一种纵向NPN触发的高维持电压的高压ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由衬底Psub，N埋层，P外延，N下沉阱，高压深N阱，第一N+注入区，第一P+注入区，第二N+注入区，第三N+注入区，多晶硅栅，栅薄氧化层和若干场氧隔离区构成。该保护器件在高压ESD脉冲作用下，内部纵向NPN结构的反向PN结被触发导通，形成并联连接的多条ESD电流泄放路径，可以提高器件的二次击穿电流，降低导通电阻，增强器件的鲁棒性。通过拉升LDMOS器件多晶硅栅的长度，增大NPN结构的基区宽度，以及利用N埋层和N下沉阱，延长器件触发导通后的电流路径，改变器件内部的电场分布，提高器件的耐压能力和维持电压。
1.一种纵向NPN触发的高维持电压的高压ESD保护器件，其特征在于：主要由衬底Psub(101)，N埋层(102)，P外延(103)，第一N下沉阱(104)，高压深N阱(105)，第二N下沉阱(106)，第一N+注入区(107)，第一P+注入区(108)，第二N+注入区(109)，第三N+注入区(110)，第一场氧隔离区(111)、第二场氧隔离区(112)、第三场氧隔离区(113)、第四场氧隔离区(114)、第五场氧隔离区(117)和多晶硅栅(115)及其覆盖的栅薄氧化层(116)构成；
所述N埋层(102)在所述衬底Psub(101)的表面；
所述P外延(103)上从左到右依次设有所述第一场氧隔离区(111)、所述第一N下沉阱(104)、所述高压深N阱(105)及所述第二N下沉阱(106)和所述第五场氧隔离区(117)；
所述第一N下沉阱(104)上设有所述第一N+注入区(107)，所述第一场氧隔离区(111)与所述第一N+注入区(107)相连接；
所述高压深N阱(105)上从左到右依次设有所述第一P+注入区(108)、所述第三场氧隔离区(113)和所述第二N+注入区(109)；
所述第一N+注入区(107)与所述第一P+注入区(108)之间设有所述第二场氧隔离区(112)；
所述第二N下沉阱(106)上设有所述第三N+注入区(110)；
所述第二N+注入区(109)与所述第三N+注入区(110)之间设有所述第四场氧隔离区(114)、所述多晶硅栅(115)和所述栅薄氧化层(116)，所述第四场氧隔离区(114)左半部分位于所述高压深N阱(105)的表面部分区域上，所述第四场氧隔离区(114)右半部分位于所述多晶硅栅(115)的表面部分区域上，所述多晶硅(115)覆盖了全部的所述栅薄氧化层(116)，所述栅薄氧化层(116)横跨在所述高压深N阱(105)和所述P外延(103)的表面部分区域上；
所述第一N+注入区(107)和所述第三N+注入区(110)分别与金属层1的第一金属层(218)和第二金属层(224)相连接，金属层1的所述第一金属层(218)、所述第二金属层(224)与金属层2的第三金属层(225)相连接，并从金属层2的所述第三金属层(225)引出一电极(226)，用作器件的阴极；
所述多晶硅栅(115)与金属层1的第四金属层(223)相连接，并从金属层1的所述第四金属层(223)引出一电极(227)，用作器件的栅极；
所述第一P+注入区(108)、所述第二N+注入区(109)分别与金属层1的第五金属层(219)和第六金属层(220)相连接，金属层1的所述第五金属层(219)、所述第六金属层(220)与金属层2的第七金属层(221)相连接，并从金属层2的所述第七金属层(221)引出一电极(222)，用作器件的阳极；
当器件所述阳极接高压ESD脉冲的高电位，所述阴极和所述栅极接地时，所述高压深N阱(105)、所述P外延(103)、所述N埋层(102)可构成一纵向NPN结构，既能承受高压脉冲冲 击，被触发后又能形成LDMOS、SCR和BJT三结构的ESD电流导通路径，以提高二次击穿电流和维持电压，降低导通电阻；
