改善可靠性的铜互连层制备方法及半导体器件

摘要

一种改善可靠性的铜互连层制备方法，包括：执行步骤S1：提供衬底：执行步骤S2：在所述衬底上沉积功能膜系：执行步骤S3：形成第一刻蚀窗口：执行步骤S4：形成第二刻蚀窗口：执行步骤S5：形成连通衬底的沟槽：执行步骤S6：在所述沟槽内壁沉积所述密封层：执行步骤S7：去除所述沟槽内壁之底侧的密封层，并沉积铜阻挡层以及铜籽晶层，铜填充淀积层：执行步骤S8：化学机械研磨以形成铜互连层。本发明所述改善可靠性的铜互连层制备方法不仅在溅射沉积铜阻挡层过程中不会引入杂质，并使得所述溅射沉积的势垒层连续，而且减小漏电流，改善所述超低介电常数薄膜之铜互连层的可靠性。另外，所述密封层仅存在于第一层铜互连层的沟槽侧壁，保证了器件的有效k值。

权利要求

1.一种改善可靠性的铜互连层制备方法，其特征在于，所述改善可靠性的铜互连层制备方法包括：执行步骤S1：提供衬底，所述衬底用于承载功能膜系，所述功能膜系从下向上依次包括刻蚀阻隔层、超低介电常数薄膜、超低介电常数薄膜保护层以及金属硬掩膜层；

执行步骤S2：在所述衬底上依次沉积刻蚀阻隔层、超低介电常数薄膜、超低介电常数薄膜保护层，以及金属硬掩膜层；

执行步骤S3：在所述具有功能膜系的衬底顶层旋涂光刻胶，并光刻形成第一刻蚀窗口；

执行步骤S4：在所述第一刻蚀窗口内刻蚀所述金属硬掩膜层，所述刻蚀停止在所述超低介电常数薄膜保护层上，灰化去除所述光刻胶并形成所述第二刻蚀窗口，所述第二刻蚀窗口用于在后续步骤中作为刻蚀沟槽的窗口；

执行步骤S5：刻蚀所述第二刻蚀窗口内的超低介电常数薄膜保护层、超低介电常数薄膜以及刻蚀阻隔层，以形成连通衬底的沟槽；

执行步骤S6：在所述沟槽内壁沉积密封层；

执行步骤S7：去除所述沟槽内壁之底侧的密封层，并依次溅射沉积铜阻挡层以及铜籽晶层，并采用电镀工艺形成铜填充淀积层；

执行步骤S8：通过化学机械研磨去除所述金属硬掩膜、超低介电常数薄膜保护层、以及部分超低介电常数薄膜，所述化学机械研磨停留在所述超低介电常数薄膜上，以形成铜互连层。

2.一种采用如权利要求1所述改善可靠性的铜互连层制备方法所制备的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括所述超低电介质常数薄膜，铜互连层，以及设置在所述超低介电常数薄膜和所述铜互连层之间的密封层。

3.如权利要求1所述的改善可靠性的铜互连层制备方法，其特征在于，所述功能膜系的各膜层的沉积方式包括但不限于CVD或PVD或ALD的沉积方式。

4.如权利要求1所述的改善可靠性的铜互连层制备方法，其特征在于，所述超低介电常数薄膜的介电常数为2.2～2.8。

5.如权利要求1所述的改善可靠性的铜互连层制备方法，其特征在于，所述超低介电常数薄膜为SiCOH。

6.如权利要求1所述的改善可靠性的铜互连层制备方法，其特征在于，所述超低介电常数薄膜保护层为SiO2。

7.如权利要求1所述的改善可靠性的铜互连层制备方法，其特征在于，所述金属硬掩膜为Ta、Ti、W、TiN、TaN、WN的其中之一。

8.如权利要求1所述的改善可靠性的铜互连层制备方法，其特征在于，所述密封层为碳化硅、氮化硅、碳氧硅、碳氮氧硅、碳氮硅中的至少其中之一。

9.如权利要求1所述的改善可靠性的铜互连层制备方法，其特征在于，所述密封层的厚度优选的为5～50埃。

说明书

改善可靠性的铜互连层制备方法及半导体器件

技术领域

[0001] 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种改善可靠性的铜互连层制备方法及半导体器件。

