆贴片机向半导体晶片(W)贴合的工序中，冲切为圆形的晶片加工用胶带(1)通过剥离用楔子(101)获得从剥离膜(2)剥离的开端后，通过贴合辊(103)实施向半导体晶片(W)和环形框架(5)的贴合，从而可以省去在环形框架上切断粘合带的工序，进而也可以消除对环形框架的损害。

[0008] 其后，将半导体晶片切割，制作多个半导体芯片，通过从粘合带的基材膜侧照射放射线或其他方式等使粘合剂层与接合剂层之间的剥离强度(粘合力)充分降低后，使胶带的基材膜扩展(エキスパンド)，进行半导体芯片的拾取。“放射线”指紫外线那样的光线或电子射线等电离性放射线。

[0009] 现有技术文献

[0010] 专利文献

[0011] 专利文献1：日本特开2000-154356号公报

[0012] 专利文献2：日本特开2003-60127号公报

发明内容

[0013] 发明所要解决的问题

[0014] 可是，在上述那样的利用晶圆贴片机向半导体晶片贴合的工序中，从这样的实施了预切加工的晶片加工用胶带上将剥离膜剥离时，晶片加工用胶带的前端部分通过剥离用楔子，该情况下存在的问题是，接合剂层的前端部分从粘合带的粘合剂层上剥离，而产生出现了接合剂层没有与半导体晶片密合的部分这样的不良情况。

[0015] 作为其原因，可举出接合剂层与粘合带的粘合剂层之间的剥离力(粘合力)非常低。

[0016] 但是，已明白，提高接合剂层与粘合剂层之间的剥离力的行为在其后的工序中使基材膜扩展来拾取半导体芯片时可成为产生拾取错误的原因。

[0017] 作为最近的倾向，为了在1个半导体封装材内层积更多的半导体芯片，越发进行半导体芯片的薄壁化，而所处的现状是，为了在拾取那种薄壁的半导体芯片时不产生错误，要求接合剂层与粘合剂层之间的剥离力更低，因而难以简单地提高剥离力。

[0018] 因此，本发明的主要目的在于提供一种晶片加工用胶带，其在向半导体晶片贴合的工序中能够防止接合剂层从粘合带的粘合剂层上剥离。

[0019] 解决问题所采用的手段

[0020] 为了解决上述课题，根据本发明的一方式，提供一种晶片加工用胶带，其是将剥离膜、在上述剥离膜的一部分上形成的接合剂层、和在基材膜上形成有粘合剂层的粘合带进行层积得到的晶片加工用胶带，所述粘合带形成为覆盖上述接合剂层且在上述接合剂层的周围与上述剥离膜邻接的形式，其特征在于，

[0021] 上述接合剂层外周部的与上述粘合剂层间的剥离力大于上述接合剂层预定贴合半导体晶片的贴合预定部的与上述粘合剂层之间的剥离力。

[0022] 根据本发明的其他方式，提供一种晶片加工用胶带，其是将剥离膜、在上述剥离膜的一部分上形成的接合剂层、和在基材膜上形成有粘合剂层的粘合带进行层积得到的晶片加工用胶带，所述粘合带形成为覆盖上述接合剂层且在上述接合剂层的周围与上述剥离膜邻接的形式，其特征在于，如下部位的与所述粘合剂层之间的剥离力大于所述接合剂层预定贴合半导体晶片的贴合预定部的与所述粘合剂层之间的剥离力，所述部位是作为所述接合剂层外周部的一部分的、包含半导体晶片的贴合时成为与所述剥离膜剥离的起点的起点部在内的部位。

[0023] 根据本发明的其他方式，提供一种晶片加工用胶带，其是将剥离膜、在上述剥离膜的一部分上形成的接合剂层、和在基材膜上形成有粘合剂层的粘合带进行层积得到的晶片加工用胶带，所述粘合带形成为覆盖上述接合剂层且在上述接合剂层的周围与上述剥离膜邻接的形式，其特征在于，

[0024] 上述接合剂层的外周部中、半导体晶片的贴合时成为与剥离膜剥离的起点的起点部的与上述粘合剂层之间的剥离力大于上述接合剂层预定贴合半导体晶片的贴合预定部的与上述粘合剂层之间的剥离力。

[0025] 发明效果

[0026] 通过本发明，由于成为接合剂层与剥离膜剥离的起点的部分的剥离力大于半导体晶片贴合预定部的剥离力，所以在向半导体晶片贴合的工序中，能够防止接合剂层从粘合带的粘合剂层剥离。

