一种纳米硅复合材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种具有核壳结构的纳米硅复合材料的制备方法，直接采用高纯度半导体（9N级晶硅）或太阳能级（6N级晶硅）铸锭的硅棒，采用电弧放电、高温等离子体气化、活化处理、接枝反应等步骤得到一种核壳结构硅纳米复合材料，成品转化率和纯度较高，制得的硅纳米复合材料由于硅纳米表面具有核壳结构，不容易发生团聚和氧化，容易保存，制备方法简单易行，适合规模化生产。

权利要求

1.一种纳米硅复合材料的制备方法，其特征在于，具体步骤为：

1)硅锭原材料采用太阳能光伏级棒状硅锭，通过电弧放电法制得10～100微米的硅粉；

2)用送料气体将微米级硅粉传入高温等离子体腔，经过气化、成核、生长等三个过程形成纳米级硅粒；送料气体流速范围为每分钟5～20L；等离子体发生器功率为5～200千瓦，频率为1～20兆赫兹；

3)在等离子体发生器的中间段至尾部引入含有一定量活化气体的冷却气流对纳米级硅粒表面进行活化处理，活化气体的浓度为0.1％～3.5％，流速范围为每分钟2-20L；

4)在接枝反应腔内引入含有接枝化合物的接枝气体将氢化后的纳米硅进行接枝反应；

接枝化合物的浓度为1％～20％，流速范围为每分钟2-20L；

5)反应腔内接枝反应完成后，将产物进行过滤收集即可得到所需的纳米硅复合材料。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中所述送料气体为氩气和氦气中的一种或两种。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中所述送料气体中混合有磷烷(PH3)或硼烷(B2H6)。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中所述活化气体为氢气(H2)、硅烷、氨气(NH3)中的一种或多种混合物。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中所述接枝化合物为烯烃、炔烃的不饱和烃化合物。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中所述接枝化合物为正十二烯、乙炔或者苯乙炔。

说明书

一种纳米硅复合材料的制备方法

技术领域

[0001] 本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种纳米硅复合材料的制备方法，尤其是可以规模化生产的方法。

背景技术

[0002] 现有的纳米硅制备方法可归结为两类方法：第一类方法是裂解小分子形成纳米硅粒子（Bottom Up）。通常以硅烷（CH4）为原料借用高功率激光或等离子体的能量进行脱氢，将Si-H键断裂生成Si-Si键、硅核(SiX)、以至硅粒子。这类方法的通病是脱氢不完全、原材料转化率低、产率低。由于不完全脱氢，产品常包含有危害性的气体，比如未反应的原料气体（CH4）、反应中间体多聚硅烷、以及脱氢反应的副产物氢气(H2)。这些易燃易爆气体严重影响安全生产。第二类方法是将硅块进行机械粉碎球磨成纳米粒子（Top Down）。这种方法产出的粒子形状不规则、大小分布不均匀。另外，机械球磨法生产纳米级粒子的时间长产率低。不适宜工业化规模生产。

[0003] 现有的方法均是制得纳米级别的硅粉，纳米硅比表面积大，极易发生氧化等反应，不易保存。

[0004] 专利CN102910630A所述的制备方法是通过机械球磨将硅块粉碎成微米级颗粒，在氩气等离子体将硅粒气化，然后冷却凝聚成纳米硅粒，通过常规方法收集成硅粉，但这种在粉碎硅锭的工艺中，物理机械碰撞或摩擦难免会引入新的杂质，导致最终产品纯度受到影响，且未经保护的纳米硅材料极易发生团聚和氧化，不易保存。

发明内容

[0005] 本发明的目的是提供一种纳米硅复合材料的制备方法，直接采用高纯度半导体（9N级晶硅）或太阳能级（6N级晶硅）铸锭的硅棒，采用电弧放电、高温等离子体气化、活化处理、接枝反应等步骤得到一种核壳结构硅纳米复合材料，成品转化率和纯度较高，制得的硅纳米复合材料由于硅纳米表面具有核壳结构，不容易发生团聚和氧化，容易保存，制备方法简单易行，适合规模化生产。

