一种铒镱双掺四氟钇钠上转换发光纳米带的制备方法转让专利
申请号 : CN201210044545.3
文献号 : CN102660807B
文献日 : 2014-02-12
发明人 : 董相廷 , 于飞 , 于文生 , 王进贤 , 刘桂霞
申请人 : 长春理工大学
摘要 :
本发明涉及一种铒镱双掺四氟钇钠上转换发光纳米带的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明包括四个步骤：(1)配制纺丝液；(2)采用静电纺丝技术制备PVP/金属硝酸盐复合纳米带；(3)制备混合氧化物纳米带；(4)制备NaYF4:Er3+，Yb3+上转换发光纳米带。采用双坩埚法，用氟化氢铵将混合氧化物纳米带进行氟化处理，得到NaYF4:Er3+，Yb3+上转换发光纳米带，具有良好的结晶性，宽度为3.04±0.52μm，厚度为112nm，长度大于50μm。该上转换发光纳米带是一种有重要应用价值的纳米发光材料。本发明的制备方法简单易行，可以批量生产，具有广阔的应用前景。
权利要求 :
1.一种铒镱双掺四氟钇钠上转换发光纳米带的制备方法，其特征在于，采用静电纺丝技术与氟化技术相结合的方法，使用分子量Mr＝1300000的聚乙烯吡咯烷酮PVP为高分子模板剂，采用N，N-二甲基甲酰胺DMF为溶剂，氟化试剂使用氟化氢铵NH4HF2，制备产物为铒
3+ 3+
镱双掺四氟钇钠NaYF4:Er ，Yb 上转换发光纳米带，其步骤为：(1)配制纺丝液
钠源、钇源、铒源和镱源使用的是碳酸钠Na2CO3、氧化钇Y2O3、氧化铒Er2O3和氧化镱Yb2O3，高分子模板剂采用聚乙烯吡咯烷酮PVP，采用N，N-二甲基甲酰胺DMF为溶剂，称取一+ 3+ 3+ 3+定量的碳酸钠Na2CO3、氧化钇Y2O3、氧化铒Er2O3和氧化镱Yb2O3，其中Na，Y ，Er 和Yb 的
3+ 3+
摩尔比为100∶79∶1∶20，即铒离子Er 和镱离子Yb 的摩尔百分数为1％和20％，用硝酸HNO3溶解后蒸发，得到NaNO3、Y(NO3)3、Er(NO3)3和Yb(NO3)3混合晶体，加入适量的N，N-二甲基甲酰胺DMF溶剂和聚乙烯吡咯烷酮PVP，于室温下磁力搅拌8h，并静置6h，即形成纺丝液，该纺丝液各组成部分的质量百分数为：硝酸盐含量10％，PVP含量20％，溶剂DMF含量70％；
(2)PVP/[NaNO3+Y(NO3)3+Er(NO3)3+Yb(NO3)3]复合纳米带将配制好的纺丝液加入纺丝装置的储液管中，进行静电纺丝，喷头内径0.7mm，调整喷头与水平面垂直，施加6kV的直流电压，固化距离18cm，室温18～28℃，相对湿度为55％～
70％，得到PVP/[NaNO3+Y(NO3)3+Er(NO3)3+Yb(NO3)3]复合纳米带；
(3)制备混合氧化物纳米带
将所述的PVP/[NaNO3+Y(NO3)3+Er(NO3)3+Yb(NO3)3]复合纳米带放到程序控温炉中进行热处理，升温速率为1℃/min，在600℃恒温4h，再以1℃/min的速率降温至200℃，之后随炉体自然冷却至室温，得到混合氧化物纳米带；
3+ 3+
(4)制备NaYF4:Er ，Yb 上转换发光纳米带
氟化试剂使用氟化氢铵NH4HF2，采用双坩埚法，将氟化氢铵放入小坩埚中，上面覆盖碳棒，将所述的混合氧化物纳米带放在碳棒上面，将小坩埚放入较大的坩埚中，在内外坩埚间加过量的氟化氢铵，在外坩埚上加上坩埚盖子放入管式炉中，以2℃/min的升温速率升温至280℃保温2h，再升温到500℃保温3h，最后以1℃/min的降温速率降温至200℃，之后
3+ 3+
随炉体自然冷却至室温，得到NaYF4:Er ，Yb 上转换发光纳米带，宽度为3.04±0.52μm，厚度为112nm，长度大于50μm。
说明书 :
一种铒镱双掺四氟钇钠上转换发光纳米带的制备方法
技术领域
[0001] 本发明涉及纳米材料制备研究领域，具体说涉及一种铒镱双掺四氟钇钠上转换发光纳米带的制备方法。
背景技术
