电子部件及其制造方法

摘要

提供能够抑制因围绕各线圈导体的周围的磁通引起的磁饱和的产生的电子部件及其制造方法。准备具有第1Ni含有率的第1绝缘体层（19）。在第1绝缘体层（19）上形成线圈导体（18）和具有第1Bi含有率并具有高于所述第1Ni含有率的第2Ni含有率的第2绝缘体层（16）。第1绝缘体层、线圈导体以及第2绝缘体层构成第1单位层（17）。层叠第1单位层以及封装用绝缘体层（15）来得到层叠体（12）。之后，烧制层叠体。在烧制层叠体的工序之后，第1绝缘体层中的被线圈导体从z轴方向的两侧夹着的第1部分中的Ni含有率低于第1绝缘体层中的第1部分以外的第2部分中的Ni含有率。

权利要求

1.一种电子部件的制造方法，其具备：形成层叠体的工序，该层叠体内置有由多个线圈导体构成的螺旋状的线圈；和烧制所述层叠体的工序，该电子部件的制造方法的特征在于，

形成所述层叠体的工序具备：

形成第1单位层的工序，其中通过以下过程来形成第1单位层，即、准备具有第1Ni含有率的第1绝缘体层的过程；

在所述第1绝缘体层上设置构成所述螺旋状的线圈的线圈导体的过程；及在所述第1绝缘体层上的所述线圈导体以外的部分设置具有第1Bi含有率和高于所述第1Ni含有率的第2Ni含有率的第2绝缘体层的过程；以及层叠所述第1单位层的工序，

当将所述第1绝缘体层的被所述线圈导体从层叠方向的两侧接触并夹着的部分作为第1部分，将被所述第2绝缘体层从层叠方向的两侧接触并夹着的部分作为第2部分时，在烧制所述层叠体的工序之后，所述第1部分中的Ni含有率低于所述第2部分中的Ni含有率，所述第2部分中的Ni含有率低于所述第2绝缘体层中的Ni含有率。

2.根据权利要求1所述的电子部件的制造方法，其特征在于，形成所述层叠体的工序还包含形成第2单位层的工序，

该形成第2单位层的工序中，通过如下过程来形成第2单位层，即：准备具有第1Ni含有率的第1绝缘体层的过程；

在所述第1绝缘体层上设置构成所述螺旋状的线圈的线圈导体的过程；以及在所述第1绝缘体层上的所述线圈导体以外的部分设置具有低于所述第1Bi含有率的第2Bi含有率和高于所述第1Ni含有率的第3Ni含有率的第3绝缘体层的过程，具备层叠所述第1单位层与所述第2单位层的工序。

3.根据权利要求1所述的电子部件的制造方法，其特征在于，形成所述层叠体的工序还包含形成第3单位层的工序，

该形成第3单位层的工序中，通过如下过程来形成第3单位层，即：准备具有第1Ni含有率的第1绝缘体层的过程；

在所述第1绝缘体层上设置构成所述螺旋状的线圈的线圈导体的过程；以及在所述第1绝缘体层上的所述线圈导体以外的部分设置所述第2绝缘体层以及具有低于所述第1Bi含有率的第2Bi含有率和高于所述第1Ni含有率的第3Ni含有率的第3绝缘体层的过程，具备层叠所述第1单位层与所述第3单位层的工序。

4.根据权利要求2或3所述的电子部件的制造方法，其特征在于，所述第1绝缘体层的厚度比所述第2绝缘体层以及所述第3绝缘体层的厚度薄。

5.根据权利要求4所述的电子部件的制造方法，其特征在于，所述第1绝缘体层的厚度为5μm以上35μm以下。

6.根据权利要求1至3中任意一项所述的电子部件的制造方法，其特征在于，所述第1绝缘体层是Ni含有率为零的非磁性体层。

7.根据权利要求2或3所述的电子部件的制造方法，其特征在于，当将所述第1绝缘体层的被所述第3绝缘体层从层叠方向的两侧夹着的部分作为第3部分时，在烧制所述层叠体的工序之后，所述第3部分中的Ni含有率低于所述第2部分中的Ni含有率，并且低于所述第3绝缘体层中的Ni含有率。

8.一种电子部件，其具备第1单位层，所述第1单位层由片材状的第1绝缘体层、设置在所述第1绝缘体层上的线圈导体、设置在所述第1绝缘体层上的所述线圈导体以外的部分的第2绝缘体层构成，该电子部件的特征在于，

通过层叠多个所述第1单位层并连接多个所述线圈导体，来构成螺旋状的线圈，当将所述第1绝缘体层中的被所述线圈导体从层叠方向的两侧接触并夹着的部分作为第1部分，将被所述第2绝缘体层从层叠方向的两侧接触并夹着的部分作为第2部分时，所述第1部分中的Ni含有率低于所述第2部分中的Ni含有率，所述第2部分中的Ni含有率低于所述第2绝缘体层中的Ni含有率。

9.根据权利要求8所述的电子部件，其还具备第2单位层，该第2单位层由片材状的第

1绝缘体层、设置在所述第1绝缘体层上的线圈导体、设置在所述第1绝缘体层上的所述线圈导体以外的部分的第3绝缘体层构成，该电子部件的特征在于，通过层叠所述第1单位层以及所述第2单位层并连接多个所述线圈导体，来构成螺旋状的线圈，当将所述第1绝缘体层中的被所述第3绝缘体层从层叠方向的两侧夹着的部分作为第

3部分时，

所述第3部分中的Ni含有率低于所述第2部分中的Ni含有率，并低于所述第3绝缘体层中的Ni含有率。

10.根据权利要求8所述的电子部件，其还具备第3单位层，该第3单位层由片材状的第1绝缘体层、设置在所述第1绝缘体层上的线圈导体、设置在所述第1绝缘体层上的所述线圈导体以外的部分的所述第2绝缘体层以及第3绝缘体层构成，该电子部件的特征在于，通过层叠所述第1单位层以及所述第3单位层并连接多个所述线圈导体，来构成螺旋状的线圈，当将所述第1绝缘体层中的被所述第3绝缘体层从层叠方向的两侧夹着的部分作为第

3部分时，

所述第3部分中的Ni含有率低于所述第2部分中的Ni含有率，并低于所述第3绝缘体层中的Ni含有率。

说明书

电子部件及其制造方法

技术领域

[0001] 本发明涉及电子部件及其制造方法，更具体涉及内置线圈的电子部件及其制造方法。

背景技术

[0002] 作为以往的该种电子部件，例如公知有专利文献1所述的开磁路型层叠线圈部件。图9是专利文献1所述的开磁路型层叠线圈部件500的剖面构造图。

[0003] 开磁路型层叠线圈部件500如图9所示，具备有层叠体502以及线圈L。层叠体502通过层叠多个磁性体层而构成。线圈L呈螺旋状，通过连接多个线圈导体506而构成。
进一步，开磁路型层叠线圈部件500具备非磁性体层504。非磁性体层504按照横穿过线圈L的方式设置于层叠体502。

