用于制造半导体器件的胶粘带和使用该胶粘带制造半导体器件的方法

摘要

本发明提供一种用于制造半导体器件的胶粘带和使用该胶粘带制造半导体器件的方法。所述胶粘带包含基材和涂覆在所述基材的至少一个表面上的胶粘剂层，所述胶粘剂层由胶粘剂组合物形成，所述胶粘剂组合物含有按100重量份的含羧基的橡胶树脂计为约0.01～约10重量份的固化剂和约60～约100重量份的添加剂。所述胶粘带在作为高温工艺的安装工艺之后的层压期间在室温下保持低胶粘强度，由此使得在发生层压缺陷时可容易地进行重新加工并提高了产品收率，且该胶粘带在层压之后的预固化工艺中提高了对引线框表面的胶粘性，由此有效地阻止了在密封工艺中的树脂泄露且在除去胶粘带时不会在粘附表面上残留残渣，因此有助于加工并降低了缺陷率。

权利要求

1.胶粘带在制造半导体器件中的用途，其中所述胶粘带包含：基材；和

涂覆在所述基材的至少一个表面上的胶粘剂层，其中所述胶粘剂层由胶粘剂组合物形成，其中所述胶粘剂组合物含有按100重量份的含羧基的橡胶树脂计为0.01～10重量份的固化剂和60～100重量份的添加剂，其中所述胶粘带在室温下具有5～30gf/in的胶粘强度，且在100～200℃下实施2～

40分钟的预固化工艺之后，所述胶粘带的胶粘强度提高到室温下的胶粘强度的4～10倍，其中所述含羧基的橡胶树脂的重均分子量为40000～1000000，其中所述添加剂通过将环氧树脂和酚醛树脂中的一种或两种以上进行混合而得到。

2.权利要求1的用途，其中所述固化剂为过氧化二异丙苯、氰基胍和2-甲基咪唑，且所述添加剂为硅烷改性的环氧树脂和双酚A酚醛清漆。

3.权利要求1的用途，其中所述胶粘剂层的厚度为4μm～25μm。

4.权利要求1的用途，其中所述基材为由选自如下的至少一种形成的膜：聚酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚醚砜、聚苯硫醚、聚醚酮、聚醚醚酮、三乙酰纤维素、聚醚酰胺和聚丙烯。

5.一种使用胶粘带制造半导体器件的方法，所述方法包括：准备金属引线框；

将半导体芯片安装在所述金属引线框上；

通过导线将所述半导体芯片与所述金属引线框的引线接合；

将所述胶粘带层压在与所述半导体芯片导线接合的所述金属引线框上；

进行预固化以稳定所述金属引线框与所述胶粘带之间的接触表面；

利用密封树脂对所述半导体芯片进行密封；

在完成所述密封之后除去所述胶粘带，

其中所述胶粘带为权利要求1～4中任一项的胶粘带。

说明书

用于制造半导体器件的胶粘带和使用该胶粘带制造半导体

器件的方法

[0001] 相关申请的交叉引用

[0002] 本申请要求2011年8月2日提交的韩国专利申请10-2011-0077081的优先权，特此为了所有目的通过引用的方式将其并入到本文中，如同将其全部陈述在本文中那样。

技术领域

[0003] 本发明涉及用于制造半导体器件的胶粘带和使用所述胶粘带制造半导体器件的方法。更特别地，本发明涉及一种胶粘带和使用所述胶粘带制造半导体器件的方法，所述胶粘带在作为高温半导体制造工艺的安装工艺之后的层压期间在室温下保持了低胶粘强度，由此使得在发生层压缺陷时可容易地进行重新加工并提高了产品收率，且所述胶粘带在层压之后的预固化工艺中提高了对引线框表面的胶粘性，由此有效地阻止了在密封工艺中的树脂泄露且在除去带子时不会在粘附表面上残留残渣，因此有助于加工并降低了缺陷率。

背景技术

[0004] 通常，对四方扁平无引线包装(QFN)半导体进行设计，以具有嵌入包装中的引线端子。用于制造QFN的方法通常包括如下步骤：通过将耐热性胶粘带粘合到外部衬垫上而进行层压，通过将半导体芯片粘附到金属引线框的管芯焊盘(die pad)上而进行装载，通过利用密封树脂将半导体芯片密封在引线框上以获得密封结构，通过将胶粘片与引线框分离以将带子除去，以及对密封结构进行切割以作为单独的半导体器件，由此得到单元半导体器件。参考图1～5，对使用胶粘膜的常规半导体制造方法进行详细说明。所述方法包括：(a)通过将胶粘片粘附到金属引线框上而进行层压，(b)将半导体芯片安装在所述金属引线框上，(c)通过导线接合半导体芯片和金属引线框的引线，(d)利用密封树脂对半导体芯片进行密封，以及(e)在完成密封之后将胶粘带移除。