[0002] 无机物纳米带的制备与性质研究目前是材料科学、凝聚态物理、化学等学科研究的前沿热点之一。纳米带是一种用人工方法合成的呈带状结构的纳米材料，它的横截面是一个矩形结构，其厚度在纳米量级，宽度可达到微米级，而长度可达几百微米，甚至几毫米。纳米带由于其不同于管、线材料的新颖结构以及独特的光、电、磁等性能而引起人们的高度重视。
[0003] 上转换发光过程是指材料吸收较低能量光子发出较高能量光子的过程，上转换材料所具有的这一特殊性质使其在激光技术、光纤通讯技术、纤维放大器、显示技术与防伪等3+
诸多领域具有广阔的应用前景。上转换材料通常包括激活剂、敏化剂和基质。铒离子Er具有丰富的能级，且部分能级寿命较长，上转换效率很高，是目前研究较多的上转换材料的
3+ 3+
激活剂。以Er 离子为激活剂的上转换材料通常采用镱离子Yb 为敏化剂。稀土四氟化物由于具有丰富的4f能级和较低的声子能，是目前稀土离子掺杂的高效上转换发光材料的
3+ 3+
基质之一。铒镱双掺四氟钇钠NaYF4:Er ，Yb 是一种重要的上转换发光材料，具有重要应用前景。已经采用微乳液法、前驱体热解法、水热与溶剂热法、沉淀法、溶胶-凝胶法、多元
3+ 3+
醇法、高沸点配位溶剂法等方法，制备了NaYF4:Er ，Yb 纳米晶、纳米棒、片状、立方体纳米晶、六方体纳米晶、八面体纳米晶、空心管状结构、纳米线、纺锤形等纳米材料。铒镱双掺四
3+ 3+
氟钇钠NaYF4:Er ，Yb 上转换发光纳米带是一种新型的发光材料，将在发光与显示、防伪、医学检测、生物标记、太阳能电池、化学与生物传感器、纳米器件等领域得到重要应用，具有
3+ 3+
广阔的应用前景。目前，未见铒镱双掺四氟钇钠NaYF4:Er ，Yb 上转换发光纳米带的报道。
诸多领域具有广阔的应用前景。上转换材料通常包括激活剂、敏化剂和基质。铒离子Er具有丰富的能级，且部分能级寿命较长，上转换效率很高，是目前研究较多的上转换材料的
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激活剂。以Er 离子为激活剂的上转换材料通常采用镱离子Yb 为敏化剂。稀土四氟化物由于具有丰富的4f能级和较低的声子能，是目前稀土离子掺杂的高效上转换发光材料的
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基质之一。铒镱双掺四氟钇钠NaYF4:Er ，Yb 是一种重要的上转换发光材料，具有重要应用前景。已经采用微乳液法、前驱体热解法、水热与溶剂热法、沉淀法、溶胶-凝胶法、多元
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醇法、高沸点配位溶剂法等方法，制备了NaYF4:Er ，Yb 纳米晶、纳米棒、片状、立方体纳米晶、六方体纳米晶、八面体纳米晶、空心管状结构、纳米线、纺锤形等纳米材料。铒镱双掺四
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氟钇钠NaYF4:Er ，Yb 上转换发光纳米带是一种新型的发光材料，将在发光与显示、防伪、医学检测、生物标记、太阳能电池、化学与生物传感器、纳米器件等领域得到重要应用，具有
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广阔的应用前景。目前，未见铒镱双掺四氟钇钠NaYF4:Er ，Yb 上转换发光纳米带的报道。
[0004] 专利号为1975504的美国专利公开了一项有关静电纺丝方法(electrospinning)的技术方案，该方法是制备连续的、具有宏观长度的微纳米纤维的一种有效方法，由Formhals于1934年首先提出。这一方法主要用来制备高分子纳米纤维，其特征是使带电的高分子溶液或熔体在静电场中受静电力的牵引而由喷嘴喷出，投向对面的接收屏，从而实现拉丝，然后，在常温下溶剂蒸发，或者熔体冷却到常温而固化，得到微纳米纤维。近10年来，在无机纤维制备技术领域出现了采用静电纺丝方法制备无机化合物如氧化物纳
3+ 3+ 3+ 3+ 3+
米纤维的技术方案，所述的氧化物包括TiO2、ZrO2、Y2O3、Y2O3:RE (RE ＝Eu 、Tb 、Er 、