[0004] 在以上那样的开磁路型层叠线圈部件500中，围绕多个线圈导体506的周围的磁通 会通过非磁性体层504。其结果，会抑制在层叠体502内，磁通过度集中而产生磁饱和。结果，开磁路型层叠线圈部件500会具有优良的直流重叠特性。

[0005] 然而，在开磁路型层叠线圈部件500中，围绕多个线圈导体506的周围的磁通之外，还存在围绕各线圈导体506的周围的磁通 这样的磁通 也会成为在开磁路型层叠线圈部件500中产生磁饱和的原因。

[0006] 专利文献1：日本特开2005－259774号公报

发明内容

[0007] 于是，本发明的目的在于提供一种能够抑制因围绕各线圈导体的周围的磁通而产生的磁饱和的电子部件及其制造方法。

[0008] 为了解决上述问题点，本发明所涉及的电子部件的制造方法，其具备：形成层叠体的工序，该层叠体内置有由多个线圈导体构成的螺旋状的线圈；和烧制所述层叠体的工序，该电子部件的制造方法的特征在于，形成所述层叠体的工序具备：形成第1单位层的工序，其中通过以下过程来形成第1单位层，即、准备具有第1Ni含有率的第1绝缘体层的过程；在所述第1绝缘体层上设置构成所述螺旋状的线圈的线圈导体的过程；及在所述第1绝缘体层上的所述线圈导体以外的部分设置具有第1Bi含有率和高于所述第1Ni含有率的第
2Ni含有率的第2绝缘体层的过程；以及层叠所述第1单位层的工序。

[0009] 进一步，形成所述层叠体的工序还包含形成第2单位层的工序，该形成第2单位层的工序中，通过如下过程来形成第2单位层，即：准备具有第1Ni含有率的第1绝缘体层的过程；在所述第1绝缘体层上设置构成所述螺旋状的线圈的线圈导体的过程；以及在所述第1绝缘体层上的所述线圈导体以外的部分设置具有低于所述第1Bi含有率的第2Bi含有率和高于所述第1Ni含有率的第3Ni含有率的第3绝缘体层的过程，具备层叠所述第1单位层与所述第2单位层的工序。

[0010] 或者，形成所述层叠体的工序还包含形成第3单位层的工序，该形成第3单位层的工序中，通过如下过程来形成第3单位层，即：准备具有第1Ni含有率的第1绝缘体层的过程；在所述第1绝缘体层上设置构成所述螺旋状的线圈的线圈导体的过程；以及在所述第1绝缘体层上的所述线圈导体以外的部分设置所述第2绝缘体层以及具有低于所述第1Bi含有率的第2Bi含有率和高于所述第1Ni含有率的第3Ni含有率的第3绝缘体层的过程，具备层叠所述第1单位层与所述第3单位层的工序。

[0011] 另外，优选，以所述第1绝缘体层的厚度比所述第2绝缘体层以及所述第3绝缘体层的厚度薄为特征，并优选，所述第1绝缘体层的厚度在5μm以上35μm以下。

[0012] 更优选，所述第1绝缘体层是Ni含有率为零的非磁性体层。

[0013] 另外，优选，当将所述第1绝缘体层的被所述线圈导体从层叠方向的两侧夹着的部分作为第1部分，将被所述第2绝缘体层从层叠方向的两侧夹着的部分作为第2部分时，在烧制所述层叠体的工序之后，所述第1部分中的Ni含有率低于所述第2部分中的Ni含有率，所述第2部分中的Ni含有率低于所述第2绝缘体层中的Ni含有率。

[0014] 另外，优选，当将所述第1绝缘体层的被所述第3绝缘体层从层叠方向的两侧夹着的部分作为第3部分时，在烧制所述层叠体的工序之后，所述第3部分中的Ni含有率低于所述第2部分中的Ni含有率，并且低于所述第3绝缘体层中的Ni含有率。

[0015] 本发明所涉及的电子部件具备第1单位层，所述第1单位层由片材状的第1绝缘体层、设置在所述第1绝缘体层上的线圈导体、设置在所述第1绝缘体层上的所述线圈导体以外的部分的第2绝缘体层构成，该电子部件的特征在于，通过层叠所述多个第1单位层并连接多个所述线圈导体，来构成螺旋状的线圈，当将所述第1绝缘体层中的被所述线圈导体从层叠方向的两侧夹着的部分作为第1部分，将被所述第2绝缘体层从层叠方向的两侧夹着的部分作为第2部分时，所述第1部分中的Ni含有率低于所述第2部分中的Ni含有率，所述第2部分中的Ni含有率低于所述第2绝缘体层中的Ni含有率。

[0016] 进一步，电子部件还具备第2单位层，该第2单位层由片材状的第1绝缘体层、设置在所述第1绝缘体层上的线圈导体、设置在所述第1绝缘体层上的所述线圈导体以外的部分的第3绝缘体层构成，该电子部件的特征在于，通过层叠所述第1单位层以及所述第2单位层，并连接多个所述线圈导体，来构成螺旋状的线圈，当将所述第1绝缘体层中的被所述第3绝缘体层从层叠方向的两侧夹着的部分作为第3部分时，所述第3部分中的Ni含有率低于所述第2部分中的Ni含有率，并低于所述第3绝缘体层中的Ni含有率。

[0017] 或者，电子部件还具备第3单位层，该第3单位层由片材状的第1绝缘体层、设置在所述第1绝缘体层上的线圈导体、设置在所述第1绝缘体层上的所述线圈导体以外的部分的所述第2绝缘体层以及第3绝缘体层构成，该电子部件的特征在于，通过层叠所述第1单位层以及所述第3单位层，并连接多个所述线圈导体，来构成螺旋状的线圈，当将所述第1绝缘体层中的被所述第3绝缘体层从层叠方向的两侧夹着的部分作为第3部分时，所述第
3部分中的Ni含有率低于所述第2部分中的Ni含有率，并低于所述第3绝缘体层中的Ni含有率。

