一种心电信号基线校准方法及装置转让专利

申请号 : CN201210587558.5

文献号 : CN103006204B

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基本信息:

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法律信息:

相似专利:

发明人 : 卓豫

申请人 : 重庆康如来科技有限公司

摘要 :

本发明实施例提供一种心电信号基线校准方法,根据相邻两个基线位置的差值序列DBD和相邻两个基线位置对应的心电原始数据差值序列DEBD,获得标准参考电压值EcgV,利用标准参考电压值EcgV进行基线位置校准;还提供一种心电信号基线校准装置;本发明在基线位置识别后,通过相邻基线位置关系与位置间的原始心电数据间的关系获得标准参考电压值,利用标准参考电压值进行基线位置校准,避免了发生异常情况导致的基线漂移和定位发生偏差,对后续检测带来较大影响的情况出现。

权利要求 :

1.一种心电信号基线校准方法,其特征在于,根据相邻两个基线位置的差值序列DBD和相邻两个基线位置对应的心电原始数据差值序列DEBD,获得标准参考电压值EcgV,利用标准参考电压值EcgV进行基线位置校准;

所述利用标准参考电压值EcgV进行基线位置校准,包括基线位置虚警检准,包括以下步骤:

401、假设i=0;

402、判断前后相邻两个基线位置的差值序列之比是否在[0.8,1.2]范围内,若否,进入步骤403,若是,则不用校准,i=i+1,重复步骤402;

403、计算第一局部参考电压值EcgVi1和第二局部参考电压值EcgVi2;

所述计算第一局部参考电压值EcgVi1,即计算BaseData[i]与BaseData[i+1]之间的原始心电数据与该相邻两个基线位置处心电数据平均值之差的绝对值最大值;

所述计算第二局部参考电压值EcgVi2,即计算BaseData[i+1]与BaseData[i+2]之间的原始心电数据与该相邻两个基线位置处心电数据平均值之差的绝对值最大值;

其中,BaseData[i]表示基线位置序列BaseData中序号为i的基线位置,BaseData[i+1]表示基线位置序列BaseData中序号为i+1的基线位置,BaseData[i+2]表示基线位置序列BaseData中序号为i+2的基线位置;

404、根据EcgVi1与EcgV的比值关系和EcgVi2与EcgV的比值关系,分情况进行基线位置校准。

2.根据权利要求1所述心电信号基线校准方法,其特征在于,所述根据相邻两个基线位置的差值序列DBD和相邻两个基线位置对应的心电原始数据差值序列DEBD,获得标准参考电压值EcgV,包括:

301、假设i=0;

302、判断是否相邻两个基线位置的心电原始数据差值序列DEBD[i]绝对值小于0.2mv并且DBD[i]在0.3×F到3×F之间,如果否,则i=i+1,重复步骤302;否则,进入步骤303;

其中,F表示心电数据采样率;

303、依次计算BaseData[i]到BaseData[i+1]之间的原始心电数据与BaseData[i]处原始数据之间的差值绝对值,该序列表示为差值绝对值序列;其中,BaseData[i]表示基线位置序列BaseData中序号为i的基线位置,BaseData[i+1]表示基线位置序列BaseData中序号为i+1的基线位置;

304、从差值绝对值序列中寻找最大值,将该最大值设为标准参考电压值EcgV。

3.根据权利要求1所述心电信号基线校准方法,其特征在于,所述根据EcgVi1与EcgV的比值关系和EcgVi2与EcgV的比值关系,分情况进行基线位置校准,包括以下情形的其中任意一种:

1)判断若EcgVi1与EcgV之比大于1.2或小于0.8,而EcgVi2与EcgV之比在0.8到

1.2之间,则删除第i点基线标记,i=i+2,回到步骤402,直到所有基线位置校准完;

2)判断若EcgVi1与EcgV之比在0.8到1.2之间,而EcgVi2与EcgV之比大于1.2或小于0.8,则不需对第i个基线位置校准,i=i+1,回到步骤402,直到所有基线位置校准完;

