液晶显示装置、阵列基板及其制作方法

摘要

本发明公开了一种液晶显示装置、阵列基板及其制作方法。该阵列基板包括基底、第一金属层、第一绝缘层、透明导电层、第二绝缘层以及第二金属层。其中，第一金属层用以形成扫描线、薄膜晶体管的栅极以及公共电极；第一绝缘层设置在第一金属层上；透明导电层用以形成薄膜晶体管的源极、漏极以及像素电极；第二绝缘层设置在透明导电层上；第二金属层用以形成数据线；进一步的，阵列基板进一步包括辅助电极，该辅助电极由第一金属层和第二金属层中的至少之一者形成。通过上述方式，扫描线和/或数据线可以通过结合辅助电极传输信号，减小了其阻抗，从而提高液晶显示装置的画面品质。

权利要求

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

基底；

第一金属层，设置在所述基底上，用以形成扫描线、薄膜晶体管的栅极以及公共电极；

第一绝缘层，设置在所述第一金属层上；

透明导电层，设置在所述第一绝缘层上，用以形成所述薄膜晶体管的源极、漏极以及像素电极，且所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极连接；

第二绝缘层，设置在所述透明导电层上，所述第二绝缘层在对应于所述薄膜晶体管的所述源极的位置处设置有第一导通孔；

第二金属层，设置在所述第二绝缘层上，用以形成数据线，所述数据线通过所述第一导通孔与所述薄膜晶体管的源极连接；

其中，所述阵列基板进一步包括辅助电极并进一步设置有第二导通孔和第三导通孔的至少之一，所述辅助电极由所述第一金属层和第二金属层中的至少之一者形成，所述第二导通孔和所述第三导通孔穿透所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，并且所述第二导通孔将所述数据线露出，所述第三导通孔将所述扫描线露出，所述辅助电极通过所述第二导通孔和所述第三导通孔的至少之一，以与所述数据线和所述扫描线的至少之一电连接，以减小所述扫描线和/或所述数据线的阻抗，其中所述辅助电极与所述数据线和所述扫描线的至少之一之间由所述第一绝缘层与所述第二绝缘层共同间隔。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助电极由所述第一金属层形成，所述辅助电极通过穿透所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第二导通孔与所述数据线连接，用以减小所述数据线的阻抗，所述辅助电极对应设置在所述数据线的下方，且所述辅助电极沿着所述数据线的延伸方向设置在所述扫描线和所述公共电极之间。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助电极由所述第二金属层形成，所述辅助电极通过穿透所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第三导通孔与所述扫描线连接，用以减小所述扫描线的阻抗，所述辅助电极对应设置在所述扫描线的上方，且所述辅助电极沿着所述扫描线的延伸方向设置在两相邻的所述数据线之间。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助电极包括第一辅助电极以及第二辅助电极，所述第一辅助电极由所述第一金属层形成，所述第二辅助电极由所述第二金属层形成，其中：所述第一辅助电极通过穿透所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第二导通孔与所述数据线连接，用以减小所述数据线的阻抗，所述第一辅助电极对应设置在所述数据线的下方，且所述第一辅助电极沿着所述数据线的延伸方向设置在所述扫描线和所述公共电极之间；

所述第二辅助电极通过穿越所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第三导通孔与所述扫描线连接，用以减小所述扫描线的阻抗，所述第二辅助电极对应设置在所述扫描线的上方，且所述第二辅助电极沿着所述扫描线的延伸方向设置在两相邻的所述数据线之间。

5.一种液晶显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-4任一项所述的阵列基板。

6.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一基底；

在所述基底上设置第一金属层，用以形成扫描线、薄膜晶体管的栅极以及公共电极；

在所述第一金属层上设置第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上设置透明导电层，用以形成所述薄膜晶体管的源极、漏极以及像素电极，所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极连接；

