本申请关于一种电子镇流器，包含:方波发生器，通过多个开关元件切换运作将接收的直流输入电压转换为方波交流电压；变压器，具有相互耦合的驱动绕组及多个感应绕组，至少部份感应绕组分别电连接于对应的开关元件的控制端；谐振电路，与驱动绕组及发光元件电连接，经驱动绕组接收方波交流电压，并转换为交流输出电压驱动发光元件；以及辅助控制单元，与变压器电连接，依据控制信号调整驱动绕组或任一感应绕组上的电压波形，使与每一开关元件电连接的每一感应绕组上的电压波形对应改变，以便调整开关元件的切换频率。
1.一种电子镇流器，用以驱动至少一发光元件，包含:
一方波发生器，接收一直流输入电压，且具有多个开关元件，以通过该多个开关元件切换运作将该直流输入电压转换为一方波交流电压；
一变压器，具有相互耦合的一驱动绕组及多个感应绕组，其中至少部分该多个感应绕组分别电连接于所对应的该开关元件的控制端；
一谐振电路，与该驱动绕组以及该发光元件电连接，用以经由该驱动绕组接收该方波交流电压，并转换为一交流输出电压驱动该发光元件；以及一辅助控制单元，与该变压器电连接，用以依据至少一控制信号而调整该驱动绕组或任一该感应绕组上的电压波形提前换向，使与每一该开关元件电连接的每一该感应绕组上的电压波形对应改变，以便调整该多个开关元件的切换频率；
该辅助控制单元包含一箝位电路，与该变压器的该驱动绕组或该多个感应绕组其中之一电连接，用以接收该控制信号，并依据该控制信号对应地控制与该箝位电路电连接的该驱动绕组或该多个感应绕组其中之一的电压波形提前换向，藉此调整该多个开关元件的切换频率，进而输出对应的该交流输出电压来达到该发光元件灯丝预热、击穿及调整该发光元件的亮度；
该箝位电路包含一第一NPN双载子接面晶体管以及一PNP双载子接面晶体管，该第一NPN双载子接面晶体管的基极接收该控制信号，该第一NPN双载子接面晶体管的发射极电连接一接地端G，第一NPN双载子接面晶体管的集电极与该PNP双载子接面晶体管的基极电连接，该PNP双载子接面晶体管的发射极电连接于与该箝位电路电连接的该驱动绕组或该多个感应绕组其中之一，该PNP双载子接面晶体管的集电极与该接地端电连接。
2.如权利要求1所述的电子镇流器，其特征在于，该电子镇流器为自激式电子镇流器。
3.如权利要求1所述的电子镇流器，其特征在于，该发光元件为荧光灯。
4.如权利要求1所述的电子镇流器，其特征在于，该谐振电路由一谐振电感以及一谐振电容所构成，且该谐振电容与该发光元件并联连接，且与该谐振电感电连接而构成并联共振。
5.如权利要求1所述的电子镇流器，其特征在于，该驱动绕组以及该多个感应绕组之间以磁耦合的方式耦合。
6.如权利要求1所述的电子镇流器，其特征在于，该方波发生器包含一第一开关元件以及一第二开关元件，该变压器包含极性相反的一第一感应绕组以及一第二感应绕组，该第一感应绕组经由一第一电阻与该第一开关元件的控制端电连接，该第二感应绕组经由一第二电阻与该第二开关元件的控制端电连接。
7.如权利要求6所述的电子镇流器，其特征在于，该辅助控制单元与该第一感应绕组电连接，用以依据该控制信号调整该第一感应绕组的电压波形。
8.如权利要求6所述的电子镇流器，其特征在于，该变压器更具有一第三感应绕组，与该驱动绕组，该第一感应绕组以及该第二感应绕组耦合，且与该辅助控制单元电连接，使该辅助控制单元依据该控制信号而选择性地调整该第三感应绕组的电压波形。
9.如权利要求1所述的电子镇流器，其特征在于，该发光元件的亮度随着控制信号的电压电平越大而越暗。
10.如权利要求1所述的电子镇流器，其特征在于，该箝位电路更具有一第一二极管、一第一电容、一第三电阻、一第四电阻以及一分压电路，该第一二极管的阳极端电连接于与该箝位电路电连接的该驱动绕组或该多个感应绕组其中之一，该第一二极管的阴极端电连接于该PNP双载子接面晶体管的发射极，该第一电容以及该第四电阻并联连接于该PNP双载子接面晶体管的基极及发射极之间，该第三电阻电连接于该第一NPN双载子接面晶体管的基极及发射极之间，该分压电路连接于该第一NPN双载子接面晶体管的基极，且由串联连接的一第五电阻以及一第六电阻构成。