[0006] 为实现上述发明目的，本发明采用了如下技术方案：

[0007] 一种纳米硅复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤

[0008] 1）由多晶或单晶硅锭制备微米级硅粉；

[0009] 2）微米级硅粉经高温等离子气化形成纳米级硅粉；

[0010] 3）通入活化气体对纳米级硅粉表面进行氢化处理；

[0011] 4）通入接枝反应化合物（气体）对氢化处理后的纳米硅粉进行化学接枝；

[0012] 5）分离和收集接枝反应完成后得到的核壳结构硅纳米复合材料。

[0013] 上述工艺具体步骤为：

[0014] （1）硅锭原材料采用太阳能级棒状硅锭，通过电弧放电法制得50~100微米的硅粉；

[0015] （2）用送料气体流将微米级硅粉传入高温等离子体腔，经过气化、成核、生长等三个过程形成纳米级硅粒；送料气体流速范围为每分钟5-20L；等离子体发生器功率为5~200千瓦，频率为1~20兆赫兹；

[0016] （3）在等离子体发生器的中间段至尾部引入含有一定量活化气体的冷却气流对纳米级硅粒表面进行氢化处理，活化气体的浓度为0.1%~3.5%，流速范围为每分钟2-20L。在接枝反应腔内引入含接枝化合物的气流，其浓度范围在1%-20%之间，流速范围为每分钟
2-20L，对氢化后的纳米硅进行接枝反应。

[0017] （4）接枝反应完成后，将产物进行过滤收集即可得到所需的核壳结构硅纳米复合材料。

[0018] 作为优化，所述送料气体为氩气和氦气中的一种或两种。

[0019] 作为优化，所述送料气体可含有磷烷。

[0020] 作为优化，所述送料气体可含有硼烷

[0021] 作为优化，所述活化气体为氢气、硅烷、氨气的一种或其混合物。

[0022] 作为优化，所述接枝气体化合物为烯烃、炔烃等不饱和烃类的一种。

[0023] 作为补充优化，所述接枝气体化合物为正十二烯，乙炔或苯乙炔等。

[0024] 上述步骤（1）中采用电弧放电法制备微米级硅粉的方法的装置：包括置于腔体中的电极原材料，第一电极原材料接地，并连接带动其作旋转运动的马达，第二电极原材料连接带动其作线性运动的步进马达，并连接脉冲电源，腔体的一端连通进介电气体或液体的管道，腔体的另一端由阀门连通微米级硅粉送粉器。所述的第一电极原材料为所需制备之纳米材料的块材，其形状为圆柱体，并在所连接马达驱动下作旋转运动。所述的第二电极原材料也为所需制备之纳米材料的块材，其形状特征在于其一面含有凹形圆柱面，与第一电极圆柱体面相对保持一致间距。这样第一、二电极在脉冲电源施加的电压下产生火花放电，使电极原材料熔化、气化，喷射至介电气体或液体中冷却形成纳米颗粒。由于第一、二电极间具有大相对电极面积，且第一电极不停旋转，使其圆柱体面均能参与火花放电过程，使制备的纳米颗粒的产能提高。又由于第二电极原材料连接于作线性运动的步进马达，可以用来改变、控制第一、二电极间距，使得火花放电过程的电压、电流稳定，产生的纳米颗粒的尺寸分布均匀。可以利用火花放电过程的电压、电流作为反馈，通过可编程逻辑控制器（PLC）编程来动态控制第一、二电极间距。也可以在每一次火花放电之后，通过步进电机移动第二电极，使之与第一电极接触短路，之后再移动第二电极后退之所设定的电极间距，进行下一个火花放电。

[0025] 所述的电源为脉冲电源。

[0026] 上述等离子体发生器包括中空的腔体，腔体上端设有供硅粉料进入的投料口和保护气氛通入的风帘，送粉器连接投料口，腔体内部分为上中下三部分，上半部分为燃烧室，中间部分为接枝反应腔，下半部分为沉泻腔，所述沉泻腔下端连接有收集腔；燃烧室内装有石英管，石英管外围绕有放电线圈，石英管内为等离子弧高温区域，石英管上端连接投料口和风帘进气端；等离子弧高温区域下端设在接枝反应腔内，接枝反应腔内壁设有从外部通入反应气体和活性气体的进气管道，进气管道的喷嘴朝向等离子高温区域；所述腔体外壁上设有冷却装置。冷却装置为装有冷却水的管道。

