半导体处理装置及控制方法

摘要

本发明揭露了一种半导体处理装置，所述半导体处理装置包括一用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室部，所述微腔室部包括具有上腔室内壁的上腔室部和具有下腔室内壁的下腔室部，所述上腔室部和下腔室部可在一用于装载或移除半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳半导体晶圆的关闭位置之间移动。所述半导体处理装置还包括一驱动装置，所述驱动装置包括若干个驱动器，每个驱动器对应于所述上腔室内壁或者下腔室内壁的部分区域，所述驱动器驱动所述上腔室内壁或者下腔室内壁的对应区域与半导体晶圆间的空隙发生改变，以达到控制所述空隙中处理流体的流动图案的目的。

权利要求

1.一种半导体处理装置，其特征在于，其包括：

包括一用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室部，所述微腔室部包括具有上腔室内壁的上腔室部和具有下腔室内壁的下腔室部，所述上腔室部和下腔室部可在一用于装载或移除半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳半导体晶圆的关闭位置之间移动，在关闭位置时，半导体晶圆安装于所述上腔室内壁和下腔室内壁形成的空腔内，且与所述空腔内壁之间形成有供处理流体流动的空隙，所述微腔室部中还包括至少一个供处理流体进入所述空腔的入口和至少一个供处理流体排出所述空腔的出口，还包括一驱动装置，所述驱动装置包括若干个驱动器，每个驱动器对应于所述上腔室内壁或者下腔室内壁的部分区域，所述驱动器驱动所述上腔室内壁或者下腔室内壁的对应区域与半导体晶圆间的空隙发生改变，所述上腔室部或者下腔室部还包括一薄层弹性基板，所述薄层弹性基板的一个表面形成所述上腔室内壁或者所述下腔室内壁，所述薄层弹性基板的另一面与所述若干个驱动器相贴合。

2.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述驱动器是流体驱动器，所述薄层弹性基板的另一面的不同对应区域分别与所述若干个流体驱动器贴合接触，当其中一个流体驱动器膨胀时，可以提供相接触于所述上腔室内壁或者所述下腔室内壁并且指向所述空腔内部的驱动力给所述薄层弹性基板与其贴合的对应区域，使得该对应区域形成凸起；而当某个流体驱动器收缩时，可以提供垂直于所述上腔室内壁或者所述下腔室内壁并且指向所述空腔外部的驱动力给所述薄层弹性基板与其贴合的对应区域，使得该对应区域形成凹陷。

3.根据权利要求2所述的半导体处理装置，其特征在于，所述驱动力的大小与所述流体驱动器膨胀或收缩的程度相关，所述驱动力的方向与所述流体驱动器处于膨胀状态或者收缩状态相关。

4.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述上腔室部或者下腔室部还包括固定或者相连所述薄层弹性基板的盒体部，所述薄层弹性基板和所述盒体部内夹持容纳所述若干个驱动器，所述盒体部提供稳定的支撑力于所述各个驱动器。

5.根据权利要求1至4任一所述的半导体处理装置，其特征在于，所述空隙的预定宽度在0.01mm与10mm之间。

6.根据权利要求5所述的半导体处理装置，其特征在于，所述半导体处理装置还包括处理流体供应装置和处理流体收集装置，所述处理流体供应装置，连接于供处理流体进入所述空腔的入口，用于提供处理流体，和

所述处理流体收集装置，连接于供处理流体排出所述空腔的出口，用于收集处理半导体晶圆后的处理流体，

其中，所述处理流体包括化学制剂和气体。

7.根据权利要求6所述的半导体处理装置，其特征在于，所述上腔室部和下腔室部的边缘包含对应的柱位孔，所述上腔室部和所述下腔室部可沿贯穿所述柱位孔的立柱的导引下在一用于装载或移除半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳半导体晶圆的关闭位置之间移动。