3+ 3+
Yb /Er )、NiO、Co3O4、Mn2O3、Mn3O4、CuO、SiO2、Al2O3、V2O5、ZnO、Nb2O5、MoO3、CeO2、LaMO3(M＝Fe、Cr、Mn、Co、Ni、Al)、Y3Al5O12、La2Zr2O7等金属氧化物和金属复合氧化物。已有人利用静电纺丝技术成功制备了高分子纳米带(Materials Letters，2007，61：2325-2328；
Journal of PolymerScience：Part B：Polymer Physics，2001，39：2598-2606)。有人利用锡的有机化合物，使用静电纺丝技术与金属有机化合物分解技术相结合制备了多孔SnO2纳米带(Nanotechnology，2007，18：435704)；有人利用静电纺丝技术首先制备了PEO/氢氧化锡复合纳米带，将其焙烧得到了多孔SnO2纳米带(J.Am.Ceram.Soc.，2008，91(1)：
257-262)。董相廷等采用静电纺丝技术制备了稀土三氟化物纳米带(中国发明专利，申请号：201010108039.7)、二氧化钛纳米带(中国发明专利，授权号：ZL200810050948.2)和
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Gd3Ga5O12:Eu 多孔纳米带(高等学校化学学报，2010，31(7)，1291-1296)。目前未见采用静
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电纺丝技术与氟化技术相结合制备NaYF4:Er ，Yb 上转换发光纳米带的报道。
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米纤维的技术方案，所述的氧化物包括TiO2、ZrO2、Y2O3、Y2O3:RE (RE ＝Eu 、Tb 、Er 、
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Yb /Er )、NiO、Co3O4、Mn2O3、Mn3O4、CuO、SiO2、Al2O3、V2O5、ZnO、Nb2O5、MoO3、CeO2、LaMO3(M＝Fe、Cr、Mn、Co、Ni、Al)、Y3Al5O12、La2Zr2O7等金属氧化物和金属复合氧化物。已有人利用静电纺丝技术成功制备了高分子纳米带(Materials Letters，2007，61：2325-2328；
Journal of PolymerScience：Part B：Polymer Physics，2001，39：2598-2606)。有人利用锡的有机化合物，使用静电纺丝技术与金属有机化合物分解技术相结合制备了多孔SnO2纳米带(Nanotechnology，2007，18：435704)；有人利用静电纺丝技术首先制备了PEO/氢氧化锡复合纳米带，将其焙烧得到了多孔SnO2纳米带(J.Am.Ceram.Soc.，2008，91(1)：
257-262)。董相廷等采用静电纺丝技术制备了稀土三氟化物纳米带(中国发明专利，申请号：201010108039.7)、二氧化钛纳米带(中国发明专利，授权号：ZL200810050948.2)和
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Gd3Ga5O12:Eu 多孔纳米带(高等学校化学学报，2010，31(7)，1291-1296)。目前未见采用静
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电纺丝技术与氟化技术相结合制备NaYF4:Er ，Yb 上转换发光纳米带的报道。