在所述透明导电层上设置第二绝缘层，并且在所述第二绝缘层对应于所述薄膜晶体管的所述源极的位置处设置有第一导通孔；

在所述第二绝缘层上设置第二金属层，用以形成数据线，所述数据线通过所述第一导通孔与所述薄膜晶体管的源极连接；

其中，进一步设置辅助电极以及第二导通孔和第三导通孔的至少之一，所述辅助电极由所述第一金属层和所述第二金属层中的至少之一者形成，所述第二导通孔和所述第三导通孔穿透所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，并且所述第二导通孔将所述数据线露出，所述第三导通孔将所述扫描线露出，所述辅助电极通过所述第二导通孔和所述第三导通孔的至少之一，以与所述数据线和所述扫描线的至少之一电连接，以减小所述扫描线和/或所述数据线的阻抗，其中所述辅助电极与所述数据线和所述扫描线的至少之一之间由所述第一绝缘层与所述第二绝缘层共同间隔。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一金属层上设置第一绝缘层的步骤包括：在所述薄膜晶体管的栅极对应的所述第一绝缘层上形成一半导体层，其中，所述薄膜晶体管的源极和漏极分别与所述半导体层连接。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述辅助电极由所述第一金属层形成，在所述数据线的下方设置所述辅助电极，且所述辅助电极沿着所述数据线的延伸方向设置在所述扫描线和所述公共电极之间，通过穿透所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第二导通孔连接所述辅助电极与所述数据线。

9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述辅助电极由所述第二金属层形成，在所述扫描线的上方设置所述辅助电极，且所述辅助电极沿着所述扫描线的延伸方向设置在两相邻的所述数据线之间，通过穿透所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第三导通孔连接所述辅助电极与所述扫描线。

10.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述辅助电极包括第一辅助电极以及第二辅助电极，所述第一辅助电极由所述第一金属层形成，所述第二辅助电极由所述第二金属层形成，其中：在所述数据线的下方设置所述第一辅助电极，且所述第一辅助电极沿着所述数据线的延伸方向设置在所述扫描线和所述公共电极之间，通过穿透所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第二导通孔连接所述第一辅助电极与所述数据线；

在所述扫描线的上方设置所述第二辅助电极，且所述第二辅助电极沿着所述扫描线的延伸方向设置在两相邻的所述数据线之间，通过穿透所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第三导通孔连接所述第二辅助电极与所述扫描线。

说明书

液晶显示装置、阵列基板及其制作方法

技术领域

[0001] 本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种液晶显示装置、阵列基板及其制作方法。

背景技术

[0002] 液晶显示面板的制作过程一般分为阵列(Array)制程、组立(Cell)制程以及模组(Module)制程。其中，阵列制程主要是产生薄膜晶体管玻璃基板(也称为阵列基板)，其作为液晶显示面板制作过程的第一道工序，所产生的薄膜晶体管玻璃基板的好坏对后续制程有着重大影响，甚至决定液晶显示面板的好坏。

[0003] 阵列制程分为五道光罩制程(5PEP)，请一并参考图1与图2，图1为现有技术阵列基板的画素布局(Layout)结构示意图，图2为沿着图1所示的阵列基板的A-B线切割的剖面图。现有技术的五道制程首先由第一金属层(M1)11形成薄膜晶体管140的删极(Gate)110、扫瞄线(Gate Line or Scan Line)111和公共电极120；然后在第一金属层11上形成第一绝缘层(Isolator Layer)12，并在用于形成薄膜晶体管140的栅极110的第一金属层11所对应的第一绝缘层12上形成一层半导体层13；继而在第一绝缘层12以及半导体层13上形成第二金属层14，用于形成数据线141、薄膜晶体管140的源极142和漏极143；并在第二金属层14以及第一绝缘层12上形成第二绝缘层15；最后在第二绝缘层15上形成透明导电层16，用于形成画素电极(Pixel Electrode，简称PE)161。

[0004] 目前，随着对具有高驱动频率(Frame rate)或解析度(Resolution)的液晶显示装置的画面品质的要求越来越高，因此必须减小扫瞄线111与数据线141的阻抗。