[0005] 如上所述，QFN半导体制造方法包括在150℃～250℃的温度下实施的高温工艺，且使用胶粘带的半导体制造方法包括在170℃下实施两个小时以上的管芯胶粘工艺和在将胶粘带粘附到金属引线框上之后在200℃～250℃的温度下实施两个小时以上的导线接合工艺。因此，使用胶粘带的常规的半导体制造方法需要满足高温工艺的苛刻要求。例如，上述方法需要在高温下保持高水平的尺寸稳定性，阻止胶粘破坏如因在密封工艺期间密封树脂的压力而在胶粘片与引线框之间发生的模具溢料，以及将胶粘带从金属引线框移除而不残留残渣。

[0006] 上述方法通常使用硅类胶粘剂和热固性丙烯酸类胶粘剂。所述硅类胶粘剂会沾污在其上粘附了胶粘带的引线框的表面，且在从所述框移除之后会在表面上残留残余的胶粘剂。另外，可能有如下问题，在高温下由硅胶粘剂产生的气体可能氧化引线框的表面且在100℃～150℃的温度下开始分解的热固性丙烯酸类胶粘剂可能因在高温下内聚力的缺乏而将胶粘剂残渣残留在引线框的表面上。

[0007] 为了克服上述缺点，在利用导线对半导体芯片和金属引线框的引线进行接合之后，将胶粘带层压在接合至金属引线框的半导体芯片上，其后在所述半导体芯片上实施密封工艺，然后，在完成密封时将胶粘带移除。

[0008] 在半导体器件的制造中，在半导体芯片与金属引线框的引线之间实施导线接合之后在层压工艺中使用胶粘带，且胶粘带通常使用具有优异胶粘强度的硅类胶粘剂层。在层压工艺期间和在密封工艺之后，所述硅类胶粘剂层的胶粘强度不会明显改变。为了胶粘的均一性，从工艺的早期阶段就需要高胶粘强度。如果在层压工艺中发生层压缺陷，则可将胶粘带移除并重新粘附，且在这种重新粘附工艺期间，对金属引线框的高胶粘性可能造成金属引线框的弯曲，其中所述金属引线框利用导线而使其引线接合至半导体芯片。这种弯曲可能损伤金属引线与导线之间的接合部分。在制造过程期间，难以发现在接合部分上的损伤，且也难以对损伤的部分进行重新加工。

发明内容

[0009] 本发明的例示性实施方案提供一种胶粘带和使用所述胶粘带制造半导体器件的方法，所述胶粘带在作为高温工艺的安装工艺之后的层压期间在室温下保持了低胶粘强度，由此使得当发生层压缺陷时可容易地对其进行重新加工并提高了产品收率，且所述胶粘带在层压之后的预固化工艺中提高了对引线框表面的胶粘性，由此有效地阻止了在密封工艺中的树脂泄露且在除去带子时不会在粘附表面上残留残渣，因此有助于加工并降低了缺陷率。

[0010] 在下列说明中将提出本发明的其他特征，且其部分将从所述说明中变得明显，或可通过本发明的实践了解到。

[0011] 本发明的例示性实施方案提供了用于制造半导体器件的胶粘带，其包含：基材；和涂覆在所述基材至少一个表面上的胶粘剂层，其中所述胶粘剂层由胶粘剂组合物形成，相对于每100重量份的羧化橡胶树脂，所述胶粘剂组合物含有约0.01～约10重量份的固化剂和约60～约100重量份的添加剂。

[0012] 所述羧化橡胶树脂可具有约40000～约1000000的重均分子量。

[0013] 所述固化剂可以为过氧化二异丙苯、氰基胍和2-甲基咪唑，且所述添加剂可以为硅烷改性的环氧树脂和双酚A酚醛清漆。

[0014] 所述胶粘剂层的厚度可以为约4μm～约25μm。

[0015] 所述基材可以为由选自如下的至少一种形成的膜：聚酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚醚砜、聚苯硫醚、聚醚酮、聚醚醚酮、三乙酰纤维素、聚醚酰胺、聚萘二甲酸乙二酯、聚丙烯和聚碳酸酯。

[0016] 所述胶粘带在室温下可具有5～30gf/in的胶粘强度，且在100～200℃下实施2～40分钟的预固化工艺之后，所述胶粘带的胶粘强度可以提高到室温下的胶粘强度的
4～10倍。

