窄间距线路的形成方法

摘要

本发明公开一种窄间距线路的形成方法，其包括下列步骤：于一基板上依序形成一第一金属层及一保护层；使用一第一光罩图案化该第一金属层及该保护层，以形成一第一金属线与位于其上的一图案化保护层；形成一第二金属层于该基板及该图案化保护层上；使用一第二光罩图案化该第二金属层，以形成一第二金属线，其中该第二金属线邻近该第一金属线；以及去除该第一金属在线的图案化保护层。根据本发明的方法可将走线以窄间距形成于同一层，并避免走线容易断线的问题。

权利要求

1.一种窄间距线路的形成方法，其特征在于，其包括下列步骤：于一基板上依序形成一第一金属层及一保护层；

使用一第一光罩图案化该第一金属层及该保护层，以形成一第一金属线与位于其上的一图案化保护层；

形成一第二金属层于该基板及该图案化保护层上；

使用一第二光罩图案化该第二金属层，以形成一第二金属线，其中该第二金属线邻近该第一金属线；以及去除在该第一金属线上的图案化保护层；其中：使用该第一光罩图案化的步骤包括下列步骤：形成一光阻层于该保护层上；

透过该第一光罩对该光阻层曝光；

显影该曝光后的光阻层，以形成一图案化光阻层；

依序蚀刻未被该图案化光阻层覆盖的该保护层及该第一金属层；以及剥离该图案化光阻层；以及

使用该第二光罩图案化的步骤包括下列步骤：形成一光阻层于该第二金属层上；

透过该第二光罩对该光阻层曝光；

显影该曝光后的光阻层，以形成一图案化光阻层；

蚀刻未被该图案化光阻层覆盖的该第二金属层；以及剥离该图案化光阻层。

2.如权利要求1所述的窄间距线路的形成方法，其特征在于，蚀刻该第一金属层时具有一第一侧蚀刻量，蚀刻该第二金属层时具有一第二侧蚀刻量，且该第一侧蚀刻量与该第二侧蚀刻量相同。

3.如权利要求1所述的窄间距线路的形成方法，其特征在于，形成该第一金属线与该第二金属线，使该第一金属线与该第二金属线之间具有一间距，该间距小于所述第一光罩图案化步骤所能达到的最小线距和/或所述第二光罩图案化步骤所能达到的最小线距。

4.如权利要求1所述的窄间距线路的形成方法，其特征在于，该第一金属层与该第二金属层由相同的金属材料所制成。

说明书

窄间距线路的形成方法

技术领域

[0001] 本发明是有关于一种显示器的布线方法，特别有关于一种窄边框显示器的线路布线方法。

背景技术

[0002] 轻薄且大画面已成为显示器的主流，因此对于具有窄边框(narrow bezel)设计的显示器的需求日益增加。然而，随着显示器的分辨率增加，在显示区域外的扫描线及数据线的数量也变的更多。因此，在显示器边框变窄但走线的数量又增加的情况下，如何在狭窄空间中的走线设计就成为了制造厂商的难题。

[0003] 又因曝光机台的解析能力限制，线与线之间的最小距离有一定的限制，故无法将全部的走线设计在同一层。因此，有人提出了双层走线(dual trace)的架构。请参照图1，图1绘示公知技术中的具有双层走线的显示器示意图。液晶基板10的主动区域12周围具有多条走线20，该些走线20连接于驱动芯片14与主动区域12内的主动组件之间。该些走线20包括数据线及驱动线。无论是数据线或是驱动线，所谓的双层走线即是在两相邻的走线20分别位于不同层，如图1右侧的局部剖面放大图所示。借着此设计，两相邻走线20之间的距离可非常靠近，因此可减少主动区域12周围的空间，而达到窄边框产品的要求。

[0004] 然而，由于位于上层的走线20的保护层25厚度较薄，因此保护层25容易破裂而造成断线。另外，如图1所示，由于两相邻走线20非常靠近，可能造成保护层25披覆性不佳，容易形成裂痕，这也容易造成保护层25破裂，同样地造成上层走线20断线。

[0005] 此外，虽然制作上下层的走线20的材料及制程参数一样，但由于上下层走线20是形成在不同层，可能会因制程变异而产生上下层的走线20具有不一样的线宽，此即造成上下层的走线20具有不同的阻抗，而可能造成画面产生条纹的缺陷。