[0005] 请参阅图3，图3是现有技术中减小扫描线和数据线阻抗的阵列基板的画素布局结构示意图，其中，图3是在图1和图2所示的阵列基板的基础上进行改进，以达到减小扫瞄线110与数据线141阻抗的目的。如图3所示，图3是在图1所示的第一金属层11形成的扫瞄线110的局部区域增加了第二金属层14，以此加快扫描线110传递扫描信号的能力，并透过导通孔(VIA)17与透明导电层16形成的像素电极161将扫描信号在第一金属层11与第二金属层14间进行切换。同理，图3在图1所示的第二金属14形成的数据线141的局部区域增加了第一金属层11，以此加快数据线141传递数据信号的能力，并透过导通孔17与透明导电层16形成的像素电极161将数据线信号在第一金属层11与第二金属层14间进行切换。

[0006] 使用图3所示的画素布局方式的确可在不增加成本的情况下达到减小扫描线和数据线阻抗的目的，但需要透过导通孔17与透明导电层16才能将扫描信号或数据信号在其各自对应的第一金属层与第二金属层间切换。而透明导电层16具有较高阻值且透明导电层16与第一金属层11或第二金属层14之间的介面电阻较大。

[0007] 因此，使用图3所示的结构来减小扫描线和数据线阻抗的效果并不佳，进一步的，在像素电极上大量增加的导通孔结构会减小像素电极的开口率与亮度，反而会影响液晶显示装置的画面品质。

发明内容

[0008] 本发明主要解决的技术问题是提供一种液晶显示装置、阵列基板及其制作方法，能够减小扫描线和数据线的阻抗，从而提高液晶显示装置的画面品质。

[0009] 为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种阵列基板，该阵列基板包括：基底；第一金属层，设置在基底上，用以形成扫描线、薄膜晶体管的栅极以及公共电极；第一绝缘层，设置在第一金属层上；透明导电层，设置在第一绝缘层上，用以形成薄膜晶体管的源极、漏极以及像素电极，且像素电极与薄膜晶体管的漏极连接；第二绝缘层，设置在透明导电层上，第二绝缘层在对应于薄膜晶体管的源极的位置处设置有第一导通孔；第二金属层，设置在第二绝缘层上，用以形成数据线，数据线通过第一导通孔与薄膜晶体管的源极连接；其中，阵列基板进一步包括辅助电极并进一步设置有第二导通孔和第三导通孔的至少之一，第二导通孔和第三导通孔穿透第一绝缘层和第二绝缘层，并且第二导通孔将数据线露出，第三导通孔将扫描线露出，辅助电极通过第二导通孔和第三导通孔的至少之一，以与数据线和扫描线的至少之一电连接，辅助电极由第一金属层和第二金属层中的至少之一者形成，以减小扫描线和/或数据线的阻抗，其中辅助电极与数据线和扫描线的至少之一之间由第一绝缘层与第二绝缘层共同间隔。

[0010] 其中，辅助电极由第一金属层形成，辅助电极通过穿透第一绝缘层和第二绝缘层的第二导通孔与数据线连接，用以减小数据线的阻抗，辅助电极对应设置在数据线的下方，且辅助电极沿着数据线的延伸方向设置在扫描线和公共电极之间。

[0011] 其中，辅助电极由第二金属层形成，辅助电极通过穿越第一绝缘层和第二绝缘层的第三导通孔与扫描线连接，用以减小扫描线的阻抗，辅助电极对应设置在扫描线的上方，且辅助电极沿着扫描线的延伸方向设置在两相邻的数据线之间。

[0012] 其中，辅助电极包括第一辅助电极以及第二辅助电极，第一辅助电极由第一金属层形成，第二辅助电极由第二金属层形成，其中：

[0013] 第一辅助电极通过穿透第一绝缘层和第二绝缘层的第二导通孔与数据线连接，用以减小数据线的阻抗，第一辅助电极对应设置在数据线的下方，且第一辅助电极沿着数据线的延伸方向设置在扫描线和公共电极之间；