[0018] 根据本发明的电子部件，能够抑制产生因围绕各线圈导体的周围的磁通引起的磁饱和，能够抑制电流通电时的电感值的降低。

[0019] 另外，根据本发明的电子部件的制造方法，能够高精度地形成从层叠方向的两侧被线圈导体夹着的非磁性体层。

附图说明

[0020] 图1是表示本发明所涉及的电子部件的实施方式的外观的立体图。

[0021] 图2是一实施方式所涉及的电子部件的层叠体的分解立体图。

[0022] 图3是图1的A－A的方向的电子部件的剖面构造图。

[0023] 图4是表示第1模型与第2模型的模拟结果的曲线图。

[0024] 图5是第1变形例所涉及的电子部件的剖面构造图。

[0025] 图6是表示第3模型与第4模型的模拟结果的曲线图。

[0026] 图7是第2变形例所涉及的电子部件的剖面构造图。

[0027] 图8是第3变形例所涉及的电子部件的剖面构造图。

[0028] 图9是专利文献1中所述的开磁路型层叠线圈部件的剖面构造图。

具体实施方式

[0029] 以下，对本发明的实施方式所涉及的电子部件及其制造方法进行说明。

[0030] （电子部件的构成）

[0031] 以下，参照附图对本发明所涉及的电子部件进行说明。图1是表示实施方式所涉及的电子部件10a～10d的外观的立体图。图2是一实施方式所涉及的电子部件10a的层叠体12a的分解立体图。图3是图1的A－A方向的电子部件10a的剖面构造图。图2所示的层叠体12a表示烧制前的状态。另一方面，图3所示的电子部件10a表示烧制后的状态。以下，将电子部件10a的层叠方向定义为z轴方向，将沿电子部件10a的长边的方向定义为x轴方向，将沿电子部件10a的短边的方向定义为y轴方向。x轴、y轴以及z轴相互正交。

[0032] 电子部件10a如图1所示具备层叠体12a以及外部电极14a、14b。层叠体12a呈长方体状，并内置有线圈L。

[0033] 外部电极14a、14b分别与线圈L电连接，设置于相互对置的层叠体12a的侧面。在本实施方式中，外部电极14a、14b按照覆盖位于x轴方向的两端的2个侧面的方式设置。

[0034] 层叠体12a如图2所示，由封装用绝缘体层15a～15e、第1绝缘体层19a～19f、第2绝缘体层16a～16f、线圈导体18a～18f以及通孔导体b1～b5构成。

[0035] 封装用绝缘体层15a～15e分别呈长方形形状，与后述的第2绝缘体层16a～16f相同，是具有第1Bi含有率、并具有比第1Ni含有率高的第2Ni含有率的绝缘体层。即，是由含有Bi的Ni－Cu－Zn系铁氧体构成的1张片材状的磁性体层。封装用绝缘体层15c、15b、15a沿设置有线圈导体18a～18f的区域的z轴方向的正方向侧按该顺序层叠，来构成外层。另外，封装用绝缘体层15d、15e沿设置有线圈导体18a～18f的区域的z轴方向的负方向侧按该顺序层叠，来构成外层。

[0036] 第1绝缘体层19a～19f如图2所示是呈长方形形状，具有第1Ni含有率的绝缘体层。在本实施方式中，第1绝缘体层19a～19f是Ni含有率为零的Cu－Zn系铁氧体所构成的非磁性体层。然而，第1绝缘体层19a～19f在烧制前是非磁性体层，但在烧制后部分地变为磁性体层。关于这点后述。

[0037] 线圈导体18a～18f如图2所示，由Ag构成的导电性材料构成，具有7/8圈的长度，与通孔导体b1～b5一并构成线圈L。线圈导体18a～18f分别设置在第1绝缘体层19a～19f上。另外，线圈导体18a的一端在第1绝缘体层19a上向x轴方向的负方向侧的边引出，来构成引出导体。线圈导体18a的一端与图1的外部电极14a连接。线圈导体
18f的一端在第1绝缘体层19f上向x轴方向的正方向侧的边引出，来构成引出导体。线圈导体18f的一端与图1的外部电极14b连接。另外，当从z轴方向俯视时，线圈导体18a～
18f相互重合来形成一个长方形形状的环。

[0038] 通孔导体b1～b5如图2所示沿z轴方向贯通第1绝缘体层19a～19e，来连接在z轴方向上相邻的线圈导体18a～18f。具体而言，通孔导体b1连接线圈导体18a的另一端与线圈导体18b的一端。通孔导体b2连接线圈导体18b的另一端与线圈导体18c的一端。通孔导体b3连接线圈导体18c的另一端与线圈导体18d的一端。通孔导体b4连接线圈导体18d的另一端与线圈导体18e的一端。通孔导体b5连接线圈导体18e的另一端与线圈导体18f的另一端（其中，如所述那样，线圈导体18f的一端为引出导体）。如以上那样，线圈导体18a～18f以及通孔导体b1～b5构成具有沿z轴方向延伸的线圈轴的螺旋状的线圈L。

[0039] 如图2所示，第2绝缘体层16a～16f分别设置在第1绝缘体层19a～19f上的线圈导体18a～18f以外的部分。因此，第1绝缘体层19a～19f的主面被第2绝缘体层16a～16f以及线圈导体18a～18f遮盖。进一步，第2绝缘体层16a～16f以及线圈导体
18a～18f的主面分别构成一个平面，成为共面。另外，第2绝缘体层16a～16f是具有第
1Bi含有率、并具有比第1Ni含有率高的第2Ni含有率的绝缘体层。即，在本实施方式中，第
2绝缘体层16a～16f是由含有Bi的Ni－Cu－Zn系铁氧体构成的磁性体层。

[0040] 这里，第1绝缘体层19a～19f的厚度比第2绝缘体层16a～16f的厚度薄。具体而言，第1绝缘体层19a～19f的厚度为5μm以上，35μm以下。

[0041] 如以上那样构成的第1绝缘体层19a～19f、第2绝缘体层16a～16f以及线圈导体18a～18f分别构成第1单位层17a～17f。而且，第1单位层17a～17f在封装用绝缘体层15a～15c与封装用绝缘体层15d、15e之间按该顺序连续地层叠。由此，来构成层叠体12a。

[0042] 若烧制如上所述的层叠体12a，而形成外部电极14a、14b，则电子部件10a会具有图3所示的剖面构造。具体而言，在层叠体12a烧制时，第1绝缘体层19a～19f的一部分中的Ni含有率比第1Ni含有率高。即，第1绝缘体层19a～19f的一部分从非磁性体层变化成磁性体层。

