转换组件

摘要

本发明提出一种转换组件，所述转换组件用以设置在发射辐射的半导体芯片的辐射耦合输出面的下游，所述转换组件具有：转换元件（1），所述转换元件具有第一主面（11）、与第一主面（11）相对置的第二主面（12）以及至少一个侧面（13），其中侧面（13）将这两个主面（11，12）相互连接，并且转换元件（1）包含至少一种发光转换材料，所述发光转换材料适合于吸收一个波长范围中的电磁辐射并且适合于将吸收的电磁辐射以与吸收的辐射相比具有更大波长的另一波长范围重新发射；反射覆层（2），所述反射覆层设计成，反射从转换元件（1）射出的电磁辐射并且至少部分地将其反射回转换元件（1）中，其中反射覆层（2）在至少一个侧面（13）上至少局部地覆盖转换元件（1），并且转换元件（1）的两个主面（11，12）至少局部地不具有反射覆层（2）。

权利要求

1.转换组件(10)，所述转换组件用以设置在发射辐射的半导体芯片的辐射耦合输出面的下游，具有-转换元件(1)，所述转换元件具有第一主面(11)、与所述第一主面(11)相对置的第二主面(12)以及至少一个侧面(13)，其中侧面(13)将两个主面(11，12)相互连接，并且所述转换元件(1)包含至少一种发光转换材料，所述发光转换材料适合于吸收一个波长范围中的电磁辐射并且适合于将吸收的所述电磁辐射以与吸收的辐射相比具有更大波长的另一波长范围重新发射；

-反射覆层(2)，所述反射覆层设计成，反射从所述转换元件(1)射出的电磁辐射并且至少部分地将其反射回所述转换元件(1)中，其中-所述转换组件(10)是预制的且自承的，

-所述反射覆层(2)在所述至少一个侧面(13)上至少局部地覆盖所述转换元件(1)，-所述反射覆层(2)在侧向不超出所述转换元件(1)并且沿竖直方向、垂直于所述转换元件(1)的主延伸方向与所述第一主面(11)和所述第二主面(12)齐平，-所述转换元件(1)的所述两个主面(11，12)至少局部地不具有所述反射覆层(2)，其中将吸收辐射的覆层(4)至少局部地施加到所述反射覆层(2)的背离所述转换元件(1)的至少一个外面(41)上。

2.根据权利要求1所述的转换组件(10)，

其中所述反射覆层(2)由至少一种光子晶体(24)形成，其中所述光子晶体(24)由至少一个一维的、二维的和/或三维的光子带隙结构形成。

3.根据权利要求2所述的转换组件(10)，

其中所述光子晶体(24)包括孔(241)，其中所述光子晶体(24)由陶瓷材料和/或含玻璃的材料形成。

4.根据权利要求1至3之一所述的转换组件(10)，其中所述转换元件(1)由陶瓷材料形成。

5.根据权利要求1至3之一所述的转换组件(10)，其中所述反射覆层(2)具有基本材料(22)，所述基本材料由下述材料中的至少一种形成：陶瓷材料、含玻璃的材料、有机材料、塑料材料、半导体材料。

6.根据权利要求5所述的转换组件(10)，

其中将反射辐射的颗粒(23)引入到所述基本材料(22)中，其中所述反射辐射的颗粒(23)的光学折射率(232)大于所述基本材料(22)的光学折射率(222)。

7.根据权利要求6所述的转换组件(10)，

其中所述反射辐射的颗粒(23)由下述材料中的至少一种形成或包含下述材料中的至少一种：TiO2、ZrO2、ZnO、Al2O3、BaSO4、MgO、Ta2O5、HfO2、Gd2O3、Nb2O3、Y2O3。