[0014] 第二辅助电极通过穿越第一绝缘层和第二绝缘层的第三导通孔与扫描线连接，用以减小扫描线的阻抗，第二辅助电极对应设置在扫描线的上方，且第二辅助电极沿着扫描线的延伸方向设置在两相邻的数据线之间。

[0015] 为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种液晶显示装置，其包括如上述任一项所述的阵列基板。

[0016] 为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种阵列基板的制作方法，该制作方法包括：提供一基底；在基底上设置第一金属层，用以形成扫描线、薄膜晶体管的栅极以及公共电极；在第一金属层上设置第一绝缘层；在第一绝缘层上设置透明导电层，用以形成薄膜晶体管的源极、漏极以及像素电极，薄膜晶体管的漏极与像素电极连接；在透明导电层上设置第二绝缘层，并且在第二绝缘层对应于薄膜晶体管的源极的位置处设置有第一导通孔；在第二绝缘层上设置第二金属层，用以形成数据线，数据线通过第一导通孔与薄膜晶体管的源极连接；其中，进一步设置辅助电极以及第二导通孔和第三导通孔的至少之一，辅助电极由第一金属层和第二金属层中的至少之一者形成，第二导通孔和第三导通孔穿透第一绝缘层和所述第二绝缘层，并且第二导通孔将数据线露出，第三导通孔将扫描线露出，辅助电极通过第二导通孔和第三导通孔的至少之一，以与数据线和扫描线的至少之一电连接，以减小扫描线和/或数据线的阻抗，其中辅助电极与数据线和扫描线的至少之一之间由第一绝缘层与第二绝缘层共同间隔。

[0017] 其中，在第一金属层上设置第一绝缘层的步骤包括：

[0018] 在薄膜晶体管的栅极对应的第一绝缘层上形成一半导体层，其中，薄膜晶体管的源极和漏极分别与半导体层连接。

[0019] 其中，辅助电极由第一金属层形成，在数据线的下方设置辅助电极，且辅助电极沿着数据线的延伸方向设置在扫描线和公共电极之间，通过穿透第一绝缘层和第二绝缘层的第二导通孔连接辅助电极与数据线。

[0020] 其中，辅助电极由第二金属层形成，在扫描线的上方设置辅助电极，且辅助电极沿着扫描线的延伸方向设置在两相邻的数据线之间，通过穿透第一绝缘层和第二绝缘层的第三导通孔连接辅助电极与扫描线。

[0021] 其中，辅助电极包括第一辅助电极以及第二辅助电极，第一辅助电极由第一金属层形成，第二辅助电极由第二金属层形成，其中：

[0022] 在数据线的下方设置第一辅助电极，且第一辅助电极沿着数据线的延伸方向设置在扫描线和公共电极之间，通过穿透第一绝缘层和第二绝缘层的第二导通孔连接第一辅助电极与数据线；

[0023] 在扫描线的上方设置第二辅助电极，且第二辅助电极沿着扫描线的延伸方向设置在两相邻的数据线之间，通过穿透第一绝缘层和第二绝缘层的第三导通孔连接第二辅助电极与扫描线。

[0024] 本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明通过设置辅助电极，并且该辅助电极由制作扫描线和数据线的第一金属层和第二金属层中的至少之一者形成，使得在传输扫描信号或者数据信号时，扫描信号或者数据信号由辅助电极以及扫描线或者辅助电极以及数据线共同传输，因此，扩宽了信号传输的路径，从而减小了数据线或者扫描线的阻抗，从而提高液晶显示装置的画面品质。