背景技术

[0002] 随着超大规模集成电路工艺技术的不断进步，半导体器件的特征尺寸不断缩小，芯片面积持续增大，面临着如何克服由于连接长度的急速增长而带来的RC延迟显著增加的问题。特别是由于金属布线线间电容的影响日益严重，造成器件性能大幅度下降，已经成为半导体工业进一步发展的关键制约因素。

[0003] 为了减小互连造成的RC延迟，现已采用了多种措施。其中之一是采用超低介电常数(Ultra-low-k)材料来减小金属互连层之间的寄生电容。为了降低介电常数，超低介电常数材料一般会被做成多孔、疏松的结构。然而，多孔、疏松结构的超低介电常数材料却又存在如下方面的不足：材料易受损伤，刻蚀形状不易控制等等。同时，铜互连层的可靠性问题极具挑战性。现有技术的大马士革工艺制作铜互连层中，相比其它铜互连层，第一层铜互连的设计尺寸最小。控制刻蚀以及湿法清洗后的形状对后续的铜阻挡层以及铜的种子层工艺尤其非常关键。

[0004] 请参阅图9，图9所示为现有铜互连层的制备方法。所述现有铜互连层的制备方法包括以下步骤：

[0005] 执行步骤S31：在所述第一衬底上依次沉积第一刻蚀阻挡层、第一超低介电常数薄膜、第一超低介电常数薄膜保护膜和第一金属硬掩模层：

[0006] 执行步骤S32：在所述第一金属硬掩模层上涂覆光刻胶并通过光刻形成第三刻蚀窗口：

[0007] 执行步骤S33：在所述第三刻蚀窗口内刻蚀所述第一金属硬掩膜层，刻蚀停止在所述超低介电常数薄膜保护膜上，并去除所述光刻胶，以形成所述第四刻蚀窗口，所述第四刻蚀窗口用于在后续步骤中作为刻蚀第一沟槽的窗口：

[0008] 执行步骤S34：刻蚀所述第四刻蚀窗口内的所述超低介电常数保护膜和超低介电常数薄膜以及刻蚀阻挡层，形成连通衬底的第一沟槽：

[0009] 执行步骤S35：在所述第一沟槽内溅射沉积铜阻挡层以及铜籽晶层，采用电镀工艺进行第二铜填充淀积层：

[0010] 执行步骤S36：通过化学机械研磨去除所述第一金属硬掩模层和所述超低介电常数保护膜以及部分超低介电常数薄膜，形成第一层铜互连层。

[0011] 在制作过程中，当在所述第一超低介电常数薄膜中形成所述第一沟槽以后，由于相比传统的二氧化硅以及低介电常数薄膜，所述第一超低介电常数薄膜材料极易受到等离子体(plasma)或灰化(ashing)工艺等的损伤，所述第一沟槽的底部以及侧壁存在很多打开的孔且所述第一沟槽的底部以及侧壁表面较粗糙，会造成接下来的溅射沉积铜阻挡层以及铜的种子层不连续且在溅射沉积铜阻挡层过程中引入杂质到所述第一超低介电常数薄膜中。溅射沉积铜阻挡层主要是为了阻止铜扩散到所述第一超低介电常数薄膜内，由于以上原因，所述第一超低介电常数薄膜之第一铜互连层的漏电流增加，进而影响其可靠性。

[0012] 故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究改良，于是有了发明一种改善可靠性的铜互连层制备方法及半导体器件。

发明内容

[0013] 本发明是针对现有技术中，采用传统的方法导致所述超低介电常数薄膜易于受到损伤，容易引进杂质，并增大漏电流，降低器件可靠性等缺陷提供一种改善可靠性的铜互连层制备方法。

