一种稀土配合物复合发光薄膜的制备方法，涉及发光薄膜制备。以Eu2O3(99.99%),苯甲酸(BA)，1,10-邻菲罗啉(Phen)，聚乙烯吡咯烷酮(PVP,Mw=1,300,000)，N,N—二甲基甲酰胺(DMF)为原料将PVP溶于乙醇中,再按VDMF:VC2H5OH=1:9-9:1加入DMF，加入稀土配合物。PVP的溶液浓度为3-10%(w%)。将混合液滴在聚四氟乙烯上制成薄膜。薄膜具有良好的物理性能和化学稳定性，并且具有较高的可见光透过率。这种复合薄膜的制备工艺合理，操作简单；同时所制备的薄膜在紫外光激发下具有良好的发射红光性能。可以广泛的应用于抗紫外光涂料，防伪涂料方面。
1.一种稀土配合物复合发光薄膜的制备方法，其特征在于，按Eu :BA:Phen =1:3:1摩尔比取硝酸铕、苯甲酸和1,10-邻菲罗啉，分别配制成1:1醇水溶液；首先，将苯甲酸溶液滴加到搅拌状态下硝酸铕溶液中，氨水调节溶液的pH=6，然后将1,10-邻菲罗啉溶液滴加到该混合溶液中，再次调节溶液的pH=6，60℃水浴搅拌反应2h，陈化24h后,过滤、用去离子水和无水乙醇洗涤2～3次，60℃烘干至恒重，最后获得所需稀土配合物Eu(BA)3Phen·H2O；
按质量分数称取Eu(BA)3Phen·H2O配合物5 %和聚乙烯吡咯烷酮PVP粉末95%原料，将PVP溶于乙醇中，再按VDMF: VC2H5OH=2:8，加入DMF，然后加入稀土配合物，PVP的溶液浓度为9%；将上述混合液搅拌1h后，滴加到聚四氟乙烯薄片上，放入40℃烘箱中，烘干至恒重，获得稀土配合物Eu(BA)3.phen ·H2O/PVP复合薄膜。
2.一种稀土配合物复合发光薄膜的制备方法，其特征在于，按Eu :BA:Phen =1:3:1摩尔比取硝酸铕、苯甲酸和1,10-邻菲罗啉，分别配制成1:1醇水溶液；首先，将苯甲酸溶液滴加到搅拌状态下硝酸铕溶液中，氨水调节溶液的pH=6，然后将1,10-邻菲罗啉溶液滴加到该混合溶液中，再次调节溶液的pH=6，60℃水浴搅拌反应2h，陈化24h后,过滤、用去离子水和无水乙醇洗涤2～3次，60℃烘干至恒重，最后获得所需稀土配合物Eu(BA)3Phen·H2O；
按质量分数称取Eu(BA)3Phen·H2O配合物10 %和聚乙烯吡咯烷酮PVP粉末90%原料，将PVP溶于乙醇中，再按VDMF: VC2H5OH =2:8，加入DMF，然后加入稀土配合物，PVP的溶液浓度为9%；
将上述混合液搅拌1h后，滴加到聚四氟乙烯薄片上，放入40℃烘箱中，烘干至恒重，获得稀土配合物Eu(BA)3.phen ·H2O/PVP复合薄膜。
3.一种稀土配合物复合发光薄膜的制备方法，其特征在于，按Eu :BA:Phen =1:3:1摩尔比取硝酸铕、苯甲酸和1,10-邻菲罗啉，分别配制成1:1醇水溶液；首先，将苯甲酸溶液滴加到搅拌状态下硝酸铕溶液中，氨水调节溶液的pH=6，然后将1,10-邻菲罗啉溶液滴加到该混合溶液中，再次调节溶液的pH=6，60℃水浴搅拌反应2h，陈化24h后,过滤、用去离子水和无水乙醇洗涤2～3次，60℃烘干至恒重，最后获得所需稀土配合物Eu(BA)3Phen·H2O；
按质量分数称取Eu(BA)3Phen·H2O配合物10 %和聚乙烯吡咯烷酮PVP粉末90%原料，将PVP溶于乙醇中，再按VDMF: VC2H5OH =5:5加入DMF，然后加入稀土配合物，PVP的溶液浓度为4%；将上述混合液搅拌1h后，滴加到聚四氟乙烯薄片上，放入40℃烘箱中，烘干至恒重，获得稀土配合物Eu(BA)3.phen ·H2O/PVP复合薄膜。
