一种液晶显示面板

摘要

本发明提供了一种液晶显示面板。该液晶显示面板包括：相对设置的阵列基板和彩色滤光片基板，阵列基板上设置有第一像素电极和存储电极，且存储电极位于第一像素电极的下层，彩色滤光片基板上设置有第二像素电极，第二像素电极与第一像素电极在水平方向上交错设置；第一像素电极和第二像素电极的至少其中之一者在对应于存储电极边缘的位置设置有多个不等长的ITO狭缝。本发明通过在像素电极对应于存储电极边缘的位置设置多个不等长的ITO狭缝，用于增强电场场形，以有效地降低由于存储电极的金属倾斜角异常引发的横向电场的干扰，避免了因存储电极的金属倾斜角异常而导致的显示缺陷，提高了液晶显示面板的显示品质。

权利要求

1.一种液晶显示面板，其包括：

相对设置的阵列基板和彩色滤光片基板，所述阵列基板上设置有第一像素电极和存储电极，且所述存储电极位于所述第一像素电极的下层，所述存储电极包括上存储电极和下存储电极，所述上存储电极设置于所述下存储电极上，所述第一像素电极设置于所述上存储电极上，所述彩色滤光片基板上设置有第二像素电极，所述第二像素电极与所述第一像素电极在水平方向上交错设置；

其中，所述第一像素电极和所述第二像素电极的至少其中之一者在对应于所述存储电极边缘的位置设置有多个不等长的ITO狭缝，其中，一部分所述ITO狭缝设置成与所述存储电极重叠，另一部分所述ITO狭缝设置于所述存储电极的外围。

2.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一像素电极对应于所述存储电极边缘的位置设置有所述ITO狭缝。

3.根据权利要求2所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一像素电极为“》”型电极，所述ITO狭缝设置于所述“》”型电极的前端。

4.根据权利要求2所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一像素电极为“《”型电极，所述ITO狭缝设置于所述“《”型电极的前端。

5.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第二像素电极对应于所述存储电极边缘的位置设置有所述ITO狭缝。

6.根据权利要求5所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第二像素电极为“》”型电极，所述ITO狭缝设置于所述“》”型电极的前端。

7.根据权利要求5所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第二像素电极为“《”型电极，所述ITO狭缝设置于所述“《”型电极的前端。

8.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述ITO狭缝是相对于所述上存储电极的边缘处设置。

9.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述ITO狭缝是相对于所述下存储电极的边缘处设置。

说明书

一种液晶显示面板

技术领域

[0001] 本发明涉及液晶显示领域，具体而言涉及一种液晶显示面板。

背景技术

[0002] PVA(Patterned Vertical Alignment，图像垂直调整技术)作为液晶VA(Vertical Alignment，垂直调整技术)显示中的一种模式，其利用阵列基板侧和彩色滤光片基板侧的像素电极图案形成的电场来控制液晶的指向。

[0003] 现有技术中，PVA像素结构通过阵列基板上设置的存储电极来保持电位。一般的，存储电极包括上下两个存储电极，如图1所示，存储电极边缘的金属倾斜角(metal taper)正常时应较为平缓，以避免液晶显示面板的显示出现异常。但在实际生产过程中金属倾斜角易因刻蚀过程的误差而出现异常，如图2所示，此时存储电极边缘倾斜角从正常的平缓状态变得陡峭，导致存储电极横向电场过大，使得存储电极周围的液晶分子的排列出现异常，进而导致像素显示产生偏移(disclination)的缺陷，影响液晶显示面板的显示品质。

[0004] 综上所述，有必要提供一种液晶显示面板，以解决上述问题。

发明内容

[0005] 本发明主要解决的技术问题是提供一种液晶显示面板，以避免因存储电极的金属倾斜角异常而导致的显示异常的问题。

[0006] 为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种液晶显示面板，包括：相对设置的阵列基板和彩色滤光片基板，阵列基板上设置有第一像素电极和存储电极，且存储电极位于第一像素电极的下层，彩色滤光片基板上设置有第二像素电极，第二像素电极与第一像素电极在水平方向上交错设置；第一像素电极和第二像素电极的至少其中之一者在对应于存储电极边缘的位置设置有多个不等长的ITO狭缝，其中，一部分ITO狭缝设置成与存储电极重叠，另一部分ITO狭缝设置于存储电极的外围。