[0014] 本发明的又一目的是针对采用传统的方法导致所述超低介电常数薄膜易于受到损伤，容易引进杂质，并增大漏电流，降低器件可靠性等缺陷提供一种改善可靠性的铜互连层制备方法所制备的半导体器件。

[0015] 为了解决上述问题，本发明提供一种改善可靠性的铜互连层制备方法，所述改善可靠性的铜互连层制备方法包括：

[0016] 执行步骤S1：提供衬底，所述衬底用于承载所述功能膜系：

[0017] 执行步骤S2：在所述衬底上依次沉积刻蚀阻隔层、超低介电常数薄膜、超低介电常数薄膜保护层，以及金属硬掩膜层：

[0018] 执行步骤S3：在所述具有功能膜系的衬底顶层旋涂光刻胶，并光刻形成第一刻蚀窗口：

[0019] 执行步骤S4：在所述第一刻蚀窗口内刻蚀所述金属硬掩膜层，所述刻蚀停止在所述超低介电常数薄膜保护层上，灰化去除所述光刻胶并形成所述第二刻蚀窗口，所述第二刻蚀窗口用于在后续步骤中作为刻蚀沟槽的窗口：

[0020] 执行步骤S5：刻蚀所述第二刻蚀窗口内的超低介电常数薄膜保护层、超低介电常数薄膜以及刻蚀阻隔层，以形成连通衬底的沟槽：

[0021] 执行步骤S6：在所述沟槽内壁沉积所述密封层：

[0022] 执行步骤S7：去除所述沟槽内壁之底侧的密封层，并依次溅射沉积铜阻挡层以及铜籽晶层，并采用电镀工艺形成铜填充淀积层：

[0023] 执行步骤S8：通过化学机械研磨去除所述金属硬掩膜、超低介电常数薄膜保护层、以及部分超低介电常数薄膜，所述化学机械研磨停留在所述超低介电常数薄膜上，以形成铜互连层。

[0024] 可选的，所述膜系从下向上依次包括刻蚀阻隔层、超低介电常数薄膜、超低介电常数薄膜保护层，以及金属硬掩膜层。

[0025] 为实现本发明的又一目的，本发明提供一种具有所述改善可靠性的铜互连层制备方法所制备的半导体器件，所述半导体器件包括所述超低电介质常数薄膜，铜互连层，以及设置在所述超低介电常数薄膜和所述铜互连层之间的密封层。

[0026] 可选的，所述膜系的各膜层的沉积方式包括但不限于CVD或PVD或ALD的沉积方式。

[0027] 可选的，所述超低介电常数薄膜的介电常数为2.2～2.8。

[0028] 可选的，所述超低介电常数薄膜为SiCOH。

[0029] 可选的，所述超低介电常数薄膜保护层为SiO2。

[0030] 可选的，所述金属硬掩膜为Ta、Ti、W、TiN、TaN、WN的其中之一。

[0031] 可选的，所述密封层为碳化硅、氮化硅、碳氧硅、碳氮氧硅、碳氮硅中的至少其中之一。

[0032] 可选的，所述密封层的厚度优选的为5～50埃。

[0033] 综上所述，通过本发明所述改善可靠性的铜互连层制备方法不仅在溅射沉积铜阻挡层过程中不会引入杂质到所述超低介电常数薄膜中，并使得所述溅射沉积的势垒层连续，而且减小所述超低介电常数薄膜之铜互连层的漏电流，改善所述超低介电常数薄膜之铜互连层的可靠性。另外，所述密封层仅存在于第一层铜互连层的沟槽侧壁，且厚度较薄，保证了器件的有效k值。