8.根据权利要求6所述的转换组件(10)，

其中所述反射辐射的颗粒(23)在所述基本材料(22)中的浓度为至少10％的体积百分比。

9.根据权利要求7所述的转换组件(10)，

其中所述反射辐射的颗粒(23)在所述基本材料(22)中的浓度为至少10％的体积百分比。

10.根据上述权利要求1至3之一所述的转换组件(10)，其中所述反射覆层(2)由金属材料形成。

11.半导体器件(100)，所述半导体器件具有

-根据权利要求1至3所述的至少一个转换组件(10)；

-至少一个发射辐射的半导体芯片(20)，所述半导体芯片具有辐射耦合输出面(21)，在所述半导体芯片(20)中产生的电磁辐射中的至少一部分穿过所述辐射耦合输出面离开所述半导体芯片(20)，其中-用于转换由所述半导体芯片(20)发射的电磁辐射的所述转换组件(10)在所述半导体芯片的主放射方向上设置在所述半导体芯片(20)的所述辐射耦合输出面(21)的下游。

12.根据权利要求11所述的半导体器件(100)，其中所述半导体芯片(20)的至少一个侧面(26)和/或所述反射覆层(2)的背离所述半导体芯片(20)的外面至少局部地由另一反射覆层(5)覆盖。

13.根据权利要求12所述的半导体器件(100)，其中所述反射覆层(2)和所述另一反射覆层(5)直接地彼此邻接。

说明书

转换组件

技术领域

[0001] 本发明提出一种转换组件以及一种具有这种转换组件的半导体器件。

发明内容

[0002] 要实现的目的在于，提出一种转换组件，所述转换组件具有改进的转换特性。

[0003] 根据至少一个实施形式，转换组件适合于设置在发射辐射的半导体芯片的辐射耦合输出面的下游。例如能够将转换组件构建在半导体器件中。例如，这种半导体器件包括发射辐射的半导体芯片。转换组件能够在发射辐射的半导体芯片的主放射方向上设置在所述发射辐射的半导体芯片的辐射耦合输出面的下游。优选地，转换组件将由半导体芯片发射的一个波长范围中的电磁辐射转换成另一波长范围中的电磁辐射。

[0004] 根据转换组件的至少一个实施形式，所述转换组件包括转换元件，所述转换元件具有第一主面、与第一主面相对置的第二主面以及至少一个侧面。侧面将这两个主面相互连接。侧面例如垂直于转换元件的主延伸方向伸展，进而也能够横向于这两个主面伸展。因此，侧面在侧向对转换元件限界。

[0005] 例如，第一主面是转换元件的外面的一部分，所述第一主面在固定状态下朝向发射辐射的半导体芯片的辐射耦合输出面。例如，转换元件的第一主面是固定面，所述固定面能够用于将转换组件固定在发射辐射的半导体芯片的辐射耦合输出面上或固定在发射辐射的半导体芯片的辐射耦合输出面处。

[0006] 根据至少一个实施形式，转换元件包含至少一种发光转换材料，所述至少一种发光转换材料适合于吸收一个波长范围中的电磁辐射并且适合于将所吸收的电磁辐射以与所吸收的辐射相比具有更大波长的另一波长范围重新发射。例如，发光转换材料将经由转换元件的第一主面进入到转换元件中的蓝光部分地转换成黄光，所述黄光随后能够与蓝光一起混合成白光。

[0007] 根据至少一个实施形式，转换组件包括反射覆层，所述反射覆层设计成，反射从转换元件射出的电磁辐射并且至少部分地将其反射回转换元件中。“反射”在本文中意味着，覆层反射至少至70％的、优选地至大于80％的从转换元件射出的并且射到其上的电磁辐射。

[0008] 根据转换组件的至少一个实施形式，反射覆层在至少一个侧面上至少局部地覆盖转换元件。“至少局部地”在此能够意味着，反射覆层仅在可预定的位置上完全地覆盖转换元件的侧面，并且在其它位置上仅覆盖至一定的高度和/或完全不覆盖。换言之，转换元件能够在一些位置上仍部分地从反射覆层突出，并且在其它位置上完全地由反射覆层遮盖。此外，反射覆层能够完全地覆盖至少一个侧面。例如，在转换元件的被覆盖的位置上，侧面与反射覆层直接接触。换言之，优选地，在反射覆层和转换元件的侧面之间既不形成间隙也不形成中断。在此尤其可能的是，反射覆层与转换元件的侧面齐平。