[0005] 利用静电纺丝技术制备纳米材料时，原料的种类、高分子模板剂的分子量、纺丝液的组成、纺丝过程参数和热处理工艺对最终产品的形貌和尺寸都有重要影响。本发明先采用静电纺丝技术，以碳酸钠Na2CO3、氧化钇Y2O3、氧化铒Er2O3和氧化镱Yb2O3为原料，用硝酸溶解后蒸发，得到硝酸钠NaNO3、硝酸钇Y(NO3)3、硝酸铒Er(NO3)3和硝酸镱Yb(NO3)3混合晶体，加入溶剂N，N-二甲基甲酰胺DMF和高分子模板剂聚乙烯吡咯烷酮PVP，得到纺丝液后进行静电纺丝，在最佳的实验条件下，制备出PVP/[NaNO3+Y(NO3)3+Er(NO3)3+Yb(NO3)3]复合纳米带，将其在空气中进行热处理，得到混合氧化物纳米带，采用双坩埚法、以氟化氢铵NH4HF23+ 3+
为氟化剂进行氟化，制备出了结构新颖纯相的NaYF4:Er ，Yb 上转换发光纳米带。
为氟化剂进行氟化，制备出了结构新颖纯相的NaYF4:Er ，Yb 上转换发光纳米带。
发明内容
[0006] 现有技术采用微乳液法、前驱体热解法、水热与溶剂热法、沉淀法、溶胶-凝胶法、3+ 3+
多元醇法、高沸点配位溶剂法等方法，制备了NaYF4:Er ，Yb 纳米晶、纳米棒、片状、立方体纳米晶、六方体纳米晶、八面体纳米晶、空心管状结构、纳米线、纺锤形等纳米材料。背景技术中的使用静电纺丝技术制备了金属氧化物、金属复合氧化物纳米纤维、高分子纳米带、
3+
SnO2纳米带、TiO2纳米带、Gd3Ga5O12:Eu 多孔纳米带和稀土三氟化物纳米带。为了在纳米带领域提供一种新型上转换发光纳米带材料，我们将静电纺丝技术与氟化技术相结合，发
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明了NaYF4:Er ，Yb 上转换发光纳米带的制备方法。
多元醇法、高沸点配位溶剂法等方法，制备了NaYF4:Er ，Yb 纳米晶、纳米棒、片状、立方体纳米晶、六方体纳米晶、八面体纳米晶、空心管状结构、纳米线、纺锤形等纳米材料。背景技术中的使用静电纺丝技术制备了金属氧化物、金属复合氧化物纳米纤维、高分子纳米带、
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SnO2纳米带、TiO2纳米带、Gd3Ga5O12:Eu 多孔纳米带和稀土三氟化物纳米带。为了在纳米带领域提供一种新型上转换发光纳米带材料，我们将静电纺丝技术与氟化技术相结合，发
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明了NaYF4:Er ，Yb 上转换发光纳米带的制备方法。
[0007] 本发明是这样实现的，首先制备出用于静电纺丝的具有一定粘度的纺丝液，应用静电纺丝技术进行静电纺丝，在最佳的实验条件下，制备出PVP/[NaNO3+Y(NO3)3+Er(NO3)3+Yb(NO3)3]复合纳米带，将其在空气中进行热处理，得到了混合氧化物纳米带，采用双坩埚法、3+ 3+
以氟化氢铵NH4HF2为氟化剂进行氟化，制备出了结构新颖纯相的NaYF4:Er ，Yb 上转换发
3+ 3+
光纳米带。在本发明中，掺杂的铒离子Er 和镱离子Yb 的摩尔百分数分别为1％和20％。
其步骤为：
以氟化氢铵NH4HF2为氟化剂进行氟化，制备出了结构新颖纯相的NaYF4:Er ，Yb 上转换发
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光纳米带。在本发明中，掺杂的铒离子Er 和镱离子Yb 的摩尔百分数分别为1％和20％。
其步骤为：
[0008] (1)配制纺丝液
[0009] 钠源、钇源、铒源和镱源使用的是碳酸钠Na2CO3、氧化钇Y2O3、氧化铒Er2O3和氧化镱Yb2O3，高分子模板剂采用聚乙烯吡咯烷酮PVP，分子量为1300000，采用N，N-二甲基甲酰胺DMF为溶剂，称取一定量的碳酸钠Na2CO3、氧化钇Y2O3、氧化铒Er2O3和氧化镱Yb2O3，其中+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+Na，Y ，Er 和Yb 的摩尔比为100∶79∶1∶20，即铒离子Er 和镱离子Yb 的摩尔百分数为1％和20％，用硝酸HNO3溶解后蒸发，得到NaNO3、Y(NO3)3、Er(NO3)3和Yb(NO3)3混合晶体，加入适量的N，N-二甲基甲酰胺DMF溶剂和聚乙烯吡咯烷酮PVP，于室温下磁力搅拌