[0017] 本发明的例示性实施方案提供一种使用胶粘带制造半导体器件的方法，所述方法包括：准备金属引线框；将半导体芯片安装在所述金属引线框上；通过导线将所述半导体芯片与所述金属引线框的引线接合；将所述胶粘带层压在与所述半导体芯片导线接合的所述金属引线框上；进行预固化以稳定所述金属引线框与所述胶粘带之间的接触表面；利用密封树脂对所述半导体芯片进行密封；在完成密封之后将所述胶粘带除去，其中所述胶粘带为上述胶粘带。

[0018] 所述胶粘带在室温下可具有5～30gf/in的胶粘强度，且在预固化之后，所述胶粘带的胶粘强度是室温下的胶粘强度的4～10倍。

[0019] 可以在100～200℃下实施所述预固化并持续2～40分钟。

[0020] 因此，用于制造半导体器件的胶粘带在室温下保持了低胶粘强度，由此使得在发生层压缺陷时可重新加工，并提高了产品收率，其中在将半导体芯片安装在金属引线框上之后将所述胶粘带层压到所述金属引线框上。此外，在层压之后，在预固化工艺中，提高了对所述引线框表面的胶粘性，由此有效地阻止了树脂的泄露，并在除去胶粘带期间不会在粘附表面上残留残渣。因此，变得易于加工且能够明显降低缺陷率。

[0021] 应理解，上述一般说明和下列详细说明两者都是例示性和说明性的，且旨在提供所要求的本发明的进一步说明。从下列详细说明、附图和权利要求书中，使得其他特征和方面显而易见。

附图说明

[0022] 为了进一步理解本发明而包括的、并入本说明书中且构成本说明书一部分的附图显示了本发明的实施方案，并与所述说明一起用于解释本发明的原理。

[0023] 图1是显示常规层压工艺的图，其中将胶粘带胶粘到金属引线框上。

[0024] 图2是显示常规安装工艺的图，其中将半导体芯片安装在金属引线框上。

[0025] 图3是显示常规导线接合工艺的图，其中通过导线将金属引线框的引线连接到半导体芯片上。

[0026] 图4是显示常规密封工艺的图，其中利用密封树脂对半导体芯片进行密封。

[0027] 图5是显示常规除去胶粘带工艺的图，其中在完成密封工艺之后，将胶粘带移除。

[0028] 图6是显示根据本发明例示性实施方案的准备的金属引线框的图。

[0029] 图7是显示安装工艺的图，其中将半导体芯片安装在图6中所示的金属引线框上。

[0030] 图8是显示导线接合工艺的图，其中通过导线将图7中所示的半导体芯片连接到金属引线框的引线上。

[0031] 图9是显示层压工艺的图，其中将图8中所示的金属引线框粘附到根据本发明例示性实施方案的用于制造半导体器件的胶粘带上。

[0032] 图10是显示根据本发明例示性实施方案的预固化工艺的图。

[0033] 图11是显示密封工艺的图，其中根据本发明的例示性实施方案利用密封树脂对半导体芯片进行密封。

[0034] 图12是显示除去胶粘带工艺的图，其中根据本发明的例示性实施方案在完成密封工艺之后将胶粘带移除。

具体实施方式

[0035] 下文中，参考附图，对本发明进行更充分的描述，在所述附图中显示了本发明的例示性实施方案。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明且不应将本发明解释为受限于本文中所述的实施方案。相反，提供这些例示性实施方案使得本公开内容完善，并会将本发明的范围完全地传达给本领域中的技术人员。在所有的附图和详细说明中，除非有其他说明，否则相同的附图参考标记表示相同的元件、特征和结构。为了清楚、说明和方便，可能对这些元件的相对尺寸和描绘进行放大。

[0036] 根据本发明例示性实施方案的用于制造半导体器件的胶粘带可包含基材和涂覆在所述基材至少一个表面上的胶粘剂层。所述胶粘剂层可由胶粘剂组合物形成，其中相对于每100重量份的含羧基的橡胶树脂，所述胶粘剂组合物含有约0.01～约10重量份的固化剂和约60～约100重量份的添加剂。下文中，将含有羧基的橡胶树脂称作“羧化橡胶树脂”。

[0037] 根据例示性实施方案的胶粘带的基材可以为由选自如下的至少一种形成的膜：聚酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚醚砜、聚苯硫醚、聚醚酮、聚醚醚酮、三乙酰纤维素、聚醚酰胺、聚萘二甲酸乙二酯、聚丙烯和聚碳酸酯。