11.如权利要求1所述的电子镇流器，其特征在于，该箝位电路更包含一第二电容以及一第二二极管，该第二电容电连接于该第一NPN双载子接面晶体管的基极及发射极之间，该第二二极管与该第二电容并联连接，用以防止该第二电容于充电时产生负电压。
12.如权利要求1所述的电子镇流器，其特征在于，该箝位电路更具有一延迟电路，与该箝位电路电连接，用以当该电子镇流器启动时，接收于该电子镇流器启动时对应产生的一辅助信号，且依据该辅助信号驱动该箝位电路，使该箝位电路调整与该箝位电路电连接的该驱动绕组或该多个感应绕组其中之一的电压波形于一时间长度内提前换向，藉此使该多个开关元件的切换频率提升，进而输出对应的该交流输出电压达到该发光元件的灯丝预热及击穿。
13.如权利要求12所述的电子镇流器，其特征在于，该延迟电路包含一第三电容、一第二NPN双载子接面晶体管、一第七电阻以及一第三NPN双载子接面晶体管，其中第三电容接收该辅助信号，该第七电阻电连接于该第三电容以及该第二NPN双载子接面晶体管的基极之间，该第二NPN双载子接面晶体管的发射极与该接地端电连接，该第二NPN双载子接面晶体管的集电极与该第三NPN双载子接面晶体管的基极电连接，该第三NPN双载子接面晶体管的基极端接收该辅助信号，该第三NPN双载子接面晶体管的发射极与该接地端电连接，该第三NPN双载子接面晶体管的集电极与该第一NPN双载子接面晶体管的基极电连接。
14.如权利要求13所述的电子镇流器，其特征在于，该延迟电路更具有一第四电容、一第五电容、一第八电阻以及一第九电阻，其中该第四电容以及该第九电阻并联连接于该第二NPN双载子接面晶体管的基极及发射极之间，该第五电容电连接于该第三NPN双载子接面晶体管的基极及发射极之间，该第八电阻接收该辅助信号，且与该第三NPN双载子接面晶体管的基极电连接。
15.如权利要求14所述的电子镇流器，其特征在于，该第三电容的电容值以及该第七电阻及该第九电阻的电阻值决定预热时间的长短。
电子镇流器
技术领域
[0001] 本申请关于一种电子镇流器，尤指一种具调光、击穿及预热灯丝功能，且为自激式的电子镇流器。
背景技术
[0002] 近年来，由于电力电子技术的大幅进步，电子式镇流器已逐渐取代传统的电磁式镇流器来驱动荧光灯，电子式镇流器除了轻薄短小的设计之外，更进一步提升了荧光灯的发光效率及光照品质。
[0003] 电子镇流器在架构上有多种型态，其中，自激式的电子镇流器由于具有启动快、高发光效率、低成本及架构简单的优点，因此被广泛地应用。然而自激式的电子镇流器却也因先天上的电路结构限制，具有难以对荧光灯进行调光节能的功能及难以对荧光灯的灯丝进行预热的缺点之一，影响使用寿命。
[0004] 因此如何发展一种可改善上述传统技术缺失的一的电子式镇流器，实为目前迫切需要解决的课题。
发明内容
[0005] 本申请的主要目的为提供一种电子镇流器，其可在自激式的电路架构下通过变压器的多个绕组来调整内部开关元件的切换频率，藉此达成发光元件的灯丝预热、击穿及调光功能，进而解决习知自激式的电子镇流器无法对发光元件进行调光及灯丝预热等缺失。
[0006] 为达上述目的，本申请的一实施态样为提供一种电子镇流器，用以驱动至少一发光元件，包含:方波发生器，接收直流输入电压，且具有多个开关元件，以通过多个开关元件切换运作将直流输入电压转换为方波交流电压；变压器，具有相互耦合的驱动绕组及多个感应绕组，其中至少部份该多个感应绕组分别电连接于所对应的开关元件的控制端；谐振电路，与驱动绕组以及发光元件电连接，用以经由驱动绕组接收方波交流电压，并转换为交流输出电压驱动发光元件；以及辅助控制单元，与变压器电连接，用以依据控制信号调整驱动绕组或任一感应绕组上的电压波形，使与每一开关元件电连接的每一感应绕组上的电压波形对应改变，以便调整多个开关元件的切换频率。