[0027] 上述电弧放电法所用的设备的送粉器通过管道和阀门连接上述等离子体发生器的投料口。

[0028] 上述步骤（1）中制备微米级硅粉的方法，具体步骤为：

[0029] 1.提供火花放电法制备硅微米颗粒的腔体；

[0030] 2.引进介电气体或液体进入上述腔体。介电气体、液体通常可以是：氩气、氮气、氦气、液氩、液氮、液氦、水、煤油等。不同的介电材料对于火花放电的过程、颗粒的冷却速度及形成的纳米颗粒的尺寸、结构及性能都具有影响。应根据所需的颗粒的尺寸及性能要求，配合火花放电过程的控制难易及产能来选择合适的介电材料。对于制备硅颗粒，通常利用氩气或液氩为介电材料。

[0031] 3.提供置于腔体内的、用于制备硅颗粒的第一、第二电极原材料。第一电极的形状为圆柱体，并在所连接马达驱动下作旋转运动。第二电极其形状特征在于其一面含有凹形圆柱面，与第一电极圆柱体面相对保持一致间距。

[0032] 4.由连接电极的脉冲电源施加电压，在第一、第二电极间产生火花放电，使电极原材料熔化、气化，喷射至介电气体或液体中冷却形成硅微颗粒。第一电极在所连接马达驱动下旋转，使其圆柱体面均能参与火花放电过程；第二电极连接于作线性运动的步进马达，可以用来改变、控制第一、二电极间距，使得火花放电过程的电压、电流稳定。并利用火花放电过程的电压、电流作为反馈，通过可编程逻辑控制器（PLC）编程来动态控制第一、二电极间距。也可以在每一次火花放电之后，通过步进电机移动第二电极，使之与第一电极接触短路，之后再移动第二电极后退之所设定的电极间距，进行下一个火花放电。

[0033] 5.由收集器分离、收集制备的硅微米颗粒。通过颗粒收集器里的过滤布分离、收集微米级硅粉。

[0034] 上述步骤（2）中制备纳米硅复合材料的方法，具体步骤为：

[0035] 1.将上述步骤（1）制备的微米级硅粉送入送粉器中；

[0036] 2.进行系统抽真空后充入氩气。几次循环后，系统内为氩气环境。调节系统工作气体压力在0.1-0.5MPa之间；

[0037] 3.开启等离子电源，并调节电压和电流分布为100-200V和50-200A；

[0038] 4.当等离子体功率稳定后，启动送粉器。用混合有0%-10%浓度的磷烷或硼烷的氩气或氦气作为送料气体，将送粉器内的微米级硅粉引入等离子体火炬，发生气化、成核、生长等过程。

[0039] 发明优点

[0040] 本发明所述纳米硅复合材料的制备方法，具有如下优点：

[0041] 1、本发明所述的方法生产纳米硅复合材料纯度高，从硅原料到纳米硅粉产品的转换率高于90%；

[0042] 2、本发明制得的硅纳米复合材料由于具有核壳结构，硅粒子表面活性低。生产时，不容易发生团聚和氧化。使用和保存时，不容易粘染杂质；

[0043] 3、本发明所述的方法产量高，每小时可生产300克以上；

[0044] 4、本发明所述方法简单易行，生产安全系数高，适合规模化生产。

[0045] 附图说明：

[0046] 图1为本发明制备具有壳核结构硅纳米复合材料的制备流程图；

[0047] 图2为本发明制备方法所使用装置的示意图；

[0048] 图3为本发明微米级硅粉SEM表征图；

[0049] 图4为本发明纳米级硅粉SEM表征图；

[0050] 图5为本发明制备的纳米级硅粉TEM表征图；

[0051] 图6为本发明制备的具有壳核结构硅纳米粉的TEM表征图；

[0052] 图7为硅纳米复合材料的EDS表征图表。

[0053] 其中，1、送料电机；2、保护气体；3、第一电极；4、第二电极；5、步进马达；6、电弧室；7、脉冲电源； 8、腔体；9、收集器；10、阀门，11、送粉气体，12、供料系统，13、阀门，14、风帘，15、线圈，16、石英管，17、等离子弧，18、燃烧室，19、电源，20、氢化气体，21、接枝气体，22、活化腔，23、接枝反应腔，24、沉淀腔，25、冷却装置，26、收集腔。