8.根据权利要求7所述的半导体处理装置，其特征在于，所述上腔室部和所述下腔室部中的一个被固定于所述立柱的预定位置而无法沿所述立柱移动，当所述上腔室部被固定时，所述下腔室部的下方还包括下部驱动装置，所述下部驱动装置包括下顶盖板和下底盖板，所述下顶盖板和下底盖板分别包括对应形状的基板部，并且所述下顶盖板的基板部向下延伸有顶侧壁，所述下底盖板的基板部向上延伸有底侧壁，所述下顶盖板的基板部、顶侧壁、底侧壁和所述下底盖板的基板部围成的空腔内包含一流体驱动器，所述流体驱动器与所述下顶盖板和所述下底盖板的基板部固定相连，所述下顶盖板和下底盖板的基板部边缘形成有对应的柱位孔，所述下底盖板的基板部与所述立柱的预定位置固定，藉由所述流体驱动器的膨胀和收缩，驱动所述下顶盖板及被所述下顶盖板承载的下腔室部沿所述立柱的导引而向上移动或者向下移动；

当所述下腔室部被固定时，所述上腔室部的上方还包括上部驱动装置，所述上部驱动装置包括上顶盖板和上底盖板，所述上顶盖板和上底盖板分别包括对应形状的基板部，并且所述上顶盖板的基板部向下延伸有顶侧壁，所述上底盖板的基板部向上延伸有底侧壁，所述上顶盖板的基板部、顶侧壁、底侧壁和所述上底盖板的基板部围成的空腔内包含一流体驱动器，所述流体驱动器与所述下顶盖板和所述下底盖板的基板部固定相连，所述上顶盖板和上底盖板的基板部边缘形成有对应的柱位孔，所述上顶盖板的基板部与所述立柱的预定位置固定，所述上底盖板的基板部朝下的一面与所述上腔室部相连，藉由所述流体驱动器的膨胀和收缩，驱动所述上底盖板及与所述上底盖板板相连的上腔室部沿所述立柱向上移动或者向下移动。

9.一种半导体处理装置的控制方法，适用于权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，其包括：

驱动所述两个腔室部处于打开位置；

装载半导体晶圆位于所述下腔室内壁上；

驱动所述两个腔室部处于关闭位置；

从所述入口注入处理流体，使得所述处理流体沿所述空隙流动，并从所述出口导出所述处理流体；

在不同时间，按照预定策略控制某一个或者多个驱动器驱动所述上腔室内壁或者下腔室内壁的对应区域发生形变，使得该对应区域对应的供处理流体流动的空隙宽度发生改变，进而使得所述处理流体按照预定图案流动。

说明书

半导体处理装置及控制方法

【技术领域】

[0001] 本发明涉及半导体晶圆或相似工件的表面处理领域，特别涉及一种用于化学处理半导体晶圆表面，以及清洁、蚀刻及其它处理的装置。【背景技术】

[0002] 晶圆是生产集成电路所用的载体。在实际生产中需要制备的晶圆具有平整、超清洁的表面，而用于制备超清洁晶圆表面的现有方法可分为两种类别：诸如浸没与喷射技术的湿法处理过程，及诸如基于化学气相与等离子技术的干法处理过程。其中湿法处理过程是现有技术采用较为广泛的方法，湿法处理过程通常包括采用适当化学溶液浸没半导体晶圆或喷射半导体晶圆等一连串步骤组成。

[0003] 现有技术中包含一种采用湿法处理过程对晶圆进行超清洁处理的半导体处理装置。该半导体处理装置中形成有一可以紧密接收并处理半导体晶圆的微腔室，该微腔室可处于打开状态以供装载与移除半导体晶圆，也可处于关闭状态以用于半导体晶圆的处理，其中处理过程中可将化学制剂及其它流体引入所述微腔室。所述打开状态和关闭状态由该装置中包含的两个驱动装置分别驱动构成所述微腔室的上、下两个腔室内壁沿垂直方向的相对移动来实现。

[0004] 在实际使用中发现，某些情况下需要使化学制剂在所述微腔室和被处理的半导体晶圆之间的空隙中按照预定方式流动，比如使所述化学制剂从腔室内壁的中心向四周流动。现有技术的方式是采用控制所述化学制剂进入所述微腔室的入口位置和控制所述化学制剂进入所述微腔室的出口位置，同时采用流入微腔室内的气体作为所述化学制剂流动时的一个载体来使得所述化学制剂在所述空隙中按照预定方式流动。本发明设计提供了另一种控制化学制剂在微腔室里的流动方法以完全满足用户的需求。【发明内容】

[0005] 本发明的一个目的在于提供一种半导体处理装置，所述半导体处理装置中可以通过改变微腔室与半导体晶圆之间的局部空隙宽度来控制化学制剂在所述微腔室内的流动。

