电子零件内置基板

摘要

本发明提供一种能够尽量避免因内置在基板中的弹性波滤波器的空心盖的变形而对该弹性波滤波器的滤波器功能部产生功能异常或损伤等的电子零件内置基板。本发明的电子零件内置基板中，具有滤波器功能部由空心盖(12b)覆盖这种构造的SAW滤波器(12)内置在基板(11)中，并且设置着与该SAW滤波器(12)的空心盖(12b)介隔所述基板(11)的绝缘体层(11c)而对向的应力缓和层(11d3)。

权利要求

1.一种电子零件内置基板，其特征在于：以空心盖朝上的方式，将具有滤波器功能部由所述空心盖覆盖这种构造的弹性波滤波器内置在所述基板中，且设置着与所述弹性波滤波器的空心盖介隔所述基板的绝缘体层而对向的应力缓和层。

2.根据权利要求1所述的电子零件内置基板，其特征在于：所述应力缓和层与所述弹性波滤波器的空心盖实质上平行。

3.根据权利要求1或2所述的电子零件内置基板，其特征在于：所述应力缓和层的杨氏模数的值高于所述绝缘体层的杨氏模数的值。

4.根据权利要求1所述的电子零件内置基板，其特征在于：所述应力缓和层是由设置在所述绝缘体层的导体层的一部分而构成。

5.根据权利要求4所述的电子零件内置基板，其特征在于：所述应力缓和层与包含在所述导体层中的配线连续。

6.根据权利要求4所述的电子零件内置基板，其特征在于：所述应力缓和层与包含在所述导体层中的配线不接触而孤立。

7.根据权利要求1所述的电子零件内置基板，其特征在于：所述应力缓和层是由材料与设置在所述绝缘体层的导体层不同的层状物而构成，且与包含在该导体层中的配线不接触而孤立。

8.根据权利要求1所述的电子零件内置基板，其特征在于：所述弹性波滤波器包含与所述空心盖连接的至少一个接地端子。

说明书

电子零件内置基板

技术领域

[0001] 本发明涉及一种电子零件内置在基板中的电子零件内置基板，尤其涉及一种具有滤波器功能部由空心盖覆盖这种构造的弹性波滤波器内置在基板中的电子零件内置基板。

背景技术

[0002] 作为高频滤波器被关注的弹性波滤波器、例如利用表面声波(Surface Acoustic Wave)的SAW滤波器、或利用体声波(Bulk Acoustic Wave)的BAW滤波器等因尺寸较大，故一般情况下被安装在基板的上表面(参照下述专利文献1)，但随着晶片级封装(wafer level package)技术的进步所带来的弹性波滤波器的小型化，最近进行了与电容器、电感器或寄存器等小型电子零件同样地将弹性波滤波器内置在基板中的尝试。

[0003] 然而，弹性波滤波器通常具有滤波器功能部由空心盖覆盖这种构造，故如果将该弹性波滤波器内置在基板中，则可能会产生如下不良状况。

[0004] 例如，在将弹性波滤波器以其空心盖朝上的方式内置在基板中的情况下，电子零件内置基板成为在该弹性波滤波器的上侧至少包含绝缘体层的构成。在该电子零件内置基板的上表面除了安装小型电子零件外还适当安装IC(Integrated Circuit，集成电路)芯片等大型电子零件，但在这些电子零件的安装步骤或安装前后的步骤等中会对电子零件内置基板的上表面施加向下的外力，如果基于该外力产生的向下的应力作用在弹性波滤波器的空心盖上，则该空心盖压碎变形而有可能对滤波器功能部产生功能异常或损伤等。

[0005] [背景技术文献]

[0006] [专利文献]

[0007] [专利文献1]日本专利特开2011-176061号公报

发明内容

[0008] [发明所要解决的问题]

[0009] 本发明的目的在于提供一种能够尽量避免因内置在基板中的弹性波滤波器的空心盖的变形而对该弹性波滤波器的滤波器功能部产生功能异常或损伤等的电子零件内置基板。

[0010] [解决问题的技术手段]