具体实施方式

[0054] 以下结合附图1优选实施例对本发明的技术方案作进一步的说明。

[0055] 实施例1

[0056] 在直流电弧等离子发生器中通入保护气氛，将硅棒装入电弧发生器阳极中并成为阳极的一部分。第二电极4在所连接马达驱动下作旋转运动，转速为30转/分钟。可以观察到在第一、第二电极之间产生连续的火花放电现象。放电时，电压从设置值300V降至20 V、电流从设置值16.7A升至250 A。在每一次火花放电之后，步进马达1移动第一电极3，使之与第二电极4接触短路，之后再移动第一电极3后退至所设定的电极间距设为1mm，进行下一个火花放电。连续运行4小时后，收集硅粉约4公斤，微米级硅颗粒呈球形，平均直径为50微米（见图3），纯度高于6N。

[0057] 打开阀门10和送料气体11将制得的微米级硅粉送入送粉器中12。进行系统抽真空后充入氩气。几次循环后，系统内为氩气环境。调节系统工作气体压力在0.1-0.5MPa之间。开启等离子电源19，并调节电压和电流分别为100-200V和50-200A；当等离子体功率稳定后，打开阀门13。启动供料系统12。用含有5%的磷烷的氩气流将送粉器内的微米级硅粉引入燃烧室18。送粉气体流速设为每分钟10L，风帘氩气流速设为每分钟50L。在等离子火炬中，磷烷发生分解生成磷和氢气。微米硅粒发生气化。在冷却气流的作用下，硅和磷成核并生长成颗粒。在等离子体火焰的尾部引入氨气，浓度为10%，对硅粒表面进行氢化处理。在接枝反应腔内，引入接枝气体乙炔，浓度为10%，流速为每分钟10L，将氢化处理后的硅粒子进行接枝反应，形成壳层。成品收集在收集腔26内。经检验分析，产率达800克/小时，硅粒子为球形，平均直径为50纳米（见图4），无团聚现象，X-射线能谱分析表明产品含磷量为7%（重量份）。

[0058] 实施例2

[0059] 在直流电弧等离子发生器中通入保护气氛，将硅棒装入电弧发生器阳极中并成为阳极的一部分。第二电极4在所连接旋转马达5驱动下作旋转运动，转速为20转/分钟。可以观察到在第一、第二电极之间产生连续的火花放电现象。放电时，电压从设置值350V降至10 V、电流从设置值15A升至250 A。在每一次火花放电之后，步进马达1移动第一电极3，使之与第二电极4接触短路，之后再移动第一电极3后退至所设定的电极间距设为
0.8mm，进行下一个火花放电。连续运行2小时后，收集硅粉约3公斤，微米级硅颗粒呈球形，平均直径为20微米。

[0060] 打开阀门10和送料气体11将制得的微米级硅粉送入送粉器中12。进行系统抽真空后充入氮气。几次循环后，系统内为氮气环境。调节系统工作气体压力在0.1-0.5MPa之间。开启等离子电源19，并调节电压和电流分别为100-200V和50-200A；当等离子体功率稳定后，打开阀门13。启动供料系统12。用氮气气流将送粉器内的微米级硅粉引入燃烧室18。送粉气体流速设为每分钟10L，风帘氩气流速设为每分钟50L。在等离子体火焰的尾部引入氢气，浓度为12%，对硅粒表面进行氢化处理。在接枝反应腔内，引入接枝气体正十二烯气体，浓度为7%，流速为每分钟10L，将氢化处理后的硅粒子进行接枝反应，形成壳层。成品收集在收集腔26内。经检验分析，产率达1000克/小时，硅粒子为球形，平均直径为30纳米，无团聚现象。

[0061] 需要指出的是，以上所述者仅为用以解释本发明之较佳实施例，并非企图据以对本发明作任何形式上之限制，是以，凡有在相同之发明精神下所作有关本发明之任何修饰或变更，皆仍应包括在本发明意图保护之范畴。