8h，并静置6h，即形成纺丝液，该纺丝液各组成部分的质量百分数为：硝酸盐含量10％，PVP含量20％，溶剂DMF含量70％；
8h，并静置6h，即形成纺丝液，该纺丝液各组成部分的质量百分数为：硝酸盐含量10％，PVP含量20％，溶剂DMF含量70％；
[0010] (2)PVP/[NaNO3+Y(NO3)3+Er(NO3)3+Yb(NO3)3]复合纳米带
[0011] 将配制好的纺丝液加入纺丝装置的储液管中，进行静电纺丝，喷头内径0.7mm，调整喷头与水平面垂直，施加6kV的直流电压，固化距离18cm，室温18～28℃，相对湿度为55％～70％，得到PVP/[NaNO3+Y(NO3)3+Er(NO3)3+Yb(NO3)3]复合纳米带；
[0012] (3)制备混合氧化物纳米带
[0013] 将所述的PVP/[NaNO3+Y(NO3)3+Er(NO3)3+Yb(NO3)3]复合纳米带放到程序控温炉中进行热处理，升温速率为1℃/min，在600℃恒温4h，再以1℃/min的速率降温至200℃，之后随炉体自然冷却至室温，得到混合氧化物纳米带；
[0014] (4)制备NaYF4:Er3+，Yb3+上转换发光纳米带
[0015] 氟化试剂使用氟化氢铵NH4HF2，采用双坩埚法，将氟化氢铵放入小坩埚中，上面覆盖碳棒，将所述的混合氧化物纳米带放在碳棒上面，将小坩埚放入较大的坩埚中，在内外坩埚间加过量的氟化氢铵，在外坩埚上加上坩埚盖子放入管式炉中，以2℃/min的升温速率升温至280℃保温2h，再升温到500℃保温3h，最后以1℃/min的降温速率降温至3+ 3+
200℃，之后随炉体自然冷却至室温，得到NaYF4:Er ，Yb 上转换发光纳米带，纳米带宽度为
3.04±0.52μm，厚度为112nm，长度大于50μm。
200℃，之后随炉体自然冷却至室温，得到NaYF4:Er ，Yb 上转换发光纳米带，纳米带宽度为
3.04±0.52μm，厚度为112nm，长度大于50μm。
[0016] 在上述过程中所述的NaYF4:Er3+，Yb3+上转换发光纳米带具有良好的结晶性，纳米带宽度为3.04±0.52μm，厚度为112nm，长度大于50μm，实现了发明目的。
附图说明
[0017] 图1是NaYF4:Er3+，Yb3+上转换发光纳米带的XRD谱图；
[0018] 图2是NaYF4:Er3+，Yb3+上转换发光纳米带的SEM照片，该图兼作摘要附图；
[0019] 图3是NaYF4:Er3+，Yb3+上转换发光纳米带的宽度分布直方图；
[0020] 图4是NaYF4:Er3+，Yb3+上转换发光纳米带的EDS谱图；
[0021] 图5是NaYF4:Er3+，Yb3+上转换发光纳米带的上转换发射光谱图；
[0022] 图6是NaYF4:Er3+，Yb3+上转换发光纳米带在不同激发功率的二极管激光器激发时的上转换发射光谱图；
[0023] 图7是NaYF4:Er3+，Yb3+上转换发光纳米带的上转换发光强度与二极管激光器的激发功率之间的双自然对数图。
具体实施方式
[0024] 本发明所选用的氧化钇Y2O3、氧化铒Er2O3和氧化镱Yb2O3的纯度为99.99％，聚乙烯吡咯烷酮PVP，分子量1300000，N，N-二甲基甲酰胺DMF，碳棒，碳酸钠Na2CO3，氟化氢铵NH4HF2和硝酸HNO3均为市售分析纯产品；所用的玻璃仪器、坩埚和设备是实验室中常用的仪器和设备。
[0025] 实施例：称取一定量的碳酸钠Na2CO3、氧化钇Y2O3、氧化铒Er2O3和氧化镱Yb2O3，其+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+中Na，Y ，Er 和Yb 的摩尔比为100∶79∶1∶20，即铒离子Er 和镱离子Yb 的摩尔百分数为1％和20％，用硝酸HNO3溶解后蒸发，得到NaNO3、Y(NO3)3、Er(NO3)3和Yb(NO3)3混合晶体，加入适量的N，N-二甲基甲酰胺DMF溶剂和聚乙烯吡咯烷酮PVP，于室温下磁力搅拌8h，并静置6h，即形成纺丝液，该纺丝液各组成部分的质量百分数为：硝酸盐含量10％，PVP含量20％，溶剂DMF含量70％；将配制好的纺丝液加入纺丝装置的储液管中，进行静电纺丝，喷头内径0.7mm，调整喷头与水平面垂直，施加6kV的直流电压，固化距离18cm，室温