3)判断若EcgVi1与EcgV之比在0.8到1.2之间,并且EcgVi2与EcgV之比在0.8到

1.2之间,则不校准,i=i+2,回到步骤402,直到所有基线位置校准完。

4.根据权利要求1所述心电信号基线校准方法,其特征在于,所述利用标准参考电压值EcgV进行基线位置校准,包括基线位置漏警检准,包括以下步骤:

501、假设i=0;

502、求在BaseData[i]与BaseData[i+1]之间的原始心电数据绝对值大于0.8倍EcgV的波峰或波谷的个数,并记下这些波峰或波谷的位置,简称峰谷位置;

503、依次对找到的相邻两个峰谷位置之间的原始心电数据求差分绝对值,得到差分绝对值序列;

504、求所述差分绝对值序列最小值点位置,设为iNew,将BaseData的第i+1位后面的数据全部后移一位,并把该最小值点位置作为新的基线点插入BaseData序列中,即BaseData[i]=iNew,返回步骤503,直到在502步骤中得到的峰谷位置全部处理完;

505、i=i+1,返回步骤502,直到所有基线位置校准完;

其中,BaseData[i]表示基线位置序列BaseData中序号为i的基线位置,BaseData[i+1]表示基线位置序列BaseData中序号为i+1的基线位置。

5.一种心电信号基线校准装置,包括与中央控制模块相连接的数据输入模块、FIFO缓冲模块、基线校准模块、数据输出模块,其特征在于:所述基线校准模块,用于对心电信号基线位置进行校准,包括与缓存单元相连接的差分计算单元、校准实施单元、最值计算单元和判断比较单元;

所述缓存单元,用于缓存所述FIFO缓冲模块传送来的数据供所述差分计算单元、校准实施单元、最值计算单元和判断比较单元计算使用,并缓存计算后的数据;

所述差分计算单元,用于计算相邻两个基线位置的差值,计算相邻两个基线位置对应的心电原始数据差值,计算原始心电数据与BaseData[i]处原始数据之间的差值绝对值,将计算数据存储在所述缓存单元中;其中,BaseData[i]表示基线位置序列BaseData中序号为i的基线位置;

所述最值计算单元,用于计算差值绝对值序列的最大值或最小值,获得标准参考电压值EcgV;

所述判断比较单元,用于判断是否相邻两个基线位置的心电原始数据差值序列DEBD[i]绝对值小于0.2mv并且DBD[i]在0.3×F到3×F之间;其中,F表示心电数据采样率;

所述校准实施单元,用于利用标准参考电压值EcgV进行基线位置校准,采用基线位置虚警检准策略,包括:比值计算单元,用于计算前后相邻两个基线位置的差值序列之比;计算第一局部参考电压值EcgVi1与EcgV的比值;计算第二局部参考电压值EcgVi2与EcgV的比值;

所述第一局部参考电压值EcgVi1由所述差分计算单元计算,即计算BaseData[i]与BaseData[i+1]之间的原始心电数据与该相邻两个基线位置处心电数据平均值之差的绝对值;

所述第二局部参考电压值EcgVi2由所述差分计算单元计算,即计算BaseData[i+1]与BaseData[i+2]之间的原始心电数据与该相邻两个基线位置处心电数据平均值之差的绝对值;

所述判断比较单元还用于判断EcgVi1与EcgV的比值是否在0.8到1.2之间和判断EcgVi2与EcgV的比值是否在0.8到1.2之间,判断是否所有基线位置校准完;

其中,BaseData[i+1]表示基线位置序列BaseData中序号为i+1的基线位置,BaseData[i+2]表示基线位置序列BaseData中序号为i+2的基线位置。

6.根据权利要求5所述心电信号基线校准装置,其特征在于,所述校准实施单元采用基线位置漏警检准策略,包括:所述判断比较单元还用于在BaseData[i]与BaseData[i+1]之间的原始心电数据绝对值大于0.8倍EcgV的波峰或波谷的个数,记录波峰或波谷的位置,简称峰谷位置;判断峰谷位置是否全部处理完;判断是否所有基线位置校准完;其中,BaseData[i+1]表示基线位置序列BaseData中序号为i+1的基线位置;

所述差分计算单元还用于对找到的相邻两个峰谷位置之间的原始心电数据求差分绝对值,得到差分绝对值序列;