[0038] 另外，尽管胶粘剂层的厚度不受限制，但是为了保持使得在不需要压辊或热压机的帮助下胶粘剂层自身能够粘附到金属引线框上的润湿性，所述胶粘剂层不可以太薄，同样，为了在高温和高压下实施的密封工艺之后在除去胶粘带工艺期间不残留残渣，所述胶粘剂层也不可以太厚。满足这些冲突要求的厚度可以为1μm～50μm，优选4μm～25μm。

[0039] 作为用于胶粘剂层的羧化橡胶树脂，根据设计用途，混合一种或两种以上树脂以进行使用，且相对于每100重量份的羧化橡胶树脂，可使用约0.01～约10重量份的固化剂。

[0040] 所述羧化橡胶树脂可具有40000～1000000的重均分子量。

[0041] 另外，根据设计用途，可以混合一种或两种以上添加剂以进行使用，且相对于每100重量份的橡胶树脂，可使用约60～约100重量份的添加剂。

[0042] 此外，所述固化剂可以为过氧化二异丙苯、氰基胍或2-甲基咪唑，且所述添加剂可以为硅烷改性的环氧树脂或双酚A酚醛清漆。

[0043] 当通过以10℃/分钟的速率从室温升至250℃来对其进行加热时，所述胶粘剂层可优选减少小于5重量％。

[0044] 而且，当在室温下将用于半导体器件的胶粘带胶粘到铜箔上之后将其放置10分钟时，其具有5～30gf/in的胶粘强度，并且自在室温下将胶粘带胶粘到铜箔上10分钟之后，在100～200℃下在其上实施预固化并持续2～40分钟的胶粘带的胶粘强度为室温下的胶粘强度的3～15倍、更优选4～10倍。通过这样做，胶粘带在室温下保持了对铜箔的低胶粘性，从而如果在层压工艺期间发生层压缺陷能够容易地进行重新加工。因此，提高了产品收率，并在层压工艺之后在预固化工艺中提高了对引线框表面的胶粘性，由此有效地阻止了在密封工艺期间的树脂泄露，且在除去胶粘带时不会在粘附表面上残留残渣。

[0045] 图6～12显示了根据本发明例示性实施方案使用胶粘带制造半导体器件的方法的各种工艺的图。

[0046] 图6～12中所示的方法可包括：(a)准备金属引线框；(b)将半导体芯片安装在所述金属引线框上；(c)通过导线连接半导体芯片和金属引线框的引线；(d)通过将胶粘带胶粘到金属引线框上而进行层压，所述金属引线框具有安装在其上的半导体芯片并具有与其连接的导线；(e)进行预固化处理以稳定所述金属引线框与所述胶粘带之间的胶粘剂表面；(f)利用密封树脂对所述半导体芯片进行密封；以及(g)在完成密封工艺之后将胶粘带除去。用于制造半导体器件的胶粘带包含基材和涂覆在所述基材至少一个表面上的胶粘剂层。

[0047] 根据本发明，实施预固化工艺以稳定金属引线框与胶粘带之间的接触表面，由此在室温下保持了低胶粘强度，使得在层压工艺中发生层压缺陷时可进行重新加工，从而提高了产品收率、有效地阻止了树脂因在层压工艺之后由预固化工艺提高了胶粘强度而在密封工艺中发生泄露，并阻止了在除去胶粘带时残渣残留在粘附表面上。

[0048] 用于制造半导体器件的胶粘带的特征在于，在室温下具有5～30gf/in的胶粘强度，并且其在预固化工艺之后的胶粘强度为室温下的胶粘强度的4～10倍。

[0049] 根据本发明，优选在100～200℃下实施预固化工艺并持续2～40分钟。如果实施所述预固化工艺少于2分钟或在低于100℃的温度下实施所述预固化工艺，则胶粘强度的增大可能没有显著高而足以阻止树脂的渗透，且如果在高于200℃的温度下实施所述预固化工艺，则对引线框的胶粘性过度增大，从而导致引线框上的胶粘剂残渣。另外，将预固化工艺实施超过40分钟可能造成胶粘强度的过度增大和胶粘剂层的分解。