附图说明
[0007] 图1：其为本申请一实施例的电子镇流器的电路方块示意图。
[0008] 图2：其为图1所示的电子镇流器的部份电路结构示意图。
[0009] 图3：其为图2所示的电子镇流器的另一变化例。
[0010] 图4：其为图3所示的辅助控制单元的细部电路结构示意图。
[0011] 图5：其为图4所示的方波发生器所包含的任一开关元件其切换频率相对于与交流输出电压在发光元件被击穿前以及被击穿后的增益曲线图。
[0012] 图6：其为图4所示的辅助控制单元的另一变化例。
[0013] 【主要元件符号说明】
[0014] 1：电子镇流器
[0015] 9：发光元件
[0016] 10：方波发生器
[0017] 11：辅助控制单元
[0018] 110：箝位电路
[0019] 1110：分压电路
[0020] 111：延迟电路
[0021] 12：谐振电路
[0022] Q1：第一开关元件
[0023] Q2：第二开关元件
[0024] T1：变压器
[0025] T1-1：驱动绕组
[0026] T1-2：第一感应绕组
[0027] T1-3：第二感应绕组
[0028] T1-4：第三感应绕组
[0029] LR：谐振电感
[0030] CR：谐振电容
[0031] C1～C5：第一电容～第五电容
[0032] R1～R9：第一电阻～第九电阻
[0033] A、B：曲线
[0034] B1：第一NPN双载子接面晶体管
[0035] B2：PNP双载子接面晶体管
[0036] B3：第二NPN双载子接面晶体管
[0037] B4：第三NPN双载子接面晶体管
[0038] VIN：直流输入电压
[0039] Vout：交流输出电压
[0040] VS：交流方波电压
[0041] VMAX：击穿电压
[0042] VDIM：控制讯号
[0043] VCC：辅助信号
[0044] IR：谐振电流
[0045] f1、f2：频率
[0046] G：接地端
具体实施方式
[0047] 体现本申请特征与优点的一些典型实施例将在后段的说明中详细叙述。应理解的是本申请能够在不同的态样上具有各种的变化，然其皆不脱离本申请的范围，且其中的说明及图式在本质上当作说明之用，而非用以限制本申请。
[0048] 请参阅图1，其为本申请一实施例的电子镇流器的电路方块示意图。如图1所示，电子镇流器1接收一直流输入电压VIN，且与至少一发光元件9，例如荧光灯，LED等电连接，电子镇流器1将直流输入电压VIN进行转换，以输出为弦波的一交流输出电压Vout来驱动发光元件9。电子镇流器1主要包含一方波发生器10、一变压器T1、一辅助控制单元11以及一谐振电路
12。方波发生器10接收直流输入电压VIN，且具有多个开关元件，例如第一图所示构成半桥电路的第一开关元件Q1以及第二开关元件Q2，方波发生器10通过第一开关元件Q1以及第二开关元件Q2导通或截止的切换运作而将直流输入电压VIN转换为一交流方波电压VS。当然，于上述实施例中，方波发生器10亦可改具有四个开关元件(未图示)，以构成二桥臂式的全桥电路。
[0049] 变压器T1具有相互耦合的一驱动绕组T1-1以及多个感应绕组，例如图1所示的第一感应绕组T1-2及第二感应绕组T1-3，其中驱动绕组T1-1电连接于方波发生器10的输出端而接收交流方波电压VS，用以产生一方波控制讯号(未图示)，并将方波控制讯号耦合至第一感应绕组T1-2及第二感应绕组T1-3上，第一感应绕组T1-2与第一开关元件Q1的控制端电连接，第二感应绕组T1-3与第二开关元件Q2的控制端电连接，且第一感应绕组T1-2与第二感应绕组T1-3两者的极性彼此相反，第一感应绕组T1-2与第二感应绕组T1-3通过驱动绕组T1-1所耦合的方波控制讯号来分别控第一开关元件Q1以及第二开关元件Q2，使第一开关元件Q1以及第二开关元件Q2以交错的方式进行导通或截止的切换运作。