[0006] 本发明的另一目的在于提供一种半导体处理装置的控制方法，通过所述控制方法可以通过改变微腔室与半导体晶圆之间的局部空隙宽度来控制化学制剂在所述微腔室内的流动。

[0007] 根据本发明的目的，本发明提供一种半导体处理装置，所述半导体处理装置包括一用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室部，所述微腔室部包括具有上腔室内壁的上腔室部和具有下腔室内壁的下腔室部，所述上腔室部和下腔室部可在一用于装载或移除半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳半导体晶圆的关闭位置之间移动，

[0008] 在关闭位置时，半导体晶圆安装于所述上腔室内壁和下腔室内壁形成的空腔内，且与所述空腔内壁之间形成有供处理流体流动的空隙，所述微腔室部中还包括至少一个供处理流体进入所述空腔的入口和至少一个供处理流体排出所述空腔的出口，[0009] 还包括一驱动装置，所述驱动装置包括若干个驱动器，每个驱动器对应于所述上腔室内壁或者下腔室内壁的部分区域，所述驱动器驱动所述上腔室内壁或者下腔室内壁的对应区域与半导体晶圆间的空隙发生改变。

[0010] 进一步地，所述上腔室部或者下腔室部还包括一薄层弹性基板，所述薄层弹性基板的一个表面形成所述上腔室内壁或者所述下腔室内壁，所述薄层弹性基板的另一面与所述若干个驱动器相贴合。

[0011] 进一步地，所述驱动器是流体驱动器，所述薄层弹性基板的另一面的不同局部区域分别与所述若干个流体驱动器贴合相接触，当其中一个流体驱动器膨胀时，可以提供垂直于所述上腔室内壁或者所述下腔室内壁并且指向所述空腔内部的驱动力给所述薄层弹性基板与其贴合的对应区域，使得该局部区域对应的空腔内壁形成凸起；而当某个流体驱动器收缩时，可以提供垂直于所述上腔室内壁或者所述下腔室内壁并且指向所述空腔外部的驱动力给所述薄层弹性基板与其贴合的对应区域，使得该局部区域对应的空腔内壁形成凹陷。

[0012] 进一步地，所述驱动力的大小与所述流体驱动器膨胀或收缩的程度相关，所述驱动力的方向与所述流体驱动器处于膨胀状态或者收缩状态相关。

[0013] 进一步地，所述上腔室部或者下腔室部还包括固定或者相连所述薄层弹性基板的盒体部，所述薄层弹性基板和所述盒体部内夹持容纳所述若干个驱动器，所述盒体部提供稳定的支撑力于所述各个驱动器。

[0014] 进一步地，所述空隙的预定宽度在0.01mm与10mm之间。

[0015] 进一步地，所述半导体处理装置还包括处理流体供应装置和处理流体收集装置，[0016] 所述处理流体供应装置，连接于供处理流体进入所述空腔的入口，用于提供处理流体，和

[0017] 所述处理流体收集装置，连接于供处理流体排出所述空腔的出口，用于收集处理半导体晶圆后的处理流体，

[0018] 其中，所述处理流体包括化学制剂和气体。

[0019] 进一步地，所述上腔室部和下腔室部的边缘包含对应的柱位孔，所述上腔室部和所述下腔室部可沿贯穿所述柱位孔的立柱的导引下在一用于装载或移除半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳半导体晶圆的关闭位置之间移动。

[0020] 进一步地，所述上腔室部和所述下腔室部中的一个被固定于所述立柱的预定位置而无法沿所述立柱移动，

[0021] 当所述上腔室部被固定时，所述下腔室部的下方还包括下部驱动装置，所述下部驱动装置包括下顶盖板和下底盖板，所述下顶盖板和下底盖板分别包括对应形状的基板部，并且所述下顶盖板的基板部向下延伸有顶侧壁，所述下底盖板的基板部向上延伸有底侧壁，所述下顶盖板的基板部、顶侧壁、底侧壁和所述下底盖板的基板部围成的空腔内包含一流体驱动器，所述流体驱动器与所述下顶盖板和所述下底盖板的基板部固定相连，[0022] 所述下顶盖板和下底盖板的基板部边缘形成有对应的柱位孔，所述下底盖板的基板部与所述立柱的预定位置固定，藉由所述流体驱动器的膨胀和收缩，驱动所述下顶盖板及被所述下顶盖板承载的下腔室部沿所述立柱的导引而向上移动或者向下移动；