附图说明

[0034] 图1所示为本发明改善可靠性的铜互连层制备方法的流程图：

[0035] 图2所示为本发明所述衬底上沉积所述功能膜系并形成所述第一刻蚀窗口的结构示意图：

[0036] 图3所示为本发明所述第二刻蚀窗口的结构示意图：

[0037] 图4所示为本发明连通所述衬底的沟槽结构示意图：

[0038] 图5所示为本发明沉积所述密封层的结构示意图：

[0039] 图6所示为本发明沟槽底部之密封层去除后的结构示意图：

[0040] 图7所示为本发明沉积铜隔离层、铜籽晶层、铜填充淀积层的结构示意图：

[0041] 图8所示为本发明所述铜互连层的结构示意图：

[0042] 图9所示为现有铜互连层的制备方法。

具体实施方式

[0043] 为详细说明本发明创造的技术内容、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实施例并配合附图予以详细说明。

[0044] 请参阅图1，图1所示为本发明改善可靠性的铜互连层制备方法的流程图。所述改善可靠性的铜互连层制备方法，包括以下步骤：

[0045] 执行步骤S1：提供衬底，所述衬底用于承载所述功能膜系。列举地，所述功能膜系自所述衬底向上依次包括刻蚀阻隔层、超低介电常数薄膜、超低介电常数薄膜保护层，以及金属硬掩膜层：

[0046] 执行步骤S2：在所述衬底上依次沉积刻蚀阻隔层、超低介电常数薄膜、超低介电常数薄膜保护层，以及金属硬掩膜层：

[0047] 执行步骤S3：在所述具有功能膜系的衬底顶层旋涂光刻胶，并光刻形成第一刻蚀窗口：

[0048] 执行步骤S4：在所述第一刻蚀窗口内刻蚀所述金属硬掩膜层，所述刻蚀停止在所述超低介电常数薄膜保护层上，灰化去除所述光刻胶并形成所述第二刻蚀窗口，所述第二刻蚀窗口用于在后续步骤中作为刻蚀沟槽的窗口：

[0049] 执行步骤S5：刻蚀所述第二刻蚀窗口内的超低介电常数薄膜保护层、超低介电常数薄膜以及刻蚀阻隔层，以形成连通衬底的沟槽：

[0050] 执行步骤S6：在所述沟槽内壁沉积所述密封层：

[0051] 执行步骤S7：去除所述沟槽内壁之底侧的密封层，并依次溅射沉积铜阻挡层以及铜籽晶层，并采用电镀工艺形成铜填充淀积层：

[0052] 执行步骤S8：通过化学机械研磨去除所述金属硬掩膜、超低介电常数薄膜保护层、以及部分超低介电常数薄膜，所述化学机械研磨停留在所述超低介电常数薄膜上，以形成铜互连层。

[0053] 请参阅图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8，并结合参阅图1，图2所示为本发明所述衬底上沉积所述功能膜系并形成所述第一刻蚀窗口的结构示意图。图3所示为本发明所述第二刻蚀窗口的结构示意图。图4所示为本发明连通所述衬底的沟槽结构示意图。图5所示为本发明沉积所述密封层的结构示意图。图6所示为本发明沟槽底部之密封层去除后的结构示意图。图7所示为本发明沉积铜隔离层、铜籽晶层、铜填充淀积层的结构示意图。图8所示为本发明所述铜互连层的结构示意图。在本发明中，所述衬底1包括但不限于Si衬底，或具有中间介电常数薄膜的Si衬底。所述膜系2自所述衬底1向上依次包括刻蚀阻隔层20、超低介电常数薄膜21、超低介电常数薄膜保护层22，以及金属硬掩膜层23。所述膜系2的各膜层的沉积方式包括但不限于CVD或PVD或ALD的沉积方式。所述金属硬掩膜层23采用干法刻蚀。在本发明中，所述超低介电常数薄膜21的介电常数为2.2～2.8。所述超低介电常数薄膜21为SiCOH。所述超低介电常数薄膜保护层22为SiO2。所述金属硬掩膜23为Ta、Ti、W、TiN、TaN、WN的其中之一。所述密封层24为碳化硅、氮化硅、碳氧硅、碳氮氧硅、碳氮硅中的至少其中之一。所述密封层24的厚度优选的为5～50埃。