[0043] 更具体而言，如图3所示，在电子部件10a中，第1绝缘体层19a～19f包含第1部分20a～20e以及第2部分22a～22f。第1部分20a～20e是在第1绝缘体层19a～19e中，从z轴方向的两侧被线圈导体18a～18f夹着的部分。具体而言，第1部分20a是在第1绝缘体层19a中，被线圈导体18a与线圈导体18b夹着的部分。第1部分20b是在第1绝缘体层19b中，被线圈导体18b与线圈导体18c夹着的部分。第1部分20c是在第1绝缘体层19c中，被线圈导体18c与线圈导体18d夹着的部分。第1部分20d是在第1绝缘体层19d中，被线圈导体18d与线圈导体18e夹着的部分。第1部分20e是在第1绝缘体层19e中，被线圈导体18e与线圈导体18f夹着的部分。

[0044] 另外，第2部分22a～22f是在第1绝缘体层19a～19f中，除第1部分20a～20e以外的部分。但是，第1绝缘体层19f中不存在第1部分20f，仅存在第2部分22f。这是因为：第1绝缘体层19f比处于z轴方向的最负方向侧的线圈导体18f还要更位于z轴方向的负方向侧。

[0045] 第1部分20a～20e中的Ni含有率比第2部分22a～22f中的Ni含有率低。在本实施方式中，第1部分20a～20e中不含有Ni。因此，第1部分20a～20e是非磁性体层。另一方面，第2部分22a～22f中含有Ni。因此，第2部分22a～22f是磁性体层。另外，第2部分22a～22f中的Ni含有率比第2绝缘体层16a～16f中的Ni含有率低。

[0046] （电子部件的制造方法）

[0047] 以下，参照附图对电子部件10a的制造方法进行说明。此外，以下对同时作成多个电子部件10a之时的电子部件10a的制造方法进行说明。

[0048] 首先，准备将要成为图2的第1绝缘体层19a～19f的陶瓷生片。具体而言，将以规定的比率称量三氧化二铁（Fe2O3）、氧化锌（ZnO）以及氧化铜（CuO）这些材料来作为原材料投入到球磨机中，来进行湿式调配。将得到的混合物干燥后粉碎，并将得到的粉末以800℃煅烧1小时。用球磨机将得到的煅烧粉末进行湿式粉碎后干燥，然后进行粉碎，来得到铁氧体陶瓷粉末。

[0049] 对该铁氧体陶瓷粉末，加入水溶性粘合剂（醋酸乙烯酯、水溶性丙烯酸等）和有机粘合剂（聚乙烯醇缩丁醛等）、分散剂、消泡材料，用球磨机进行混合，之后，通过减压来进行脱泡，从而得到陶瓷悬浊液。通过刮匀涂装法，在载片上将该陶瓷悬浊液形成为片材状来使其干燥，来制作将要成为第1绝缘体层19a～19f的陶瓷生片。

[0050] 然后，准备将要成为图2的封装用绝缘体层15a～15e的陶瓷生片。具体而言，将以规定的比率称量三氧化二铁（Fe2O3）、氧化锌（ZnO）、氧化镍（NiO）以及氧化铜（CuO）、氧化铋（Bi2O3）这些材料作为原材料来投入到球磨机中，来进行湿式调配。将得到的混合物干燥后粉碎，并将得到的粉末以800℃煅烧1小时。用球磨机将得到的煅烧粉末进行湿式粉碎后干燥，然后进行粉碎，来得到铁氧体陶瓷粉末。

[0051] 对该铁氧体陶瓷粉末，加入水溶性粘合剂（醋酸乙烯酯、水溶性丙烯酸等）和有机粘合剂（聚乙烯醇缩丁醛等）、分散剂、消泡材料，用球磨机进行混合，之后，通过减压来进行脱泡，从而得到陶瓷悬浊液。该陶瓷悬浊液的氧化铋的比例按原料比为1.5重量％。通过刮匀涂装法，在载片上将该陶瓷悬浊液形成为片材状来使其干燥，来制作将要成为封装用绝缘体层15a～15e的陶瓷生片。

[0052] 然后，准备将要成为图2的第2绝缘体层16a～16f的陶瓷膏层的陶瓷膏。具体而言，将以规定的比率称量三氧化二铁（Fe2O3），氧化锌（ZnO）、氧化镍（NiO）以及氧化铜（CuO）、氧化铋（Bi2O3）这些材料作为原材料投入到球磨机中，来进行湿式调配。将得到的混合物干燥后粉碎，并将得到的粉末以800℃煅烧1小时。用球磨机将得到的煅烧粉末进行湿式粉碎后干燥，然后进行粉碎，来得到铁氧体陶瓷粉末。

[0053] 对该铁氧体陶瓷粉末，配合粘合剂（乙基纤维素、PVB、甲基纤维素、丙烯酸树脂等）、松油醇和混合了分散剂、可塑剂之物来进行混炼，从而得到将要成为第2绝缘体层16a～16f的陶瓷膏层的陶瓷膏。这里，该陶瓷膏的氧化铋的比例按原料比为1.5重量％。

[0054] 然后，如图2所示，在将要成为第1绝缘体层19a～19e的陶瓷生片的每一个中形成通孔导体b1～b5。具体而言，向将要成为第1绝缘体层19a～19e的陶瓷生片照射激光光束来形成通孔。然后，在该通孔中，通过印刷涂敷等方法填充Ag、Pd、Cu、Au或他们的合金等导电膏。

[0055] 然后，如图2所示，在将要成为第1绝缘体层19a～19f的陶瓷生片上形成线圈导体18a～18f。具体而言，利用丝网印刷法等方法在将要成为第1绝缘体层19a～19f的陶瓷生片上，涂敷以Ag、Pd、Cu、Au或他们的合金等为主成分的导电膏，从而形成线圈导体18a～18f。其中，也可以在同一工序中进行形成线圈导体18a～18f的工序和对通孔填充导电膏的工序。

[0056] 然后，如图2所示，在将要成为第1绝缘体层19a～19f的陶瓷生片上的线圈导体18a～18f以外的部分形成将要成为第2绝缘体层16a～16f的陶瓷膏层。具体而言，通过利用丝网印刷法等方法涂敷该陶瓷膏，来形成将要成为第2绝缘体层16a～16f的陶瓷膏层。通过以上的工序，形成将要成为图2所示的第1单位层17a～17f的陶瓷生坯层。

[0057] 然后，如图2所示，将将要成为封装用绝缘体层15a～15c的陶瓷生片、将要成为第1单位层17a～17f的陶瓷生坯层以及将要成为封装用绝缘体层15d、15e的陶瓷生片按该顺序排列，并进行层叠、压接，来得到未烧制的母层叠体。将要成为封装用绝缘体层15a～15c的陶瓷生片、将要成为第1单位层17a～17f的陶瓷生坯层以及将要成为封装用绝缘体层15d、15e的陶瓷生片的层叠、压接在逐张层叠、预压接后，通过等静压成形等对未烧制的母层叠体加压来进行正式压接。