[0007] 其中，第一像素电极对应于存储电极边缘的位置设置有ITO狭缝。

[0008] 其中，第一像素电极为“》”型电极，ITO狭缝设置于“》”型电极的前端。

[0009] 其中，第一像素电极为“《”型电极，ITO狭缝设置于“《”型电极的前端。

[0010] 其中，第二像素电极对应于存储电极边缘的位置设置有ITO狭缝。

[0011] 其中，第二像素电极为“》”型电极，ITO狭缝设置于“》”型电极的前端。

[0012] 其中，第二像素电极为“《”型电极，ITO狭缝设置于“《”型电极的前端。

[0013] 其中，存储电极包括上存储电极和下存储电极，上存储电极设置于下存储电极上，第一像素电极设置于上存储电极上。

[0014] 其中，ITO狭缝是相对于上存储电极的边缘处设置。

[0015] 其中，ITO狭缝是相对于下存储电极的边缘处设置。

[0016] 本发明的有益效果是：本发明通过在像素电极对应于存储电极边缘的位置设置多个不等长的ITO狭缝，用于增强电场场形，以有效地降低由于存储电极的金属倾斜角异常引发的横向电场的干扰，避免了因存储电极的金属倾斜角异常而导致的显示缺陷，提高了液晶显示面板的显示品质。

附图说明

[0017] 图1显示具有正常的金属倾斜角的存储电极的结构示意图；

[0018] 图2显示金属倾斜角异常的存储电极的结构示意图；

[0019] 图3是本发明液晶显示面板的剖面结构示意图；

[0020] 图4是本发明液晶显示面板的第一实施例中的第一像素电极的结构示意图；

[0021] 图5是本发明液晶显示面板的第二实施例中的第一像素电极的结构示意图；

[0022] 图6是本发明液晶显示面板的第三实施例中的第二像素电极的结构示意图；

[0023] 图7是本发明液晶显示面板的第四实施例中的第二像素电极的结构示意图；

[0024] 图8是本发明液晶显示面板的第一和第二实施例的输出模拟仿真图；

[0025] 图9是本发明液晶显示面板的第三和第四实施例的输出模拟仿真图；

[0026] 图10是现有液晶显示面板的输出模拟仿真图。

具体实施方式

[0027] 下面结合附图和实施例对本发明进行详细说明。

[0028] 图3是本发明液晶显示面板的剖面结构示意图。如图3所示，液晶显示面板300为一PVA显示模式的面板，其包括：阵列基板110、彩色滤光片基板120以及液晶层130。

[0029] 其中，阵列基板110与彩色滤光片基板120相对设置。阵列基板110上设置有第一像素电极111和存储电极112，彩色滤光片基板120上设置有第二像素电极121。其中，第一像素电极111设置于存储电极112上层，存储电极112包括上存储电极10和下存储电极20，存储电极10位于第一像素电极111的下层，上存储电极10设置于下存储电极20上方，且上存储电极10的面积通常略小于下存储电极20。

[0030] 需要说明的是，液晶显示面板300的第二像素电极121和第一像素电极111不是一个完整的ITO薄膜，而是被刻了一道道的狭缝(slit)，即ITO狭缝30，第二像素电极121与第一像素电极111在水平方向上交错设置，进而通过施加在第一像素电极111和第二像素电极121之间的电场控制液晶层130中的液晶分子的指向。

[0031] 请参阅图4所示，图4是本发明液晶显示面板300的第一实施例的第一像素电极111的结构示意图。如图4所示，第一像素电极111为“》”型电极，在“》”型电极的前端，即第一像素电极111对应于存储电极112边缘的位置，设置有多个不等长的ITO狭缝40。

[0032] 其中，ITO狭缝40的宽度与第一像素电极111上原有的ITO狭缝30相同，相邻ITO狭缝40之间的长度差为1um至10um、1um至15um或其它适用于PVA模式的长度差的取值范围。

[0033] 本发明实施例中，第二像素电极121为“》”型电极，第二像素电极121的图案可采用现有适用于PVA模式的液晶显示面板的各种电极图案，此处不再赘述。

[0034] 在阵列基板110与彩色滤光片基板120对盒后，多个不等长的ITO狭缝40可改变存储电极112对应位置边缘处的电场分布，增强电场场形，克服横向电场的干扰，使得存储电极112对应位置边缘处的液晶分子与其它位置的液晶分子取向一致，避免此处因金属倾斜角异常而出现的显示异常的现象。