[0009] 根据转换组件的至少一个实施形式，转换元件的两个主面至少局部地不具有反射覆层。“不具有”在本文中指：第一和/或第二主面分别具有至少一个面区域，所述面区域不被反射覆层覆盖并且反射覆层在竖直方向上不设置在所述面区域的下游。“竖直方向”在此是垂直于转换元件的主延伸方向的方向。因此，电磁辐射能够无阻碍地经由所述面区域、例如经由第一和第二主面的整个面耦合输入到转换元件中或耦合输出。

[0010] 根据转换组件的至少一个实施形式，所述转换组件适合于设置在发射辐射的半导体芯片的辐射耦合输出面的下游，所述转换组件具有至少一个转换元件，所述转换元件具有第一主面、与第一主面相对置的第二主面以及至少一个侧面。侧面将这两个主面相互连接。此外，转换元件包含至少一种发光转换材料，所述发光转换材料适合于吸收一个波长范围中的电磁辐射并且适合于以另一波长范围发射所吸收的电磁辐射。此外，转换组件包括反射覆层，所述反射覆层设计成，反射从转换元件射出的电磁辐射并且至少部分地将其反射回转换元件中。反射覆层至少局部地在所述至少一个侧面上完全地覆盖转换元件，其中转换元件的两个主面至少局部地不具有反射覆层。

[0011] “设置在下游”在本文中尤其意味着，转换组件构成和预制成是自承的。换言之，转换组件是独立于半导体芯片制造的独立的器件，所述独立的器件应设置在所述半导体芯片的下游。特别地，独立于半导体芯片的可能存在的反射覆层制造转换组件的反射覆层。

[0012] 在此，此处描述的转换组件还基于下述知识，如果能利用全部的从转换元件射出的辐射，那么至少部分在转换元件之内转换的电磁辐射经由转换元件的侧面射出来代替经由转换元件的主面射出能够导致从转换元件射出的电磁辐射的不期望的色度坐标不均匀和/或偏移。这种色度坐标不均匀基本上能够归因于，与经由转换元件的主面耦合输出的电磁辐射相比，从侧面射出的电磁辐射直至从转换元件耦合输出而在转换元件之内经过更小的路程。换言之，从侧面射出的、不期望的电磁辐射能够具有与经由主面耦合输出的、期望的电磁辐射不同的色彩转换度、进而具有不同的色度坐标。如果现在例如经由设置在转换元件侧向的反射光学装置，除从主面射出的电磁辐射之外同样也能够利用从转换元件的侧面射出的电磁辐射，那么通过所述反射光学装置将经由转换元件的侧面和主面射出的电磁辐射彼此混合，由此总体上能够偏移从转换元件射出的电磁辐射的色度坐标。

[0013] 此外，在具有这种转换元件的半导体组件中能够出现耦合输出损失，因为经由侧面从转换元件射出的电磁辐射例如射到设置在转换元件侧向的壳体本体上并且能够被其吸收。根据至少一个实施形式，在此所描述的转换组件的工作原理如下所示：

[0014] 耦合输入到转换元件的辐射的至少一部分在转换元件之内通过包含在转换元件中的发光转换材料与方向无关地进行辐射转换，并且随后由所述发光转换材料重新发射。“与方向无关”意味着，在转换元件中转换的电磁辐射在转换元件之内没有由发光转换材料重新发射到优选方向上。

[0015] 在电磁辐射在转换元件之内被转换之后，已转换的辐射的一部分在朝向转换元件的侧面的方向上重新发射，并且随后经由转换元件的侧面从转换元件射出。随后，所述辐射部分至少部分地射到反射覆层上，所述反射覆层设计成，反射从转换元件射出的电磁辐射并且至少部分地将其反射回转换元件中。所述反射回转换元件中的辐射的至少一部分沿远离第一主面的方向引导，并且随后能够经由第二主面从转换元件、进而从转换组件耦合输出。如果反射回转换元件中的辐射的一部分沿朝向第一主面的方向反射回，那么能够多次重复反射过程。可考虑的是，反射过程一直重复，直至相应的辐射部分从转换元件进而从转换组件耦合输出。换言之，从转换元件耦合输出的电磁辐射由直接的辐射部分——即不经过先前的在反射覆层上的反射而从转换元件耦合输出的辐射部分——和通过在反射覆层上的至少一次(向回)反射而反射回转换元件中的辐射部分组成，并且穿过转换元件的第二主面从转换组件耦合输出。