[0058] 其中，在层叠之时，通过沿z轴方向连续地层叠将要成为第1单位层17a～17f的陶瓷生坯层，来形成线圈L。由此，在未烧制的母层叠体中，如图2所示，线圈导体18a～18f与第1绝缘体层19a～19f沿z轴方向交替地排列。

[0059] 然后，通过切刃将母层叠体切成规定尺寸的层叠体12a。由此，得到未烧制的层叠体12a。对该未烧制的层叠体12a进行脱粘合剂处理以及烧制。脱粘合剂处理例如在低氧氛围中，在500℃、2小时的条件下进行。烧制例如在870℃～900℃、2.5小时的条件下进行。

[0060] 在烧制之时，产生从封装用绝缘体层15d、第2绝缘体层16a～16f向第1绝缘体层19a～19f的Ni的扩散。更具体而言，如图3所示，第1绝缘体层19a～19f的第2部分22a～22f与含有Ni的封装用绝缘体层15d、第2绝缘体层16a～16f接触，因此Ni从封装用绝缘体层15d、第2绝缘体层16a～16f向第2部分22a～22f扩散。因此，第2部分22a～22f成为磁性体层。但是，第2部分22a～22f中的Ni含有率比封装用绝缘体层15d、第2绝缘体层16a～16f中的第2Ni含有率低。

[0061] 这里，对于Ni的扩散，封装用绝缘体层15d与第2绝缘体层16a～16f中所含有的Bi的作用非常重要。

[0062] 封装用绝缘体层15d以及第2绝缘体层16a～16f中所含有的Ni向第1绝缘体层19a～19f扩散之时，Bi的量越多，越促进Ni扩散。即，封装用绝缘体层15d与第2绝缘体层16a～16f中含有的Bi起到助长Ni扩散的作用。因此，在本发明中，封装用绝缘体层15d以及第2绝缘体层16a～16f中一定需要含有Bi。

[0063] 另一方面，第1绝缘体层19a～19e的第1部分20a～20e不与封装用绝缘体层15d、第2绝缘体层16a～16f接触，因此Ni不从封装用绝缘体层15d、第2绝缘体层16a～
16f向第1部分20a～20e扩散。因此，第1部分20a～20e保持不含有Ni的非磁性体层。
其中，第1部分20a～20e原则上不含有Ni，但可含有经由第2部分22a～22e扩散来的Ni。因此，第1部分20a～20e也可以含有不带磁性的程度的微小的量的Ni。该情况下，第
1部分20a～20e中的Ni含有率也比第2部分的Ni含有率低。

[0064] 通过以上的工序，得到烧制的层叠体12a。对层叠体12a施以滚筒抛光，来形成倒角。之后，例如，通过浸渍法等方法在层叠体12a的表面，涂敷以及烧接主成分为银的电极膏，来形成将要成为外部电极14a、14b的银电极。银电极的烧接以800℃，进行60分钟。

[0065] 最后，在银电极的表面，通过实施Ni镀敷/Sn镀敷，来形成外部电极14a、14b。经过以上的工序，图1所示那样的电子部件10a完成。

[0066] （效果）

[0067] 在电子部件10a及其制造方法中，如以下说明那样，能够抑制因围绕各线圈导体18a～18f的周围的磁通引起的磁饱和的产生。更具体而言，当电子部件10a的线圈L中流动电流时，产生如图3所示那样的围绕线圈导体18a～18f的整体的周围的相对具有长磁路的磁通 并且产生围绕各线圈导体18a～18f的周围的相对具有短的磁路的磁通（在图3中，仅记载了在线圈导体18d的周围产生的磁通 ）。而且，磁通 与磁通 同样，可以成为电子部件10a中产生磁饱和的原因。

[0068] 于是，通过上述制造方法制作的电子部件10a中，在第1绝缘体层19a～19f中，被线圈导体18a～18f从z轴方向的两侧夹着的第1部分20a～20e为非磁性体层。因此，围绕各线圈导体18a～18f的周围的磁通 会通过作为非磁性体层的第1部分20a～20e。因此，可以抑制磁通 的磁通密度过高而在电子部件10a中产生磁饱和。结果，电子部件10a的直流重叠特性提高。

[0069] 本申请发明者为使电子部件10a及其制造方法所起的效果更明确，进行了以下说明的计算机模拟。具体而言，制作了与电子部件10a相当的第1模型，并且制作了将电子部件10a的第1绝缘体层19a～19f作为磁性体层的第2模型。模拟条件如下。

[0070] 线圈L的圈数：8.5圈

[0071] 电子部件的尺寸：2.5mm×2.0mm×1.0mm

[0072] 第1绝缘体层19a～19f的厚度：10μm

[0073] 图4是表示模拟结果的曲线图。横轴表示向各个模型施加的电流值。纵轴表示以电流值几乎为零（0.001A）时的电感值为基准时的电感变化率。

[0074] 根据图4，第1模型与第2模型相比，即使电流值变大，电感变化率也少。即，可知第1模型与第2模型相比具有优良的直流重叠特性。这意味着在第2模型中，与第1模型相比，会容易产生因围绕各线圈导体的磁通引起的磁饱和。根据以上可知，在电子部件10a及其制造方法中，能够抑制因围绕各线圈导体18a～18f的周围的磁通 引起的磁饱和的产生。

[0075] 进一步，在电子部件10a及其制造方法中，能够高精度地形成作为非磁性体层的第1部分20a～20e。更具体而言，在一般的电子部件中，作为在被线圈导体夹着的部分形成非磁性体层的方法，例如，可考虑在被线圈导体夹着的部分印刷非磁性体膏。

[0076] 但是，在印刷非磁性体膏的方法的情况下，由于印刷偏差、层叠偏差，非磁性体层有可能会从被线圈导体夹着的部分伸出。这样，当非磁性体层从被线圈导体夹着的部分伸出时，有可能会妨碍围绕线圈导体整体的具有长磁路的磁通。即，希望的磁通以外的磁通也会通过非磁性体层。

[0077] 另一方面，在上述电子部件10a及其制造方法中，在制作了层叠体12a后，形成在烧制时作为非磁性体层的第1部分20a～20e。因此，不会因印刷偏差、层叠偏差，第1部分20a～20e从被线圈导体18a～18f夹着的部分伸出。结果，在电子部件10a及其制造方法中，能够高精度地形成作为非磁性体层的第1部分20a～20e。结果，会抑制希望的磁通 以外的磁通 通过非磁性体层。