[0023] 当所述下腔室部被固定时，所述上腔室部的上方还包括上部驱动装置，所述上部驱动装置包括上顶盖板和上底盖板，所述上顶盖板和上底盖板分别包括对应形状的基板部，并且所述上顶盖板的基板部向下延伸有顶侧壁，所述上底盖板的基板部向上延伸有底侧壁，所述上顶盖板的基板部、顶侧壁、底侧壁和所述上底盖板的基板部围成的空腔内包含一流体驱动器，所述流体驱动器与所述下顶盖板和所述下底盖板的基板部固定相连，[0024] 所述上顶盖板和上底盖板的基板部边缘形成有对应的柱位孔，所述上顶盖板的基板部与所述立柱的预定位置固定，所述上底盖板的基板部朝下的一面与所述上腔室部相连，藉由所述流体驱动器的膨胀和收缩，驱动所述上底盖板及与所述上底盖板板相连的上腔室部沿所述立柱向上移动或者向下移动。

[0025] 本发明同时提供一种半导体处理装置的控制方法，所述控制方法包括：驱动所述两个腔室部处于打开位置；装载半导体晶圆位于所述下腔室内壁上；驱动所述两个腔室部处于关闭位置；从所述入口注入处理流体，使得所述处理流体沿所述空隙流动，并从所述出口导出所述处理流体；在不同时间，按照预定策略控制某一个或者多个驱动器驱动所述上腔室内壁或者下腔室内壁的对应区域发生形变，使得该局部区域对应的供处理流体流动的空隙宽度发生改变，进而使得所述处理流体按照预定图案流动。

[0026] 与现有技术相比，本发明中的半导体处理装置采用在上腔室部和下腔室部设置多个驱动器的方式，在不同时间和不同位置提供多点的驱动力给围绕成所述微腔室的上腔室内壁或者下腔室内壁，使得所述上腔室内壁或者下腔室内壁的局部区域和被处理的半导体晶圆之间的空隙发生改变，进而对所述微腔室内部的化学制剂的流动产生挤压和吸合等导引作用。简单来讲，本发明中的半导体处理装置采用可动态变化的空隙来控制位于所述微腔室内部的化学制剂的流动。【附图说明】

[0027] 结合参考附图及接下来的详细描述，本发明将更容易理解，其中同样的附图标记对应同样的结构部件，其中：

[0028] 图1为本发明中的微腔室部在一个实施例中的立体示意图；

[0029] 图2为本发明中的上腔室部在一个实施例中的立体示意图；

[0030] 图3为本发明中的半导体处理装置在一个实施例中的组装示意图；

[0031] 图4为本发明中的半导体处理装置在一个实施例中的爆炸分解图；

[0032] 图5为本发明中的上固定板在一个实施例中的立体示意图；

[0033] 图6为本发明中的上腔室部在一个实施例中的立体示意图；

[0034] 图7为本发明中的立柱驱动装置在一个实施例中的爆炸分解图；和[0035] 图8为本发明中的半导体处理装置的控制方法在一个实施例中的方法流程图。【具体实施方式】

[0036] 为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

[0037] 为了便于描述本发明，首先描述作为所述半导体处理装置的核心部件之一的微腔室。所述微腔室用于容纳和处理半导体晶圆。

[0038] 请参考图1，其示出了本发明中的微腔室部在一个实施例100中的立体示意图。所述微腔室部100包括上腔室部120和下腔室部140，所述上腔室部120中形成一上腔室内壁及上周边部分，所述下腔室部140中形成一下腔室内壁142及下周边部分144，所述上腔室内壁、上周边部分、下周边部分144和下腔室内壁142围绕成一个用于容纳和处理半导体晶圆的空腔。所述上腔室部120和所述下腔室部140可以通过诸如立柱、滑轨或者掀开式结构等机械结构的作用或者导引下在一个关闭位置和一个打开位置之间变化。当处于打开位置时，所述上腔室部120和所述下腔室部140互相分离，以便于装载和移除将要被处理的或者已经被处理过的半导体晶圆于所述空腔；当处于关闭位置时，所述上腔室部120和所述下腔室部140对应紧密贴合，所述上腔室内壁、上周边部分、下周边部分144和下腔室内壁142围绕成所述空腔。当半导体晶圆被装载进入所述空腔内，并且所述空腔处于关闭位置时，可将化学试剂及其他流体引入所述空腔以对其内的半导体晶圆进行分析、清洁、蚀刻及其它处理，并在处理过程中及处理完毕后，将处理后的所述化学试剂及其它流体引出所述空腔。