所述最值计算单元还用于求所述差分绝对值序列最小值点位置,设为iNew,将BaseData的第i+1位后面的数据全部后移一位,并把该最小值点位置作为新的基线点插入BaseData序列中,即BaseData[i]=iNew。

说明书 :

一种心电信号基线校准方法及装置

技术领域

[0001] 本发明涉及生物医学工程领域,特别涉及一种心电信号基线校准方法及装置。

背景技术

[0002] 心脏周围的组织和体液都能导电,心脏好比电源,无数心肌细胞动作电位变化的总和可以传导并反映到体表,在体表很多点之间存在着电位差,也有很多点彼此之间无电位差是等电的,心脏在每个心动周期中,由起搏点、心房、心室相继兴奋,伴随着生物电的变化,这些生物电的变化称为心电。
[0003] 心电信号是人体心脏发出的微弱信号,心电检测是重要的医疗检测手段,心电信号采集的目的是得到较为状态下的心电信号,理论上,心电信号基线一般是电位差为零的一段平整信号,但在心电图的记录过程中,由于电极电阻变化、电极的极化电位变化、心电放大器的直流偏置漂移、人体呼吸或其他肌肉缓慢运动等原因,实际采集的信号中基线位置的电位差并不为零,甚至发生不规则的基线漂移,如基线忽高忽低,上斜或下斜等。在心电信号分析中电压的计算和波的起止点均要参考其前后基线,基线不准确会对后续各波电压的计算和各波的起止点寻找带来很大问题,如电压计算误差大、波的起止点寻找误差大等。
[0004] 由于在一个心动周期中,基线段一般会有两段,第一段是在P波之前,第二段是在P波和QRS波之间,若心电信号非常理想且无病理性病变,甚至还有第三段是在QRS波与T波之间的基线,所以在基线位置识别时,尤其是对基线位置直接进行识别时,会导致一个心动周期会出现若干个基线位置,在实际应用中,第三段基线位置一般不要,要剔除(这些要剔除的基线位置检出在本发明阐述中简称为“虚警”),第一段与第二段的基线位置保留一个即可,再有,由于一些基线识别是在R检波之后进行的,但是当有R波漏检,也会导致基线漏检,或者由于心电信号较差,基线直接识别会产生漏检(这些未能检出而应该检出的基线在本发明阐述中简称为“漏警”)。因此,有必要对识别出的基线位置专门进行校准。

发明内容

[0005] 为了解决上述问题,本发明公开了一种心电信号基线校准方法及装置,在基线识别后消除基线识别中的虚警和漏警。
[0006] 本发明提供一种心电信号基线校准方法,根据相邻两个基线位置的差值序列DBD和相邻两个基线位置对应的心电原始数据差值序列DEBD,获得标准参考电压值EcgV,利用标准参考电压值EcgV进行基线位置校准。
[0007] 优选地,所述根据相邻两个基线位置的差值序列DBD和相邻两个基线位置对应的心电原始数据差值序列DEBD,获得标准参考电压值EcgV,包括:
[0008] 301、假设i=0;
[0009] 302、判断是否相邻两个基线位置的心电原始数据差值序列DEBD[i]绝对值小于0.2mv并且DBD[i]在0.3×F到3×F之间,如果否,则i=i+1,重复步骤302;否则,进入步骤303;其中,F表示心电数据采样率;
[0010] 303、依次计算BaseData[i]到BaseData[i+1]之间的原始心电 数据与BaseData[i]处原始数据之间的差值绝对值,该序列表示为差值绝对值序列;其中,BaseData[i]表示基线位置序列BaseData中序号为i的基线位置,BaseData[i+1]表示基线位置序列BaseData中序号为i+1的基线位置;
[0011] 304、从差值绝对值序列中寻找最大值,将该最大值设为标准参考电压值EcgV。
[0012] 本发明提供一种心电信号基线校准装置,包括与中央控制模块相连接的数据输入模块、FIFO缓冲模块、基线校准模块、数据输出模块,所述基线校准模块,用于对心电信号基线位置进行校准,包括与缓存单元相连接的差分计算单元、校准实施单元、最值计算单元和判断比较单元;
[0013] 所述缓存单元,用于缓存所述FIFO缓冲模块传送来的数据供所述差分计算单元、校准实施单元、最值计算单元和判断比较单元计算使用,并缓存计算后的数据;
[0014] 所述差分计算单元,用于计算相邻两个基线位置的差值,计算相邻两个基线位置对应的心电原始数据差值,计算原始心电数据与BaseData[i]处原始数据之间的差值绝对值,将计算数据存储在所述缓存单元中;其中,BaseData[i]表示基线位置序列BaseData中序号为i的基线位置;
[0015] 所述最值计算单元,用于计算序列的最大值或最小值,获得标准参考电压值EcgV;
[0016] 所述判断比较单元,用于判断是否相邻两个基线位置的心电原始数据差值序列DEBD[i]绝对值小于0.2mv并且DBD[i]在0.3×F到3×F之间;其中,F表示心电数据采样率;
[0017] 所述校准实施单元,用于利用标准参考电压值EcgV进行基线位置校准。
[0018] 本发明在基线位置识别后,通过相邻基线位置关系与位置间的原始心电数据间的关系获得标准参考电压值,利用标准参考电压值进行基线位置校准,避免了发生异常情况因基线漂移而定位发生偏差,对后续检测带来较大影响的情况出现。