[0011] 为了达成所述目的，本发明系一种电子零件内置基板，其特征在于：其中内置着具有滤波器功能部由空心盖覆盖这种构造的弹性波滤波器，且设置着与所述弹性波滤波器的空心盖介隔所述基板的绝缘体层而对向的应力缓和层。

[0012] [发明的效果]

[0013] 根据本发明，由于设置着与弹性波滤波器的空心盖介隔基板的绝缘体层而对向的应力缓和层，因此即使在将电子零件安装在电子零件内置基板中的步骤或其前后步骤等中对该电子零件内置基板施加外力，且基于该外力产生的应力欲作用于弹性波滤波器的空心盖，也能够由应力缓和层阻止缓和该应力，由此可确实地抑制弹性波滤波器的空心盖压碎而变形，确实地防止因该变形而对滤波器功能部产生功能异常或损伤等。

[0014] 本发明的所述目的及其以外的目的、构成特征、作用效果根据以下说明及附图而明确。

附图说明

[0015] 图1(A)是本发明的第一实施方式的电子零件内置基板的主要部分纵剖视图；图1(B)是用以说明图1(A)所示的电子零件内置基板中的SAW滤波器与应力缓和层的位置关系等的图。

[0016] 图2(A)是图1(A)所示的SAW滤波器的俯视图；图2(B)是表示图2(A)所示的SAW滤波器的滤波器功能部的构成的图。

[0017] 图3(A)及图3(B)是可以代替图1(A)所示的SAW滤波器而使用的其他SAW滤波器的俯视图。

[0018] 图4(A)是本发明的第二实施方式的电子零件内置基板的主要部分纵剖视图；图4(B)是用以说明图4(A)所示的电子零件内置基板中的SAW滤波器与应力缓和层的位置关系等的图。

[0019] 图5(A)是图4(A)所示的SAW滤波器的俯视图；图5(B)是表示图5(A)所示的SAW滤波器的滤波器功能部的构成的图。

[0020] 图6(A)是本发明的第三实施方式的电子零件内置基板的主要部分纵剖视图；图6(B)是用以说明图6(A)所示的电子零件内置基板中的SAW滤波器与应力缓和层的位置关系等的图。

[0021] 图7(A)是本发明的第四实施方式的电子零件内置基板的主要部分纵剖视图；图7(B)是用以说明图7(A)所示的电子零件内置基板中的SAW滤波器与应力缓和层的位置关系等的图。

[0022] [符号的说明]

[0023] 11 基板

[0024] 11a 芯层

[0025] 11a1 收容部

[0026] 11b 零件固定部

[0027] 11c、11e、11g、11i 绝缘体层

[0028] 11d、11f、11h、11j 导体层

[0029] 11d1、11f1、11h1、11j1 配线

[0030] 11d2、11f2、11h2 导体通道

[0031] 11d3、11d4 应力缓和层

[0032] 12、12-1、12-2、12-3 SAW滤波器

[0033] 12a 滤波器主体

[0034] 12b 空心盖

[0035] 12c～12e 端子

[0036] 12f 密封部

具体实施方式

[0037] 《第一实施方式》

[0038] 图1(A)、图1(B)、图2(A)及图2(B)表示本发明的第一实施方式(电子零件内置基板)，图中的符号11为多层构造的基板，符号12为内置在基板11中的SAW滤波器。另外，图1(A)是表示沿着图1(B)的A-A线的截面的图，该图1(A)中省略了SAW滤波器12的截面的图示。

[0039] 如图1(A)所示，基板11包括：芯层11a，其中贯通形成着大致长方体状的收容部11a1；零件固定部11b，设置在收纳于收容部11a1内的SAW滤波器12与该收容部11a1的内壁的间隙中；第一绝缘体层11c，设置在芯层11a的上表面(第一主面)；第一导体层11d，设置在第一绝缘体层11c的上表面；第二绝缘体层11e，设置在第一导体层11d的上表面；
第二导体层11f，设置在第二绝缘体层11e的上表面；第三绝缘体层11g，设置在芯层11a的下表面(第二主面)；第三导体层11h，设置在第三绝缘体层11g的下表面；第四绝缘体层
11i，设置在第三导体层11h的下表面；以及第四导体层11j，设置在第四绝缘体层11i的下表面。

