存储器同步缺陷检测方法

摘要

本发明提供了一种存储器同步缺陷检测方法，包括：首先执行用于同时提取芯片上不同方向的存储器区最小重复结构的结构提取步骤；然后执行用于扫描完整的一列或行芯片组、并将芯片组的数据信息保存在数据库的扫描步骤；此后执行用于根据结构提取步骤定义的单元结构对由扫描步骤所采集的数据进行水平和垂直方向上的比较的数据比较步骤；此后，重复扫描步骤和数据比较步骤，直到完成整个晶圆的缺陷检测。通过利用本发明的存储器同步缺陷检测方法，可以在同一个检测过程中对具有不同方向周期的存储器结构进行缺陷的检测，从而实现快速扫描的同时又能够很好地控制每个存储器区域的检测精度。

权利要求

1.一种存储器同步缺陷检测方法，其特征在于包括：首先执行用于同时提取芯片上不同方向的存储器区重复结构的结构提取步骤；然后执行用于扫描完整的一列或行芯片组、并将芯片组的数据信息保存在数据库的扫描步骤；此后执行用于根据结构提取步骤定义的单元结构对由扫描步骤所采集的数据信息进行水平和垂直方向上的比较的数据比较步骤；

此后，重复扫描步骤和数据比较步骤，直到完成整个晶圆的缺陷检测。

2.根据权利要求1所述的存储器同步缺陷检测方法，其特征在于，所述不同方向是两个互相垂直的方向。

3.根据权利要求1或2所述的存储器同步缺陷检测方法，其特征在于，所述不同方向是水平方向和垂直方向。

4.根据权利要求1或2所述的存储器同步缺陷检测方法，其特征在于，在完成整个晶圆的缺陷检测时，扫描完了整个晶圆同时完成所有数据的比对，得到一个缺陷分布图。

5.根据权利要求1或2所述的存储器同步缺陷检测方法，其特征在于，所述存储器区重复结构是最小的存储器区重复结构。

6.根据权利要求1或2所述的存储器同步缺陷检测方法，其特征在于，所述数据信息是图形信息。

说明书

存储器同步缺陷检测方法

技术领域

[0001] 本发明涉及半导体制造工艺，更具体地说，本发明涉及一种存储器同步缺陷检测方法。

背景技术

[0002] 随着设计与制造技术的发展，集成电路设计从晶体管的集成发展到逻辑门的集成，现在又发展到IP的集成，芯片的集成度越来越高。一般在先进的芯片制造过程中都会涉及到光学的缺陷检测，缺陷检测的基本工作原理是将芯片上的光学图像转换成为可由不同亮暗灰阶表示的数据图像，在扫描的同时进行图像信号比对，图1表示的就是将一个光学显微镜下得图像P1转换成为数据图像特征P2的过程，再通过相邻芯片上的数据比较来检测缺陷的位置,如图2表示的是在水平方向X1的相邻芯片的比较，图3表示的是在垂直方向X2的相邻芯片的比。

[0003] 但是，芯片上集成了很多的功能模块，如微处理器/微控制器、存储器以及其他专用功能逻辑区等，特别是存储器模块由于其图形密度往往是整个芯片上最高的地方，所以如右图所示一些细微的图形差异或极小的外界颗粒都会导致整个芯片电性能的失效。从存储器的图形设计上分析，其图形具有在水平或垂直方向上周期性的重复结构，目前的检测方法是在芯片上划分在水平或垂直方向具有重复性的最小单元结构，每个重复结构本身和邻近的单元进行数据比较，但是如上所述，在一个检测过程中只能做到水平或垂直方向的扫描，不能在一个检测过程中同时完成两个方向存储器结构的缺陷检测。

发明内容

[0004] 本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够实现快速扫描的同时又能够很好地控制每个存储器区域的检测精度的存储器同步缺陷检测方法。

[0005] 为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种存储器同步缺陷检测方法，其包括：首先执行用于同时提取芯片上不同方向的存储器区重复结构的结构提取步骤；然后执行用于扫描完整的一列或行芯片组、并将芯片组的数据信息保存在数据库的扫描步骤；此后执行用于根据结构提取步骤定义的单元结构对由扫描步骤所采集的数据信息进行水平和垂直方向上的比较的数据比较步骤；此后，重复扫描步骤和数据比较步骤，直到完成整个晶圆的缺陷检测。