附图说明

[0019] 为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域的普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020] 图1为本发明心电信号基线校准方法优选实施例流程示意图;
[0021] 图2为本发明心电信号基线校准装置优选实施例结构示意图;
[0022] 图3为本发明心电信号基线校准装置基线校准模块优选实施例结构示意图。

具体实施方式

[0023] 为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明作进一步地详细说明。显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,均属于本发明保护范围。
[0024] 本发明的基线校准是基于基线识别已经完成,在原始心电序列EcgData中确定了基线位置序列BaseData,进而对基线位置进行校准。
[0025] 原始心电序列EcgData记录的是原始心电电压值,单位为mv,其值可能为正、为负或为零,其长度为L。
[0026] 所述基线位置序列BaseData是记录了原始心电序列EcgData中被确定为基线位置的数据的下标值,其值取值范围为从0到L-1,也即是说基线位置的值是从0到L-1中的不重复的一些数值,假设基线位置序列的长度为L’,那么0≤L’≤L-1。本发明中BaseData[i]表示原始心电序列的某个位置,可在该位置读出相应的原始心电电压值,其中
0≤i≤L’。
[0027] 所述基线识别可以在R检波后进行识别,也可直接进行识别(在检波之前进行识别),识别具体方法和流程本发明无特别限定。
[0028] 本发明一种心电信号基线校准方法,根据相邻两个基线位置的差值序列DBD和相邻两个基线位置对应的心电原始数据差值序列DEBD,获得标准参考电压值EcgV,利用标准参考电压值EcgV进行基线位置校准。
[0029] 作为本发明一个实施例,如图1所示,所述心电信号基线校准方法,具体包括:
[0030] 201、计算相邻两个基线位置的差值序列DBD
[0031] 计算相邻两个基线位置的差值得到相邻两个基线位置的差值序列DBD;相邻两个基线位置依次计算,获得整个基线位置BaseData的相邻两个基线位置的差值序列。通过以上计算,可以获得相邻两个基线位置的差值序列DBD,其可以表示为一个数组,包括L’-1个元素,分别表示为DBD[0]、DBD[1],…,DBD[L’-2]。
[0032] 202、计算相邻两个基线位置对应的心电原始数据差值序列DEBD[0033] 计算相邻两个基线位置的心电原始数据差值,得到相邻两个基线位置的心电原始数据差值序列DEBD;相邻两个基线位置依次计算,获得整个原始心电序列EcgData的相邻两个基线位置的差值序列。通过以上计算,可以获得相邻两个基线位置的心电原始数据差值序列DEBD,其可以表示为一个数组,包括L’-1个元素;分别表示为DEBD[0]、DEBD[1],…,DEBD[L’-2]。
[0034] 特别说明的是,上述计算相邻两个基线位置的差值序列DBD与计算相邻两个基线位置对应的心电原始数据差值序列DEBD在执行顺序无特别限定,既可先计算DBD后计算DEBD,也可以先计算DEBD后计算DBD,甚至可以同时进行。本发明中DEBD[i]表示相邻两个基线位置对应的心电原始数据差值序列DEBD中序号为i的相邻两个基线位置对应的心电原始数据差值,DBD[i]表示相邻两个基线位置的差值序列DBD中序号为i的相邻两个基线位置的差值。
[0035] 203、根据DBD和DEBD获得标准参考电压值EcgV;
[0036] 204、利用标准参考电压值EcgV进行基线位置校准。
[0037] 本实施例通过计算DBD和DEBD,并根据DBD和DEBD标准参考电压值EcgV,利用标准参考电压值EcgV进行基线位置校准,计算复杂度低,计算准确度高,具有较广泛的应用前景。