4.一种稀土配合物复合发光薄膜的制备方法，其特征在于，按Eu :BA:Phen =1:3:1摩尔比取硝酸铕、苯甲酸和1,10-邻菲罗啉，分别配制成1:1醇水溶液；首先，将苯甲酸溶液滴加到搅拌状态下硝酸铕溶液中，氨水调节溶液的pH=6，然后将1,10-邻菲罗啉溶液滴加到该混合溶液中，再次调节溶液的pH=6，60℃水浴搅拌反应2h，陈化24h后,过滤、用去离子水和无水乙醇洗涤2～3次，60℃烘干至恒重，最后获得所需稀土配合物Eu(BA)3Phen·H2O；
按质量分数称取Eu(BA)3Phen·H2O配合物12.5 %和聚乙烯吡咯烷酮PVP粉末87.5%原料，将PVP溶于乙醇中，再按VDMF: VC2H5OH =5:5加入DMF，然后加入稀土配合物，PVP的溶液浓度为4%；将上述混合液搅拌1h后，滴加到聚四氟乙烯薄片上，放入40℃烘箱中，烘干至恒重，获得稀土配合物Eu(BA)3.phen ·H2O/PVP复合薄膜。
5.一种稀土配合物复合发光薄膜的制备方法，其特征在于，按Eu :BA:Phen =1:3:1摩尔比取硝酸铕、苯甲酸和1,10-邻菲罗啉，分别配制成1:1醇水溶液；首先，将苯甲酸溶液滴加到搅拌状态下硝酸铕溶液中，氨水调节溶液的pH=6，然后将1,10-邻菲罗啉溶液滴加到该混合溶液中，再次调节溶液的pH=6，60℃水浴搅拌反应2h，陈化24h后,过滤、用去离子水和无水乙醇洗涤2～3次，60℃烘干至恒重，最后获得所需稀土配合物Eu(BA)3Phen·H2O；
按质量分数称取Eu(BA)3Phen·H2O配合物10 %和聚乙烯吡咯烷酮PVP粉末90%原料；将PVP溶于乙醇中，再按VDMF: VC2H5OH =6:4加入DMF，然后加入稀土配合物，PVP的溶液浓度为4.5%；
将上述混合液搅拌1h后，滴加到聚四氟乙烯薄片上，放入50℃烘箱中，烘干至恒重，获得稀土配合物Eu(BA)3.phen ·H2O/PVP复合薄膜。
6.一种稀土配合物复合发光薄膜的制备方法，其特征在于，按Eu :BA:Phen =1:3:1摩尔比取硝酸铕、苯甲酸和1,10-邻菲罗啉，分别配制成1:1醇水溶液；首先，将苯甲酸溶液滴加到搅拌状态下硝酸铕溶液中，氨水调节溶液的pH=6，然后将1,10-邻菲罗啉溶液滴加到该混合溶液中，再次调节溶液的pH=6，60℃水浴搅拌反应2h，陈化24h后,过滤、用去离子水和无水乙醇洗涤2～3次，60℃烘干至恒重，最后获得所需稀土配合物Eu(BA)3Phen·H2O；
按质量分数称取Eu(BA)3Phen·H2O配合物15 %和聚乙烯吡咯烷酮PVP粉末85%原，将PVP溶于乙醇中，再按VDMF: VC2H5OH=6:4加入DMF，然后加入稀土配合物，PVP的溶液浓度为4.5%；
将上述混合液搅拌1h后，滴加到聚四氟乙烯薄片上，放入50℃烘箱中，烘干至恒重，获得稀土配合物Eu(BA)3.phen ·H2O/PVP复合薄膜。
一种稀土配合物复合发光薄膜的制备方法
技术领域
[0001] 本发明涉及一种发光薄膜的制备方法，特别是涉及一种稀土配合物复合发光薄膜的制备方法。
背景技术
[0002] 稀土苯甲酸配合物是利用有机配体对紫外光有较好的吸收，并能将其有效的传递给稀土离子，使其能发出单色性好、强度高的荧光。但稀土有机小分子配合物存在稳定性差、加工性能不好、不易成膜的缺点影响其广泛应用。近些年来，稀土高分子发光材料兼顾了稀土配合物优异的发光性能和高分子化合物易加工的特点，引起了人们广泛关注。同时，聚乙烯吡咯烷酮（PVP）是一种水溶性高分子材料，具有极好的透光性、成膜性和溶解性能。通过掺杂方法将稀土苯甲酸配合物与PVP制成的复合发光薄膜，可以用于抗紫外光涂料，防伪涂料方面，其拓展了稀土配合物的应用领域。该方法具有制备简便、易于改变混合比例等优点。