[0078] 另外，在电子部件10a中，第1单位层17a～17f在封装用绝缘体层15a～15c与封装用绝缘体层15d、15e之间按该顺序连续地层叠。由此，非磁性体层会仅设置于被线圈导体18a～18f夹着的第1部分20a～20e中。而且，横穿线圈L的非磁性体层不会存在。

[0079] 另外，在电子部件10a及其制造方法中，优选第1绝缘体层19a～19f的厚度为5μm以上35μm以下。

[0080] 当第1绝缘体层19a～19f的厚度比5μm小时，会难以制作将要成为第1绝缘体层19a～19f的陶瓷生片。另一方面，当第1绝缘体层19a～19f的厚度比35μm大时，Ni不充分扩散，难以使第2部分22a～22f成为磁性体层。

[0081] 其中，在电子部件10a中，不存在横穿过线圈L那样的非磁性体层。但是，在电子部件10a中，第1部分20a～20e以外的部分中也可以存在非磁性体层。因此，能够调整电子部件的直流重叠特性，或者能够调整电感值。以下，对第1部分20a～20e以外的部分中设置了非磁性体层的变形例所涉及的电子部件进行说明。

[0082] （第1变形例）

[0083] 以下，参照附图对第1变形例所涉及的电子部件10b及其制造方法进行说明。图5是第1变形例所涉及的电子部件10b的剖面构造图。在图5中，为了避免附图繁杂，对于与图3相同构成的附图标记，省略了一部分。

[0084] 电子部件10a与电子部件10b的不同点在于下述方面，即在电子部件10b中，使用具有比第1Bi含有率低的第2Bi含有率、并具有比第1Ni含有率高的第3Ni含有率的第3绝缘体层26c、26d，来取代作为磁性体层的第2绝缘体层16c、16d。

[0085] 这里，第3绝缘体层26c、26d分别在第1绝缘体层19c、19d上，设置于线圈导体18c、18d以外的部分。因此，第1绝缘体层19c、19d的主面被第3绝缘体层26c、26d以及线圈导体18c、18d遮盖。进一步，第3绝缘体层26c、26d以及线圈导体18c、18d的主面分别构成一个平面，成为共面。另外，第1绝缘体层19c、19d的厚度比第3绝缘体层26c、26d的厚度薄。

[0086] 第1变形例所涉及的电子部件10b在烧制之时，Ni从第3绝缘体层26c、26d向第1绝缘体层19c扩散。

[0087] 更具体而言，如图6所示，第1绝缘体层19c的第3部分24c（即，在第1绝缘体层19c中，作为被线圈导体18c与线圈导体18d夹着的部分的第1部分20c以外的部分）与第
3绝缘体层26c、26d接触，因此在第3部分24c中，Ni从第3绝缘体层26c、26d扩散。

[0088] 但是，与从第2绝缘体层16a、16b、16e、16f以及封装用绝缘体层15d向第1绝缘体层19a、19b、19d、19e的Ni的扩散相比较，扩散量少。

[0089] 这如前述那样，对于Ni的扩散，Bi的作用非常重要，Bi起到助长Ni扩散的作用。另一方面，第3绝缘体层26c、26d的Bi含有率比第2绝缘体层16a、16b、16e、16f的Bi含有率低。因此，向第1绝缘体层19c的第3部分24c的Ni的扩散量变少。

[0090] 因此，第3部分24c是含有不带磁性的程度的极少的量的Ni的非磁性体层，或者是仅在与第3绝缘体层26c、26d接触的极表层部分含有Ni的非磁性体层。

[0091] 这里，第3部分24c中的Ni含有率比第2部分22a、22b、22d、22e的Ni含有率低，也比第3绝缘体层26c、26d中的Ni含有率低。

[0092] 结果，在电子部件10b中，在线圈L的内侧以及外侧设置作为非磁性体层的第3部分24c。由此，磁通 会通过作为非磁性体层的第3部分24c，结果，在电子部件10b中，会抑制因磁通 引起的磁饱和的产生。

[0093] 其中，作为电子部件10b的制造方法，首先，如下准备了将要成为第3绝缘体层26c、26d的陶瓷膏层的陶瓷膏。

[0094] 具体而言，将以规定的比率称量三氧化二铁（Fe2O3）、氧化锌（ZnO）、氧化镍（NiO）以及氧化铜（CuO）、氧化铋（Bi2O3）这些材料作为原材料投入到球磨机中，来进行湿式调配。将得到的混合物干燥后粉碎，并将得到的粉末以800℃煅烧1小时。用球磨机将得到的煅烧粉末进行湿式粉碎后干燥，然后进行粉碎，来得到铁氧体陶瓷粉末。

[0095] 对该铁氧体陶瓷粉末，配合粘合剂（乙基纤维素、PVB、甲基纤维素、丙烯酸树脂等）、松油醇和混合了分散剂，可塑剂之物来进行混炼，从而得到将要成为第3绝缘体层26c、26d的陶瓷膏层的陶瓷膏。这里，该陶瓷悬浊液的氧化铋的比例按原料比为0.2重量％。

[0096] 然后，在将要成为第1绝缘体层19c、19d的陶瓷生片中形成通孔导体b3、b4。对于通孔导体b3、b4的形成方法，已经进行了说明，因而省略。

[0097] 然后，在将要成为第1绝缘体层19c、19d的陶瓷生片上形成线圈导体18c、18d。对于线圈导体18c、18d的形成方法，已经进行了说明，因而省略。

[0098] 然后，在将要成为第1绝缘体层19c、19d的陶瓷生片上的线圈导体18c、18c以外的部分形成作为第3绝缘体层26c、26d的陶瓷膏层。

[0099] 具体而言，通过用丝网印刷法等方法涂敷该陶瓷膏，来形成将要成为第3绝缘体层26c、26d的陶瓷膏层。

[0100] 通过以上的工序，形成将要成为第2单位层27c、27d的陶瓷生坯层。

[0101] 然后，将将要成为封装用绝缘体层15a～15c的陶瓷生片、第1单位层17a～17b、第2单位层27c、27d、将要成为第1单位层17e～17f的陶瓷生坯层以及将要成为封装用绝缘体层15d、15e的陶瓷生片按该顺序排列，并层叠、压接，来得到未烧制的母层叠体。电子部件10b的制造方法中的其他工序与电子部件10a的制造方法中的其他的工序相同，因而省略说明。