[0050] 下文中，将对根据本发明的用于制造半导体器件的胶粘带的元件进行详细说明。

[0051] 基材膜

[0052] 根据本发明，耐热性胶粘片的耐热性基材可以为由选自如下的至少一种形成的(塑料)膜：聚酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚醚砜、聚苯硫醚、聚醚酮、聚醚醚酮、三乙酰纤维素、聚醚酰胺、聚萘二甲酸乙二酯、聚丙烯和聚碳酸酯，且耐热性基材不限于此。此外，作为基材，可使用选自膜、复合金属膜和镀膜中的至少一种金属膜代替塑料膜，所述各种膜由铝、镁、钛、铬、锰、铁、镍、锌、锡等形成。

[0053] 随着基材与引线框之间的热膨胀系数之差的增大，在高温工艺之后，粘附到片上的引线框在室温下可能发生弯曲，且在成形工艺期间所述弯曲的引线框可能造成尺寸不稳定和位置变化，这可能导致有缺陷的模具溢料。由此，作为满足上述要求的耐热性基材，耐热膜可优选具有超过150℃的玻璃化转变温度，所述基材在100℃～200℃的温度下可具有5ppm/℃～50ppm/℃、优选10ppm/℃～25ppm/℃的热膨胀系数。另外，所述基材在200℃下持续2小时时的热收缩率为0.01％～0.5％，优选0.03％～0.1％。

[0054] 胶粘剂组合物

[0055] 作为根据本发明的用于制造半导体器件的胶粘带的胶粘剂层所使用的含羧基的橡胶树脂，根据设计用途，混合一种或两种以上的树脂。下文中，将含有羧基的橡胶树脂称作“羧化橡胶树脂”。如果羧化橡胶树脂的重均分子量小于40000，则橡胶树脂过度固化，由此难以粘附到金属引线框上，如果所述重均分子量超过1000000，则橡胶树脂固化不完全，由此在除去胶粘带时残留胶粘剂残渣。因此，所述羧化橡胶树脂的重均分子量优选为40000～1000000。

[0056] 另外，用于胶粘剂层的固化剂可使用选自如下的一种或多种：过氧化二异丙苯、氰基胍、二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、甲胺、N-氨基乙基哌嗪、间二甲苯二胺、异佛尔酮二胺、双(4-氨基-3-甲基环己基)甲烷、间苯二胺、4，4-二甲基苯胺、二氨基二苯基砜、二甲基氨基甲基苯酚、三(二甲基氨基甲基)苯酚、苯甲基二甲基胺哌啶、十二烯基琥珀酸酐、甲基四氢化邻苯二甲酸酐、甲基六氢化邻苯二甲酸酐、三烷基四氢化邻苯二甲酸酐、甲基环己二羧酸酐、邻苯二甲酸酐、均苯四酸酐、苯酚四羧酸酐、氯菌酸酐、1，8-萘二酸酐、六氢化邻苯二甲酸酐、苯甲酸酐、异丁酸酐、乙酸酐、马来酸酐、琥珀酸酐、过氧化物如2-甲基咪唑、羧酸酐、取代的脲、硫醇及其衍生物、氰基胍和1-乙基-4-甲基咪唑。相对于每100重量份的羧化橡胶树脂，所述固化剂的量优选为0.01～10重量份，且所述固化剂优选为过氧化二异丙苯、氰基胍或2-甲基咪唑。

[0057] 根据设计用途，可通过将环氧树脂和酚醛树脂中的一种或两种以上进行混合来得到用于胶粘剂层中的添加剂，且相对于每100重量份的橡胶树脂，所述添加剂的量优选为60～100重量份。

[0058] 优选通过对硅烷改性的环氧树脂、双酚A型、F型和苯酚酚醛清漆、甲酚酚醛清漆、双酚A-酚醛清漆、二氯戊二烯酚醛清漆、三酚甲烷三缩水甘油基醚、三缩水甘油基对氨基酚、四缩水甘油基亚甲基二苯胺、3，4-环氧环己基甲基-3，4-环氧氯己烷羧酸酯中的一种或多种环氧树脂，且更优选硅烷改性的环氧树脂和双酚A酚醛清漆进行混合来制备环氧树脂。此外，所述酚醛树脂可优选为选自酚醛清漆类和甲阶酚醛树脂类中的一种或多种。

[0059] 此外，所述胶粘剂层包含有机溶剂以降低粘度，从而用于胶粘剂组合物的溶解和涂覆。所述有机溶剂可以为丙酮、甲基乙基酮、乙酸乙酯、二甲基甲酰胺、环己酮、甲基异丁基酮、1-甲基-2-吡咯烷酮、乙酸乙酯、乙酸丁酯、甲苯、二甲苯、乙烯基醚、乙烯基酯、丙烯酸酯、二乙二醇、单乙二醇等中的至少一种或多种，且所述有机溶剂可以是能够溶解所述胶粘剂组合物的任何材料。