附图说明

[0025] 图1是现有技术阵列基板的画素布局结构示意图；

[0026] 图2是沿着图1所示的阵列基板的A-B线切割的剖面图；

[0027] 图3是现有技术中减小扫描线和数据线阻抗的阵列基板的画素布局结构示意图；

[0028] 图4是本发明一种阵列基板的画素布局结构示意图；

[0029] 图5是图4所示的阵列基板沿着E-F虚线切割的剖面图；

[0030] 图6是图4所示的阵列基板沿着A-B虚线切割的剖面图；

[0031] 图7是图4所示的阵列基板沿着C-D虚线切割的剖面图；

[0032] 图8是本发明阵列基板的制作方法实施例的流程图；

[0033] 图9是图8的阵列基板的五道光罩制程的示意图。

具体实施方式

[0034] 请一并参阅图4和图5，图4是本发明一种阵列基板的画素布局结构示意图；图5是图4所示的阵列基板沿着E-F虚线切割的剖面图。首先请参阅图4，图4只显示了阵列基板500的基底50上的一个画素布局结构，如图4所示，该画素布局结构由平行设置的两条扫描线511、平行设置的两条数据线571、薄膜晶体管540、公共电极512以及像素电极543组成。

[0035] 本实施例中，两条扫描线511分别和两条数据线571垂直，以形成一长方形区域，并在该长方形区域内设置像素电极543。其中，扫描线511连接薄膜晶体管540的栅极510，数据线571连接薄膜晶体管540的源极541，并且薄膜晶体管540的漏极542连接像素电极543。其中，在两扫描线511之间并在像素电极543的下方设置公共电极512，公共电极512与像素电极543之间形成一电容结构。其中，阵列基板500中各元件的具体位置请参阅图
5。

[0036] 如图5所示，阵列基板500包括基底50、第一金属层51、第一绝缘层52、透明导电层54、第二绝缘层55以及第二金属层57。

[0037] 其中，第一金属层51设置在基底50上，用以形成薄膜晶体管540的栅极510、扫描线511(如图4所示)以及公共电极512。第一绝缘层52设置在第一金属层51上。透明导电层54设置在第一绝缘层52上，其中，透明导电层54用以形成薄膜晶体管540的源极541、漏极542以及像素电极543，且像素电极543与薄膜晶体管540的漏极542连接。第二绝缘层55设置在透明导电层54上，并且第二绝缘层55在对应于薄膜晶体管540的源极
541的位置处设置有第一导通孔56。第二金属层57设置在对应于薄膜晶体管540的源极
541的第二绝缘层55上，并且第二金属层57用以形成数据线571。其中，数据线571通过第一导通孔56与薄膜晶体管540的源极541连接。

[0038] 本实施例中，在薄膜晶体管540的栅极510对应的第一绝缘层52上进一步设置一半导体层53，并且半导体层53与源极541以及漏极542连接，其中，半导体层53对薄膜晶体管540起到开关的作用。具体地：

[0039] 薄膜晶体管540的栅极510作为控制电极，当扫描线511向薄膜晶体管540的栅极510提供扫描信号时，半导体层53导通，使薄膜晶体管540处于导通状态，作为薄膜晶体管540的输入电极的源极541和作为输出电极的漏极542通过半导体层53电性连接；当薄膜晶体管540的栅极510没有输入扫描信号时，半导体层53不导通，使薄膜晶体管540处于关闭状态，源极541和漏极542电性绝缘。

[0040] 进一步的，为了提高液晶显示装置的画面品质，必须减小扫描线511和/或数据线571的阻抗。请一并参考图4、图6和图7，本实施例中，阵列基板50进一步包括辅助电极
501，并且该辅助电极501由第一金属层和第二金属层中的至少之一者形成。

[0041] 图6是图4所示的阵列基板沿着A-B虚线切割的剖面图；图7是图4所示的阵列基板沿着C-D虚线切割的剖面图。请先参阅图4，辅助电极501(图6所示)包括第一辅助电极513，并且第一辅助电极513设置在扫描线511和公共电极512之间并对应于数据线571的下方。其中，第一辅助电极513的具体结构请参阅图6。