[0050] 谐振电路12电连接于变压器T1的驱动绕组T1-1及发光元件9之间，且可为但不限于由一谐振电容CR以及一谐振电感LR所构成，谐振电路12经由驱动绕组T1-1接收交流方波电压VS，并通过谐振作用将交流方波电压VS转换为交流输出电压Vout，此外，于谐振电路12进行谐振作用时，会产生交流电的一谐振电流IR流经驱动绕组T1-1，使得驱动绕组T1-1产生用来控制第一开关元件Q1以及第二开关元件Q2作动的该方波控制讯号，并耦合至第一感应绕组T1-2及第二感应绕组T1-3上，以控制第一开关元件Q1以及第二开关元件Q2作动。更甚者，因第一感应绕组T1-2及第二感应绕组T1-3的极性彼此相反，故第一开关元件Q1以及第二开关元件Q2交错地导通或截止，而电子镇流器1亦构成自激式的电子镇流器。
[0051] 辅助控制单元11与变压器T1的驱动绕组T1-1、第一感应绕组T1-2或第二感应绕组T1-3电连接，用以依据一控制讯号(本图未图示)调整与辅助控制单元11电连接的驱动绕组T1-1、第一感应绕组T1-2或第二感应绕组T1-3上的电压波形于谐振电路12进行谐振作用下提前换向，由于驱动绕组T1-1、第一感应绕组T1-2及第二感应绕组T1-3彼此耦合，故驱动绕组T1-1、第一感应绕组T1-2及第二感应绕组T1-3上的电压波形实际上会通过与辅助控制单元11的电连接或是相互耦合而直接或间接地一起提前换向，因此通过辅助控制单元11的控制，用来分别控制第一开关元件Q1及第二开关元件Q2的第一感应绕组T1-2及第二感应绕组T1-3上的电压波形便可改变而提前换向，换言之，即缩短第一感应绕组T1-2及第二感应绕组T1-3上电压波形的周期，藉此提升第一开关元件Q1与第二开关Q2切换频率，使得交流输出电压Vout对应地变化而达到灯丝预热、击穿以及调光等功能。
[0052] 请参阅图2并配合图1，其中图2为图1所示的电子镇流器的部份电路结构示意图。如图2所示，方波发生器10的第一开关元件Q1以及第二开关元件Q2可分别为但不限于由金属氧化物半导体场效应晶体管所构成，其中第一开关元件Q1的集电极接收直流输入电压VIN，第一开关元件Q1的发射极与第二开关元件Q2的集电极电连接，第二开关元件Q2的发射极与接地端G电连接。
[0053] 于本实施例中，谐振电感LR电连接于驱动绕组T1-1的一端及发光元件9之间，谐振电容CR则与发光元件9并联连接，且与谐振电感LR电连接，藉此谐振电感LR与谐振电容CR构成并联谐振，然于一些实施例中，谐振电容CR亦可改串联连接谐振电感LR及发光元件9之间，藉此谐振电感LR与谐振电容CR便构成串联谐振。
[0054] 于本实施例中，变压器T1包含驱动绕组T1-1、第一感应绕组T1-2以及第二感应绕组T1-3，且驱动绕组T1-1、第一感应绕组T1-2以及第二感应绕组T1-3以磁耦合的方式耦合。驱动绕组T1-1与方波发生器10的输出端电连接，且经方波发生器10的输出端与第一开关元件Q1的发射极以及第二开关元件Q2的集电极电连接，第一感应绕组T1-2经由一第一电阻R1与第一开关元件Q1的基极电连接，且第一感应绕组T1-2亦与第一开关元件Q1的发射极电连接，第二感应绕组T1-3经由一第二电阻R2与第二开关元件Q2的基极电连接，第二感应绕组T1-3亦与第二开关元件Q2的发射极电连接。