[0040] 芯层11a包含铜或铜合金等金属，其厚度处于例如100～400μm的范围内。零件固定部11b包含环氧树脂、聚酰亚胺、双马来酰亚胺三嗪树脂或其等中含有加强用填料而成者等热固性塑料。各绝缘体层11c、11e、11g及11i包含环氧树脂、聚酰亚胺、双马来酰亚胺三嗪树脂或其等中含有加强用填料而成者等热固性塑料，其厚度处于例如10～30μm的范围内。各导体层11d、11f、11h及11j包含铜或铜合金等金属，其厚度处于例如5～25μm的范围内。

[0041] 各导体层11d、11f、11h及11j中，用作信号配线或接地配线的配线11d1、11f1、11h1及11j1经二维图案化。而且，对于第一导体层11d中所含的接地用配线11d1，如下文详细叙述般，与SAW滤波器12的各空心盖12b的上表面隔着第一绝缘层11c而对向的应力缓和层11d3与该接地用配线11d1连续设置。

[0042] 各绝缘体层11c、11e、11g及11i中，设置着与配线11d1、11f1、11h1及11j1连续或未连续的导体通道11d2、11f2及11h2(省略配线11j1的导体通道的图示)。各导体通道11d2、11f2及11h2包含铜或铜合金等金属，其最大直径处于例如10～30μm的范围内。

[0043] 在配线11d1、11f1、11h1或11j1的相互间隙、及配线11d1、11f1、11h1或11j1与非连续型的导体通道11d2、11f2或11h2的焊接点部分的间隙中，填充着环氧树脂、聚酰亚胺、双马来酰亚胺三嗪树脂或其等中含有加强用填料而成者等热固性塑料。

[0044] 如图1(A)及图2(A)所示，SAW滤波器12具有包含钽酸锂或铌酸锂等的压电体的大致长方体状的滤波器主体12a、形成在滤波器主体12a的上表面的滤波器功能部(无符号)、覆盖滤波器功能部的三个空心盖12b、输入端子12c(第一端子)、输出端子12d(第二端子)、三个接地端子12e(第三端子)、以及设置在滤波器主体12a的上表面的密封部12f，且整体形成大致长方体状。如果例示一种形态，则将三个接地端子12e中的至少两个接地端子12e(图2(A)中央的两个接地端子12e)连接到空心盖12b。

[0045] 如图2(B)所示，滤波器功能部例如具有包含串联的三个共振器RE以及与其并联的两个共振器RE的阶梯型构成，各共振器RE包含梳齿状电极及配置在该电极两侧的反射器。

[0046] 各空心盖12b包含与滤波器主体12a的上表面接合的大致矩形框状的密封环(省略图示)、以及与该密封环接合且覆盖其上表面开口的盖板(省略图示)，且各自的高度处于例如10～30μm的范围内。密封环及盖板包含铜、镍、金或其等的合金等金属。也就是说，SAW滤波器12具有如下构造：滤波器功能部由各空心盖12b覆盖，该滤波器功能部配置在由各空心盖12b形成的中空部内。

[0047] 密封部12f以覆盖各空心盖12b的方式设置在滤波器主体12a的上表面，各端子12c～12e从该密封部12f的上表面露出。密封部12f包含液晶聚合物、间规聚苯乙烯、聚苯硫醚、聚醚醚酮或聚醚腈等高耐湿性的热塑性塑料，各空心盖12b上的厚度处于例如10～
50μm的范围内。

[0048] 该SAW滤波器12是以覆盖滤波器功能部的各空心盖12b朝上，且其上表面与芯层11a的上表面成为大致同一平面的方式而收纳在收容部11a1内，且由第一绝缘体层11c覆盖密封部12f的上表面。而且，SAW滤波器12的输入端子12c是经由导体通道11d2而与露出在基板11的上表面的导体通道11f2连接，虽省略了图示，但输出端子12d也是经由导体通道11d2而与露出在基板11的上表面的导体通道11f2连接。进而，SAW滤波器12的各接地端子12e是经由导体通道11d2而与应力缓和层11d3连接。