[0039] 具体来讲，被处理的半导体晶圆被容纳于所述上腔室内壁、上周边部分、下周边部分144和下腔室内壁142形成的空腔内。所述半导体晶圆与所述上下腔室内壁之间还应当存在预期的空隙，所述空隙的预定宽度通常在0.01mm与10mm之间，应该能够理解，通过上下腔室部贴合的紧密程度可以改变所述空隙的宽度，而随着此等空隙的改变，可以实现用于微腔室内的处理流体的不同流动图案。所述微腔室还可以包括至少一个供气体进入所述微腔室的入口和至少一个供气体排出所述微腔室的出口，通过所述入口进入所述微腔室的气体可以作为所述处理流体流动时的载体，也可以在一定程度上控制所述处理流体在所述空隙之间的流动图案。但是作为本发明的重点和难点之一，所述上腔室部120和所述下腔室部140的内部还可以包括若干个驱动器，所述若干个驱动器在不同时间和不同位置提供驱动力于所述上腔室内壁或者所述下腔室内壁，使得所述上腔室内壁或者下腔室内壁的对应区域发生形变，也即使得该局部区域供处理流体流动的空隙宽度发生改变，进而使得所述处理流体按照预定图案流动。

[0040] 为此，请结合参考图2，其示出了本发明中的上腔室部120在一个实施例200中的立体示意图。所述上腔室部200包括上腔室内壁部220和上盒体部240，以及夹持于所述上腔室内壁部220和所述上盒体部240之间的多个个流体驱动器260。

[0041] 所述上腔室内壁部220包括一呈圆形的薄层弹性基板，所述薄层弹性基板的一面222形成所述上腔室内壁，并且所述薄层弹性基板的边缘还延伸形成有上周边部分224，也即图示凸缘；所述薄层弹性基板的另一面延伸形成有呈圆柱形的上侧壁226，所述上侧壁
226的内边缘形成有第一螺纹(未示出)。

[0042] 所述上盒体部240包括呈矩形或者正方形的基板部242，所述基板部242的一面延伸形成有对应于上侧壁226的圆形凸缘244，所述圆形凸缘244的外边缘形成有匹配第一螺纹的第二螺纹(未示出)。通过所述第一螺纹和第二螺纹，可以将所述上腔室内壁部220旋转安装于所述上盒体部240上，同时在所述上腔室内壁部220和所述上盒体部240之间还形成有容纳所述多个流体驱动器260的空腔。

[0043] 所述多个流体驱动器260包括第一流体驱动器、第二流体驱动器、第三流体驱动器、第四流体驱动器、第五流体驱动器、第六流体驱动器和第七流体驱动器(未示出)。其中，第一流体驱动器位于居中位置，剩余六个流体驱动器围绕所述第一流体驱动器均匀分布。所述多个流体驱动器260中的各个流体驱动器被夹持于所述薄层弹性基板与所述上盒体部240相对于所述薄层弹性基板的表面之间。在一个实施例中，各个流体驱动器可以是相同大小的圆柱形气袋，所述圆柱形气袋的上、下表面通过胶水与所述薄层弹性基板的表面和所述上盒体部240相对于所述薄层弹性基板的表面粘合。所述上盒体部240可以采用较厚的合金材料制作，以提供稳定的支撑力于所述各个流体驱动器。所述上腔室内壁部220可以采用耐高温和耐腐蚀的塑料材料制作，并且形成上腔室内壁的薄层弹性基板较薄而且具有弹性。可以预见的是，当某个流体驱动器膨胀时，可以提供垂直于所述上腔室内壁并且指向所述微腔室内部的驱动力给所述薄层弹性基板与其贴合接触的对应区域，使得所述薄层弹性基板朝向微腔室的该局部区域形成凸起；而当某个流体驱动器收缩时，可以提供垂直于所述上腔室内壁并且指向所述微腔室外部的驱动力给所述薄层弹性基板与其贴合的对应区域，使得所述薄层弹性基板朝向微腔室的该局部区域形成凹陷。显然所述驱动力的作用位置与所述流体驱动器与所述薄层弹性基板相贴合接触的位置相关，所述驱动力的大小与所述流体驱动器膨胀或收缩的程度相关，所述驱动力的方向与所述流体驱动器处于膨胀状态或者收缩状态相关。