[0042] 如图6所示，第一辅助电极513对应设置在数据线571的下方，具体为第一辅助电极513设置在第一绝缘层52的下方，且第一辅助电极513沿着数据线571的延伸方向设置在扫描线511和公共电极512之间，并且通过穿透第一绝缘层52和第二绝缘层55的第二导通孔58与数据线571连接。本实施例中，第一辅助电极513优选由第一金属层形成，以此可以减小材料的成本。

[0043] 因此，在数据信号传导的过程，数据信号除了在数据线571中传递外，在设置有第一辅助电极513的区域，可透过导通孔58将数据线571的数据信号输送到第一辅助电极513进行传递。以此拓宽了数据信号传导的路径。因此减小了数据线571的阻抗，从而提高液晶显示装置的画面品质。

[0044] 请再参阅图4，同理，在扫描线511的上方设置辅助电极501能够减小扫描线511的阻抗，从而提高液晶显示装置的画面品质。因此，辅助电极501进一步包括第二辅助电极572，其中，第二辅助电极572的具体结构请参阅图7。

[0045] 如图7所示，第二辅助电极572设置在扫描线511的上方，具体为第二辅助电极572设置在第二绝缘层55的上，且第二辅助电极572沿着扫描线511的延伸方向设置在两相邻的数据线571之间。并且第二辅助电极572通过穿透第一绝缘层52和第二绝缘层55的第三导通孔59与扫描线511连接。本实施例中，第二辅助电极572优选由第二金属层形成，以此可以减小材料的成本。

[0046] 因此，在扫描信号传导的过程，扫描信号除了在扫描线511中传递外，在设置有第二辅助电极572的区域，可透过第三导通孔59将扫描线511的扫描信号输送到第二辅助电极572进行传递。以此拓宽了扫描信号传导的路径。因此减小了扫描线511的阻抗，从而提高了液晶显示装置的画面品质。

[0047] 承前所述，在扫描线511的上方设置第二辅助电极572以及在数据线571的下方设置第一辅助电极513能够减小扫描线511以及数据线571的阻抗，从而提高液晶显示装置的画面品质。

[0048] 在其他优选实施例中，考虑到成本的问题，也可以只在扫描线511的上方设置辅助电极501，或者只在数据线571的下方设置辅助电极501。

[0049] 当只在扫描线511的上方设置辅助电极501时，辅助电极501由第二金属层形成，辅助电极501对应设置在扫描线511的上方，且辅助电极501沿着扫描线511的延伸方向设置在两相邻的数据线571之间，辅助电极501通过穿透第一绝缘层52和第二绝缘层55的第三导通孔59与扫描线511连接，具体的辅助电极501的结构与上述所述的第二辅助电极572的结构相同，在此不再赘述。同理，辅助电极501也可以减小扫描线511的阻抗，从而提高液晶显示装置的画面品质。

[0050] 当只在数据线571的下方设置辅助电极501时，辅助电极501由第一金属层形成，辅助电极501对应设置在数据线571的下方，且辅助电极501沿着数据线571的延伸方向设置在扫描线511和公共电极512之间。辅助电极501通过穿透第一绝缘层52和第二绝缘层55的第二导通孔58与数据线571连接。具体的辅助电极501的结构与上述所述的第一辅助电极513的结构相同，在此不再赘述。同理，辅助电极501也可以减小扫描线571的阻抗，从而提高液晶显示装置的画面品质。

[0051] 本发明更提供了一种液晶显示装置，其中，该液晶显示装置包括图4-图7所示的任一实施例的阵列基板。

[0052] 请一并参阅图8和图9，图8是本发明阵列基板的制作方法实施例的流程图；图9是图8所示的阵列基板的五道光罩制程的示意图。首先参阅图8，本发明阵列基板的制作方法包括以下步骤：