发明内容
[0003] 本发明的目的在于提供一种稀土配合物复合发光薄膜的制备方法，该方法提供了一种合理工艺条件下、操作方便及发光性较好的稀土配合物Eu(BA)3.phen ·H2O/PVP复合薄膜的制备方法，该方法制备的薄膜具有良好物理性能和化学稳定性以及优良的发光性能。
[0004] 本发明的目的是通过以下技术方案实现的：
[0005] 一种稀土配合物复合发光薄膜的制备方法，其所述方法以Eu2O3(99.99%) , 分析纯的苯甲酸(BA)，1,10-邻菲罗啉(Phen)，聚乙烯吡咯烷酮( PVP, Mw = 1,300,000)，N, N—二甲基甲酰胺(DMF)为基础原料，包括以下制备步骤：
[0006] （1）稀土配合物Eu(BA)3.phen ·H2O的制备：
[0007] 按Eu3+:BA:Phen =1:3:1摩尔比取硝酸铕、苯甲酸和1,10-邻菲罗啉，分别配制成1:1醇水溶液；首先，将苯甲酸溶液滴加到搅拌状态下硝酸铕溶液中，氨水调节溶液的pH=6，然后将1,10-邻菲罗啉溶液滴加到该混合溶液中，再次调节溶液的pH=6，60℃水浴搅拌反应2h，陈化24h后,过滤、用去离子水和无水乙醇洗涤2～3次，60℃烘干至恒重，最后获得所需稀土配合物；
[0008] （2）稀土配合物Eu(BA)3.phen ·H2O/PVP复合薄膜的制备 ：
[0009] (a) 按质量分数Eu(BA)3phen·H2O配合物3-15 %和PVP粉末85-97%称取原料；
[0010] (b) 将PVP溶于乙醇中,再按VDMF:VC2H5OH=1:9-9:1加入DMF，然后加入稀土配合物，PVP的溶液浓度为3-10%(w%)；
[0011] (c) 磁力搅拌后，将混合液滴在聚四氟乙烯，载玻片或硅片上制成薄膜，然后将薄膜至于烘箱40-60℃烘干至恒重，取下薄膜即可。
[0012] 所述的一种稀土配合物复合发光薄膜的制备方法，所述薄膜的厚度为60-230μm。
[0013] 本发明的优点与效果是：
[0014] 本发明的稀土配合物Eu(BA)3.phen ·H2O/PVP复合薄膜具有良好的物理性能和化学稳定性，并且具有较高的可见光透过率。这种复合薄膜的制备工艺合理，操作简单；同时所制备的薄膜在紫外光激发下具有良好的发射红光性能。可以广泛的应用于抗紫外光涂料，防伪涂料等方面。
附图说明
[0015] 图1(a) 为本发明实施例2在可见光下PVP复合薄膜的照片；
[0016] 图1 (b)为本发明实施例2在紫外光下PVP复合薄膜的照片；
[0017] 图2为本发明实施例2在275 nm紫外光激发下的发射光谱。
具体实施方式
[0018] 下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步说明，但不应以此限制本发明的保护范围。
[0019] 实施例1：
[0020] 按表1中实施例1称取Eu(BA)3Phen·H2O配合物5 %和PVP粉末95%（质量分数）原料；将PVP溶于乙醇中,再按VDMF:VC2H5OH=2:8,加入DMF，然后加入稀土配合物，PVP的溶液浓度为9%；将上述混合液搅拌1h后，滴加到聚四氟乙烯薄片上；放入40℃烘箱中，烘干至恒重。获得无气泡且发光性较好的稀土配合物Eu(BA)3.phen ·H2O/PVP复合薄膜。结果表明：合适的原料配比能获得透明且在紫外光激发下发光性能良好的薄膜。
[0021] 实施例2：