[0055] 于本实施例中，辅助控制单元11与第一感应绕组T1-2电连接，且经由第一电阻R1与第一开关元件Q1的基极电连接，辅助控制单元11依据所接收的控制信号而直接控制第一感应绕组T1-2上的电压波形提前换向，藉此调整第一开关元件Q1的切换频率，同时，由于第一感应绕组T1-2与第二感应绕组T1-3相互耦合，第二感应绕组T1-3上的电压波形亦间接地被辅助控制单元11控制而提前换向，故第二开关元件Q2的切换频率对应地被调整，使得交流输出电压Vout对应变化而达到灯丝预热、击穿以及调光等功能。
[0056] 于一些实施例中，如图3所示，变压器T1更可具有一第三感应绕组T1-4，第三感应绕组T1-4与接地端G电连接，且以磁耦合的方式与驱动绕组T1-1、第一感应绕组T1-2以及第二感应绕组T1-3耦合，此外，辅助控制单元11改与第三感应绕组T1-4电连接，辅助控制单元11依据所接收的控制信号而直接调整第三感应绕组T1-4上的电压波形提前换向，由于第三感应绕组T1-4与第一感应绕组T1-2以及第二感应绕组T1-3相互耦合，故第一感应绕组T1-2及第二感应绕组T1-3上的电压波形亦间接地被辅助控制单元11控制而提前换向，如此一来，第一开关元件Q1与第二开关元件Q2的切换频率便可通过辅助控制单元11来调整，使得交流输出电压Vout对应地变化而达到灯丝预热、击穿以及调光等功能。
[0057] 以下将进一步说明辅助控制单元11的细部电路结构，且将以图3所示与第三感应绕组T-1-4电连接的辅助控制单元11为示范例来说明。请参阅图4，并配合图3，其中图4为图3所示的辅助控制单元11的细部电路结构示意图。如第3及4图所示，于本实施中，辅助控制单元11包含一箝位电路110(clamping circuit)，箝位电路110与第三感应绕组T1-4电连接，且箝位电路110的输入端接收一控制信号VDIM，其中该控制信号VDIM可由外部输入，也可由内部电路产生。箝位电路110用以依据该控制信号VDIM的大小而对应地控制与辅助控制单元11电连接的绕组，例如第三感应绕组T1-4，上的电压波形，又由于第三感应绕组T1-4与第一感应绕组T1-2以及第二感应绕组T1-3相互耦合，故第一感应绕组T1-2及第二感应绕组T1-3上的电压波形亦间接地受到控制，如此一来，第一开关元件Q1与第二开关元件Q2的切换频率便可通过箝位电路110的调整而改变。
[0058] 箝位电路110主要包含一第一NPN双载子接面晶体管B1以及一PNP双载子接晶体管B2，其中第一NPN双载子接面晶体管B1的基极与箝位电路110的输入端电连接而接收控制信号VDIM，第一NPN双载子接面晶体管B1的基极与发射极之间电连接一第三电阻R3，且第一NPN双载子接面晶体管B1的基极经由第三电阻R3而与接地端G电连接，第一NPN双载子接面晶体管B1的发射极电连接接地端G，第一NPN双载子接面晶体管B1的集电极与PNP双载子接面晶体管B2的基极电连接，PNP双载子接面晶体管B2的发射极通过一第一二极管D1而与第三感应绕组T1-4电连接，其中第一二极管D1的阳极端与第三感应绕组T1-4电连接，第一二极管D1的阴极端则与PNP双载子接面晶体管B2的发射极电连接，PNP双载子接面晶体管B2的发射极与基极间亦电连接一第四电阻R4。
[0059] 如图4所示，箝位电路110更可为但不限于具有一第一电容C1、一第二二极管D2、一第二电容C2以及一分压电路1100，其中第一电容C1电连接于PNP双载子接面晶体管B2的基极及发射极之间，用以滤波。第二电容C2则电连接于第一NPN双载子接面晶体管B1的基极及发射极之间，用以滤波。第二二极管D2与第二电容C2并联连接，用以当第三感应绕组T-1-4上的电压进行换向时，防止第二电容C2被充电而产生较大负电压的情形。分压电路1100与箝位电路110的输入端、第三感应绕组T1-4以及第一NPN双载子接面晶体管B1的基极电连接，且可为但不限于由彼此串联的一第五电阻R5以及第六电阻R6所构成，其中第五电阻R5以及第六电阻R6之间电连接第一NPN双载子接面晶体管B1的基极，箝位电路110的输入端所接收的电压，即控制信号VDIM和感应绕组T1-4上的信号通过分压电路1100提供给第一NPN双载子接面晶体管B1的基极。