[0016] 有利地，此外，借助于在此所描述的反射覆层使沿着转换元件的第二主面的色度坐标均匀。例如借助于在此所描述的转换组件，半导体组件是可以放弃耗费的、例如设置在转换组件侧向的反射光学装置，所述反射光学装置将从转换元件的侧面射出的电磁辐射反射到朝向第二主面的方向上。所述半导体组件的构造能够是尤其紧凑且简单的。

[0017] 根据至少一个实施形式，反射覆层没有在侧向超出转换元件。可考虑的是，反射覆层在竖直方向上不仅与转换元件的第一主面而且与第二主面齐平。那么，反射覆层例如完全地包围转换元件的侧面，由此由反射覆层反射回转换元件中的辐射部分是尽可能大的。电磁辐射仅能够在为此指定的位置上，也就是说仅经由第一主面耦合输入到转换元件中、穿过转换元件并且再次经由第二主面离开。因此，反射覆层有助于尤其有效地转换电磁辐射。

[0018] 根据至少一个实施形式，转换元件由陶瓷材料形成。为此，能够将发光转换材料嵌入到例如为玻璃陶瓷或陶瓷的基体材料中。例如，转换元件因此构造成小板的形式。同样也可能的是，转换元件完全地由陶瓷的发光转换材料制成。转换元件因此能够是由所述陶瓷的发光转换材料制成的小板。

[0019] 根据至少一个实施形式，反射覆层具有基本材料，所述基本材料由下述材料中的至少一种形成：陶瓷材料、含玻璃材料、有机材料、塑料材料、半导体材料。

[0020] 根据至少一个实施形式，将反射辐射的颗粒引入到基本材料中，其中反射辐射的颗粒的光学折射率大于基本材料的光学折射率。例如，反射辐射的颗粒的光学折射率为至少1.8。反射辐射的颗粒的所述折射率范围在反射覆层的反射辐射的特性方面被证实为是尤其有利的。

[0021] 根据至少一个实施形式，反射辐射的颗粒由下述材料中的至少一种形成或包含下述材料中的至少一种：TiO2、ZrO2、ZnO、Al2O3、BaSO4、MgO、Ta2O5、HfO2、Gd2O3、Nb2O3、Y2O3。所述颗粒已证实为极其适合于反射射到其上的电磁辐射。

[0022] 根据至少一个实施形式，反射辐射的颗粒在基本材料中的浓度为至少10％的体积百分比。例如，反射辐射的颗粒在基本材料之内均匀地分布。例如，反射覆层由于反射覆层的反射特性而对于外部观察者而言显现出白色，因为从反射覆层优选地反射环境光的所有出现的色彩光谱。然而同样可能的是，反射覆层对于外部观察者而言显现出其它的颜色。反射覆层具有至少50μm到至多300μm的厚度。“厚度”是反射覆层例如在垂直于转换元件的侧面的方向上的最大延伸。

[0023] 根据至少一个实施形式，反射覆层由金属材料形成。金属材料例如是Ag和/或Al。有利地，所述反射覆层对于射到其上的、也就是说从转换元件射出的电磁辐射是辐射不可穿透的。在这种情况下，反射覆层具有至少100nm到至多1μm的厚度。