[0006] 有鉴于此，有必要对现有技术进行改良，以克服公知双层走线造成的断线且画面产生条纹缺陷的问题。

发明内容

[0007] 有鉴于此，本发明的目的在于提供一种窄间距线路的形成方法，以改善公知双层走线造成的断线且画面产生条纹缺陷的问题。

[0008] 为达上述的目的，本发明提出一种窄间距线路的形成方法，其包括下列步骤：于一基板上依序形成一第一金属层及一保护层；使用一第一光罩图案化该第一金属层及该保护层，以形成一第一金属线与位于其上的一图案化保护层；形成一第二金属层于该基板及该图案化保护层上；使用一第二光罩图案化该第二金属层，以形成一第二金属线，其中该第二金属线邻近该第一金属线；以及去除该第一金属在线的图案化保护层。

[0009] 于一较佳实施例中，使用该第一光罩图案化的步骤包括下列步骤：形成一光阻层于该保护层上；透过该第一光罩对该光阻层曝光；显影该曝光后的光阻层，以形成一图案化光阻层；依序蚀刻未被该图案化光阻层覆盖的该保护层及该第一金属层；以及剥离该图案化光阻层。

[0010] 于此较佳实施例中，使用该第二光罩图案化的步骤包括下列步骤：形成一光阻层于该第二金属层上；透过该第二光罩对该光阻层曝光；显影该曝光后的光阻层，以形成一图案化光阻层；蚀刻未被该图案化光阻层覆盖的该第二金属层；以及剥离该图案化光阻层。

[0011] 于此较佳实施例中，蚀刻该第一金属层时具有一第一侧蚀刻量，蚀刻该第二金属层时具有一第二侧蚀刻量，且该第一侧蚀刻量与该第二侧蚀刻量相同。在另一较佳实施例中，该第一侧蚀刻量与该第二侧蚀刻量相似。

[0012] 于此较佳实施例中，形成该第一金属线与该第二金属线，使该第一金属线与该第二金属线之间具有一间距，该间距小于上述图案化步骤所能达到的最小线距。于此较佳实施例中，该第一金属层与该第二金属层由相同的金属材料所制成。

[0013] 相对于公知技术，本发明透过两道光罩制程将第一金属线及第二金属线形成于同一层上，克服曝光机台的线距限制，而达到窄边框的要求。此外，由于第一金属线及第二金属线形成于同一层上，因此克服了公知双层走线容易断线的问题。也因第一金属线及第二金属线皆形成于同一层上，因此制程较易控制，而可达成相同的线宽，而解决了公知由于线宽不同造成的条纹缺陷。

[0014] 为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

附图说明

[0015] 图1绘示公知技术中的具有双层走线的显示器示意图。

[0016] 图2为本发明第一较佳实施例的窄间距线路的形成方法的流程图。

[0017] 图3绘示步骤S10的示意图。

[0018] 图4绘示步骤S20的示意图。

[0019] 图5为本实施例的使用该第一光罩图案化的流程图。

[0020] 图6为图5的流程示意图。

[0021] 图7绘示步骤S30的示意图。

[0022] 图8绘示步骤S40的示意图。

[0023] 图9为本实施例中使用该第二光罩图案化的流程图。

[0024] 图10为图9的流程示意图。

[0025] 图11绘示步骤S50的示意图。

[0026] 【主要组件符号说明】

[0027] 10 液晶基板 12 主动区域[0028] 14 驱动芯片 20 走线

[0029] 25 保护层 100 基板

[0030] 120、120’ 光阻层 122、122’ 图案化光阻层[0031] 140 第一光罩 160 第二光罩

[0032] 200 第一金属层 210 第一金属线

[0033] 300 保护层 310 图案化保护层

[0034] 400 第二金属层 410 第二金属线

[0035] D 间距 E1 第一侧蚀刻量[0036] E2 第二侧蚀刻量

[0037] S10～S50 步骤

[0038] S21～S25 步骤

[0039] S41～S45 步骤

具体实施方式

[0040] 以下将配合附图来详细说明本发明的窄间距线路的形成方法的较佳实施例。请参照图2，图2为本发明一较佳实施例的窄间距线路的形成方法的流程图。本发明较佳实施例的窄间距线路的形成方法开始于步骤S10。请一并参照图3，图3绘示步骤S10的示意图。

[0041] 于步骤S10中，于一基板100上依序形成一第一金属层200及一保护层300，然后进行步骤S20。具体来说，第一金属层200可利用物理气相沈积方式或化学气相沈积方式形成。接着，在该第一金属层200上涂布该保护层300。