[0049] 此处，引用图1(A)及图1(B)说明图1(A)所示的电子零件内置基板中的SAW滤波器12与应力缓和层11d3的位置关系等。

[0050] 应力缓和层11d3具有比SAW滤波器12的上表面轮廓大的大致矩形轮廓，且与第一导体层11d中所含的接地用配线11d1连续。该应力缓和层11d3是由第一导体层11d的一部分而构成，因此该应力缓和层11d3包含与配线11d1(第一导体层11d)相同的金属，其厚度也与配线11d1(第一导体层11d)大致相同。

[0051] 也就是说，应力缓和层11d3包含与配线11d1(第一导体层11d)相同的金属，因此该应力缓和层11d3的杨氏模数(纵向弹性模数)的值高于第一绝缘体层11c及第二绝缘体层11e(均为塑料制造)的杨氏模数的值。

[0052] 而且，应力缓和层11d3中包含分别连接在SAW滤波器12的输入端子12c及输出端子12d的导体通道11d2及其周围的环状间隙，但该应力缓和层11d3隔开间隔与SAW滤波器12的三个空心盖12b的大致整个上表面区域大致平行地对向，所述间隔大致相当于第一绝缘体层11c的厚度与密封部12f的空心盖12b上的部分的厚度的和。

[0053] 另外，在图1(A)所示的电子零件内置基板的上表面，除了安装电容器、电感器或寄存器等小型电子零件以外，还适当安装IC芯片等大型电子零件。如果在这些电子零件的安装步骤或其前后步骤等中对电子零件内置基板的上表面施加如图1(A)中由空心箭头所示的外力，则基于该外力产生的向下的应力欲作用于SAW滤波器12的各空心盖12b。

[0054] (效果1)但是，所述电子零件内置基板中，由于在第一绝缘体层11c的上侧设置着与SAW滤波器12的各空心盖12b的上表面对向的应力缓和层11d3，因此即使所述向下的应力欲作用于SAW滤波器12的各空心盖12b，也能够由应力缓和层11d3阻止缓和该向下的应力，由此可确实地抑制SAW滤波器12的各空心盖12b压碎而变形，确实地防止因该变形而对滤波器功能部产生功能异常或损伤等。

[0055] 也就是说，经应力缓和层11d3阻止的所述应力分散到该应力缓和层11d3的整面，由此经由该应力缓和层11d3使施加到SAW滤波器12的各空心盖12b的上表面的每单位面积的应力变小，因此确实地抑制各空心盖12b因该应力而压碎变形。

[0056] 而且，通过设置应力缓和层11d3而可获得所述效果关系到能够解除所述电子零件内置基板的SAW滤波器12的配置部位的制约，因此还可以获得能够提高该SAW滤波器12的配置的设计自由度的优点。

[0057] 此外，所述电子零件内置基板中，在使用“通过加热加压可成形及通过加热可硬化的热固性塑料的中间材料”制作第二绝缘体层11e的情况下，该制作时基于加压产生的向下的应力也会作用于SAW滤波器12的各空心盖12b，但在这种情况下，也可以使用应力缓和层11d3阻止缓和该向下的应力，由此可确实地抑制SAW滤波器12的各空心盖12b压碎而变形，确实地防止因该变形而对滤波器功能部产生功能异常或损伤等。

[0058] (效果2)而且，应力缓和层11d3与各空心盖12b的上表面大致平行，且该应力缓和层11d3的杨氏模数的值高于第一绝缘体层11c的杨氏模数的值，因此可确实地发挥所述应力缓和作用，更确实地抑制各空心盖12b的变形，且更确实地防止因该变形而对滤波器功能部产生功能异常或损伤等。