[0038] 作为本发明一个实施例,所述根据DBD和DEBD获得标准参考电压值EcgV,具体包括:
[0039] 301、假设i=0;
[0040] 302、判断是否相邻两个基线位置的心电原始数据差值序列DEBD[i]绝对值小于0.2mv并且DBD[i]在0.3×F到3×F之间,如果否,则i=i+1,重复步骤302;否则,进入步骤303;其中,F表示心电数据采样率;
[0041] 本实施例通过设置DEBD[i]绝对值小于0.2mv并且DBD[i]在0.3×F到3×F之间的参数范围,确保选择的一段数据中,相邻基线位置对应的原始心电数据电压差距较小,并且相邻基线位置距离适中,确保在该段数据中去获得的标准参考电压值具有与心电的实际电压一致或者误差最小。
[0042] 303、依次计算BaseData[i]到BaseData[i+1]之间的原始心电 数据与BaseData[i]处原始数据之间的差值绝对值,该序列表示为差值绝对值序列;
[0043] 304、从差值绝对值序列中寻找最大值,将该最大值设为标准参考电压值EcgV。
[0044] 作为本发明一个实施例,所述利用标准参考电压值EcgV进行基线位置校准,包括基线位置虚警检准,即:
[0045] 401、假设i=0;
[0046] 402、判断前后相邻两个基线位置的差值序列之比(DBD[i]/DBD[i+1])是否在[0.8,1.2]范围内,若否,进入403,若是,则不用校准,i=i+1,重复步骤402;
[0047] 403、计算第一局部参考电压值EcgVi1和第二局部参考电压值EcgVi2;
[0048] 所述计算第一局部参考电压值EcgVi1,即计算BaseData[i]与BaseData[i+1]之间的原始心电数据与该相邻两个基线位置处(即BaseData[i]与BaseData[i+1]处)心电数据平均值之差的绝对值最大值;
[0049] 所述计算第二局部参考电压值EcgVi2,即计算BaseData[i+1]与BaseData[i+2]之间的原始心电数据与该相邻两个基线位置处(即BaseData[i+1]与BaseData[i+2]处)心电数据平均值之差的绝对值最大值。
[0050] 以上第一局部参考电压值和第二局部参考电压值的计算,使得不但考虑本相邻两个基线位置,而且考虑下个相邻两个基线位置,有效消除了邻近相信位置的基线位置干扰。
[0051] 404、根据EcgVi1与EcgV的比值关系和EcgVi2与EcgV的比值关系,分情况进行基线位置校准,具体包括以下情况中的任意一种;
[0052] 1)判断若EcgVi1与EcgV之比大于1.2或小于0.8,而EcgVi2与EcgV之比在0.8到1.2之间,则删除第i点基线标记(可以通过BaseData[i]=0表示),i=i+2,回到步骤402,直到所有基线位置校准完;
[0053] 2)判断若EcgVi1与EcgV之比在0.8到1.2之间,而EcgVi2与EcgV之比大于1.2或小于0.8,则不需对第i个基线位置校准,i=i+1,回到步骤402,直到所有基线位置校准完;
[0054] 3)判断若EcgVi1与EcgV之比在0.8到1.2之间,并且EcgVi2与EcgV之比在0.8到1.2之间,则不校准,i=i+2,回到步骤402,直到所有基线位置校准完;
[0055] 所述EcgVi1为BaseData[i]与BaseData[i+1]两点间的心电数据与原始心电数据与本相邻两个基线位置心电数据平均值之差的绝对值最大值;
[0056] 所述EcgVi2为原始心电数据在BaseData[i+1]与BaseData[i+2]两点的心电数据平均值与BaseData[i+1]与BaseData[i+2]两点的心电数据之差的绝对值最大值。