[0022] 按表1中实施例2称取Eu(BA)3phen·H2O配合物10 %和PVP粉末90%（质量分数）原料；将PVP溶于乙醇中,再按VDMF:VC2H5OH=2:8,加入DMF，然后加入稀土配合物，PVP的溶液浓度为9%；将上述混合液搅拌1h后，滴加到聚四氟乙烯薄片上；放入40℃烘箱中，烘干至恒重。获得无气泡的稀土配合物Eu(BA)3.phen ·H2O/PVP复合薄膜，且发光性能好于实施例1薄膜。结果表明：适当增加稀土配合物的含量能提高复合薄膜发光强度。
[0023] 实施例3：
[0024] 按表1中实施例3称取Eu(BA)3phen·H2O配合物10 %和PVP粉末90%（质量分数）原料；将PVP溶于乙醇中,再按VDMF:VC2H5OH=5:5加入DMF，然后加入稀土配合物，PVP的溶液浓度为4%；将上述混合液搅拌1h后，滴加到聚四氟乙烯薄片上；放入40℃烘箱中，烘干至恒重，获得有无气泡、且发光性较好的稀土配合物Eu(BA)3.phen ·H2O/PVP复合薄膜，该实施例获取薄膜厚度低于实施例1和例2。结果表明：VDMF:VC2H5O和PVP溶液浓度在一定范围内的变化对复合薄膜发光性能没有明显的影响，对薄膜的厚度有影响。
[0025] 实施例4：
[0026] 按表1中实施例4称取Eu(BA)3phen·H2O配合物12.5 %和PVP粉末87.5%（质量分数）原料；将PVP溶于乙醇中,再按VDMF:VC2H5OH=5:5加入DMF，然后加入稀土配合物，PVP的溶液浓度为4%；将上述混合液搅拌1h后，滴加到聚四氟乙烯薄片上；放入40℃烘箱中，烘干至恒重，获得无气泡发光性较好的稀土配合物Eu(BA)3.phen ·H2O/PVP复合薄膜。结果表明：适当增加稀土配合物的含量能提高复合薄膜发光强度。
[0027] 实施例5：
[0028] 按表1中实施例5称取Eu(BA)3phen·H2O配合物10 %和PVP粉末90%（质量分数）原料；将PVP溶于乙醇中,再按VDMF:VC2H5OH=6:4加入DMF，然后加入稀土配合物，PVP的溶液浓度为4.5%；将上述混合液搅拌1h后，滴加到聚四氟乙烯薄片上；放入50℃烘箱中，烘干至恒重，获得发光性较好的稀土配合物Eu(BA)3.phen ·H2O/PVP复合薄膜。结果表明：烘干温度的适当变化对薄膜外观没有明显的影响。
[0029] 实施例6：
[0030] 按表1中实施例6称取Eu(BA)3phen·H2O配合物15 %和PVP粉末85%（质量分数）原料；将PVP溶于乙醇中,再按VDMF:VC2H5OH=6:4加入DMF，然后加入稀土配合物，PVP的溶液浓度为4.5%；将上述混合液搅拌1h后，滴加到聚四氟乙烯薄片上；放入50℃烘箱中，烘干至恒重，获得无气泡稀土配合物Eu(BA)3.phen ·H2O/PVP复合薄膜，发光性能差于实施例5的薄膜。结果表明：过量的增加稀土配合物的含量将导致复合薄膜发光强度的降低。
[0031] 上述制备过程得到的稀土配合物Eu(BA)3.phen ·H2O/PVP复合薄膜具有良好的物理性能和化学稳定性，并且具有较高的可见光透过率。实施例2在可见光图1(a)和紫外光图1(b)下PVP复合薄膜的照片，（见附图1），在275 nm紫外光激发下的发射光谱（见附图2）。
[0032] 表1 具体实施例1～6的实验条件
[0033]VDMF/V乙醇 m稀土/mPVP PVP溶液浓度（w%） 搅拌时间 烘干温度
实施例1 2:8 5:95 9 1h 40
实施例2 2:8 10:90 9 1h 40
实施例3 1:1 10:90 4 1h 40
实施例4 1:1 12.5:87.5 4 1h 40
实施例5 6:4 10:90 4.5 1h 50
实施例6 6:4 15:85 4.5 1h 50