[0006] 优选地，所述不同方向是两个互相垂直的方向。

[0007] 优选地，所述不同方向是水平方向和垂直方向。

[0008] 优选地，在完成整个晶圆的缺陷检测时，扫描完了整个晶圆同时完成所有数据的比对，得到一个缺陷分布图。

[0009] 优选地，所述存储器区重复结构是最小的存储器区重复结构。

[0010] 优选地，所述数据信息是图形信息。

[0011] 通过利用本发明的存储器同步缺陷检测方法，可以在同一个检测过程中对具有不同方向周期的存储器结构进行缺陷的检测，从而实现快速扫描的同时又能够很好地控制每个存储器区域的检测精度。

附图说明

[0012] 结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：

[0013] 图1示意性地示出了电路光学图像转换成为数据灰阶图像的示意图。

[0014] 图2示意性地示出了水平方向缺陷检测的示意图。

[0015] 图3示意性地示出了垂直方向缺陷检测的示意图。

[0016] 图4示意性地示出了水平方向存储器重复结构图。

[0017] 图5示意性地示出了垂直方向存储器重复结构图。

[0018] 图6示意性地示出了根据本发明实施例存储器同步缺陷检测方法的流程图。

[0019] 需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。

具体实施方式

[0020] 为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。

[0021] 在本发明实施例中，首先提取芯片上存储器区域重复性结构的信息，分别将包括水平和垂直方向上重复的最小单元结构保存到检测设备。例如，如图4和图5所示，水平和垂直方向上重复的最小单元结构包括如图4所示的水平方向存储器重复结构：单元Y1、单元Y2、单元Y3，以及如图5所示的垂直方向存储器重复结构：单元X1、单元X2、单元X3。

[0022] 当在对芯片进行扫描时，将采集到的图形信号保存到一个特定数据库中，直到完成水平或垂直方向上一行或列完整芯片组信号的收集，然后在对下一行或列芯片组进行扫描的同时对存储在特定数据库中上一组完整芯片的图形信息进行在水平和垂直方向上的数据比对。

[0023] 图6示意性地示出了根据本发明实施例存储器同步缺陷检测方法的流程图。

[0024] 如图6所示，根据本发明实施例存储器同步缺陷检测方法包括：

[0025] 在程序开始时，首先，将晶圆1放入检测设备2进行检测；

[0026] 随后，提取晶圆1中的芯片的存储器区域重复性结构的信息(步骤3)；

[0027] 随后，对第一组水平或垂直方向的完整的芯片进行扫描，并将整组芯片的信息保存在数据库中(步骤4)；

[0028] 一方面，将整组芯片的信息根据设定的存储器结构进行水平和垂直方向的比对(步骤6)；另一方面，对下一组芯片进行扫描(步骤5)；

[0029] 最终，扫描完整个晶圆同时完成所有数据的比对，从而得到一个缺陷分布图(步骤7)。

[0030] 随后程序结束。

[0031] 通过利用本发明实施例的存储器同步缺陷检测方法，可以在同一个检测过程中对具有不同方向周期的存储器结构进行缺陷的检测，从而实现快速扫描的同时又能够很好地控制每个存储器区域的检测精度。

[0032] 例如，对于具体应用，可定义好芯片上的不同存储器区域的周期性结构(优选地，是最小的存储器重复结构)，开始对晶圆的第一组水平或垂直方向的完整的芯片进行扫描，并将整一组芯片的信息(例如图形信息)保存在数据库中，在对下一组芯片进行扫描的同时将扫描完的整组芯片的信息根据设定的存储器结构进行水平和垂直方向的比对，直到完成整个晶圆的检测，从而实现快速扫描的同时又能够很好地控制每个存储器区域的检测精度。

[0033] 在具体实施方式中，例如，首先执行用于同时提取芯片上不同方向(优选地两个互相垂直的方向，例如水平方向和垂直方向)的存储器区最小重复结构的结构提取步骤；然后执行用于扫描完整的一列或行芯片组、并将芯片组的数据信息保存在数据库的扫描步骤；此后执行用于根据结构提取步骤定义的单元结构对由扫描步骤所采集的数据进行水平和垂直方向上的比较的数据比较步骤；此后，重复扫描步骤和数据比较步骤，直到完成整个晶圆的缺陷检测。

[0034] 可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。