[0102] 为了更明确电子部件10b及其制造方法所起的效果，进行了以下说明的计算机模拟。具体而言，制作与电子部件10b相当的第3模型，并且制作了将电子部件10b的第1绝缘体层19a、19b、19d、19e、19f作为磁性体层，将第1绝缘体层19c作为非磁性体层的第4模型。模拟条件如下。

[0103] 线圈L的圈数：8.5圈

[0104] 电子部件的尺寸：2.5mm×2.0mm×1.0mm

[0105] 第1绝缘体层19a～19f的厚度：10μm

[0106] 图6是表示模拟结果的曲线图。横轴表示对各个模型施加的电流值。纵轴表示以电流值几乎为零（0.001A）时的电感值为基准时的电感变化率。

[0107] 根据图6，第3模型与第4模型相比，即使电流值变大，电感变化率也少。即，可知第3模型与第4模型相比具有优良的直流重叠特性。这意味着在第4模型中，与第3模型相比，会容易产生因围绕各线圈导体的磁通引起的磁饱和。由上述可知，在电子部件10b及其制造方法中，能够抑制因围绕各线圈导体18a～18f的周围的磁通 引起的磁饱和的产生。

[0108] （第2变形例）

[0109] 以下，参照附图，对第2变形例所涉及的电子部件10c及其制造方法进行说明。图7是第2变形例所涉及的电子部件10c的剖面构造图。图7中，为了避免附图繁杂，对于与图3相同构成的附图标记省略一部分。

[0110] 电子部件10a与电子部件10c的不同点在于下述方面，即、在电子部件10c中，使用第2绝缘体层36c、36d以及具有比第1Bi含有率低的第2Bi含有率并具有比第1Ni含有率高的第3Ni含有率的第3绝缘体层46c、46d，来取代作为磁性体层的第2绝缘体层16c、16d。

[0111] 这里，第2绝缘体层36c、36d以及第3绝缘体层46c、46d分别设置在第1绝缘体层19c、19d上的线圈导体18c、18d以外的部分。

[0112] 具体而言，在将要成为第1绝缘体层19c、19d的陶瓷生片上的线圈导体18c、18d的外侧的部分，设置第3绝缘体层46c、46d，在将要成为第1绝缘体层19c、19d的陶瓷生片上的线圈导体18c、18d的内侧的部分设置第2绝缘体层36c、36d。

[0113] 另外，第1绝缘体层19c、19d的主面被第2绝缘体层36c、36d、第3绝缘体层46c、46d以及线圈导体18c、18d遮盖。进一步，第2绝缘体层36c、36d、第3绝缘体层46c、46d以及线圈导体18c、18d的主面分别构成一个平面，成为共面。另外，第1绝缘体层19c、19d的厚度比第2绝缘体层36c、36d以及第3绝缘体层46c、46d的厚度薄。

[0114] 第2变形例所涉及的电子部件10c在烧制之时，Ni从第3绝缘体层46c、46d向第1绝缘体层19c扩散。

[0115] 更具体而言，如图7所示，第1绝缘体层19c的第3部分34c（即，在第1绝缘体层19c中，被第3绝缘体层46c与第3绝缘体层46d夹着的部分）与第3绝缘体层46c、46d接触，因此Ni从第3绝缘体层46c、46d扩散到第3部分34c中。

[0116] 但是，与从第2绝缘体层36c、36d向第1绝缘体层19c的Ni的扩散相比较，扩散量变少。

[0117] 这是因为，如前述那样，对于Ni的扩散，Bi的作用非常重要，Bi起到助长Ni扩散的作用。另一方面，第3绝缘体层46c、46d的Bi含有率比第2绝缘体层36c、36d的Bi含有率低。因此，Ni向第1绝缘体层19c的第3部分34c的扩散量变少。

[0118] 因此，第3部分34c是含有不带磁性的程度的极少量的Ni的非磁性体层，或者是仅在与第3绝缘体层46c、46d接触的极表层部分含有Ni的非磁性体层。

[0119] 这里，第3部分34c中的Ni含有率比第2部分22a、22b、22d、22e、32c的Ni含有率低，也比第3绝缘体层46c、46d中的Ni含有率低。

[0120] 结果，在电子部件10c中，在线圈L的外侧设置作为非磁性体层的第3部分34c。由此，磁通 会通过作为非磁性体层的第3部分34c，结果，在电子部件10c中，能够抑制因磁通 引起的磁饱和的产生。

[0121] 其中，作为电子部件10c的制造方法，首先，准备将要成为第2绝缘体层36c、36d以及第3绝缘体层46c、46d的陶瓷膏层的陶瓷膏。具体而言，分别与第2绝缘体层16c、16d以及第3绝缘体层26c、26d的陶瓷膏的制造方法相同，因而省略。

[0122] 然后，在将要成为第1绝缘体层19c、19d的陶瓷生片中形成通孔导体b3、b4。对于通孔导体b3、b4的形成方法，已经进行了说明，因此省略。

[0123] 然后，在将要成为第1绝缘体层19c、19d的陶瓷生片上形成线圈导体18c、18d。对于线圈导体18c、18d的形成方法，已经进行了说明，因而省略。

[0124] 然后，在将要成为第1绝缘体层19c、19d的陶瓷生片上的线圈导体18c、19d以外的部分形成将要成为第2绝缘体层36c、36d的陶瓷膏层和将要成为第3绝缘体层46c、46d的陶瓷膏层。

[0125] 具体而言，在将要成为第1绝缘体层19c、19d的陶瓷生片上的线圈导体18c、18d的外侧的部分形成第3绝缘体层46c、46d，在将要成为第1绝缘体层19c、19d的陶瓷生片上的线圈导体18c、18d的内侧的部分形成第2绝缘体层36c、36d。

[0126] 而且，通过用丝网印刷法等方法涂敷这些陶瓷膏，形成将要成为第2绝缘体层36c、36d和第3绝缘体层46c、46d的陶瓷膏层。

[0127] 通过以上的工序，形成将要成为第3单位层37c、37d的陶瓷生坯层。

[0128] 然后，将将要成为封装用绝缘体层15a～15c的陶瓷生片、第1单位层17a～17b、第3单位层37c、37d、将要成为第1单位层17e～17f的陶瓷生坯层以及将要成为封装用绝缘体层15d、15e的陶瓷生片按该顺序排列，并层叠、压接，得到未烧制的母层叠体。电子部件10c的制造方法中的其他工序与电子部件10a的制造方法中的其他工序相同，因此省略说明。

[0129] （第3变形例）

[0130] 以下，参照附图，对第3变形例所涉及的电子部件10d及其制造方法进行说明。图8是第3变形例所涉及的电子部件10d的剖面构造图。在图8中，为了避免附图繁杂，对于与图3相同的构成的附图标记省略其一部分。