[0042] 请一并参照图4，图4绘示步骤S20的示意图。于步骤S20中，使用一第一光罩(请参照图6)图案化该第一金属层200及该保护层300，以形成一第一金属线210与位于其上的一图案化保护层310，然后进行步骤S30。

[0043] 以下将详细介绍步骤S20中使用该第一光罩图案化的步骤。请参照图5及图6，图5为本实施例的使用该第一光罩图案化的流程图，图6为图5的流程示意图。使用该第一光罩图案化的步骤开始于步骤S21。

[0044] 在步骤S21中，形成一光阻层120于该保护层300上，然后进行步骤S22。在步骤S22中，透过该第一光罩140对该光阻层120曝光，然后进行步骤S23。在步骤S23中，显影该曝光后的光阻层120，以形成一图案化光阻层122，然后进行步骤S24。在步骤S24中，依序蚀刻未被该图案化光阻层122覆盖的该保护层300及该第一金属层200，然后进行步骤S25。在步骤S25中，剥离该图案化光阻层122，最终如图4所示。

[0045] 请一并参照图7，图7绘示步骤S30的示意图。在步骤S30中，形成一第二金属层400于该基板100及该图案化保护层310上，然后进行步骤S40。同样地，该第二金属层400可利用物理气相沈积方式或化学气相沈积方式形成。

[0046] 请一并参照图8，图8绘示步骤S40的示意图。于步骤S40中，使用一第二光罩(请参照图10)图案化该第二金属层400，以形成一第二金属线410，其中该第二金属线410邻近该第一金属线210，然后进行步骤S50。

[0047] 以下将详细介绍步骤S40中使用该第二光罩图案化的步骤。请参照图9及图10，图9为本实施例中使用该第二光罩图案化的流程图，图10为图9的流程示意图。使用该第二光罩图案化的步骤开始于步骤S41。

[0048] 在步骤S41中，形成一光阻层120’于该第二金属层400上，然后进行步骤S42。在步骤S42中，透过该第二光罩160对该光阻层120’曝光，然后进行步骤S43。在步骤S43中，显影该曝光后的光阻层120’，以形成一图案化光阻层122’，然后进行步骤S44。在步骤S44中，蚀刻未被该图案化光阻层122’覆盖的该第二金属层400，然后进行步骤S45。在步骤S45中，剥离该图案化光阻层122’，最终如图8所示。

[0049] 请一并参照图11，图11绘示步骤S50的示意图。在步骤S50中，去除该第一金属线210上的图案化保护层310，而完成窄间距线路的制作。值得一提的是，由于该第一金属线210与该第二金属线410并非使用一道光罩制程同时形成于同一层，该第一金属线210与该第二金属线410之间具有一间距D，且该间距D可小于上述图案化步骤所能达到的最小线距，即上述曝光机台所能达到的最小线距。较佳地，该间距D小于1.5微米。

[0050] 需注意的是，该第一金属层200与该第二金属层400由相同的金属材料所制成。因此，在步骤S24中的蚀刻该第一金属层200时具有一第一侧蚀刻量E1；在步骤S44中蚀刻该第二金属层400时具有一第二侧蚀刻量E2，且该第一侧蚀刻量E1与该第二侧蚀刻量E2相同。由上可知，该第一金属线210与该第二金属线410具有相同线宽，因此有相同电阻，而解决公知条纹的问题。

[0051] 然而，在其它实施例中，该第一金属层200与该第二金属层400由相似的金属材料所制成。更进一步来说，该第一金属层200与该第二金属层400分别的片电阻(sheet resistance)相似。另外，在步骤S24中的蚀刻该第一金属层200时具有一第一侧蚀刻量E1；在步骤S44中蚀刻该第二金属层400时具有一第二侧蚀刻量E2，且该第一侧蚀刻量E1与该第二侧蚀刻量E2相似。由上可知，该第一金属线210与该第二金属线410具有相似线宽，而同样可在同一层上形成较为相同的线宽，藉此克服公知产生条纹缺陷的问题。

[0052] 综上所述，本发明透过两道光罩制程将第一金属线210及第二金属线410形成于同一层上，克服曝光机台的线距限制，而达到窄边框的要求。此外，由于第一金属线210及第二金属线410形成于同一层上，因此克服了公知双层走线容易断线的问题。也因第一金属线210及第二金属线410皆形成于同一层上，因此制程较易控制，而可达成相同的线宽，而解决了公知由于线宽不同造成的条纹缺陷。

[0053] 虽然本发明已用较佳实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视前述的申请专利范围所界定者为准。