当器件所述阴极接高压ESD脉冲的高电位，所述阳极和所述栅极接地时，所述第一N下沉阱(104)、所述第二N下沉阱(106)、所述N埋层(102)、所述P外延(103)与所述高压深N阱(105)形成NPN两叉指结构的ESD电流泄放路径，以提高反向脉冲作用下器件的二次击穿电流、降低导通电阻。
2.如权利要求1所述的纵向NPN触发的高维持电压的高压ESD保护器件，其特征在于：利用所述第一N下沉阱(104)、所述第二N下沉阱(106)、所述N埋层(102)、所述P外延(103)和所述高压深N阱(105)，构成了一具有较长导通路径纵向NPN结构的ESD保护器件，以降低表面电场，提高器件的耐高压能力和维持电压。
3.如权利要求1所述的纵向NPN触发的高维持电压的高压ESD保护器件，其特征在于：
本发明实例器件采用0.35μm的BCD高压工艺，所述P外延(103)的厚度为8～10μm，由此既可以防止所述高压深N阱(105)与所述P外延(103)之间的耗尽区和所述P外延(103)与所述N埋层(102)之间的耗尽区重叠，即NPN结构不发生基区穿通，又能保证器件在ESD脉冲来临时及时开启。
4.如权利要求1所述的纵向NPN触发的高维持电压的高压ESD保护器件，其特征在于：
可通过拉长所述多晶硅栅(115)的长度，增大由所述高压深N阱(105)、所述P外延(103)与所述N埋层(102)构成的纵向NPN结构的基区宽度，以提高器件的维持电压。
一种纵向NPN触发的高维持电压的高压ESD保护器件
技术领域
[0001] 本发明属于集成电路的静电保护领域，涉及一种高压ESD保护器件，具体涉及一种纵向NPN触发的高维持电压的高压ESD保护器件，可用于提高片上IC高压ESD保护的可靠性。
背景技术
[0002] LDMOS和VDMOS功率场效应器件是上世纪末迅速发展起来的新型功率器件，随着功率半导体器件的功率、容量不断增加和性能的不断提高，其应用范围也在不断扩大。在高压直流电源，马达传动等低频大功率领域，功率器件更是不可缺少的重要半导体器件。然而，在工程应用过程中，常常会因一些“偶然”因素导致电路功能失效或损坏。经调查，除电路元件老化及短路、断路等易修复的故障因素外，还存在一些不易为人所知的静电放电(ESD)产生的电路故障，即“偶然”失效。要排除这些潜在失效因素，需要在功率器件和电路端口采用适当的静电防护措施。
[0003] 近20年来，人们利用功率器件大电流、耐高压的特性，常采用横向双扩散绝缘栅场效应管(LDMOS)在智能功率IC的输出端口既用作功率趋动管，又用作ESD防护器件。然而，在ESD防护应用中的实践证明，LDMOS器件的ESD保护性能较差，少数LDMOS器件因其栅氧抗击穿能力低，抵抗不了高压ESD脉冲的冲击而被损坏。即使多数LDMOS通过场板技术或降低表面场(RESURF)技术，提高了器件的栅氧抗击穿能力，但是，大部分LDMOS器件仍在高压ESD脉冲作用下，一旦触发回滞，器件就遭到损坏，鲁棒性较弱，达不到国家规定的电子产品要求人体模型不低于2000V的静电防护标准。虽然近年来有人提出了一种SCR-LDMOS两结构相结合的高压ESD保护器件，该器件的鲁棒性与单结构LDMOS的鲁棒性相比，虽得到大幅提高，但维持电压依然偏低，仍存在高触发电压、低维持电压、容易进入闩锁状态的风险。尤其对于一些高压驱动芯片如三相马达正、反转驱动芯片，其高压驱动电路中存在正反向电压，针对这些特殊高压驱动芯片，不但需要对高压驱动电路的正向ESD脉冲予以泄放，而且要求对反向ESD高压脉冲也能够泄放，从而真正降低正、反双向ESD脉冲对高压驱动电路造成功能失效的风险。本发明提供了一种新的技术方案，可以提高器件的耐压能力和维持电压，又能提高二次击穿电流，增强其鲁棒性。