[0027] 附图简单说明

[0028] 图1是表示晶片加工用胶带的简要构成的附图。

[0029] 图2是表示剥离膜、接合剂层和粘合带的简要的层积结构的纵截面图。

[0030] 图3是表示接合剂层的简要构成的俯视图。

[0031] 图4是表示将晶片加工用胶带贴合在了半导体晶片和环形框架上的简要状态的纵截面图。

[0032] 图5是用于简要说明将晶片加工用胶带贴合在半导体晶片和环形框架上的装置和方法的附图。

[0033] 图6是表示图3的比较例的实施方式的俯视图。

[0034] 图7是用于说明测定实施例中的样品的剥离力方法的附图。

[0035] 符号说明

[0036] 1晶片加工用胶带

[0037] 2剥离膜

[0038] 3接合剂层

[0039] 4粘合带

[0040] 4a标签部

[0041] 4b周边部

[0042] 6芯

[0043] 10基材膜

[0044] 12粘合剂层

[0045] 100卷绕辊

[0046] 101剥离用楔子

[0047] 102吸附载台

[0048] 103贴合辊

[0049] A剥离膜的拉出方向

[0050] B剥离膜的剥下方向

具体实施方式

[0051] 以下，参照附图对本发明的优选实施方式进行说明。

[0052] [晶片加工用胶带(1)]

[0053] 如图1所示，晶片加工用胶带1在成为芯材的芯6上被卷绕成筒状，使用时从芯6撒放出来。

[0054] 如图2所示，晶片加工用胶带1主要由剥离膜2、接合剂层3和粘合带4构成。

[0055] 在使用了晶片加工用胶带1的向半导体晶片(W)贴合的工序中，剥离膜2从晶片加工用胶带1上剥离，在露出的接合剂层3上贴合半导体晶片(W)。

[0056] [剥离膜(2)]

[0057] 如图1所示，剥离膜2形成矩形的带状，在一方向上充分长。剥离膜2在制造时和使用时发挥载体膜的作用。

[0058] 作为剥离膜2，可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)系、聚乙烯系、其他经剥离处理的膜等周知的剥离膜。

[0059] [粘合带(4)]

[0060] (1)构成

[0061] 如图1和图2所示，粘合带4在覆盖接合剂层3的同时在接合剂层3周围的整个区域可与剥离膜2接触。

[0062] 粘合带4具有与切割用的环形框架5(参照图4)的形状对应的标签部4a和以包围标签部4a的外周的方式形成的周边部4b。在使用晶片加工用胶带1前，粘合带4经预切加工而被除去了周边部4b(残留标签部4a)。

[0063] 如图2所示，粘合带4具有在基材膜10上形成有粘合剂层12的构成。

[0064] 作为粘合带4，只要在切割晶片W时粘合剂层12具有充分的剥离力以使晶片W不剥离，切割后在拾取芯片时粘合剂层12显示低的剥离力以使胶带能够容易地从接合剂层3剥离即可。

[0065] (2)基材膜10

[0066] 基材膜10通常优选使用塑料、橡胶等，粘合剂层12含有放射线聚合成分时，优先选择放射线的透过性好的材料。

[0067] 作为可选作基材膜10的聚合物的例子，可举出聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚-1-丁烯、聚-4-甲基1-戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、离聚物等α-烯烃的均聚物或共聚物或者它们的混合物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯等工程塑料、聚氨酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯系共聚物、聚酰胺-多元醇共聚物等热塑性弹性体。

