一种液晶显示装置

摘要

本发明公开了一种液晶显示装置，包括多个像素结构，每一个像素结构均包括第一基板；第一基板包括公共电极、多个具有条形结构的像素电极、位于公共电极与像素电极之间的第一绝缘层；多个像素电极为多个交替分布的正电极和负电极。像素结构在通电之后，像素电极与公共电极之间产生电场，像素电极包括的正电极与负电极之间也产生电场，且正电极与负电极之间产生的电场中，水平方向上的电场分量所占比例很大，增加了液晶层内电场中水平方向电场分量所占的比例，位于每个像素结构的第一基板和第二基板之间的液晶层内的液晶分子沿水平方向的变形量较之现有技术中采用的多维电场模式的显示方式较大，增强了液晶层的透光率。

权利要求

1.一种液晶显示装置，包括多个像素结构，每一个所述像素结构均包括第一基板；所述第一基板包括公共电极、多个具有条形结构的像素电极、位于所述公共电极与所述像素电极之间的第一绝缘层；其特征在于，多个所述像素电极为多个交替分布的正电极和负电极；

垂直于所述像素电极的布线方向，所述正电极与所述负电极均匀分布，且所述正电极和所述公共电极之间的电压差与所述公共电极与所述负电极之间的电压差相等；

所述公共电极位于每个像素结构内的部分为多个条形公共电极，且所述条形公共电极的布线方向与所述像素电极的布线方向平行，每个所述条形公共电极与两相邻的所述像素电极之间的狭缝相对。

2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，垂直于所述条形公共电极的布线方向，多个所述条形公共电极均匀分布，且所述条形公共电极的中心线与两相邻的所述像素电极之间狭缝的中心线重合。

3.根据权利要求1或2所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第一基板设有第一数据线和第二数据线，所述正电极通过第一晶体管与第一数据线电连接，所述负电极通过第二晶体管与所述第二数据线电连接。

说明书

一种液晶显示装置

技术领域

[0001] 本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种液晶显示装置。

背景技术

[0002] 目前，随着液晶显示技术的发展，液晶显示装置对高透过率、宽视角等特性的要求越来越高。

[0003] 高级超维场转换技术（ADvanced Super Dimension Switch，AD-SDS，简称ADS），其核心技术特性描述为：通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（push Mura）等优点。如图1所示，图1为现有技术中ADS模式的液晶显示装置使用液晶模拟软件2D mos模拟的电场分布示意图。

[0004] ADS模式的液晶显示装置中包括的公共电极1为板状电极，而像素电极2为多条间隔分布的条形电极，公共电极1与像素电极2之间设有绝缘层3；各像素电极2之间不存在电压差，而像素电极2与公共电极之间存在电压差。

[0005] 使用液晶模拟软件2D mos模拟上述ADS模式的液晶显示装置过程中，以具有下述参数的ADS模式显示方式的液晶显示装置为例：各像素电极2之间，像素电极2与公共电极之间等参数为：W/L=2/4，其中，W表示像素电极的宽度，L表示相邻像素电极狭缝宽度，像素电极2与公共电极1之间的电压差为5.1V。由于各个像素电极2之间不存在电压差，各个电极之间的电场是通过像素电极2与公共电极1之间的电压差产生的，进入液晶层4内的电场5内水平方向的分量所占比例较低，从而导致液晶层4内的液晶分子沿水平方向的形变量较低，影响液晶层4的透光率，由2D mos模拟可知，现有技术中的ADS模式的液晶显示装置的透光率为41%。

[0006] 因此，如何提供一种液晶显示装置，以在保证其宽视角特性的基础上提高液晶层的透光率，是本领域技术人员需要解决的技术问题。

发明内容

[0007] 本发明提供了一种液晶显示装置，能够在保证其宽视角特性的基础上提高液晶层的透光率。

[0008] 为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：

[0009] 一种液晶显示装置，包括多个像素结构，每一个所述像素结构均包括第一基板；所述第一基板包括公共电极、多个具有条形结构的像素电极、位于所述公共电极与所述像素电极之间的第一绝缘层；多个所述像素电极为多个交替分布的正电极和负电极。

[0010] 优选地，垂直于所述像素电极的布线方向，所述正电极与所述负电极均匀分布，且所述正电极和所述公共电极之间的电压差与所述公共电极与所述负电极之间的电压差相等。

[0011] 优选地，所述公共电极为板状电极。

[0012] 优选地，所述公共电极位于每个像素结构内的部分为多个条形公共电极，且所述条形公共电极的布线方向与所述像素电极的布线方向平行，每个所述条形公共电极与两相邻的所述像素电极之间的狭缝相对。

[0013] 优选地，垂直于所述条形公共电极的布线方向，多个所述条形公共电极均匀分布，且所述条形公共电极的中心线与两相邻的所述像素电极之间狭缝的中心线重合。

[0014] 优选地，所述第一基板设有第一数据线和第二数据线，所述正电极通过第一晶体管与第一数据线电连接，所述负电极通过第二晶体管与所述第二数据线电连接。

[0015] 本发明提供的液晶显示装置，包括多个像素结构，每一个所述像素结构均包括第一基板；所述第一基板包括公共电极、多个具有条形结构的像素电极、位于所述公共电极与所述像素电极之间的第一绝缘层；多个所述像素电极为多个交替分布的正电极和负电极。

[0016] 本发明提供的液晶显示装置，由于在每一个像素结构中，第一基板的像素电极为多个交替分布的正电极和负电极，因此，像素结构在通电之后，除了像素电极与公共电极之间产生电场之外，像素电极中交替分布的正电极与负电极之间也产生电场，且正电极与负电极之间产生的电场中，水平方向上的电场分量所占比例较大，增加了液晶层内电场中水平方向电场分量所占的比例，所以，当正电极与负电极以及公共电极通电之后，位于每个像素结构的第一基板和第二基板之间的液晶层内的液晶分子沿水平方向的变形量较之现有技术中采用的ADS模式的显示方式较大，增强了液晶层的透光率。