[0044] 因为流体碰到凸起时会分散，碰到凹陷时会汇聚。如果此时所述微腔室内部正在利用化学制剂对所述半导体晶圆进行处理，则由于所述上腔室内壁与所述半导体晶圆之间空隙处于变化状态，位于所述微腔室内部的化学制剂的流动也将会发生变化。比如，所述第一流体驱动器膨胀并保持在一定位置，会使所述薄层弹性基板的中央形成凸起，也即该局部区域对应的上腔室内壁与所述半导体晶圆之间的空隙变小，则位于微腔室内部的化学制剂将会从中央位置向四周边缘位置流动；再比如，所述第一流体驱动器膨胀并保持在一定位置，会使所述薄层弹性基板的中央形成凸起，然后所述第二流体驱动器、第三流体驱动器、第四流体驱动器、第五流体驱动器、第六流体驱动器和第七流体驱动器依次膨胀并收缩，则所述位于微腔室内部的化学制剂将会沿所述微腔室的边缘环绕流动。也就是说，当各个流体驱动器按照预定的策略，在不同时间和不同位置提供驱动力于所述上腔室内壁，使得所述上腔室内壁与半导体晶圆之间的空隙发生变化后，可以达到控制所述微腔室内部的化学制剂的流动方式的效果。

[0045] 对应地，下腔室部140也可以具有如图2所示的上腔室部200相同的或者类似的结构。

[0046] 综上所述，所述半导体处理装置可以通过所述流体驱动器的膨胀和收缩来提供在不同时间和不同位置提供驱动力于所述上腔室内壁或者所述下腔室内壁。所述流体驱动器可以是气袋或者液压驱动器。为了获得较好的控制效果，所述流体驱动器的数量可以适当地采用较多个，所述流体驱动器的分布应当相对于所述上、下腔室内壁尽量均匀。而且所述流体驱动器如何夹持或者说容纳于所述上腔室部120和所述下腔室部140内，也可以采用其它特殊造型的机械结构，而并不应当仅仅局限于图2所述实施例中所示出的方式。当然，为了引进处理流体，所述微腔室部100还应当包括有至少一个供处理流体进入所述微腔室的入口和至少一个供处理流体排出所述微腔室的出口。以及相应的处理流体供应装置和处理流体收集装置(未具体示出)，所述处理流体供应装置可以连接于供处理流体进入所述微腔室的入口，用于提供处理流体；所述处理流体收集装置连接于供处理流体排出所述微腔室的出口，用于收集处理流体处理半导体晶圆后的废液。在一些实施例中，所述处理流体不仅包括化学制剂等液体，也包括作为化学制剂等液体流动时的载体的气体。

[0047] 由于所述半导体处理装置不仅包括微腔室，还应当包括驱使所述上腔室部和下腔室部在关闭位置和打开位置之间变换的相应机械结构。所以为了描述所述半导体处理装置的诸多方面，请继续参考图3和图4，其分别示出了所述半导体处理装置在一个实施例300中的组装示意图和爆炸分解图。所述半导体处理装置300包括形成微腔室的上腔室部320和下腔室部340，所述上腔室部320和下腔室部340的边缘包含对应的柱位孔360，所述上腔室部320可沿贯穿所述柱位孔360的立柱380的导引下在一用于装载和/或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳该半导体晶圆的关闭位置之间移动。所述立柱380的两端可以形成有螺纹。

[0048] 其中，所述下腔室部340用于安装和固定所述立柱380，所述下腔室部340上的柱位孔360内包含有对应所述螺纹的螺孔，可以将所述立柱380旋转安装于所述下腔室部340上。同时意识到，所述下腔室部340是无法沿所述立柱380的导引而移动的。而所述上腔室部320的上方还包括上固定板322，所述上固定板322的结构可以参考图5，所述上固定板322所述呈矩形的第一基板部502和从所述第一基板部502的朝向下方的表面中央向下延伸出的第一圆柱形腔壁504。在所述第一基板部502的四角形成有可容纳立柱的四个柱位孔506。所述柱位孔506的内径大于所述立柱380的外径，藉由匹配所述立柱380的螺帽388可将所述上固定板322固定于所述立柱380的顶端或中上部。