[0060] 制造胶粘剂层的方法

[0061] 尽管根据本发明的胶粘带不限于特殊的制造方法，但是可将含有含羧基的橡胶树脂(羧化橡胶树脂)、固化剂和添加剂的胶粘剂组合物与有机溶剂混配。所述制造方法可包括：浇铸法，其中根据设计用途将胶粘剂组合物制成具有不同的粘度并将制得的胶粘剂组合物直接涂覆在基材上并进行干燥；以及转移法，其中将胶粘剂组合物涂覆在剥离膜上并进行干燥以形成胶粘剂层，并将所述胶粘剂层层压在基材上。在这种情况下，涂覆的胶粘剂层的厚度优选为1μm～50μm，更优选4μm～25μm。

[0062] 下文中，将通过参考下列实施例和比较例，对本发明的构造和获得的效果进行详细说明，然而，应注意，本发明不限于此。

[0063] 在下列实施例和比较例中，表述“羧化橡胶树脂”是指含有羧基的橡胶树脂，且在描述制备的溶液A和制备的溶液B中的表述“相对于每100重量份的羧化橡胶树脂”仅是指相对于在各种制备的溶液A和B中所包含的材料的参考量，且这并不意味着在制备的溶液A和B中含有100重量份的羧化橡胶树脂。

[0064] 实施例1

[0065] 制备的溶液A(固化剂)：相对于每100重量份的羧化橡胶树脂，向1重量份的过氧化二异丙苯、4重量份的氰基胍和0.01重量份的2-甲基咪唑中添加5重量份的乙酸乙酯(EA)，然后将所得溶液搅拌1小时。

[0066] 制备的溶液B(添加剂)：相对于每100重量份的羧化橡胶树脂，向70重量份的硅烷改性的环氧树脂和10重量份的双酚A酚醛清漆中添加80重量份的乙酸乙酯(EA)，并将所得溶液搅拌1小时。

[0067] 在按如上所述完成溶液A和B的制备之后，将100重量份的具有90000分子量的羧化橡胶树脂与200重量份的甲基乙基酮(MEK)混合并对所得溶液搅拌1小时。然后，将制备的溶液A(固化剂)添加至上述溶液中并搅拌1小时，其后，添加制备的溶液B并搅拌1小时，由此得到用于制造半导体器件的胶粘带用胶粘剂组合物。将所述胶粘剂组合物涂布到具有25μm厚度的聚酰亚胺膜(SKC Kolon，LN100)上，然后在130℃下干燥3分钟。然后，将具有38μm厚度的PET剥离膜(韩国东丽先进材料有限公司(Toray Advanced Materials Korea Inc.)，XD5BR)层压在经干燥的膜上并在45℃下老化48小时，由此得到具有6μm厚度的胶粘剂层的胶粘带。

[0068] 实施例2

[0069] 与实施例1类似，提前制得制备的溶液A和制备的溶液B。将100重量份的具有450000分子量的羧化橡胶树脂与200重量份的甲基乙基酮(MEK)混合，然后搅拌1小时。
然后，添加制备的溶液A(固化剂)并搅拌1小时，其后，添加制备的溶液B并搅拌另外1小时，由此得到用于制造半导体器件的胶粘带用胶粘剂组合物。将所述胶粘剂组合物涂布到具有25μm厚度的聚酰亚胺膜(SKC Kolon，LN100)上，然后在130℃下干燥3分钟，然后，将具有38μm厚度的PET剥离膜(韩国东丽先进材料有限公司，XD5BR)层压在经干燥的聚酰亚胺膜上并在45℃下老化48小时，由此得到具有6μm厚度的胶粘剂层的胶粘带。

[0070] 比较例1

[0071] 向100重量份在市场上可获得的硅胶粘剂、100重量份二甲基硅氧烷胶、以及130重量份甲苯的混合物中添加200重量份的甲苯，并在600～650rpm下将所得溶液搅拌10分钟。其后，向上述溶液中添加0.86重量份100％活化的固体硅交联剂，然后在600～650rpm下搅拌另外3分钟。然后，进一步添加0.3重量份的铂催化剂与乙烯基官能性硅聚合物的混合物并在600～650rpm下将所得混合物搅拌3分钟，由此得到硅胶粘剂组合物。将所述硅胶粘剂组合物涂布到具有25μm厚度的聚酰亚胺膜(SKC Kolon，LN100)上，然后干燥。然后，将氟化的PET剥离膜(圣戈班(Saint-Gobain)，8322)层压在经干燥的膜上，由此形成具有6μm厚度的硅胶粘剂层的胶粘带。