[0024] 根据至少一个实施形式，反射覆层由至少一种光子晶体形成，其中所述光子晶体由至少一个一维、二维和/或三维的光子带隙结构形成。“一维”能够意味着，光子晶体以层的形式构成(也称为一维层结构，1D layer structure)。“二维”能够意味着，光子晶体能够以管或小棒的形式构成(也称为二维棒结构，2D rod structure)。相应地，“三维”能够意味着，光子晶体由球形结构形成(也称为三维球结构，3D sphere structure)。例如，光子晶体由至少两种例如在其各自的光学反射系数方面不同的材料形成。在此，至少两种不同的材料能够沿着可预设的(优选)方向周期性地交替且依次地设置。光子晶体的带隙位置能够与光子晶体的通过不同材料形成的晶格常数相关，其中光子晶体的带隙的大小能够通过这两种不同的、周期性设置的材料的反射系数比来确定。换言之，能够借助于光子晶体和应用在其中的不同的材料来调整反射能力。

[0025] 根据转换组件的至少一个实施形式，光子晶体包括孔，其中光子晶体由陶瓷材料和/或含玻璃的材料形成。例如，所述光子晶体通过至少一个三维的光子带隙结构形成。孔例如完全地由陶瓷的和/或含玻璃的材料包围，并且例如填充有空气。陶瓷材料例如由SiO2、TiO2这些材料中的至少一种或由SiO2和TiO2组成的混合物形成。

[0026] 根据至少一个实施形式，将吸收辐射的覆层至少局部地施加到反射覆层的至少一个背离转换元件的外面上。有利地，穿过反射覆层的剩余电磁辐射能够通过施加在反射覆层的外面上的吸收辐射的覆层吸收。例如，为此，吸收辐射的覆层由硅树脂、环氧树脂或由硅树脂或环氧树脂组成的混合物形成，将吸收辐射的材料，例如为碳黑颗粒或其它填充物引入到其中。吸收辐射的覆层因此能够对外部观察者显现出黑色或彩色。

[0027] 此外，本发明还提出一种半导体器件。

[0028] 根据至少一个实施形式，半导体器件包括如在一个或多个在此所描述的实施形式中描述的至少一个转换组件。也就是说，对在此所描述的转换组件所详述的特征也对在此所描述的半导体器件公开。

[0029] 根据至少一个实施形式，半导体器件包括具有辐射耦合输出面的至少一个发射辐射的半导体芯片，在半导体芯片中产生的电磁辐射的至少一部分穿过所述辐射耦合输出面离开半导体芯片。发射辐射的半导体芯片例如能够是发光二极管芯片。发光二极管芯片能够是照明二极管芯片或激光二极管芯片，所述照明二极管芯片或激光二极管芯片发射在电磁辐射光谱的可见或紫外范围中的光范围中的辐射。

[0030] 根据至少一个实施形式，用于转换由半导体芯片发射的电磁辐射的转换组件在半导体芯片的主放射方向上设置在所述半导体芯片的辐射耦合输出面的下游。例如，辐射耦合输出面和转换组件的转换元件的第一主面相对置。例如，转换组件借助于其第一主面直接施加到发射辐射的半导体芯片的辐射耦合输出面上，并且例如以第一主面粘接到辐射耦合输出面上。

[0031] 根据至少一个实施形式，半导体芯片的至少一个侧面和/或反射覆层的背离半导体芯片的至少一个外面由另一反射覆层覆盖。在此，另一反射覆层能够由与反射覆层相同的或不同的材料形成。如果半导体芯片的至少一个侧面由反射覆层覆盖，那么有利地，从半导体芯片和其侧面射出的电磁辐射也能够沿朝向转换组件的方向反射进而引导。因此，有利地，在发射辐射的半导体芯片之内产生的初级电磁辐射的尽可能大的部分耦合输入到转换组件的转换元件中，并且随后从半导体器件耦合输出。

[0032] 根据至少一个实施形式，反射覆层与另一反射覆层直接地相互邻接。也就是说，优选地，在反射覆层和另一反射覆层之间既不构成间隙也不构成中断。反射覆层和另一反射覆层都能够例如借助于喷射、分配、电泳或印刷而施加到转换元件的和半导体芯片的相应的侧面上。