[0053] 步骤S10：提供一基底；

[0054] 步骤S11：在基底上设置第一金属层，用以形成扫描线、薄膜晶体管的栅极以及公共电极；

[0055] 步骤S12：在第一金属层上设置第一绝缘层；

[0056] 步骤S13：在第一绝缘层上设置透明导电层，用以形成薄膜晶体管的源极、漏极以及像素电极，薄膜晶体管的漏极与像素电极连接；

[0057] 步骤S14：在透明导电层上设置第二绝缘层，并且在第二绝缘层对应于薄膜晶体管的源极的位置处设置有第一导通孔；

[0058] 步骤S15：在第二绝缘层上设置第二金属层，用以形成数据线，数据线通过第一导通孔与薄膜晶体管的源极连接。

[0059] 请一起参阅图9，在步骤S10中，提供一块干净的、表面平滑的玻璃作为阵列基板的基底50。通过在基底50上进行镀膜、蚀刻等工艺，从而在基底50上形成扫描线、数据线、像素电极和薄膜晶体管等主要元件。

[0060] 在步骤S11中，在基底50上设置第一金属层51，并对第一金属层51进行刻蚀，以形成薄膜晶体管的栅极510和扫描线511(如图4所示)以及公共电极512。其中，薄膜晶体管的栅极510和扫描线511相互电连接(图中未示连接关系)，以在后续制程中通过扫描线511向薄膜晶体管的栅极510提供扫描信号。

[0061] 在步骤S12中，在形成薄膜晶体管的栅极510、扫描线511以及公共电极512后，在薄膜晶体管的栅极510和公共电极512上形成第一绝缘层52。

[0062] 进一步的，在形成第一绝缘层52后，在薄膜晶体管的栅极510对应的第一绝缘层52上形成一半导体层53。

[0063] 在步骤S13中，在第一绝缘层52上设置透明导电层54，并对透明导电层54进行刻蚀，以形成薄膜晶体管的源极541、漏极542以及像素电极543。其中，公共电极512和薄膜晶体管的栅极510与透明导电层54之间通过第一绝缘层52电性绝缘。薄膜晶体管的漏极542与像素电极543连接，以在后续制程中通过漏极542向像素电极543输入数据信号进行显示。薄膜晶体管的源极541和漏极542分别与半导体层53连接。其中，半导体层53对薄膜晶体管起到开关的作用。具体地：

[0064] 薄膜晶体管的栅极510作为控制电极，当扫描线511向薄膜晶体管的栅极510提供扫描信号时，半导体层53导通，使薄膜晶体管处于导通状态，作为薄膜晶体管的输入电极的源极541和作为输出电极的漏极542通过半导体层53电性连接；当薄膜晶体管的栅极510没有输入扫描信号时，半导体层53不导通，使薄膜晶体管处于关闭状态，源极541和漏极542电性绝缘。

[0065] 在步骤S14中，在完成透明导电层54的设置后，在透明导电层54上设置第二绝缘层55，本实施例中，第二绝缘层55可以是钝化层，也可以是其他具有绝缘特性的绝缘层，在此不做具体限制。

[0066] 此时，薄膜晶体管的源极541覆上了第二绝缘层55，而源极541作为薄膜晶体管的输入电极，需要对其输入所需的数据信号。因此，需对第二绝缘层55进行干蚀刻以形成第一导通孔56，其中，第一导通孔56设置在第二绝缘层55对应于薄膜晶体管的源极541的位置处，以方便对源极541输入数据信号。

[0067] 其中，干蚀刻是指利用等离子进行薄膜刻蚀的技术。本实施例中，采用反应离子刻蚀的干蚀刻方式通过活性离子对第二绝缘层55进行物理轰击和化学反应，以在第二绝缘层55上形成对应薄膜晶体管的源极541的第一导通孔56。而在本发明的备选实施例中，也可以利用物理性蚀刻或化学性蚀刻的干蚀刻方式对第二绝缘层55进行蚀刻以形成第一导通孔56，在此不进行具体限制。

[0068] 在步骤S15中，在第二绝缘层55上设置第二金属层57，并对第二金属层57进行刻蚀以形成数据线571，数据线571通过第一导通孔56与薄膜晶体管的源极541连接。