[0072] 比较例2

[0073] 与比较例1类似，将硅胶粘剂组合物涂布到具有25μm厚度的聚酰亚胺膜(SKC Kolon，LN100)上，然后干燥，其中在所述聚酰亚胺膜上已经使用有机硅底漆进行了预处理。将具有50μm厚度的氟化的PET剥离膜(圣戈班，8322)层压在经干燥的膜上，由此形成具有硅胶粘剂并具有6μm厚度的胶粘剂层的胶粘带。

[0074] 比较例3

[0075] 制备的溶液A(固化剂)：相对于每100重量份的羧化橡胶树脂，向3重量份的过氧化二异丙苯、9重量份的氰基胍和0.03重量份的2-甲基咪唑的混合物中添加12重量份的乙酸乙酯(EA)，然后搅拌1小时。

[0076] 以与实施例1相同的方式制得了制备的溶液B(添加剂)。

[0077] 在完成制备的溶液的制备之后，将100重量份的具有90000分子量的羧化橡胶树脂与200重量份的甲基乙基酮(MEK)混合并搅拌1小时。其后，将制备的溶液A添加至上述混合物中，然后搅拌1小时，向其中添加制备的溶液B并搅拌另外1小时，由此得到用于制造半导体器件的胶粘带用胶粘剂组合物。将得到的胶粘剂组合物涂布到具有25μm厚度的聚酰亚胺膜(SKC Kolon，LN100)上，然后在130℃下干燥3分钟。将具有38μm厚度的PET剥离膜(韩国东丽先进材料有限公司，XD5BR)层压在经干燥的膜上并在45℃下老化48小时，由此形成具有6μm厚度的胶粘剂层的胶粘带。

[0078] 比较例4

[0079] 以与实施例1相同的方式制得了制备的溶液A(固化剂)

[0080] 制备的溶液B(添加剂)：相对于每100重量份的羧化橡胶树脂，向35重量份的硅烷改性的环氧树脂和5重量份的双酚A酚醛清漆的混合物中添加40重量份的乙酸乙酯(EA)，然后搅拌1小时。

[0081] 在完成形成制备的溶液A和B之后，将100重量份的具有90000分子量的羧化橡胶树脂与200重量份的甲基乙基酮(MEK)混合，然后搅拌1小时。然后，将制备的溶液A(固化剂)添加至混合物中并搅拌1小时，其后，向所得溶液中添加制备的溶液B并搅拌另外1小时，由此得到用于制造半导体器件的胶粘带用胶粘剂组合物。将胶粘剂组合物涂布到具有25μm厚度的聚酰亚胺膜(SKC Kolon，LN100)上，并在130℃下干燥3分钟。然后，将具有38μm厚度的PET剥离膜(韩国东丽先进材料有限公司，XD5BR)层压在经干燥的膜上并在45℃下老化48小时，由此形成具有6μm厚度的胶粘剂层的胶粘带。

[0082] 比较例5

[0083] 以与实施例1相同的方式得到了制备的溶液A(固化剂)

[0084] 制备的溶液B(添加剂)：相对于每100重量份的羧化橡胶树脂，向105重量份的硅烷改性的环氧树脂和15重量份的双酚A酚醛清漆的混合物中添加120重量份的乙酸乙酯(EA)，然后搅拌1小时。

[0085] 在完成形成制备的溶液A和B之后，将100重量份的具有90000分子量的羧化橡胶树脂与200重量份的甲基乙基酮(MEK)混合，并搅拌1小时。随后，将制备的溶液A(固化剂)添加至混合物中并搅拌1小时，然后，添加制备的溶液B并搅拌另外1小时，由此得到用于制造半导体器件的胶粘带的胶粘剂组合物。将胶粘剂组合物涂布到具有25μm厚度的聚酰亚胺膜(SKC Kolon，LN100)上，并在130℃下干燥3分钟。然后，将具有38μm厚度的PET剥离膜(韩国东丽先进材料有限公司，XD5BR)层压在经干燥的膜上并在45℃下老化48小时，由此形成具有6μm厚度的胶粘剂层的胶粘带。

[0086] 在下列实验中对实施例1和2以及比较例1～5中得到的上述胶粘带的性能进行了测量，并将结果示于下表1中。

[0087] 实验

[0088] 实验1：试验重新加工性

[0089] 在不需要辊压或热压帮助的情况下将胶粘带粘附到金属引线框的一个表面上，并在室温下放置30分钟，然后将胶粘带移除，其中所述金属引线框具有通过Dambar press方法(对未粘附胶粘带的金属引线框的面进行压制)而安装的半导体芯片。利用尺子测量在移除胶粘带之后所述金属引线框的弯曲程度，通过显微镜评价金属导线上的损伤，并根据下列标准将评价结果示于下表1中。