[0054] 请继续参阅图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8，并结合参阅图1，本发明所述具有所述铜互连层27的半导体器件，包括所述超低电介质常数薄膜21，铜互连层27，以及设置在所述超低介电常数薄膜21和所述铜互连层27之间的密封层24。所述密封层24为碳化硅、氮化硅、碳氧硅、碳氮氧硅、碳氮硅中的至少其中之一。所述密封层24的厚度优选的为5～50埃。

[0055] 所述改善可靠性的铜互连层制备方法包括以下步骤：

[0056] 执行步骤S1：提供衬底1，所述衬底1用于承载所述功能膜系2。列举地，所述功能膜2系自所述衬底向上依次包括刻蚀阻隔层20、超低介电常数薄膜21、超低介电常数薄膜保护层22，以及金属硬掩膜层23；

[0057] 执行步骤S2：在所述衬底1上依次沉积刻蚀阻隔层20、超低介电常数薄膜21、超低介电常数薄膜保护层22，以及金属硬掩膜层23；

[0058] 执行步骤S3：在所述具有功能膜系2的衬底1顶层旋涂光刻胶3，并光刻形成第一刻蚀窗口31；

[0059] 执行步骤S4：在所述第一刻蚀窗口31内刻蚀所述金属硬掩膜层23，所述刻蚀停止在所述超低介电常数薄膜保护层22上，去除所述光刻胶3并形成所述第二刻蚀窗口32，所述第二刻蚀窗口32用于在后续步骤中作为刻蚀沟槽25的窗口：

[0060] 执行步骤S5：刻蚀所述第二刻蚀窗口32内的所述超低介电常数薄膜保护层22、超低低介电常数薄膜21以及刻蚀阻隔层20，以形成连通衬底1的沟槽25：

[0061] 执行步骤S6：在所述沟槽25内壁沉积所述密封层24：

[0062] 执行步骤S7：去除所述沟槽25内壁之底侧的密封层24，并依次溅射沉积铜阻挡层(未图示)以及铜籽晶层(未图示)，并采用电镀工艺形成铜填充淀积层26：

[0063] 执行步骤S8：通过化学机械研磨去除所述金属硬掩膜23、超低介电常数薄膜保护层22、以及部分超低介电常数薄膜21，所述化学机械研磨停留在所述超低介电常数薄膜上21，以形成铜互连层27。

[0064] 明显地，本发明所述改善可靠性的铜互连层制备方法及铜互连层通过在所述呈多孔结构的超低介电常数薄膜21和所述铜互连层27之间设置所述密封层24，以覆盖所述沟槽25侧壁上的孔洞并使所述沟槽25的侧壁表面平整。所述改善可靠性的铜互连层制备方法不仅在溅射沉积铜阻挡层过程中不会引入杂质到所述超低介电常数薄膜21中，并使得所述溅射沉积的势垒层连续，而且减小所述超低介电常数薄膜21之铜互连层27的漏电流，改善所述超低介电常数薄膜21之铜互连层27的可靠性。另外，所述密封层24仅存在于第一层铜互连层的沟槽24侧壁，且厚度较薄，保证了器件的有效k值。

[0065] 综上所述，通过本发明所述改善可靠性的铜互连层制备方法不仅在溅射沉积铜阻挡层过程中不会引入杂质到所述超低介电常数薄膜中，并使得所述溅射沉积的势垒层连续，而且减小所述超低介电常数薄膜之铜互连层的漏电流，改善所述超低介电常数薄膜之铜互连层的可靠性。另外，所述密封层仅存在于第一层铜互连层的沟槽侧壁，且厚度较薄，保证了器件的有效k值。

[0066] 本领域技术人员均应了解，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和变型。因而，如果任何修改或变型落入所附权利要求书及等同物的保护范围内时，认为本发明涵盖这些修改和变型。