发光二极管封装构造及其制造方法转让专利
申请号 : CN201210329729.4
文献号 : CN103078041B
文献日 : 2015-02-25
发明人 : 包锋 , 崔军 , 项丹 , 汪虞 , 陈乾 , 赵冬冬 , 黄中朋 , 郭桂冠
申请人 : 苏州日月新半导体有限公司
摘要 :
权利要求 :
1.一种发光二极管封装构造,其特征在于:所述发光二极管封装构造包含:一承载件,具有至少二引脚,所述至少二引脚中的至少一个引脚上具有至少一封胶卡挚结构;
一发光二极管芯片,放置于所述承载件的引脚上,且电性连接至所述承载件的引脚;以及一透光胶体,覆盖所述发光二极管芯片以及至少部分所述承载件,连结所述承载件的所有引脚,并填充于所述封胶卡挚结构;
所述承载件为一钉架,所述钉架包含一第一引脚与一第二引脚,其中所述发光二极管芯片放置于所述第一引脚上;
所述第一引脚为一T型结构,所述第二引脚为一U型或一I型结构;
所述第一引脚与第二引脚之间具有一间隙,所述透光胶体覆盖部分所述第一引脚与所述第二引脚并填充至所述间隙,且所述第一引脚与第二引脚曝露于所述透光胶体的底部;
所述封胶卡挚结构为至少一通孔;
所述通孔的截面为圆形、半圆形、长方形或三角形;
所述封胶卡挚结构的面积不小于所述承载件上表面的面积的30%。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装构造,其特征在于:所述封胶卡挚结构为至少一凹槽和至少一通孔,所述凹槽的截面为半圆形、长方形或三角形。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装构造,其特征在于:所述通孔的面积不小于所述承载件上表面的面积的10%。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装构造,其特征在于:所述透光胶体为一体成型结构。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装构造,其特征在于:所述承载件的各引脚具有至少一个锯齿状半蚀刻边缘。
6.一种发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述发光二极管封装结构的制造方法包含步骤:提供一承载件,具有至少二引脚,所述至少二引脚中的至少一个引脚上形成至少一封胶卡挚结构;
放置一发光二极管芯片于所述承载件的引脚上,并电性连接至所述承载件的引脚;
将一预制透光体放置于所述承载件的引脚上,并与所述承载件之间形成一容置空间,以容置所述发光二极管芯片;以及将一透光胶体材料注入所述容置空间内以连接并固定所述预制透光体与所述承载件以形成一透光胶体,其中所述透光胶体覆盖所述发光二极管芯片以及至少部分所述承载件,连结所述承载件的所有引脚,并填充于所述封胶卡挚结构。
说明书 :
发光二极管封装构造及其制造方法
技术领域
背景技术
载件的不透光封胶体的凹穴内,经过电性连接后再一次利用透光胶体将发光二极管芯片封
装在承载件的不透光封胶体的凹穴内。而此种方式工艺复杂,且制造成本较高,并且由于两次封装而导致封装胶体之间以及封装胶体与承载件之间的结合性较差,降低了封装的可靠
性。
发明内容
片放置于所述承载件的引脚上,且电性连接至所述承载件的引脚。所述透光胶体覆盖所述
发光二极管芯片以及至少部分所述承载件,连结所述承载件的所有引脚,并填充于所述封
胶卡挚结构内。
件的引脚上,并电性连接至所述承载件的引脚。随后,将所述承载件以及所述发光二极管芯片放置于一模具内。将一透光胶体材料注入所述模具内以形成一透光胶体,其中所述透光
胶体覆盖所述发光二极管芯片以及至少部分所述承载件,连结所述承载件的所有引脚,并
填充于所述封胶卡挚结构。
载件的引脚上,并电性连接至所述承载件的引脚。随后,将一预制透光体放置于所述承载件上,并与所述承载件之间形成一容置空间,以容置所述发光二极管芯片。之后,将一透光胶体材料注入所述容置空间内以连接并固定所述预制透光体与所述的承载件以形成一透光
胶体,其中所述透光胶体覆盖所述发光二极管芯片以及至少部分所述承载件,连结所述承
载件的所有引脚,并填充于所述封胶卡挚结构。
需预先进行一道不透光封胶的工艺,因此本发明不但可简化封装工艺,降低封装成本,还可以使得承载件与透光胶体的结合性更强,提高了发光二极管封装构造的可靠性。
附图说明
具体实施方式
光二极管封装构造的承载件的俯视图。请同时参照图1至图4所示,本发明一实施例的发
光二极管封装构造100主要包含承载件110、发光二级管芯片120、透光胶体130以及导线
140。
数个锯齿状半蚀刻边缘115。本实施例中的封胶卡挚结构114包含位于第一引脚111上的