[0033] 根据至少一个实施形式，半导体器件包括至少两个在横向方向上并排设置的发射辐射的半导体芯片，其中对于每个半导体芯片，为了转换由半导体芯片发射的电磁辐射，将转换组件在半导体芯片的主放射方向上设置在所述半导体芯片的辐射耦合输出面的下游。例如，每个半导体芯片分配有正好一个转换元件。在此，可能的是，每个半导体芯片明确地分配有一个转换元件。例如，将半导体芯片施加在共同的承载体的表面上。“横向方向”在本文中能够指横向于承载体的主延伸方向的方向。那么，例如在各个相邻的半导体芯片之间构成间隔。那么换言之，半导体芯片相互间隔地设置。在半导体组件的俯视图中，所述间隔通过两个分别彼此邻接的半导体芯片的和承载体的朝向半导体芯片的表面的侧面来限界。
如果现在转换元件的相应的侧面由反射覆层覆盖，那么能够有利地避免，分别从侧向、也就是说经由转换元件的侧面射出的电磁辐射射到各个相邻的转换元件和/或半导体芯片上并且例如在所述转换元件和/或半导体芯片的物理特性方面对其造成影响和/或损坏。换言之，借助于在此所描述的转换组件能够避免例如相邻地设置的转换元件和/或半导体芯片的相互干扰(也称为串扰)。所述半导体器件因此尤其能够适合于投影仪、作为显示器的和电视屏幕的背景光、以及适合于汽车前照灯。

附图说明

[0034] 在下文中根据实施例和相应的附图详细阐明在此所描述的转换组件以及在此所描述的半导体器件。

[0035] 图1A至1D示出在此所描述的转换组件的实施例的示意图。

[0036] 图2A至2B示出在此所描述的半导体器件的实施例。

[0037] 具体实施形式

[0038] 在实施例和附图中，相同的或起相同作用的组成部分分别设有相同的附图标记。示出的元件不能够视作是按照比例的，相反地，为了更好的理解能够夸大地示出各个元件。

[0039] 在图1A中，根据示意的剖视图示出在此所描述的、具有转换元件1的转换组件10。转换元件1具有第一主面11、与第一主面11相对置的第二主面12以及侧面13，其中主面11和
12平行于横向方向L伸展。侧面13将这两个主面11和12相互连接，其中侧面13垂直于横向方向L、并且同样也垂直于这两个主面11和12伸展。转换元件1能够包含至少一种发光转换材料。所述发光转换材料至少部分地吸收耦合输入到转换元件1中的一个波段的电磁辐射并且将所吸收的电磁辐射以另一波长范围与方向无关地重新发射。也就是说，发光转换材料不仅在朝向两个主面11和12的方向上、也在朝向侧面13的方向上重新发射已转换的电磁辐射，而没有优选方向。例如，转换元件1由陶瓷材料形成，将发光转换材料引入到所述陶瓷材料中。为此，能够将发光转换材料嵌入到例如为玻璃陶瓷或者陶瓷的基体材料中。同样可能的是，转换元件完全地由陶瓷的发光转换材料制成。陶瓷的发光转换材料尤其能够是YAG:
Ce。

[0040] 反射覆层2完全地覆盖侧面13，并且将从转换元件1经由侧面13射出的电磁辐射反射回转换元件1中。反射覆层2例如由有机的或含玻璃的基本材料22形成，将反射辐射的颗粒23引入到所述基本材料中。反射辐射的颗粒23具有光学折射率232，所述光学折射率大于基本材料的光学折射率222。例如，反射辐射的颗粒23由下述材料中的至少一种形成或包含下述材料中的至少一种：TiO2、ZrO2、ZnO、Al2O3、BaSO4、MgO、Ta2O5、HfO2、Gd2O3、Nb2O3、Y2O3。反射辐射的颗粒例如具有以Q0测量的至少100nm到至多300nm的、例如为200nm的d50值。反射辐射的颗粒23的所述大小范围尤其已证实特别有效地反射波长为500nm的电磁辐射。此外，反射辐射的颗粒23在基本材料22中具有至少为20％的重量百分比的浓度。有利地，能够根据反射辐射的颗粒23的浓度单独调节反射覆层2的反射能力。在本文中，反射覆层2由于反射特性而对于外部观察者而言显现出白色，因为由反射覆层2优选地反射所有出现的色彩光谱。