发明内容
[0004] 针对现有技术所存在的上述技术缺陷，本发明实例设计了一种纵向NPN触发的高维持电压的高压ESD保护器件，既充分利用了LDMOS器件能承受高压击穿，以及NPN器件高维持电压的特点，又利用了SCR器件低导通电阻、大电流泄放能力的特点，通过利用N下沉阱、N埋层、P外延和高压N阱版图层次的特殊设计，使器件在高压ESD脉冲作用下，纵向NPN结构中的反向PN结被击穿，形成多条ESD电流泄放路径。且上述特殊设计的版图层次，延长了器件触发后的电流导通路径，改变了器件内部的电场分布，有利于提高器件的耐压能力和维持电压，增大二次击穿电流。可以实现耐高压、高维持电压，低导通电阻、强鲁棒性等ESD保护性能。
[0005] 本发明通过以下技术方案实现：
[0006] 一种纵向NPN触发的高维持电压的高压ESD保护器件，其包括正、反向高压ESD电流泄放路径，以提高二次击穿电流，降低导通电阻。其特征在于：主要由衬底Psub，N埋层，P外延，第一N下沉阱，高压深N阱，第二N下沉阱，第一N+注入区，第一P+注入区，第二N+注入区，第三N+注入区，第一场氧隔离区、第二场氧隔离区、第三场氧隔离区、第四场氧隔离区、第五场氧隔离区和多晶硅栅及其覆盖的栅薄氧化层构成；
[0007] 所述N埋层在所述衬底Psub的表面；
[0008] 所述P外延在所述N埋层上；
[0009] 所述P外延上从左到右依次设有所述第一场氧隔离区、所述第一N下沉阱、所述高压深N阱及所述第二N下沉阱和所述第五场氧隔离区；
[0010] 所述第一N下沉阱上设有所述第一N+注入区，所述第一场氧隔离区与所述第一N+注入区相连接；
[0011] 所述高压深N阱上从左到右依次设有所述第一P+注入区、所述第三场氧隔离区和所述第二N+注入区；
[0012] 所述第一N+注入区与所述第一P+注入区之间设有所述第二场氧隔离区；
[0013] 所述第二N下沉阱上设有所述第三N+注入区；
[0014] 所述第二N+注入区与所述第三N+注入区之间设有所述第四场氧隔离区、所述多晶硅栅和所述栅薄氧化层，所述第四场氧隔离区左半部分位于所述高压深N阱的表面部分区域上，所述第四场氧隔离区右半部分位于所述多晶硅栅的表面部分区域上，所述多晶硅覆盖了全部的所述栅薄氧化层，所述栅薄氧化层横跨在所述高压深N阱和所述P外延上的表面部分区域；
[0015] 所述第一N+注入区、所述第三N+注入区分别与金属层1的第一金属层和第二金属层相连接，金属层1的所述第一金属层、所述第二金属层与金属层2的第三金属层相连接，并从金属层2的所述第三金属层引出一电极，用作器件的阴极；
[0016] 所述多晶硅栅与金属层1的第四金属层相连接，并从金属层1的所述第四金属层引出一电极，用作器件的栅极；
[0017] 所述第一P+注入区、所述第二N+注入区分别与金属层1的第五金属层和第六金属层相连接，金属层1的所述第五金属层、所述第六金属层与金属层2的第七金属层相连接，并从金属层2的所述第七金属层引出一电极，用作器件的阳极。
[0018] 本发明的有益技术效果为：
[0019] (1)本发明实例器件充分利用了SCR开启速度快、二次击穿电流大(强鲁棒性)、导通电阻小与LDMOS耐高压和NPN高维持电压的优点，充分利用所述高压N阱与所述P外延区域中杂质离子浓度不高的特点，可以提高器件的耐高压能力。
[0020] (2)本发明实例器件利用所述第一N下沉阱、所述第二N下沉阱、所述N埋层、所述P外延版图层次的特殊设计，可以构成纵向NPN结构，可以提高器件的耐压能力、降低表面电场，还能延长器件触发导通后的ESD电流泄放路径，提高维持电压。
[0021] (3)与现有技术相比，本发明实例器件不仅可以降低了导通电阻、增强了ESD电流泄放能力，还能实现正、反向ESD脉冲电压的双向防护。改正了以往LDMOS高压保护器件鲁棒性弱、响应速度缓慢、不能及时开启以及单向ESD保护等缺点，可实现高维持电压、强鲁棒性的ESD保护需求。