[0069] 经过上述步骤后，基底50上已形成了扫描线511、数据线571、公共电极512以及像素电极543，而所形成的半导体层53、栅极510、源极541以及漏极542则构成了基底50所需的薄膜晶体管。在扫描线511向薄膜晶体管的栅极510输入扫描信号时，半导体层53导通，使薄膜晶体管打开，薄膜晶体管的源极541和漏极542接通，数据线571通过导通孔56向薄膜晶体管的源极541输入数据信号，数据信号从漏极542输出至像素电极543。

[0070] 进一步的，为了提高液晶显示装置的画面品质，必须减小扫描线511和/或数据线571的阻抗。因此，本实施例中，进一步设置辅助电极，该辅助电极由第一金属层51和第二金属层57中的至少之一者形成。其中，辅助电极的具体设置分为以下三种情况：

[0071] 第一种情况是：只减小数据线的阻抗；

[0072] 第二种情况是：只减小扫描线的阻抗；

[0073] 第三种情况是：同时减小扫描线和数据线的阻抗。

[0074] 其中，第一种情况时请一并参考图6，辅助电极501由第一金属层51形成，并且在步骤S11中形成扫描线511时，在数据线571的下方进一步设置辅助电极501，且该辅助电极501沿着数据线571的延伸方向设置在扫描线511和公共电极512之间。并在步骤S14中完成第二绝缘层55的设置后，进一步在辅助电极501的上方设置至少两个第二导通58，该第二导通孔58穿透第一绝缘层52和第二绝缘层55，并且辅助电极501通过第二导通孔58与数据线571连接。

[0075] 因此，在数据信号传递过程中，除了数据线571传递数据信号外，在设置有辅助电极501的区域，数据信号由辅助电极501以及数据线571共同传递，拓宽了数据信号传递的路径，并且减小了数据线571的阻抗。

[0076] 当辅助电极501的设置属于第二种情况时请一起参阅图7，辅助电极501由第二金属层57形成，并且在步骤S14中完成第二绝缘层55的设置后，进一步在扫描线511的上方设置至少两个第三导通孔59，第三导通孔59穿透第一绝缘层52和第二绝缘层55。然后继续在扫描线511的上方设置辅助电极501，且辅助电极501沿着扫描线511的延伸方向设置在两相邻的数据线571之间，并通过第三导通孔59连接辅助电极501与扫描线511。

[0077] 同理，在扫描信号传递过程中，除了扫描线511传递扫描信号外，在设置有辅助电极501的区域，扫描信号由辅助电极501以及扫描线511共同传递，拓宽了扫描信号传递的路径，并且减小了扫描线511的阻抗。

[0078] 当辅助电极501的设置是第三种情况时请一并参阅图6和图7，辅助电极501包括第一辅助电极513以及第二辅助电极572，其中，第一辅助电极513由第一金属层51形成，第二辅助电极572由第二金属层57形成。

[0079] 其中，第一辅助电极513设置在数据线571的下方，且第一辅助电极513沿着数据线571的延伸方向设置在扫描线511和公共电极512之间。并且通过穿透第一绝缘层52和第二绝缘层55的第二导通孔58连接第一辅助电极513与数据线571。具体的设置步骤与前文所述的辅助电极501是第一种情况时的相同，在此不再赘述。

[0080] 其中，第二辅助电极572设置在扫描线511的上方，且第二辅助电极572沿着扫描线511的延伸方向设置在两相邻的数据线571之间。并且通过穿透第一绝缘层52和第二绝缘层55的第三导通孔59连接第二辅助电极572与扫描线511。具体的设置步骤与前文所述的辅助电极501是第二种情况时的相同，在此不再赘述。

[0081] 综上所述，本发明通过在扫描线的上方和/或数据线的下方设置辅助电极，并且辅助电极的材质与扫描线或者数据线的至少之一形成。因此，在扫描信号或者数据信号传递过程中，利用辅助电极进行传递，以此减小扫描线和/或数据线的阻抗，从而提高的液晶显示装置的画面品质。

[0082] 以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。