[0068] 基材膜10可以为选自这些的组中的2种以上材料混合而成的膜，也可以为单层或多层的膜。

[0069] (3)粘合剂层12

[0070] 对用于粘合剂层12的材料没有特别限制，但优选含有放射线聚合性成分。

[0071] 作为放射线聚合性成分，只要通过放射线照射可进行三维网状化就没有特别限制，可举出例如丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸-2-乙基己酯、甲基丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸戊烯酯、丙烯酸四氢糠酯、甲基丙烯酸四氢糠酯、二乙二醇二丙烯酸酯、三乙二醇二丙烯酸酯、四乙二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二甲基丙烯酸酯、三乙二醇二甲基丙烯酸酯、四乙二醇二甲基丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、三羟甲基丙烷二甲基丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、1，4-丁二醇二甲基丙烯酸酯、1，6-己二醇二甲基丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、季戊四醇三甲基丙烯酸酯、季戊四醇四甲基丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二季戊四醇六甲基丙烯酸酯、低聚醚丙烯酸酯、苯乙烯、二乙烯基苯、4-乙烯基甲苯、4-乙烯基吡啶、N-乙烯基吡咯烷酮、丙烯酸-2-羟乙酯、甲基丙烯酸-2-羟乙酯、1，3-丙烯酰氧基-2-羟基丙烷、1，2-甲基丙烯酰氧基-2-羟基丙烷、亚甲基双丙烯酰胺、N，N-二甲基丙烯酰胺、N-羟甲基丙烯酰胺、三(β-羟基乙基)异氰脲酸酯的三丙烯酸酯、异氰酸酯化合物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯化合物、二胺和异氰酸酯化合物、脲甲基丙烯酸酯化合物、在侧链具有烯键式不饱和基团的放射线聚合性共聚物。

[0072] 此外，作为放射线聚合性成分，还可举出如下得到的氨基甲酸酯丙烯酸酯系低聚物：使聚酯型或聚醚型等多元醇化合物与多异氰酸酯化合物(例如2，4-甲苯基二异氰酸酯、2，6-甲苯基二异氰酸酯、1，3-亚二甲苯基二异氰酸酯、1，4-亚二甲苯基二异氰酸酯、二苯基甲烷4，4-二异氰酸酯等)反应，将所得到的末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物与具有羟基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(例如丙烯酸-2-羟乙酯、甲基丙烯酸-2-羟乙酯、丙烯酸-2-羟丙酯、甲基丙烯酸-2-羟丙酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯等)反应，而得到氨基甲酸酯丙烯酸酯系低聚物。

[0073] 这些放射线聚合性化合物能够单独使用或组合两种以上使用。

[0074] [接合剂层(3)]

[0075] 如图1和图2所示，接合剂层3存在于剥离膜2与粘合带4之间。接合剂层3与粘合带4的粘合剂层12密合，在拾取芯片时以附着于芯片上的状态从粘合剂层12剥离。

[0076] 对接合剂层3中所用的材料没有特别的限定，可以使用用于接合剂的公知的聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚醚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚酯酰亚胺树脂、苯氧基树脂、聚砜树脂、聚醚砜树脂、聚苯硫醚树脂、聚醚酮树脂、氯化聚丙烯树脂、丙烯酸类树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂、硅低聚物系等。

[0077] 如图3所示，接合剂层3呈对应晶片W的形状的圆形状。

[0078] 接合剂层3被划分为预定贴合晶片W的部位(贴合预定部30)和其外侧的外周部32。

[0079] 接合剂层3的外周部32的图3(a)中的上侧成为与剥离膜2剥离的起点部34。

[0080] 如图3(a)中斜线部所示，接合剂层3的外周部32在其整个区域的相对于粘合剂层12的剥离力大于贴合预定部30的剥离力。

[0081] 具体来说，

[0082] (i)贴合预定部30的相对于粘合剂层12的剥离力为0.01N/英寸以上且小于0.4N/英寸时，外周部32的相对于粘合剂层12的剥离力为贴合预定部30的相对于粘合剂层12的剥离力的30倍以上或0.9N/英寸以上的两值中较小值，

[0083] (ii)贴合预定部30的相对于粘合剂层12的剥离力为0.4N/英寸以上且小于0.9N/英寸时，外周部32的相对于粘合剂层12的剥离力为0.9N/英寸以上。

[0084] 作为增大剥离力的方法，可采取下述(a)～(e)的方法。

[0085] 上述(a)～(e)的方法既可以单独使用，也可以将这些方法组合使用(其组合也可以进行适宜变更)。

[0086] (a)激光照射

[0087] 对粘合剂层3的外周部32照射激光。

[0088] 照射的激光只要是一般可用于激光标记(laser mark)的激光种类和波长就可以为任何激光，也可以在能够不损害品质的条件下发挥效果的程度内适宜调节激光种类、波长和照射时间。

