一种多孔微柱变曲率型面的芯片强化沸腾换热结构转让专利
申请号 : CN201210146854.1
文献号 : CN102683305B
文献日 : 2014-12-10
发明人 : 魏进家 , 薛艳芳
摘要 :
本发明涉及超高热流密度沸腾强化换热技术,特别涉及一种适用于超高热流密度微电子芯片高效冷却技术,具体为一种多孔微柱变曲率型面的芯片强化沸腾换热结构,包括芯片表面的散热板以及在散热板上面利用泡沫金属形成若干个多孔变曲率型面三维微结构,呈阵列式分布,其多孔变曲率型面三维微结构为六面型,上下表面为不同尺寸的正方形,4个侧表面为相同形状的弧面。本发明的芯片强化沸腾换热结构提供了足够多的汽泡汽化核心数目和大的比表面积,高的热传导效率,同时有效解决了毛细泵吸作用与流体流动阻力“同步增加或同步减小”相互制约问题,因此显著地提高了超高热流密度核态沸腾换热,从而使得超高临界热流密度微电子器件的有效换热得到了保证。