当第一NPN双载子接面晶体管B1导通时，PNP双载子接面晶体管B2的基极会经导通的第一NPN双载子接面晶体管B1而与接地端G电连接，故PNP双载子接面晶体管B2亦导通，如此一来，第三感应绕组T-1-4上的电压波形便会被接地端G拉低而提前换向，导致周期缩短而频率变高，由于第一感应绕组T1-2及第二感应绕组T1-3与第三感应绕组T-1-4耦合，因此第一感应绕组T1-2以及第二感应绕组T1-3上的电压波形亦提前换向而导致周期缩短以及频率变高，如此一来，第一感应绕组T1-2以及第二感应绕组T1-3便分别控制第一开关元件Q1以及第二开关元件Q2的切换频率升高，从而控制交流输出电压Vout的大小实现发光元件预热，击穿和调光的功能。
[0060] 请参阅图5并配合第3及4图，其中图5为图3所示的方波发生器所包含的任一开关元件其切换频率相对于与交流输出电压在发光元件被击穿前以及被击穿后的增益曲线图。如图所示，当发光元件9尚未被击穿时，方波发生器10内的任一开关元件，例如第一开关元件Q1，的切换频率(f)相对交流输出电压Vout的增益曲线为曲线A。结合曲线A，上电后控制信号VDIM的值相对较大，方波发生器10的工作频率较高(如频率f2)，交流输出电压Vout偏低不至于将发光元件9击穿，因此可对灯丝开始进行预热，经过一段时间后，控制信号VDIM开始降低，当第一开关元件Q1的切换频率到达一特定频率f1使输出电压VOUT到达一击穿电压VMAX，以击穿发光元件9开始发亮，此时第一开关元件Q1的切换频率(f)相对交流输出电压Vout的增益曲线则会改变为曲线B。结合曲线B可知，通过改变控制信号VDIM可以进一步的调整方波发生器10的工作频率，从而调整发光元件9的亮度，例如，当调整控制信号VDIM的值越大时，便可使第三感应绕组T1-4的电压波形越加提前换向，进而驱使第一开关元件Q1及第二开关元件Q2的切换频率相对提高，导致交流输出电压Vout的值越低，是以发光元件9的亮度便越暗。
[0061] 请参阅图6，并配合图5，其中图6为图4所示的辅助控制单元的另一变化例。如图所示，辅助控制单元11通过箝位电路110和延迟电路111来达成发光元件9的灯丝预热和击穿功能，藉此延长发光元件9的使用寿命。
[0062] 延迟电路111与箝位电路110的输入端电连接，用以当电子镇流器1启动而发光元件9尚未被击穿发亮时，接收一控制信号，例如一辅助信号VCC，其中该辅助信号VCC于电子镇流器1启动时对应产生，可用来提供辅助控制单元11内部部份元件运作所需的电源，且延迟电路111更依据辅助信号Vcc驱动箝位电路110开始运作来调整与辅助控制单元11电连接的绕组，例如第三感应绕组T-1-4，上的电压波形于一时间长度内提前换向，藉此于该时间长度内第一感应绕组T1-2以及第二感应绕组T1-3的电压波形亦因耦合关系而提前换向，使第一开关元件Q1以及第二开关元件Q2的切换频率增加，藉此输出电压电平低于击穿电压VMAX的交流输出电压Vout来对发光元件9进行预热，由图5所示的曲线A可得知，当电子镇流器1刚启动而交流输出电压Vout的电平尚未提升至击穿电压VMAX，发光元件9便无法被击穿而发亮，此时，若先调整开关元件，例如第一开关元件Q1以及第二开关元件Q2，切换频率升高，则可使电子镇流器1于刚开始启动时先输出电压电平较小的交流输出电压Vout，藉此对发光元件9的灯丝进行预热，以延长发光元件9的使用寿命。