[0090] O：在金属导线上无损伤，金属引线框的弯曲小于0.5mm

[0091] △：在金属导线上无损伤，金属引线框的弯曲等于或大于0.5mm且小于1mm[0092] X：在至少一根金属导线上存在损伤，金属引线框的弯曲等于或大于1mm[0093] 实验2：测量在室温下的剥离强度

[0094] 制备了1英寸(2.54cm)×15cm(宽×长)的胶粘带，利用丙酮对其上要粘附胶粘片的铜箔(三井(Mitsui)：3EC-THE-AT)表面进行清洁，并通过2kg的橡皮辊来回压制两次而将胶粘带和铜箔层压在一起。然后，将经层压的箔放置20分钟，然后在300mm/分钟的速度下测量180°剥离强度。

[0095] 实验3：测量预固化之后的剥离强度

[0096] 制备了1英寸(2.54cm)×15cm(宽×长)的胶粘带，利用丙酮对其上要粘附胶粘片的铜箔(三井：3EC-THE-AT)表面进行清洁，并通过2kg的橡皮辊来回压制两次而将胶粘带和铜箔层压在一起。将经层压的箔放置20分钟，然后，在胶粘带的表面面朝上的条件下在180℃温度下的烘箱中进行预固化并持续30分钟。其后，将所述箔在室温下放置20分钟，然后在300mm/分钟的速度下测量180°剥离强度。

[0097] 实验4：试验残渣

[0098] 在不需要辊压或热压帮助的情况下将胶粘片粘附到金属引线框的一个表面上，在180℃温度下的烘箱中预固化30分钟，在180℃的温度下进行端封并持续3分钟，然后放置
1小时，所述金属引线框具有通过Dambar press(对未粘附胶粘带的金属引线框的面进行压制)而安装的半导体芯片。其后，将胶粘带从金属引线框移除，并通过显微镜对移除了胶粘带的金属引线框的表面进行观察以检验是否存在胶粘剂残渣。根据下列标准将观察结果示于下表中。

[0099] O：无残余物

[0100] △：每1000个包装中残渣少于10处

[0101] X：每1000个包装中残渣超过10处

[0102] -：无法评价

[0103] 实验5：试验树脂泄露

[0104] 通过利用显微镜对实验4的引线框表面和胶粘带表面进行观察，检测了具有树脂泄露的包装的数目并根据下列标准将检测结果示于下表1中。

[0105] O：每1000个包装中具有树脂泄露的包装少于1个

[0106] △：每1000个包装中具有树脂泄露的包装为1～5个

[0107] X：每1000个包装中具有树脂泄露的包装超过5个

[0108] -：无法评价

[0109] 表1

[0110]

[0111] 如表1中所示，应注意，使用根据本发明的实施例1或2中制备的胶粘剂组合物形成的用于制造半导体器件的胶粘带，具有优异的重新加工性且未因在预固化工艺之后胶粘强度的增加而在金属引线框的表面上残留胶粘剂，并有效地阻止了树脂的泄露。

[0112] 另一方面，如比较例1和2中所示，所述硅胶粘带即使在预固化工艺之后胶粘强度也无明显变化。因此，为了阻止树脂的泄露，从工艺的早期阶段就保持对金属引线框的高胶粘性，这使得其难以重新加工。因此，可能发生在已经完成了导线接合工艺的金属引线框中的损耗，由此提高了制造成本并不能完全阻止树脂的泄露。另外，在未利用有机硅底漆进行处理的条件下，可能产生大量残渣。

[0113] 此外，如比较例3中所提到的，投入比本发明所限定的量更多的固化剂导致胶粘剂层过度固化，由此不能有效地阻止树脂的泄露。而且，如比较例4中所提到的，投入比本发明所限定的量更少的添加剂，导致一部分羧化橡胶树脂不能与添加剂反应，从而产生胶粘剂残渣，与此相比，如比较例5中所提到的，投入比本发明所限定的量更多的添加剂，使得难以有效地阻止树脂的泄露。

[0114] 对本领域的技术人员显而易见，在不背离本发明的主旨或范围的条件下，能够在本发明内完成各种改变和变化。因此，意图是，本发明包含本发明的改变和变化，条件是它们落在附属权利要求书及其等价物的范围内。