[0057] 本发明巧妙的根据获得标准参考电压值EcgV以及基线之间原始数据电压最值是否与EcgV相近来消除第一段基线检出和第三段基线检出,只保留第二段基线检出,实验测试表明虚警校准效果满足应用要求。
[0058] 作为本发明一个实施例,所述利用标准参考电压值EcgV进行基线位置校准,包括基线位置漏警检准,即:
[0059] 501、假设i=0;
[0060] 502、求在BaseData[i]与BaseData[i+1]之间的原始心电数据绝对值大于0.8倍EcgV的波峰或波谷的个数,并记下这些波峰或波谷的位置(简称峰谷位置);
[0061] 特别说明的是,对一个波形信号,在两个位置之间寻找波峰或波谷为本领域常用技术手段,不再详述。
[0062] 503、依次对找到的相邻两个峰谷位置之间的原始心电数据求差分绝对值,得到差分绝对值序列(序列的下标与原始心电数据下标相同);
[0063] 所述相邻两个峰谷位置可能为以下情况中的任意一种,两个波峰位置或者两个波谷位置或者一个波峰位置与一个波谷位置。
[0064] 504、求上步骤所述差分绝对值序列最小值点位置(设为iNew),将BaseData的第i+1位后面的数据全部后移一位,并把该最小值点位置作为新的基线点插入BaseData序列中(BaseData[i]=iNew),返回503,直到在502步骤中得到的峰谷位置全部处理完;
[0065] 505、i=i+1,返回步骤502,直到所有基线位置校准完。
[0066] 由于一些基线识别是在R检波之后进行的,可能存在R波漏检,导致基线漏检,或者由于心电信号较差,基线直接识别会产生漏检,这些未能检出而应该检出的基线在本发明阐述中简称为“漏警”,本发明巧妙运用获得的标准参考电压值EcgV以及基线之间原始数据电压最值与EcgV相近的峰谷个数来重新检出漏检的基线,从而消除漏警,实验测试结果同样表明漏警校准效果满足应用要求。
[0067] 作为本发明一个实施例,所述利用标准参考电压值EcgV进行基线位置校准,包括基线位置虚警检准和基线位置漏警检准
[0068] 所述基线位置虚警检准采用401至404的步骤;
[0069] 所述基线位置漏警检准采用501至505的步骤;
[0070] 特别说明的是,本实施例中的基线位置虚警检准和基线位置漏警检准在执行顺序上无特定限定,即既可以先进行基线位置虚警检准,再进行基线位置漏警检准,也可以先进行基线位置漏警检准,再进行基线位置虚警检准。
[0071] 作为本发明一个实施例,本发明提供一种心电信号基线校准装置,如图2所示,包括与中央控制模块84相连接的数据输入模块80、FIFO缓冲模块82、基线校准模块86、数据输出模块88;
[0072] 所述数据输入模块80用于获取原始心电序列EcgData和基线位置序列BaseData,将获取的数据存入FIFO缓冲模块82;其既可以是心电数据和基线数据采集装置,也可以是存储有心电序列离线数据和基线位置序离线数据的外部设备,本发明对此不作限定。
[0073] 特别地,所述数据输入模块80包括电平控制单元,当电平控制单元处于低电平时,所述数据输入模块80不获取数据,当电平控制单元处于高电平时,所述数据输入模块80获取数据;当需要接收数据时,电平控制单元由低电平变为高电平,获取数据。
[0074] 所述FIFO缓冲模块82,用于缓冲存储原始心电序列数据和基线位置序列数据,数据位数大于原始心电序列数据位数或基线位置序列数据至少一位,FIFO缓冲长度不小于2048;当心电信号基线校准装置启动时,FIFO缓冲区数据位全置为0,每个数据位数可选10位、16位、24位或者32位等。
[0075] 所述中央控制模块84、用于在心电信号基线校准装置启动时控制其他模块初始化,设置FIFO缓冲长度,控制基线校准模块86进行基线校准,当数据处理完后控制FIFO缓冲模块82把FIFO缓冲区后半段数据传输给数据输出模块,传送完毕后把FIFO缓冲区后半段数据位置为0。
[0076] 所述数据输出模块88,接收述FIFO缓冲模块82传来的数据并发送出去;并同时把触发端口从低电平改为高电平;