[0059] (效果3)进而，所述电子零件内置基板中，应力缓和层11d3是由第一导体层11d的一部分而构成，且与该第一导体层11d中所含的接地用配线11d1连续，因此在第一导体层11d中将配线图案化时可简单地制作该应力缓和层11d3。

[0060] 另外，图1及图2中例示了具有总计三个空心盖12b的滤波器作为SAW滤波器12，但是在使用具有总计五个空心盖12b的SAW滤波器12-1(参照图3(A))、或具有总计一个空心盖12b的SAW滤波器12-2(参照图3(B))代替SAW滤波器12的情况下，总之在代替使用具有至少一个覆盖滤波器功能部的空心盖12b的SAW滤波器的情况下，也可以获得与所述效果1～3相同的效果。如果例示一种形态，则图3(A)所示的SAW滤波器12-1中三个接地端子12e中的至少两个接地端子12e(图3(A)中央的两个接地端子12e)连接在空心盖12b上。而且，图3(B)所示的SAW滤波器12-2中两个接地端子12e中的至少一个接地端子12e(图3(B)中央的一个接地端子12e)连接在空心盖12b上。

[0061] 而且，图1～图3中例示了具有三个接地端子12e的SAW滤波器12及12-1以及具有两个接地端子12e的SAW滤波器12-2，但在代替使用具有一个或四个以上的接地端子12e的SAW滤波器的情况下，总之在代替使用至少一个接地端子12e存在于空心盖12b的上表面的SAW滤波器的情况下，无论输入端子12c及输出端子12d的数量多少均可获得与所述效果1～3相同的效果。

[0062] 进而，图1中例示了轮廓比SAW滤波器12的上表面轮廓大的层作为应力缓和层11d3，但该应力缓和层11d3只要具有如无论空心盖12b的数量多少均与该空心盖12b的上表面的总面积的约2/3以上对向的轮廓，优选具有如与约3/4以上对向的轮廓，则无论其轮廓形状及配置位置均可获得与所述效果1～3相同的效果。

[0063] 进而，图1～图3中例示了SAW滤波器12、12-1及12-2作为具有滤波器功能部由空心盖覆盖这种构造的弹性波滤波器，但在代替使用具有由至少一个空心盖覆盖滤波器功能部这种构造的BAW滤波器或其他弹性波滤波器的情况下，也可以获得与所述效果1～3相同的效果。

[0064] 《第二实施方式》

[0065] 图4(A)、图4(B)、图5(A)及图5(B)表示本发明的第二实施方式(电子零件内置基板)，该第二实施方式的电子零件内置基板与所述第一实施方式的电子零件内置基板的不同之处在于以下方面，

[0066] ·代替SAW滤波器12，而使用总计三个空心盖12b的上表面不具有接地端子12e的SAW滤波器12-3(参照图4(A)、图4(B)及图5(A))。另外，图4(A)是表示沿着图4(B)的A-A线的截面的图，但该图4(A)中省略了SAW滤波器12-3的截面的图示。

[0067] 如图4(A)及图5(A)所示，SAW滤波器12-3具有包含钽酸锂或铌酸锂等的压电体的大致长方体状的滤波器主体12a、形成在滤波器主体12a的上表面的滤波器功能部(无符号)、覆盖滤波器功能部的三个空心盖12b、输入端子12c、输出端子12d、接地端子12e、以及设置在滤波器主体12a的上表面的密封部12f，且整体形成大致长方体状。

[0068] 如图5(B)所示，滤波器功能部例如具有包含串联的三个共振器RE及与其并联的两个共振器RE的阶梯型构成，各共振器RE包含梳齿状电极及配置在该电极两侧的反射器。

[0069] 各空心盖12b包含与滤波器主体12a的上表面接合的大致矩形框状的密封环(省略图示)、及与该密封环接合且覆盖其上表面开口的盖板(省略图示)，各自的高度处于例如10～30μm的范围内。密封环及盖板包含铜、镍、金或其等的合金等金属。也就是说，SAW滤波器12-3具有如下构造：滤波器功能部由各空心盖12b覆盖，该滤波器功能部配置在由各空心盖12b形成的中空部内。