18～28℃，相对湿度为55％～70％，得到PVP/[NaNO3+Y(NO3)3+Er(NO3)3+Yb(NO3)3]复合纳米带；将所述的PVP/[NaNO3+Y(NO3)3+Er(NO3)3+Yb(NO3)3]复合纳米带放到程序控温炉中进行热处理，升温速率为1℃/min，在600℃恒温4h，再以1℃/min的速率降温至200℃，之后随炉体自然冷却至室温，得到混合氧化物纳米带；氟化试剂使用氟化氢铵NH4HF2，采用双坩埚法，将氟化氢铵放入小坩埚中，上面覆盖碳棒，将所述的混合氧化物纳米带放在碳棒上面，将小坩埚放入较大的坩埚中，在内外坩埚间加过量的氟化氢铵，在外坩埚上加上坩埚盖子放入管式炉中，以2℃/min的升温速率升温至280℃保温2h，再升温到500℃保温3h，最
3+ 3+
后以1℃/min的降温速率降温至200℃，之后随炉体自然冷却至室温，得到NaYF4:Er ，Yb
3+ 3+
上转换发光纳米带。所述的NaYF4:Er ，Yb 上转换发光纳米带，具有良好的结晶性，其衍射峰的d值和相对强度与NaYF4的PDF标准卡片(16-0334)所列的d值和相对强度一致，属
3+ 3+
于六方晶系，空间群为P63/m，见图1所示。所述的NaYF4:Er ，Yb 上转换发光纳米带呈纳
3+
米带状，厚度为112nm，长度大于50μm，见图2所示。用Shapiro-Wilk方法对NaYF4:Er ，
3+ 3+ 3+
Yb 上转换发光纳米带的宽度进行正态分布检验，在95％的置信度下，NaYF4:Er ，Yb 上转
3+
换发光纳米带的宽度分布属于正态分布，宽度为3.04±0.52μm，见图3所示。NaYF4:Er ，
3+
Yb 上转换发光纳米带由Na、Y、F、Er和Yb元素组成(Au来源于SEM制样时表面镀的Au导电层)，见图4所示。用波长为980nm、功率269mW的二极管激光器作为激发光源，得到
3+ 3+
NaYF4:Er ，Yb 上转换发光纳米带的上转换发射光谱，由峰值分别为407nm、519nm、538nm
3+ 2 4
和651nm的谱带组成，其中407nm处的蓝光发射对应Er 离子的 H9/2→ I15/2跃迁发射，
3+ 2 4 4 4
519nm和538nm处的绿光发射对应Er 离子的 H11/2→ I15/2和 S3/2→ I15/2跃迁发射，而
3+ 4 4 3+ 3+
651nm处的红光发射对应Er 离子的 F9/2→ I15/2跃迁发射，见图5所示。NaYF4:Er ，Yb 上转换发光纳米带的上转换发射光谱随着二极管激光器的激发功率的增加而增强，见图6所
3+ 3+ 4 4
示。将NaYF4:Er ，Yb 上转换发光纳米带的上转换发射光谱中的绿光发射 S3/2→ I15/2跃
4 4
迁和红光发射 F9/2→ I15/2跃迁的上转换发光强度的自然对数lnI对二极管激光器的激发
4 4 4 4
功率的自然对数lnP作图，得到两条直线，其中 S3/2→ I15/2跃迁和 F9/2→ I15/2跃迁的斜率
4 4 4 4
n分别为3.337和3.7903，表明绿光发射 S3/2→ I15/2为三光子过程，红光发射 F9/2→ I15/2为四光子过程，见图7所示。
18～28℃，相对湿度为55％～70％，得到PVP/[NaNO3+Y(NO3)3+Er(NO3)3+Yb(NO3)3]复合纳米带；将所述的PVP/[NaNO3+Y(NO3)3+Er(NO3)3+Yb(NO3)3]复合纳米带放到程序控温炉中进行热处理，升温速率为1℃/min，在600℃恒温4h，再以1℃/min的速率降温至200℃，之后随炉体自然冷却至室温，得到混合氧化物纳米带；氟化试剂使用氟化氢铵NH4HF2，采用双坩埚法，将氟化氢铵放入小坩埚中，上面覆盖碳棒，将所述的混合氧化物纳米带放在碳棒上面，将小坩埚放入较大的坩埚中，在内外坩埚间加过量的氟化氢铵，在外坩埚上加上坩埚盖子放入管式炉中，以2℃/min的升温速率升温至280℃保温2h，再升温到500℃保温3h，最