附图说明
[0022] 图1是本发明实施例的内部结构剖面示意图；
[0023] 图2是本发明实例用于高压ESD保护的电路连接图；
[0024] 图3是本发明实例中正向ESD脉冲作用下的等效电路及其ESD电流泄放路径；
[0025] 图4是本发明实例中反向ESD脉冲作用下的等效电路及其ESD电流泄放路径。
具体实施方式
[0026] 下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
[0027] 本发明实例设计了一种纵向NPN触发的高维持电压的高压ESD保护器件，既充分利用了LDMOS器件耐高压和NPN器件高维持电压的特点，又利用了SCR器件低导通电阻、大电流泄放能力的特点，通过使用N型下沉阱、N型埋层、P型外延层和高压深N阱，构成纵向NPN结构中反向PN结被触发导通的ESD保护器件，且延长了器件触发后的电流导通路径。通过拉长多晶硅栅的长度，提高器件的耐压能力和维持电压，增大二次击穿电流，降低导通电阻。
[0028] 如图1所示的本发明实例器件内部结构的剖面图，一种纵向NPN触发的高维持电压的高压ESD保护器件，其包括正、反向高压ESD电流泄放路径，以提高二次击穿电流，降低导通电阻。其特征在于：主要由衬底Psub 101，N埋层102，P外延103，第一N下沉阱104，高压深N阱105，第二N下沉阱106，第一N+注入区107、第一P+注入区108、第二N+注入区109、第三N+注入区110，第一场氧隔离区111、第二场氧隔离区112、第三场氧隔离区113、第四场氧隔离区114、第五场氧隔离区117和多晶硅栅115及其覆盖的栅薄氧化层116构成。
[0029] 所述N埋层102在所述衬底Psub 101的表面，通过在所述Psub 101上大注入N型掺杂离子形成，其N型杂质离子浓度仅次于所述第一N+注入区107、所述第二N+注入区109、所述第三N+注入区110中的N型杂质离子浓度，有利于将器件内部横向电场变为纵向电场，提高器件的耐压能力。
[0030] 所述P外延103在所述N埋层102上，在所述N埋层102上生长一层厚度为8～10μm的P型外延层，合理控制所述P外延103的厚度，防止因基区穿通造成器件的ESD保护性能失效；所述P外延103中P型杂质离子浓度在P型导电类型的器件版图层次中略高于所述衬底Psub 101，远低于所述第一P+注入区108中P型杂质离子浓度，由此有助于提高器件的耐压能力。
[0031] 所述P外延103上从左到右依次设有所述第一场氧隔离区111、所述第一N下沉阱104、所述高压深N阱105及所述第二N下沉阱106和所述第五场氧隔离区117。
[0032] 所述第一N下沉阱104在所述N埋层102上，通过在所述P外延103的表面部分区域中高能量大注入N型掺杂离子形成，所述第一N下沉阱104中N型杂质离子浓度在N型导电类型的版图层次中仅次于所述N埋层102；所述第一N下沉阱104上设有所述第一N+注入区107，所述第一场氧隔离区111与所述第一N+注入区107相连接。
[0033] 所述高压深N阱105在所述P外延103上，在所述P外延103的表面部分区域中大能量注入N型掺杂离子形成，所述高压深N阱105中的N型杂质离子浓度在N型导电类型的版图层次中为最低，由此可提高器件的耐压能力；所述高压深N阱105上从左到右依次设有所述第一P+注入区108、所述第三场氧隔离区113和所述第二N+注入区109。
[0034] 所述第一N+注入区107与所述第一P+注入区108之间设有所述第二场氧隔离区112，所述高压深N阱105的左侧边缘与所述第一P+注入区108之间的距离约为所述第二场氧隔离区112长度的一半，所述第二场氧隔离区112的横向长度较大，保证所述第一N下沉阱104、所述P外延103与所述高压深N阱105之间不会发生基区穿通。