[0070] 密封部12f是以覆盖各空心盖12b的方式设置在滤波器主体12a的上表面，各端子12c～12e从该密封部12f的上表面露出。密封部12f包含液晶聚合物、间规聚苯乙烯、聚苯硫醚、聚醚醚酮或聚醚腈等高耐湿性的热塑性塑料，各空心盖12b上的厚度处于例如10～20μm的范围内。

[0071] 该SAW滤波器12是以覆盖滤波器功能部的各空心盖12b朝上，且其上表面与芯层11a的上表面成为大致同一平面的方式收纳在收容部11a1内，且由第一绝缘体层11c覆盖密封部12f的上表面。而且，SAW滤波器12的输入端子12c是经由导体通道11d2而与露出在基板11的上表面的导体通道11f2连接，虽省略图示，但输出端子12d也是经由导体通道11d2与露出在基板11的上表面的导体通道11f2连接。进而，SAW滤波器12的接地端子12e是经由导体通道11d2与应力缓和层11d3连接。

[0072] 该第二实施方式的电子零件内置基板中，也可以获得与所述《第一实施方式》中所说明的效果1～3相同的效果。

[0073] 另外，图4及图5中例示了具有总计三个空心盖12b的滤波器作为SAW滤波器12-3，但在使用如图3(A)所示的具有总计五个空心盖12b(但无接地端子)的滤波器、或如图3(B)所示的具有总计一个空心盖12b(但无接地端子)的滤波器代替SAW滤波器12-3的情况下，总之在代替使用具有至少一个覆盖滤波器功能部的空心盖12b(但无接地端子)的SAW滤波器的情况下，也可以获得与所述效果1～3相同的效果。

[0074] 而且，图4及图5中例示了具有一个接地端子12e的SAW滤波器12-3，但在代替使用在空心盖12b的上表面以外的位置具有两个以上的接地端子12e的SAW滤波器的情况下，无论输入端子12c及输出端子12d的数量多少均可获得与所述效果1～3相同的效果。

[0075] 进而，图4中例示了轮廓比SAW滤波器12-3的上表面轮廓大的层作为应力缓和层11d3，但该应力缓和层11d3只要具有如无论空心盖12b的数量多少均与该空心盖12b的上表面的总面积的约2/3以上对向的轮廓，优选具有如与约3/4以上对向的轮廓，则无论其轮廓形状及配置位置均可获得与所述效果1～3相同的效果。

[0076] 进而，图4及图5以及上上一段落中，例示了SAW滤波器12-3等作为具有滤波器功能部由空心盖覆盖这种构造的弹性波滤波器，但在代替使用具有由至少一个空心盖覆盖滤波器功能部这种构造的BAW滤波器或其他弹性波滤波器的情况下，也可以获得与所述效果1～3相同的效果。

[0077] 《第三实施方式》

[0078] 图6(A)及图6(B)表示本发明的第三实施方式(电子零件内置基板)，该第三实施方式的电子零件内置基板与所述第一实施方式的电子零件内置基板的不同之处在于以下方面：

[0079] ·代替应力缓和层11d3，而使用与所述第一导体层11d中所含的接地用配线11d1不接触地孤立的应力缓和层11d4。另外，图6(A)是表示沿着图6(B)的A-A线的截面的图，但该图6(A)中省略了SAW滤波器12的截面的图示。

[0080] 如图6(A)及图6(B)所示，该应力缓和层11d4具有比SAW滤波器12的上表面轮廓小的大致矩形轮廓，且与第一导体层11d中所含的接地用配线11d1不连续，与该接地用配线11d1不接触而孤立。该应力缓和层11d4虽与接地用配线11d1不连续，但其是由第一导体层11d的一部分而构成，因此该应力缓和层11d4包含与配线11d1(第一导体层11d)相同的金属，其厚度也与配线11d1(第一导体层11d)大致相同。也就是说，应力缓和层11d4包含与配线11d1(第一导体层11d)相同的金属，因此该应力缓和层11d4的杨氏模数的值高于第一绝缘体层11c及第二绝缘体层11e(均为塑料制造)的杨氏模数的值。而且，应力缓和层11d4隔开间隔与SAW滤波器12的三个空心盖12b的上表面区域的约5/6大致平行地对向，所述间隔大致相当于第一绝缘体层11c的厚度与密封部12f的空心盖12b上的部分的厚度的和。