[0049] 所述上腔室部320的结构大体类似于图2所示上腔室部，但外观略有不同，请参考图6所示。所述上腔室部320不仅包括呈矩形的上盒体部602，所述上盒体部602中包括多点压力产生装置(未示出)，同时所述上腔室部320还包括从所述上盒体部602的朝向上方的表面中央向上延伸出的第二圆柱形腔壁604。所述第二圆柱形腔壁604对应于所述上固定板中的第一圆柱形腔壁504，但是所述第二圆柱形腔壁604的外径略小于所述第一圆柱形腔壁504的内径，当所述第二圆柱形腔壁604容纳与所述第一圆柱形腔壁504后，所述第一基板部502、第一圆柱形腔壁504、第二圆柱形腔壁604和上盒体部602围绕成为一个容纳气袋323的空腔，所述气袋323还与所述第一基板部502和上盒体部602的表面紧固连接。

[0050] 区别于所述多点压力产生装置中的流体驱动器，所述气袋323的膨胀和收缩提供所述上腔室部320沿所述立柱380的导引而移动的驱动力，当所述气袋323膨胀时，由于所述上固定板322无法沿所述立柱380滑动，所以所述上腔室部320将被所述气袋323驱动而沿所述立柱380向下移动，直至所述上腔室部320与所述下腔室部340紧密贴合而处于关闭位置。当所述气袋323收缩时，由于所述上固定板322无法沿所述立柱380滑动，所以所述上腔室部320将被所述气袋323驱动而沿所述立柱380向上移动，直至所述上腔室部320与所述下腔室部340互相分离而处于打开位置。

[0051] 本领域的技术人员已经可以预料到，所述半导体处理装置中的上腔室部和下腔室部如何在所述关闭位置和所述打开位置之间变化将是多变的。譬如，所述上腔室部和所述下腔室部可以采用类似电饼铛之类的掀开式结构；所述上腔室部和所述下腔室部可以采用类似光驱开合结构的弹出式结构。仅以实施例300中所示出的半导体处理装置采用垂直方向的立柱作为导引为例，所述上腔室部和所述下腔室部沿所述立柱的导引上下滑动就可以有多种不同的方式，比如所述上腔室部被固定于所述立柱的某一部位，而所述下腔室部被驱动装置驱动而在所述立柱的导引下上下移动；或者所述上腔室部和所述下腔室部分别被驱动装置驱动而在所述立柱的导引下相对上下移动。

[0052] 显然，易于联想到，将所述上腔室部或者所述下腔室部中的一个固定于所述立柱上的某一位置是易于实现的，不仅可以采用实施例300中的螺帽固定方式，还可以采用夹具或者卡合装置等。而驱动所述上腔室部或者所述下腔室部沿所述立柱的导引向下移动同样也是易于实现的。譬如实施例300中的气袋驱动方式，可以制作为一种立柱驱动装置。

[0053] 请参考图7，其示出了所述立柱驱动装置在一个实施例700中的爆炸分解图。所述立柱驱动装置700包括顶盖板720和底盖板740，所述顶盖板720和底盖板740分别包括对应形状的基板部，并且所述顶盖板720的基板部722向下延伸有顶侧壁724，所述底盖板740的基板部742向上延伸有底侧壁744，所述顶盖板720的基板部722、顶侧壁724、底侧壁744和所述底盖板740的基板部722围成的空腔内包含一流体驱动器760，所述流体驱动器760与所述顶盖板720和所述底盖板740的基板部紧密固定连接。当所述顶盖板720和所述底盖板740中的一个被固定于所述立柱的预定位置时，藉由所述流体驱动器760的膨胀和收缩，可以驱动所述顶盖板720和所述底盖板740中的另一个及与其相连的组件沿所述立柱移动。