[0035] 请参阅图5所示，图5是本发明液晶显示面板300的第二实施例的第一像素电极211的结构示意图。

[0036] 在本实施例中，第一像素电极211为“《”型电极，如图5所示，在“《”型电极的前端，即第一像素电极211对应于存储电极112的上存储电极10，下存储电极20边缘的位置，设置有多个不等长的ITO狭缝40。

[0037] “《”型的第一像素电极211与上述“》”型的第一像素电极111结构反向，工作原理以及实施效果相同，此处不再赘述。

[0038] 本发明实施例中，第二像素电极121为“《”型电极，第二像素电极121的图案可采用现有适用于PVA模式的液晶显示面板的各种“《”型电极图案，此处不再赘述。

[0039] 请参阅图6所示，图6是本发明液晶显示面板300的第三实施例中的第二像素电极321的结构示意图。如图6所示，第二像素电极321为“》”型电极，在“》”型电极的前端，即第二像素电极321对应于存储电极112边缘的位置，设置有多个不等长的ITO狭缝40。

[0040] 本发明实施例中，第一像素电极111为“》”型电极，第一像素电极111的图案可采用现有适用于PVA模式的液晶显示面板的各种电极图案，此处不再赘述。

[0041] 在阵列基板110与彩色滤光片基板120对盒后，多个不等长的ITO狭缝40可改变存储电极112对应位置边缘处的电场分布，增强电场场形，克服横向电场的干扰，使得存储电极112对应位置边缘处的液晶分子与其它位置的液晶分子取向一致，避免此处因金属倾斜角异常而出现的显示异常的现象。

[0042] 请参阅图7所示，图7是本发明液晶显示面板300的第四实施例的第二像素电极421的结构示意图。

[0043] 在本实施例中，第二像素电极421为“《”型电极，如图7所示，在“《”型电极的前端，即第二像素电极421对应于存储电极112的上存储电极10，下存储电极20边缘的位置，设置有多个不等长的ITO狭缝40。

[0044] “《”型的第二像素电极421与上述“》”型的第二像素电极321结构反向，工作原理以及实施效果相同，此处不再赘述。

[0045] 本发明实施例中，第一像素电极111为“《”型电极，第一像素电极111的图案可采用现有适用于PVA模式的液晶显示面板的各种“《”型电极图案，此处不再赘述。

[0046] 此外，应理解，本发明还有其他的实施方式，例如：

[0047] 另一实施例中，第一像素电极111为图4所示的“》”型电极，第二像素电极121为图6所示的“》”型电极，且在此实施例中，第一像素电极和第二像素电极上的ITO狭缝40在水平方向上交错设置。

[0048] 又一实施例中，第一像素电极111为图5所示的“《”型电极，第二像素电极121为图7所示的“《”型电极，且在此实施例中，第一像素电极和第二像素电极上的ITO狭缝40在水平方向上交错设置。

[0049] 上述两个实施例中，在阵列基板110与彩色滤光片基板120对盒后，第一像素电极111与第二像素电极121上的多个不等长的ITO狭缝40改变了存储电极112对应位置边缘处的电场分布，增强电场场形，克服横向电场的干扰，使得存储电极112对应位置边缘处的液晶分子与其它位置的液晶分子取向一致，避免此处因金属倾斜角异常而出现的显示异常的现象。

[0050] 图8是本发明液晶显示面板的第一和第二实施例的输出模拟仿真图；图9是本发明液晶显示面板的第三和第四实施例的输出模拟仿真图；图10是现有液晶显示面板的输出模拟仿真图。

[0051] 对比图8和图10的输出模拟仿真图，在存储电极112(图中黑色矩形)的边缘，暗纹明显减轻，即因存储电极的金属倾斜角异常而导致的显示偏移现象减少，显著改善了液晶显示面板的穿透率以及显示品质。

[0052] 对比图9和图10的输出模拟仿真图，在存储电极112(图中黑色矩形)的边缘，暗纹减轻，即因存储电极的金属倾斜角异常而导致的显示偏移现象有所减少，显著改善了液晶显示面板的穿透率以及显示品质。综上所述，本发明通过在像素电极对应于存储电极边缘的位置设置多个不等长的ITO狭缝，用于增强电场场形，以有效地降低由于存储电极的金属倾斜角异常引发的横向电场的干扰，避免了因存储电极的金属倾斜角异常而导致的显示缺陷，提高了液晶显示面板的显示品质。

[0053] 以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。