[0077] 所述基线校准模块86,用于对心电信号基线位置进行校准;
[0078] 优选地,所述基线校准模块86,如图3所示,包括与缓存单元86a相连接的差分计算单元86b、校准实施单元86c、最值计算单元86d和判断比较单元86e
[0079] 所述缓存单元86a,用于缓存所述FIFO缓冲模块82传送来的数据供所述差分计算单元86b、校准实施单元86c、最值计算单元86d和判断比较单元86e计算使用,并缓存计算后的数据等;
[0080] 所述差分计算单元86b用于计算相邻两个基线位置的差值,计算相邻两个基线位置对应的心电原始数据差值,计算原始心电数据与BaseData[i]处原始数据之间的差值绝对值,将计算数据存储在缓存单元86a中;
[0081] 所述最值计算单元86d,用于计算序列的最大值或最小值,获得标准参考电压值EcgV。
[0082] 所述判断比较单元86e,用于判断判断是否相邻两个基线位置的心电原始数据差值序列DEBD[i]绝对值小于0.2mv并且DBD[i]在0.3×F到3×F之间,其中,F表示心电数据采样率。
[0083] 所述校准实施单元86c用于利用标准参考电压值EcgV进行基线位置校准。
[0084] 优选地,所述校准实施单元86c采用基线位置虚警检准策略,进一步包括:
[0085] 比值计算单元,用于前后相邻两个基线位置的差值序列之比;计算EcgVi1与EcgV的比值;计算EcgVi2与EcgV的比值
[0086] 所述差分计算单元86b还用于计算第一局部参考电压值EcgVi1,即计算BaseData[i]与BaseData[i+1]之间的原始心电数据与该相邻两个基线位置处(即BaseData[i]与BaseData[i+1]处)心电数据平均值之差的绝对值;计算第二局部参考电压值EcgVi2,即计算BaseData[i+1]与BaseData[i+2]之间的原始心电数据与该相邻两个基线位置处(即BaseData[i+1]与BaseData[i+2]处)心电数据平均值之差的绝对值;
[0087] 所述判断比较单元86e用于判断EcgVi1与EcgV的比值是否在0.8到1.2之间和判断EcgVi2与EcgV的比值是否在0.8到1.2之间,判断是否所有基线位置校准完[0088] 优选地,所述校准实施单元86c采用基线位置漏警检准策略,进一步包括:
[0089] 所述判断比较单元86e用于在BaseData[i]与BaseData[i+1]之间的原始心电数据绝对值大于0.8倍EcgV的波峰或波谷的个数,记录波峰或波谷的位置(简称峰谷位置);判断峰谷位置是否全部处理完;判断是否所有基线位置校准完;
[0090] 所述差分计算单元86b用于对找到的相邻两个峰谷位置之间的原始心电数据求差分绝对值,得到差分绝对值序列;
[0091] 所述最值计算单元86d,求所述差分绝对值序列最小值点位置(设为iNew),BaseData的第i+1位后面的数据全部后移一位,并把该最小值点位置作为新的基线点插入BaseData序列中(BaseData[i]=iNew)。
[0092] 在应用时,用户只需把原始心电序列和基线位置序列发送给该心电信号基线校准装置的数据输入部分,然后从该心电信号基线校准装置的数据输出部分接受原始心电序列和与之相应的校正后的基线位置序列,使用极其简便,并且可用于实时基线识别时实时校正,为后续心电信号分析简单化奠定良好基础和为后续分析正确性提供良好的保证。
[0093] 以上所举实施例,对本发明的目的、技术方案和优点进行了进一步的详细说明,所应理解的是,以上所举实施例仅为本发明的优选实施方式而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内对本发明所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。