附图说明

[0017] 图1为现有技术中ADS模式的液晶显示装置使用液晶模拟软件2D mos模拟的电场分布示意图；

[0018] 图2为本发明提供的液晶显示装置的侧视结构示意图；

[0019] 图3为本发明提供的液晶显示装置中一个像素结构的结构示意图；

[0020] 图4为本发明提供的液晶显示装置通过液晶模拟软件2D mos模拟的电场分布示意图。

具体实施方式

[0021] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

[0022] 请参考图2和图3，其中，图2为本发明提供的液晶显示装置的侧视结构示意图；图3为本发明提供的液晶显示装置中一个像素结构的结构示意图。

[0023] 本发明提供的液晶显示装置，包括多个像素结构，每一个像素结构包括第一基板；第一基板包括公共电极70、多个具有条形结构的像素电极50、位于公共电极70与像素电极
50之间的第一绝缘层40；多个像素电极50为多个交替分布的正电极51和负电极52。

[0024] 本发明提供的液晶显示装置，每一个像素结构均包括第一基板和第二基板20、以及位于第一基板10和第二基板20之间的液晶层80其中，第一基板包括玻璃基板10，玻璃基板10的内侧覆盖有第二绝缘层30，公共电极70位于第一绝缘层40和第二绝缘层30之间，第一绝缘层40位于公共电极70与像素电极50之间，像素电极50上覆盖有一层取向层60。

[0025] 由于每一个像素结构中，第一基板的像素电极50为多个交替分布的正电极51和负电极52，像素结构在通电之后，除了像素电极50与公共电极70之间产生电场之外，像素电极50中交替分布的正电极51与负电极52之间也产生电场，且正电极51与负电极52之间产生的电场中，水平方向上的电场分量所占比例较大，增加了液晶层80内电场中水平方向电场分量所占的比例，所以，当正电极51与负电极52以及公共电极70通电之后，液晶层80内的液晶分子沿水平方向的变形量较之现有技术中采用的ADS模式的显示方式较大，增强了液晶层80的透光率。

[0026] 所以，本发明提供的液晶显示装置中，由于像素电极50中正电极51和负电极52的设置，提高了液晶层的透光率。

[0027] 进一步地，在上述技术方案的基础上，为了增加像素电极50中正电极51和负电极52之间产生的电场的均匀性，优选地，垂直于像素电极50的布线方向，正电极51与负电极
52均匀分布，且正电极51和公共电极70之间的电压差与公共电极70与负电极52之间的电压差相等。

[0028] 具体的，上述技术方案中提到的公共电极70可以具有板状结构。

[0029] 当然，为了避免公共电极70与像素电极50的正电极51以及负电极52之间产生寄生电容，如图2和图3所示，公共电极70位于每个像素结构内的部分为多个条形公共电极，且条形公共电极的布线方向与像素电极50的布线方向平行，每个条形公共电极与两相邻的像素电极50之间的狭缝相对。这样，公共电极70与像素电极50之间不存在相互交叠的现象，从而避免了公共电极70与像素电极50之间产生寄生电容，提高了液晶显示装置的显示效果。

[0030] 在上述技术方案的基础上，如图2所示，为了进一步提高像素结构通电时产生电场的均匀性，优选地，垂直于条形公共电极的布线方向，多个条形公共电极均匀分布，且条形公共电极的中心线与两相邻的像素电极50之间狭缝的中心线重合。

[0031] 如图3所示，本发明提供的液晶显示装置，在每一个像素结构中均采用双数据线驱动，分别为像素电极50中的正电极51提供正电压，为负电极52提供负电压；具体的，第一基板设有第一数据线91和第二数据线93，正电极51通过第一晶体管92与第一数据线91电连接，负电极52通过第二晶体管94与第二数据线93电连接。

[0032] 综上所述，在本发明提供的液晶显示装置的最优选实施例中，每一个像素结构中，像素电极50包括交替分布的正电极51和负电极52，而公共电极70位于每个像素结构内的部分为多个条形公共电极，且条形公共电极的布线方向与像素电极50的布线方向平行，每个条形公共电极与两相邻的像素电极50之间的狭缝相对。这样，像素结构在通电之后，除了像素电极50与公共电极70之间产生电场之外，像素电极50中交替分布的正电极51与负电极52之间也产生电场，且正电极51与负电极52之间产生的电场中，水平方向上的电场分量所占比例较大，增加了液晶层80内电场中水平方向电场分量所占的比例，液晶层80内的液晶分子沿水平方向的变形量较之现有技术中采用的ADS模式的显示方式较大，增强了液晶层80的透光率，且公共电极70与像素电极50之间不存在相互交叠的现象，从而避免了公共电极70与像素电极50之间产生寄生电容，提高了液晶显示装置的显示效果。本发明提供的液晶显示装置的最优实施例通过液晶模拟软件2D mos模拟的电场分布图如图4所示，图4为本发明提供的液晶显示装置通过液晶模拟软件2D mos模拟的电场分布示意图。

[0033] 经液晶模拟软件2D mos模拟结果分析，本发明提供的液晶显示装置在像素电极50以及公共电极70的参数为：W/L=2/5，其中，W表示像素电极50的宽度，L表示相邻的像素电极50之间的狭缝宽度且正电极51与条形公共电极之间的电压差为3V，条形公共电极与负电极52之间的电压差为3V时，液晶显示装置的透光率为44%，高于现有技术中ADS模式显示的液晶显示装置。

[0034] 显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。