[0089] (b)电晕表面改性处理

[0090] 对接合剂层3的外周部32实施电晕表面改性处理。

[0091] 电晕表面改性处理只要是一般用于表面改性处理的方法就可以为任何方法，也可以在能够不损害品质的条件下发挥效果的程度内适宜调节种类和处理时间。

[0092] (c)加热处理

[0093] 对接合剂层3的外周部32实施加热处理。

[0094] 加热处理只要是一般通过加热使粘接力强固的方法就可以为任何处理方法，例如可举出照射红外线。

[0095] (d)贴上增强带

[0096] 对于接合剂层3的外周部32(外缘部)，以夹在接合剂层3与粘合带4的粘合剂层12的分界的方式贴上其他的粘合带进行增强。

[0097] 增强用的粘合带只要是一般使用的粘合带就可以为任意胶带。

[0098] (e)利用接合剂进行的增强

[0099] 在接合剂层32的外周部32，在接合剂层3与粘合带4的粘合剂层12之间涂布接合剂。

[0100] 接合剂只要是一般使用的接合剂就可以为任意接合剂。

[0101] 需要说明的是，如图3(b)所示，既可以接合剂层3的外周部32中起点部34和其他部位(36)的相对于粘合剂层12的剥离力比贴合预定部30的剥离力大，也可以最终如图3(c)所示，仅起点部34的相对粘合剂层12的剥离力比贴合预定部30的剥离力大。

[0102] 此时，作为在接合剂层3的起点部34、其他部位36增大剥离力的方法，可以采用上述(a)～(e)的方法，而且上述(a)～(e)的方法既可以单独使用，也可以将它们组合使用(对其组合也可以适宜变更)。

[0103] [晶片加工用胶带(1)的使用方法]

[0104] 将晶片加工用胶带1贴在半导体晶片W和环形框架5上。

[0105] 详细来说，如图5所示，将晶片加工用胶带1利用其滚筒体卷绕，并利用辊100拉出晶片加工用胶带1。

[0106] 在晶片加工用胶带1的拉出路径上，设置有剥离用楔子101，以剥离用楔子101的前端部作为折回点，仅剥下剥离膜2，将剥离膜2卷绕在卷绕辊100上。

[0107] 在剥离用楔子101的前端部的下方设置有吸附载台102，在吸附载台102的上面设置有半导体晶片W和环形框架5。

[0108] 利用剥离用楔子101剥下了剥离膜2之后的接合剂层3和粘合带4被引导到半导体晶片W上，通过贴合辊103贴合在晶片W上。

[0109] 其后，在接合剂层3和粘合带4贴在半导体晶片W和环形框架5上的状态下，切割半导体晶片W。

[0110] 其后，对粘合带4实施放射线照射等固化处理，拾取经切割后的半导体晶片W(半导体芯片)。此时，通过固化处理，粘合带4的剥离力减小，所以将接合剂层3容易地从粘合带4的粘合剂层12上剥离，以背面附着有接合剂层3的状态拾取半导体芯片。

[0111] 随后，附着在半导体芯片背面的接合剂层3在将半导体芯片粘接在引线框架、封装基板、或其他半导体芯片上时作为芯片粘贴膜发挥作用。

[0112] 实施例

[0113] (1)样品的制作

[0114] (11)基材膜的准备和粘合剂层的形成

[0115] 作为基材膜，准备聚烯烃系基材膜Z(厚度100μm)。

[0116] 另一方面，相对于具有放射线聚合性碳-碳双键的丙烯酰系聚合物X(分子量70万Mw、Tg＝-65℃)或Y(分子量20万Mw、Tg＝-20℃)100份、多异氰酸酯系固化剂2～18份，混合光聚合引发剂(2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮)1份，将该溶液涂布在上述基材膜上，使得干燥膜厚成为10μm，其后于110℃干燥2分钟，在基材膜上形成“粘合剂层A～F”。

[0117] 粘合剂层A～F的聚合物的种类(X或Y)、固化剂、光聚合引发剂的混合比如表1所述。

[0118] 其后，对形成有粘合剂层A～F的基材膜实施预切加工，制作(完成)粘合带。

[0119] [表1]

[0120]

[0121] (1.2)接合剂层的形成

[0122] 在丙烯酸系共聚物100份、甲酚酚醛型环氧树脂100份、二甲苯酚醛型酚树脂10份中，混合2-苯基咪唑5份和二甲苯二胺0.5份作为环氧固化剂，将该溶液涂布在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜上，其后于110℃干燥2分钟，在PET膜上形成接合剂层。

[0123] 其后，对作为接合剂层外周部的、不包括接合剂层的半导体晶片贴合预定部分在内的部位，实施下述(1.2.1)～(1.2.5)所述的激光照射、电晕表面改性处理、加热处理、贴上增强带或涂布接合剂的任一处理。