[0041] 转换元件1的两个主面11和12完全不具有反射覆层2，其中反射覆层2没有在侧向超出转换元件1。特别地，反射覆层2的厚度D2能够至少是转换元件1的厚度D1。

[0042] 图1B示出在此所描述的转换组件10的另一实施例的示意的侧视图。

[0043] 不同于在图1A中所示出的转换组件10，反射覆层2由光子晶体24形成，其中光子晶体24由三维的光子带隙结构形成。光子晶体24包括孔241，所述孔填充有空气。在此，光子晶体24由陶瓷材料、例如由TiO2和/或SiO2形成。在此所描述的反射覆层2具有特别高的反射率。如果光子晶体24例如由TiO2形成，那么能够实现在全部三个空间方向上完全地反射射到反射覆层2上的电磁辐射。特别地，孔241能够具有至少200nm和至多300nm的、例如250nm的直径，即孔241之内的两个点之间的最大间距。孔241的所述孔大小尤其能够用于有效地反射波长例如为500nm的电磁辐射。

[0044] 在图1C中示出在此所描述的转换组件10的另一实施例的示意的侧视图，其中不同于在图1A和1B中所示出的转换组件10，附加地将吸收辐射的覆层4完全地施加到反射覆层2的背离转换元件1的外面41上。吸收辐射的覆层4例如由基体材料形成，将吸收辐射的颗粒或者纤维引入到所述基体材料中。吸收辐射的颗粒例如是碳黑颗粒或由Fe3O4形成的颗粒。吸收辐射的覆层4能够对于外部观察者而言显现出黑色。有利地，穿过反射覆层2的电磁辐射能够被吸收辐射的覆层4吸收。此外，由此能够避免不期望的剩余辐射穿过侧面13离开转换元件1。

[0045] 在图1D中，例如根据如在图1A至1C中所描述的至少一个实施形式示出在此所描述的转换元件10的示意的俯视图。可以识别转换元件1的第二主面12以及反射覆层2。将反射覆层2完全地施加到全部的六个侧面13上。此外，转换元件1在区域B1中具有凹陷部A1。对于将转换组件10施加在发射辐射的半导体芯片的辐射耦合输出面上的情况，通过凹陷部A1露出半导体芯片的接合线连接区域。

[0046] 图2A和2B示出在此所描述的半导体器件100的实施例示意的侧视图。

[0047] 在图2A中示出具有辐射耦合输出面21的发射辐射的半导体芯片20，在半导体芯片20中产生的电磁辐射的至少一部分穿过所述辐射耦合输出面离开半导体芯片20。在辐射耦合输出面21和转换元件1的第一主面11之间设置粘附层30。粘附层30经由辐射耦合输出面
21和第一主面21既与转换元件1也与半导体芯片20直接接触，使得在粘附层30一方和转换元件1以及半导体芯片20另一方之间既不构成间隙也不构成中断。粘附层30实现半导体芯片20和转换组件10之间的机械上牢固的连接。例如粘附层30由硅树脂形成。优选地，粘附层
30对于由半导体芯片20发射的电磁辐射是可穿透的。在此，所有的侧面26都不具有反射覆层2。

[0048] 在图2B中，不同于在图2A中所示出的实施例，将另一反射覆层5完全地施加到半导体芯片20的侧面26上。另一反射覆层5和反射覆层2直接地相互邻接。这两个覆层2和5分别由相同的材料或分别由不同的材料形成。

[0049] 本发明不局限于根据实施例进行的描述。更确切地说，本发明包括每个新特征以及特征的组合，这尤其是包含在实施例中的特征的任意的组合，即使这些特征或这些组合本身没有明确地在实施例中说明时也如此。

[0050] 本专利申请要求德国专利申请102010048162.9的优先权，其公开内容在此通过参引并入本文。