[0131] 电子部件10a与电子部件10d的不同点在于下述方面，即、在电子部件10d中，使用第2绝缘体层56c、56d以及具有比第1Bi含有率低的第2Bi含有率并具有比第1Ni含有率高的第3Ni含有率的第3绝缘体层66c、66d，来取代作为磁性体层的第2绝缘体层16c、16d。

[0132] 这里，第2绝缘体层56c、56d以及第3绝缘体层66c、66d分别设置在第1绝缘体层19c、19d上的线圈导体18c、18d以外的部分。

[0133] 具体而言，在将要成为第1绝缘体层19c、19d的陶瓷生片上的线圈导体18c、18d的内侧的部分设置第3绝缘体层66c、66d，在将要成为第1绝缘体层19c、19d的陶瓷生片上的线圈导体18c、18d的外侧的部分设置第2绝缘体层56c、56d。

[0134] 另外，第1绝缘体层19c、19d的主面被第2绝缘体层56c、56d、第3绝缘体层66c、66d以及线圈导体18c、18d遮盖。进一步，第2绝缘体层56c、56d、第3绝缘体层66c、66d以及线圈导体18c、18d的主面分别构成一个平面，成为共面。另外，第1绝缘体层19c、19d的厚度比第2绝缘体层56c、56d以及第3绝缘体层66c、66d的厚度薄。

[0135] 第3变形例所涉及的电子部件10d在烧制之时，Ni从第3绝缘体层66c、66d向第1绝缘体层19c扩散。

[0136] 更具体而言，如图8所示，第1绝缘体层19c的第3部分44c（即，在第1绝缘体层19c中，被第3绝缘体层66c与第3绝缘体层66d夹着的部分）与第3绝缘体层66c、66d接触，因此Ni从第3绝缘体层66c、66d扩散到第3部分44c中。

[0137] 但是，与从第2绝缘体层56c、56d向第1绝缘体层19c的Ni的扩散相比较，扩散量变少。

[0138] 这如前述那样，对于Ni的扩散，Bi的作用非常重要，Bi起到助长Ni扩散的作用。另一方面，第3绝缘体层66c、66d的Bi含有率也比第2绝缘体层56c、56d的Bi含有率低。
因此，Ni向第1绝缘体层19c的第3部分44c的扩散量变少。

[0139] 因此，第3部分44c是含有不带磁性的程度的极少量的Ni的非磁性体层，或者是仅在与第3绝缘体层66c、66d接触的极表层部分含有Ni的非磁性体层。

[0140] 这里，第3部分434c中的Ni含有率比第2部分22a、22b、22d、22e、42c的Ni含有率低，也比第3绝缘体层66c、66d中的Ni含有率低。

[0141] 结果，在电子部件10d中，在线圈L的内侧设置作为非磁性体层的第3部分44c。由此，磁通 会通过作为非磁性体层的第3部分44c，结果，在电子部件10d中，能够抑制因磁通 引起的磁饱和的发生。

[0142] 其中，作为电子部件10d的制造方法，首先，准备将要成为第2绝缘体层56c、56d以及第3绝缘体层66c、66d的陶瓷膏层的陶瓷膏。具体而言，分别与第2绝缘体层16c、16d以及第3绝缘体层26c、26d的陶瓷膏的制造方法相同，因而省略。

[0143] 然后，在将要成为第1绝缘体层19c、19d的陶瓷生片中形成通孔导体b3、b4。对于通孔导体b3、b4的形成方法，已经进行了说明，因而省略。

[0144] 然后，在将要成为第1绝缘体层19c、19d的陶瓷生片上形成线圈导体18c、18d。对于线圈导体18c、18d的形成方法，已经进行了说明，因而省略。

[0145] 然后，在将要成为第1绝缘体层19c、19d的陶瓷生片上的线圈导体18c、19d以外的部分形成将要成为第2绝缘体层56c、56d的陶瓷膏层和将要成为第3绝缘体层66c、66d的陶瓷膏层。

[0146] 具体而言，在将要成为第1绝缘体层19c、19d的陶瓷生片上的线圈导体18c、18d的内侧的部分形成第3绝缘体层66c、66d，在将要成为第1绝缘体层19c、19d的陶瓷生片上的线圈导体18c、18d的外侧的部分形成第2绝缘体层56c、56d。

[0147] 而且，通过用丝网印刷法等方法涂敷这些陶瓷膏，形成将要成为第2绝缘体层56c、56d和第3绝缘体层66c、66d的陶瓷膏层。

[0148] 通过以上的工序，形成将要成为第3单位层47c、47d的陶瓷生坯层。

[0149] 然后，将将要成为封装用绝缘体层15a～15c的陶瓷生片、第1单位层17a～17b、第3单位层47c、47d、将要成为第1单位层17e～17f的陶瓷生坯层以及将要成为封装用绝缘体层15d、15e的陶瓷生片按该顺序排列，并层叠、压接，得到未烧制的母层叠体。电子部件10d的制造方法中的其他的工序与电子部件10d的制造方法中的其他的工序相同，因而省略说明。

[0150] 其中，电子部件10a～10d用逐次压接工艺法制作，例如，也可以用印刷工艺法制作。

[0151] 另外，本发明的第1至第3变形例表示了在第1绝缘体层19c的部分中设置了非磁性体层的变形例，但也可以使用同样的手法，设置在第1绝缘体层19c之外的第1绝缘体层19a、19b、19d、19e、19f中，进一步，也可以是组合第1至第3变形例，在第1绝缘体层19a～
19f的多层中设置了非磁性体层的电子部件。

[0152] 产业上的可利用性

[0153] 本发明可用于电子部件及其制造方法，尤其，在能够抑制因围绕各线圈导体的周围的磁通引起的磁饱和的产生的方面很有效。

[0154] 附图标记的说明

[0155] L…线圈；b1～b5…通孔导体；10a～10d…电子部件；12a～10d、502…层叠体；14a、14b…外部电极；15a～15e…封装用绝缘体层；18a～18f、506…线圈导体；19a～
19f…第1绝缘体层；16a～16f、36c、36d、56c、56d…第2绝缘体层；26c、26d、46c、46d、66c、
66d…第3绝缘体层；17a～17f…第1单位层；27c、27d…第2单位层；37c、37d、47c、47d…第3单位层；20a～20e…第1部分；22a～22f、32c、42c…第2部分；24c、34c、44c…第3部分；500…开磁路型层叠线圈部件；504…非磁性体层。