[0124] 实施处理的部位和处理方法如表2和表3所示。

[0125] 需要说明的是，在比较例1、2中，如图6(a)所示，对接合剂层的外周部不实施任何处理。

[0126] 在比较例3、5、7、8、10、12～14中，如图6(b)和图6(c)所示，对作为接合剂层外周部的一部分的、不包括接合剂层与剥离膜剥离的起点在内的部位(参照斜线部)，实施上述任一处理。

[0127] (1.2.1)激光照射

[0128] 使用CO2激光打标机，对接合剂层的表面进行激光照射。

[0129] (1.2.2)电晕表面改性处理

[0130] 使用电晕表面改性处理机，对接合剂层的表面进行电晕表面改性处理。

[0131] (1.2.3)加热处理

[0132] 对接合剂层的表面照射红外线，进行加热处理。

[0133] (1.2.4)贴上增强带

[0134] 对接合剂层的外缘部，以夹在粘合带与接合剂层的分界的方式贴上增强用的粘合带。

[0135] (1.2.5)涂布接合剂

[0136] 在接合剂层的外周部的接合剂层与粘合带的粘合剂层之间涂布接合剂，利用接合剂贴上接合剂层和粘合带。

[0137] (1.3)晶片加工用胶带的形成

[0138] 对接合剂层按大于晶片尺寸的形状实施冲切加工，将该厚度为10μm的接合剂层贴合在粘合带的粘合剂层上，形成(完成)晶片加工用胶带。在该晶片加工用胶带上设置有在接合剂层的形成工序中使用的PET系的分离物作为剥离膜。

[0139] (2)样品的评价

[0140] (2.1)剥离力测定方法

[0141] 对于各样品，在剥下剥离膜(PET)后，为了防止剥离试验时接合剂层伸长，在平坦的玻璃板上，使用手动贴合辊(2kg)，将支持带(积水化学工业化株式会社制造的打包用OPP胶带(オリエンスパツトテ一プ)、幅宽38mm)贴合到接合剂层侧，制成粘合带、接合剂层、支持带的层积体。

[0142] 其后，如图7所示，包含成为接合剂层与剥离膜(PET膜)剥离的起点的部分在内，在从外周部朝向中心的方向上从该层积体上切取长100m、宽25mm的长方形，作为试验片。

[0143] 其后，对各试验片，向图7的箭头方向、即从接合剂层的中心朝向外周部的方向，以剥离角度180度、剥离速度300mm/min(分钟)将粘合剂层与接合剂层之间撕开，分别求出相当于半导体晶片的贴合预定部的部分和相当于剥离起点部的部分的剥离力。将测定结果示于表2～表6。

[0144] (2.2)贴合试验

[0145] 利用图5所示的装置和方法，以加热温度70℃、贴合速度12mm/s对实施例和比较例的各样品贴合厚度50μm、直径200mm的硅片。

[0146] 上述贴合作业试行10次，根据接合剂层从粘合带上部分卷起的状态来确认是否贴合在硅片上。试验结果示于表2～表6。

[0147] 10次贴合作业后，每次接合剂层都没有从粘合带上卷起而附着在粘合带上的情况评价为“○(贴合良好)”，至少1次接合剂层从粘合带上部分卷起的情况评价为“×(贴合不佳)”。

[0148] (2.3)拾取试验

[0149] 以70℃×10秒的条件对实施例和比较例的各样品加热贴合厚度50μm的硅片，然后切割成10mm×10mm。

[0150] 其后，利用空气冷却式高压汞灯(80W/cm、照射距离10cm)对粘合剂层照射200mJ/2
cm 的紫外线，然后，对硅片中央部的50个芯片利用拾取装置(佳能机械制造，商品名：
CAP-300II)进行拾取试验。试验结果列于表2～表6。

[0151] 50个芯片全都成功拾取时评价为“○”，50个芯片中即使有1个没有拾取也评价为“×”。

[0152] [表2]

[0153]

[0154]

[0155] [表3]

[0156]

[0157]

[0158] [表4]

[0159]

[0160]

[0161] [表5]

[0162]

[0163]

[0164] [表6]

[0165]

[0166] (3)归纳

[0167] 如表2～表6所示，可知，在实施例1～12中，贴合试验和拾取试验的结果均好，只要增大在作为接合剂层外周部的、包含与剥离膜剥离的起点的部分的剥离力，使其大于半导体晶片的贴合预定部位的剥离力，就能够防止接合剂层从粘合带的粘合剂层剥离，也不会导致拾取错误。另外，比较例1中由于半导体晶片的贴合预定部位的剥离力也高，所以虽然能够良好地向硅片贴合，但拾取错误多发。