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后以1℃/min的降温速率降温至200℃，之后随炉体自然冷却至室温，得到NaYF4:Er ，Yb
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上转换发光纳米带。所述的NaYF4:Er ，Yb 上转换发光纳米带，具有良好的结晶性，其衍射峰的d值和相对强度与NaYF4的PDF标准卡片(16-0334)所列的d值和相对强度一致，属
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于六方晶系，空间群为P63/m，见图1所示。所述的NaYF4:Er ，Yb 上转换发光纳米带呈纳
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米带状，厚度为112nm，长度大于50μm，见图2所示。用Shapiro-Wilk方法对NaYF4:Er ，
3+ 3+ 3+
Yb 上转换发光纳米带的宽度进行正态分布检验，在95％的置信度下，NaYF4:Er ，Yb 上转
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换发光纳米带的宽度分布属于正态分布，宽度为3.04±0.52μm，见图3所示。NaYF4:Er ，
3+
Yb 上转换发光纳米带由Na、Y、F、Er和Yb元素组成(Au来源于SEM制样时表面镀的Au导电层)，见图4所示。用波长为980nm、功率269mW的二极管激光器作为激发光源，得到
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NaYF4:Er ，Yb 上转换发光纳米带的上转换发射光谱，由峰值分别为407nm、519nm、538nm
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和651nm的谱带组成，其中407nm处的蓝光发射对应Er 离子的 H9/2→ I15/2跃迁发射，
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519nm和538nm处的绿光发射对应Er 离子的 H11/2→ I15/2和 S3/2→ I15/2跃迁发射，而
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651nm处的红光发射对应Er 离子的 F9/2→ I15/2跃迁发射，见图5所示。NaYF4:Er ，Yb 上转换发光纳米带的上转换发射光谱随着二极管激光器的激发功率的增加而增强，见图6所
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示。将NaYF4:Er ，Yb 上转换发光纳米带的上转换发射光谱中的绿光发射 S3/2→ I15/2跃
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迁和红光发射 F9/2→ I15/2跃迁的上转换发光强度的自然对数lnI对二极管激光器的激发
4 4 4 4
功率的自然对数lnP作图，得到两条直线，其中 S3/2→ I15/2跃迁和 F9/2→ I15/2跃迁的斜率
4 4 4 4
n分别为3.337和3.7903，表明绿光发射 S3/2→ I15/2为三光子过程，红光发射 F9/2→ I15/2为四光子过程，见图7所示。
[0026] 当然，本发明还可有其他多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明做出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。