[0054] 换句话说，所述立柱驱动装置700被设置于所述下腔室部下方时，所述立柱驱动装置可以称之为下部驱动装置，所述下部驱动装置包括下顶盖板和下底盖板，所述下顶盖板和下底盖板分别包括对应形状的基板部，并且所述下顶盖板的基板部向下延伸有顶侧壁，所述下底盖板的基板部向上延伸有底侧壁，所述下顶盖板的基板部、顶侧壁、底侧壁和所述下底盖板的基板部围成的空腔内包含一流体驱动器，所述流体驱动器与所述下顶盖板和所述下底盖板的基板部固定相连，

[0055] 所述下顶盖板和下底盖板的基板部边缘形成有对应的柱位孔，所述下底盖板的基板部与所述立柱的预定位置固定，藉由所述流体驱动器的膨胀和收缩，驱动所述下顶盖板及被所述下顶盖板承载的下腔室部沿所述立柱的导引而向上移动或者向下移动。

[0056] 同理，所述立柱驱动装置700被设置于所述上腔室部上方时，所述立柱驱动装置可以称之为上部驱动装置，所述上部驱动装置包括上顶盖板和上底盖板，所述上顶盖板和上底盖板分别包括对应形状的基板部，并且所述上顶盖板的基板部向下延伸有顶侧壁，所述上底盖板的基板部向上延伸有底侧壁，所述上顶盖板的基板部、顶侧壁、底侧壁和所述上底盖板的基板部围成的空腔内包含一流体驱动器，所述流体驱动器与所述下顶盖板和所述下底盖板的基板部固定相连，

[0057] 所述上顶盖板和上底盖板的基板部边缘形成有对应的柱位孔，所述上顶盖板的基板部与所述立柱的预定位置固定，所述上底盖板的基板部朝下的一面与所述上腔室部相连，藉由所述流体驱动器的膨胀和收缩，驱动所述上底盖板及与所述上底盖板相连的上腔室部沿所述立柱向上移动或者向下移动。

[0058] 本发明同时提供了一种半导体处理装置的控制方法，请参考图8，其示出了本发明中的半导体处理装置的控制方法在一个实施例800中的方法流程图。所述半导体处理装置的控制方法800包括：

[0059] 步骤801，驱动所述两个腔室部处于打开位置；

[0060] 以图3所示半导体处理装置为例，可以令所述气袋323收缩，所述上腔室部320将被所述气袋323驱动而沿所述立柱380向上移动，直至所述上腔室部320与所述下腔室部340互相分离而处于打开位置。

[0061] 步骤802，装载半导体晶圆位于所述下腔室内壁上；

[0062] 利用人工方式或者机械手将半导体晶圆放置于所述下腔室内壁上。

[0063] 步骤803，驱动所述两个腔室部处于关闭位置；

[0064] 令所述气袋323膨胀，所述上腔室部320将被所述气袋323驱动而沿所述立柱380向下移动，直至所述上腔室部320与所述下腔室部340互相紧密贴合而处于关闭位置。

[0065] 步骤804，从所述入口注入处理流体，使得所述处理流体沿所述空隙流动，并从所述出口导出所述处理流体；

[0066] 此处的处理流体通常是指化学制剂，比如所述半导体处理装置用于薄膜铜的湿式化学蚀刻，所述处理流体可以包括过氧化氢、硝酸及氢氟酸的混合物，所述处理流体还可以包括作为化学制剂流动载体的惰性气体。所述入口和出口可以不止一个，并且设置于所述微腔室部的任意不同位置。

[0067] 步骤805，在不同时间，按照预定策略控制某一个或者多个驱动器驱动所述上腔室内壁或者下腔室内壁的对应区域发生形变，使得该局部区域对应的供处理流体流动的空隙宽度发生改变，进而使得所述处理流体按照预定图案流动。

[0068] 为了能够使得所述化学制剂可以按照使用者的期望的流动图案流动，可以令各个流体驱动器按照预定的策略，在不同时间和不同位置提供驱动力于所述腔室内壁，使得所述腔室内壁与半导体晶圆之间的空隙发生变化，以达到控制所述微腔室内部的化学制剂的流动图案的效果。

[0069] 上述说明已经充分揭露了本发明的具体实施方式。需要指出的是，熟悉该领域的技术人员对本发明的具体实施方式所做的任何改动均不脱离本发明的权利要求书的范围。相应地，本发明的权利要求的范围也并不仅仅局限于所述具体实施方式。