[0081] SAW滤波器12的输入端子12c是经由导体通道11d2与露出在基板11的表面的导体通道11f2连接，虽省略了图示，但输出端子12d也是经由导体通道11d2与露出在基板11的表面的导体通道11f2连接。而且，SAW滤波器12的三个接地端子12e中的一个是经由导体通道11d2与接地用配线11d1连接，其余两个是经由导体通道11d2与应力缓和层11d4连接。

[0082] 该第三实施方式的电子零件内置基板中，也可以获得与所述《第一实施方式》中所说明的效果1～3相同的效果。另外，该电子零件内置基板的应力缓和层11d4与接地用配线11d1不接触而孤立，因此在经由导体通道11d2与该应力缓和层11d4连接的SAW滤波器12的两个接地端子12e获得实质的接地的情况下，必需构筑如将上述两个接地端子12e连接在与接地用配线11d1连接的接地端子12e的电路构成作为滤波器功能部。

[0083] 另外，图6中例示了具有总计三个空心盖12b的滤波器作为SAW滤波器12，但在使用具有总计五个空心盖12b的SAW滤波器12-1(参照图3(A))、或具有总计一个空心盖12b的SAW滤波器12-2(参照图3(B))代替SAW滤波器12的情况下，总之在代替使用具有至少一个覆盖滤波器功能部的空心盖12b的SAW滤波器的情况下，也可以获得与所述效果1～3相同的效果。关于通过导体通道11d2与应力缓和层11d4连接的SAW滤波器12-1及12-3的接地端子12e获得实质的接地的情况，与上述相同。

[0084] 而且，图6中例示了具有三个接地端子12e的SAW滤波器12，但如所述《第一实施方式》中所说明的那样，在代替使用该接地端子12e的数量为一个、两个或四个以上的SAW滤波器的情况下，总之在代替使用至少一个接地端子12e存在于空心盖12b的上表面的SAW滤波器的情况下，无论输入端子12c及输出端子12d的数量多少均可获得与所述效果1～3相同的效果。

[0085] 进而，图6中例示了轮廓比SAW滤波器12的上表面轮廓小的层作为应力缓和层11d4，但只要该应力缓和层11d4具有如无论空心盖12b的数量多少均与该空心盖12b的上表面的总面积的约2/3以上对向的轮廓，优选具有如与约3/4以上对向的轮廓，则无论其轮廓形状及配置位置均可获得与所述效果1～3相同的效果。

[0086] 进而，图6中例示了SAW滤波器12作为具有滤波器功能部由空心盖覆盖这种构造的弹性波滤波器，但在使用具有由至少一个空心盖覆盖滤波器功能部这种构造的BAW滤波器或其他弹性波滤波器代替SAW滤波器的情况下，也可以获得与所述效果1～3相同的效果。

[0087] 《第四实施方式》

[0088] 图7(A)及图7(B)表示本发明的第四实施方式(电子零件内置基板)，该第四实施方式的电子零件内置基板与所述第三实施方式的电子零件内置基板的不同之处在于如下方面，

[0089] ·代替SAW滤波器12，而使用在总计三个空心盖12b的上表面不具有接地端子12e的SAW滤波器12-3(除图7(A)及图7(B)以外还可以参照图4(A)、图4(B)及图5(A))。另外，图7(A)是表示沿着图7(B)的A-A线的截面的图，在该图7(A)中省略了SAW滤波器12-3的截面的图示。而且，SAW滤波器12-3的构成等与所述《第二实施方式》中所说明的内容相同，因此省略此处的说明。