[0063] 于本实施例中，延迟电路111主要包含一第三电容C3、一第二NPN双载子接面晶体管B3以及一第三NPN双载子接面晶体管B4，其中第三电容C3接收辅助信号VCC且与一第七电阻R7电连接，并经由第七电阻R7与第二NPN双载接面晶体管B3的基极电连接。第二NPN双载子接面晶体管B3的集电极与第三NPN双载子接面晶体管B4的基极及一第八电阻R8电连接，第二NPN双载子接面晶体管B3的发射极与接地端G电连接，第三NPN双载子接面晶体管B4的基极与第八电阻R8电连接，且经第八电阻R8接收辅助信号VCC，第三NPN双载子接面晶体管B4的发射极与接地端G电连接，第三NPN双载子接面晶体管的集电极与箝位电路110的输入端电连接。
[0064] 当电子镇流器1开始运作而辅助信号VCC对应产生时，第三电容C3通过辅助信号VCC进行充电，且辅助信号VCC经由第三电容C3耦合至第二NPN双载子接面晶体管B3的基极，使得第二NPN双载子接面晶体管B3导通，故第三NPN双载子接面晶体管B4的基极会因为第二NPN双载子接面晶体管B3导通而与接地端G电连接，使得第三NPN双载子接面晶体管B4为截止状态，此时，第一NPN双载子接面晶体管B1的基极受第三感应绕组T1-4上的电压控制，当第一NPN双载子接面晶体管B1导通，PNP双载子接面晶体管B2的基极会经导通的第一NPN双载子接面晶体管B1而与接地端G电连接，故PNP双载子接面晶体管B2亦导通，如此一来，第三感应绕组T-1-4上的电压便会被接地端G拉低而提前换向，导致周期缩短而频率变高，由于第一感应绕组T1-2及第二感应绕组T1-3与第三感应绕组T-1-4耦合，因此第一感应绕组T1-2以及第二感应绕组T1-3上的电压亦提前换向而导致周期缩短以及频率变高，故第一开关元件Q1以及第二开关元件Q2的切换频率便升高，使得电子镇流器1输出电压电平较小的交流输出电压Vout避免将发光元件击穿，实现对发光元件9的灯丝预热。
[0065] 当第三电容C3经过该时间长度而通过辅助信号VCC充饱电时，导致辅助信号VCC无法耦合至第二NPN双载子接面晶体管B3的基极，故第二NPN双载子接面晶体管B3切换为截止，此时，第三NPN双载子接面晶体管B4的基极会经由第八电阻R8接收辅助信号VCC，因此第三NPN双载子接面晶体管B4切换为导通，使得第一NPN双载子接面晶体管B1的基极经由箝位电路110的输入端以及导通的第三NPN双载子接面晶体管B4而接地，故第一NPN双载子接面晶体管B1切换为截止，并驱使PNP双载子接面晶体管B2亦切换为截止，故第三感应绕组T-1-4上的电压便会停止被接地端G拉低，因此第一开关元件Q1以及第二开关元件Q2的切换频率并会回复原来状态而对应谐振电路12的谐振作用以击穿发光元件9。
[0066] 于上述实施例中，延迟电路111依据辅助信号VCC驱动箝位电路110开始或停止运作，以实现灯丝预热和击穿功能。第三电容C3的电容值以及第七电阻R7及第九电阻R9的电阻值来决定预热时间的长短。
[0067] 于一些实施例中，延迟电路111更具有一第四电容C4、第五电容C-5以及一第九电阻R9，其中第四电容C4电连接于第二NPN双载子接面晶体管B3的基极与发射极之间，用以滤波。第九电阻R9与第四电容C4并联连接于-第二NPN双载子接面晶体管B3的基极与发射极之间。
第五电容C-5电连接于第三NPN双载子接面晶体管B4的基极与发射极之间，用以滤波。
[0068] 综上所述，本申请的电子镇流器通过变压器内的驱动绕组以及多个感应绕组彼此耦合，且部份感应绕组电连接于方波产生器的多个开关元件的控制端来控制多个开关元件的作动，因此可直接通过调整驱动绕组或其中之一感应绕组上的电压波形来间接控制与开关元件的控制端电连接的感应绕组上的电压波形，藉此调整开关元件的切换频率，以输出不同的交流输出电压给发光元件，藉此在自激式的电路架构下达成发光元件的灯丝预热、击穿及调光功能。
[0069] 本申请得由熟知此技术的人士任施匠思而为诸般修饰，然皆不脱如权利要求所欲保护者。