通孔1141以及位于第二引脚112上的凹槽1142,所说的通孔是指贯穿整个承载件上下表面
的结构,所说的凹槽是指不贯穿承载件的任何具有高度低于承载件表面的结构。通常,锯齿状半蚀刻边缘115不受透光胶体130所覆盖。锯齿状半蚀刻边缘115可以减小切割工艺中
切割刀的损耗,同时避免在切割过程中承载件110变形。
线140以及承载件110的上表面,连结所述承载件110的所有引脚111、112,并且填入间隙
113、通孔1141以及凹槽1142中。第一引脚111与第二引脚112于承载件110的下表面曝
露出来作为发光二极管封装构造的端子。由此可以增加透光胶体130与承载件110的结合
强度,增加发光二极管封装构造100的可靠性。
承载件110的空间利用率,亦即减小了设置承载件110所需的二维平面尺寸。在其他实施
方式中,第二引脚112也可以为一I型结构。
他透光胶材。透光胶体130覆盖发光二极管芯片120、导线140以及承载件110的上表面,
连结所述承载件110的所有引脚111、112,并且填入间隙113、通孔1141以及凹槽1142中;
必要时,该透光胶体130的各侧表面以及其填入间隙113部份的下表面皆可进一步涂上一
层反射层,以减少漏光现像。
或者第一引脚111与第二引脚112于间隙113所曝露出的侧面。封胶卡挚结构114可以是
一个或者多个,亦可仅位于第一引脚111或第二引脚112其中之一上,例如仅包含一个通孔
1141或凹槽1142也可同时包含多个通孔1141或凹槽1142。本实施例中通孔1141或凹槽
1142分别位于第一引脚111与第二引脚112上,此种方式可以避免降低承载件的机械强度,
但是通孔1141或凹槽1142亦可换位设置。
截面。凹槽1142具有一长方形截面,且并未贯通承载件110的第二引脚112的上下表面,也
就是说凹槽的截面为垂直于承载件110的上表面的截面,请参考图4中的Z-Z截面。但是于
其他实施方式中,通孔1141与凹槽1142分别可以设计为其他几何形状的截面,例如图5是
本发明一实施例发光二极管封装构造沿Z-Z方向的凹槽1142的局部剖视图以及通孔1141
的局部上视图,其中通孔1141可以设计为圆形、半圆形、长方形或三角形,凹槽1142分别可以设计为半圆形、长方形或三角形,其同样可以达到封胶卡挚结构114所具有的功效,另外通孔1141的截面的边数越多,其与胶体的接触面及越大,其卡挚效果越好,如五角星形。较佳的,封胶卡挚结构114的面积不小于承载件110的上表面的面积的30%,此时封胶卡挚结
构114能较大程度的增加承载件110与透明封胶130的结合强度,此处所说的封胶卡挚结
构114的面积是指在承载件110上表面开槽和/或者开孔的面积,封胶卡挚结构114的面
积有以下几种情况:一个是指在承载件110上表面一个通孔1141的面积或多个通孔1141
的面积之和,第二个是指一个凹槽1142的面积或者多个凹槽1142的面积之和,第三个是指
通孔1141(一个或多个)与凹槽1142(一个或多个)的面积之和。并且,封胶卡挚结构114
是否贯穿承载件110也可以依据不同的设计需要进行调整,较佳的,通孔1141的面积(即
在承载件110上表面一个通孔1141的面积或者多个通孔1141的面积之和)不小于承载件
110的上表面的面积的10%。此外,为了达到较好的卡挚效果,凹槽的深度需要设置为不小于承载件110厚度的1/3,例如是承载件110厚度的1/2。
于承载件110的第一引脚111伸入第二引脚112中的一区块上,并通过导线140电性连接
至承载件110。然后,将由承载件110、发光二极管芯片120以及导线140组成的半成品一
起放入一模具200内。
封胶卡挚结构114中形成透光胶体130,而后再去除模具200,以形成发光二极管封装结构
100。
载件110的第一引脚111伸入第二引脚112中的一区块上,并通过导线140电性连接至承
载件110。然后,将一由透光胶体材料制成的预制透光体131放置于承载件110上并与承载
件110之间形成一个容置空间300,其中发光二极管芯片120以及导线140位于容置空间
300内。
以及封胶卡挚结构114中,同时连接预制透光体131与承载件110,并与预制透光体131结
合形成透光胶体130从而形成发光二极管封装结构100。本实施例中,通过将由承载件110、发光二极管芯片120以及导线140组成的半成品倒置(未绘示),透光胶体材料可以自承载
件110的下表面透过间隙113注入容置空间300内,本实施例的制造方法无需模具,简化了
工艺。
构造通过在承载件上设置封胶卡挚结构并且无需预先封装承载件,其确实可以有效提高承
载件与透光胶体之间的结合强度、简化封装工艺并降低封装成本。