[0090] 该第四实施方式的电子零件内置基板中，也可以获得与所述《第一实施方式》中所说明的效果1～3相同的效果。

[0091] 另外，图7中例示了具有总计三个空心盖12b的滤波器作为SAW滤波器12-3，但在使用如图3(A)所示的具有总计五个空心盖12b(但无接地端子)的滤波器、或如图3(B)所示的具有总计一个空心盖12b(但无接地端子)的滤波器代替SAW滤波器12-3的情况下，总之在代替使用具有至少一个覆盖滤波器功能部的空心盖12b(但无接地端子)的SAW滤波器的情况下，也可以获得与所述效果1～3相同的效果。

[0092] 而且，图7中例示了具有一个接地端子12e的SAW滤波器12-3，但如所述《第二实施方式》中所说明的那样，在代替使用空心盖12b的上表面以外的位置具有两个以上接地端子12e的SAW滤波器12的情况下，无论输入端子12c及输出端子12d的数量多少均可以获得与所述效果1～3相同的效果。

[0093] 进而，图7中例示了轮廓比SAW滤波器12-3的上表面轮廓小的层作为应力缓和层11d4，但该应力缓和层11d4只要具有如无论空心盖12b的数量多少均与该空心盖12b的上表面的总面积的约2/3以上对向的轮廓，优选具有如与约3/4以上对向的轮廓，则无论其轮廓形状及配置位置均可获得与所述效果1～3相同的效果。

[0094] 进而，图7及上上一段落中例示了SAW滤波器12-3等作为具有滤波器功能部由空心盖覆盖这种构造的弹性波滤波器，但在使用具有由至少一个空心盖覆盖滤波器功能部这种构造的BAW滤波器或其他弹性波滤波器代替SAW滤波器的情况下，也可以获得与所述效果1～3相同的效果。

[0095] 《其他实施方式》

[0096] (1)所述《第三实施方式》及《第四实施方式》中，例示了应力缓和层11d4与第一导体层11d中所含的接地用配线11d1不接触而孤立的情况，但在这些电子零件内置基板中，也可以由与第一导体层11d不同的材料而形成应力缓和层11d4。例如，由杨氏模数的值高于第一绝缘体层11c及第二绝缘体层11e的杨氏模数的值的陶瓷或玻璃等绝缘体预先制作轮廓及厚度大致相当于应力缓和层11d4的层状物，只要在第一绝缘体层11c的特定位置放置该层状物后制作第二绝缘体层11e，或者在第一绝缘体层11c的特定位置使用浆料涂布及烧附等方法直接制作该层状物后制作第二绝缘体层11e，则在由与第一导体层11d不同的材料形成应力缓和层11d4后也可以获得与所述效果1及2相同的效果。

[0097] (2)所述《第一实施方式》～《第四实施方式》中，例示了在基板11的芯层11a中贯通形成着大致长方体状的收容部11a1的情况，但只要该收容部11a1的形状可收容所期望的弹性波滤波器，则不限定为大致长方体状。而且，即使取代贯通型的收容部11a1，而在芯层11a中形成凹状的收容部并且在该收容部内收纳弹性波滤波器，也可以获得与所述效果1～3相同的效果。

[0098] (3)所述《第一实施方式》～《第四实施方式》中，作为基板11，例示了在芯层11a的上侧设置两个绝缘体层11c及11e和两个导体层11d及11f，且在下侧设置两个绝缘体层11g及11i和两个导体层11h及11j的基板，但即使采用从芯层11a的上侧除去第二绝缘层11e和第二导体层11f而形成的层构成，或者采用在芯层11a的上侧的第二导体层11f上进而设置绝缘体层及导体层的构成，也可以获得与所述效果1～3相同的效果。另一方面，关于芯层11a的下侧的绝缘体层及导体层，即使适当增减其层数，当然也可以获得与所述效果1～3相同的效果。

[0099] (4)所述《第一实施方式》～《第四实施方式》中，例示了基板11的芯层11a包含金属的情况，但即使代替该芯层11a，而使用厚度与包含塑料等绝缘体的芯层11a相同的芯层，或者使用积层与各绝缘体层11c、11e、11g及11i相同的绝缘体层而构成的芯层，也可以获得与所述效果1～3相同的效果。