[0035] 所述第二N下沉阱106与所述第一N下沉阱104采用同一掩膜版，注入能量、注入时间和N型杂质离子浓度完全相同，所述第二N下沉阱106上设有所述第三N+注入区110。
[0036] 所述第二N+注入区109与所述第三N+注入区110之间设有所述第四场氧隔离区114、所述多晶硅栅115和所述栅薄氧化层116，所述第四场氧隔离区114左半部分位于所述高压深N阱105的表面部分区域上，所述第四场氧隔离区114右半部分位于所述多晶硅栅115的表面部分区域上，所述多晶硅115覆盖了全部的所述栅薄氧化层116，所述栅薄氧化层116横跨在所述高压深N阱105和所述P外延103的表面部分区域上；所述多晶硅栅
115的长度较大，一是有助于防止所述高压深N阱105、所述P外延103与所述第二N下沉阱106之间发生基区穿通，二是有助于增大NPN结构的基区宽度，延长ESD电流泄放路径，提高维持电压。
[0037] 如图2所示，所述第一N+注入区107和所述第三N+注入区110分别与金属层1的218、224相连接，所述金属层1的218、224与金属层2的225相连接，并从所述金属层2的225引出一电极226，用作器件的阴极；所述多晶硅栅115与金属层1的(223)相连接、并从所述金属层1的(223)引出一电极(227)，用作器件的栅极；所述第一P+注入区108、所述第二N+注入区109分别与金属层1的219、220相连接，所述金属层1的219、220与金属层2的221相连接，并从所述金属层2的221引出一电极222，用作器件的阳极。
[0038] 如图3所示，当器件所述阳极接高压ESD脉冲的高电位，所述阴极和所述栅极接地时，所述高压深N阱105、所述P外延103、所述N埋层102可构成一纵向NPN结构，当高压ESD脉冲超过所述高压深N阱105与所述P外延103界面处反向PN结的击穿电压时，图3中虚线椭圆框内的T1、T2、T3寄生晶体管的集电结被击穿，器件被触发导通，形成图3中三条带箭头的ESD电流路径，即形成LDMOS、SCR和BJT三结构同时开启的ESD电流导通路径，可提高二次击穿电流和维持电压，降低导通电阻。
[0039] 如图4所示，当器件所述阴极接高压ESD脉冲的高电位，所述阳极和所述栅极接地时，高压ESD脉冲高于所述N埋层102与所述P外延103界面处的反向PN结的击穿电压时，图4中虚线椭圆框内的T4、T5晶体管集电结被触发导通，形成由所述第一N下沉阱104、所述第二N下沉阱106、所述N埋层102、所述P外延103与所述高压深N阱105构成NPN两叉指结构的ESD电流泄放路径，可提高器件反向脉冲的二次击穿电流、降低导通电阻，具有强鲁棒性。
[0040] 利用所述第一N下沉阱104、所述第二N下沉阱106、所述N埋层102、所述P外延103和所述高压深N阱105，构成了一具有较长导通路径纵向结构的ESD保护器件，降低了表面电场，可提高器件的耐高压能力和维持电压。
[0041] 通过拉长所述多晶硅栅115的横向长度，增大由所述高压深N阱105、所述P外延103与所述N埋层102构成的NPN结构的基区宽度，提高器件的维持电压。
[0042] 本发明实例器件采用0.35μm的BCD高压工艺，本发明实例器件中所述P外延103的厚度为8～10μm，由此既可以防止所述高压深N阱105与所述P外延103之间的耗尽区和所述P外延103与所述N埋层102之间的耗尽区重叠，即NPN结构不发生基区穿通，又能保证器件在ESD脉冲来临时及时开启。
[0043] 最后说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
