微图案形成方法和使用其的微通道晶体管和微通道发光晶体管的形成方法转让专利
申请号 : CN201180059051.6
文献号 : CN103261088B
文献日 : 2015-01-07
发明人 : 闵盛涌 , 金泰植 , 李泰雨
申请人 : 浦项工科大学校产学协力团
摘要 :
权利要求 :
1.一种形成微图案的方法,所述方法包括:
在衬底上形成具有圆形截面或椭圆形截面的有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案;
在形成有所述有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案的所述衬底的整个表面上形成材料层;和从所述衬底上除去所述有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案,以仅保留所述衬底的未形成有所述有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案的部分上的所述材料层,其中,所述有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案的形成通过使用电场辅助机器人喷嘴印刷机来执行,所述电场辅助机器人喷嘴印刷机适于排出通过将有机材料或有机-无机混合材料与蒸馏水或有机溶剂相混合而制备的有机溶液,所述电场辅助机器人喷嘴印刷机放置在壳体中,所述壳体被密封且设置有通风机,其中,通过使用所述通风机控制所述壳体中的蒸气压而控制在形成有机线或有机-无机混合线期间的溶剂的蒸发速度。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述电场辅助机器人喷嘴印刷机包括:溶液储存装置,所述溶液储存装置供给待排出的溶液;喷嘴,所述喷嘴排出由所述溶液储存装置供给的溶液;电压施加装置,所述电压施加装置向所述喷嘴施加高电压;平整的且可移动的收集器,从所述喷嘴排出而形成的有机线或有机-无机混合线对齐在所述收集器上;机器人平台,所述机器人平台安装在所述收集器的下方以使所述收集器沿着x-y方向移动,所述x-y方向即水平方向;微距控制器,所述微距控制器控制所述喷嘴和所述收集器之间的在z方向上的距离,所述z方向即竖直方向;以及底板,所述底板设置在所述机器人平台的下方以保持所述收集器的平整度并抑制所述机器人平台运行期间产生的振动。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述喷嘴和所述收集器之间的距离在10μm至
20mm的范围内。
4.根据权利要求2所述的方法,其中,通过所述电场辅助机器人喷嘴印刷形成所述有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案的步骤包括:将有机材料或有机-无机混合材料与蒸馏水或有机溶剂相混合以制备有机溶液;
将所述有机溶液加入所述电场辅助机器人喷嘴印刷机的所述溶液储存装置中;
通过所述电场辅助机器人喷嘴印刷机的所述电压施加装置向所述喷嘴施加高电压,同时使所述溶液储存装置中的所述有机溶液从所述喷嘴排出;和使所述收集器移动,同时将由所述喷嘴排出的所述有机溶液形成的有机线或有机-无机混合线在所述收集器上的所述衬底上对齐。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,所述有机材料包括有机低分子量半导体、有机聚合物半导体、导电聚合物、绝缘聚合物或其混合物。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述有机材料包括有机低分子量半导体材料、有机聚合物半导体/导电聚合物材料或有机绝缘聚合物,所述有机低分子量半导体材料选自
6,13-双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯、三乙基甲硅烷基乙炔基双噻吩蒽TES ADT和[6,6]-苯基C61丁酸甲酯PCBM;所述有机聚合物半导体/导电聚合物材料选自聚噻吩、聚(3-己基噻吩)P3HT、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)PEDOT、聚(9-乙烯基咔唑)PVK或其衍生物、聚对苯乙烯撑或其衍生物、聚芴或其衍生物、聚(螺-芴)或其衍生物、聚苯胺或其衍生物和聚吡咯或其衍生物;所述有机绝缘聚合物选自聚氧化乙烯PEO、聚苯乙烯PS、聚已酸内酯PCL、聚丙烯腈PAN、聚(甲基丙烯酸甲酯)PMMA、聚酰亚胺、聚(偏二氟乙烯)PVDF和聚氯乙烯PVC。
7.根据权利要求4所述的方法,其中,所述有机-无机混合材料包括具有纳米尺寸的粒子、线、带、杆形状的半导体、金属、金属氧化物、金属或金属氧化物的前驱体、碳纳米管CNT、还原后的石墨烯氧化物、石墨烯、石墨、或具有由纳米尺寸的化合物半导体粒子形成的核的量子点中的至少一种或多种。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案的直径在10nm至100μm的范围内。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,所述有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案具有任意取向的图案或对齐的图案。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,在所述有机线或有机-无机混合线的对齐的图案中的两个或多个平行线之间的角度公差在0度到10度的范围中。
11.根据权利要求9所述的方法,其中,所述有机线或有机-无机混合线的对齐的图案的平直度相对于每根线的直径在0%到10%的范围内。
12.根据权利要求1所述的方法,其中,所述材料层包括金属、半导体无机材料、导电无机材料、绝缘无机材料、有机聚合物半导体、有机低分子量半导体、有机导电聚合物、有机绝缘聚合物、或其混合物。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,所述材料层包括金属或导电无机材料、半导体无机材料、绝缘无机材料、有机聚合物半导体/有机导电聚合物、有机低分子量半导体、有机绝缘聚合物、及其混合物,所述金属或导电无机材料选自金、铂、银、镍、铜、铝、钛、钴、铁、钨、钌、铑、钯、钼、镉、钒、铬、锌、铟、铱、锂、锡、铅、及其合金;所述半导体无机材料选自p型掺杂硅或n型掺杂硅、氧化锌、氧化铟、铟锡氧化物ITO、铟锌氧化物IZO、硅和锗;所述绝缘无机材料选自SiO2和SiN;所述有机聚合物半导体/有机导电聚合物选自聚3-己基噻吩P3HT、聚3-辛基噻吩P3OT、聚丁基噻吩PBT、聚乙烯二氧噻吩PEDOT/聚苯乙烯磺酸盐PSS、聚(9,9’-二辛基芴-共-联噻吩)F8T2、聚对苯乙烯撑或其衍生物、聚(噻吩乙炔)PTV或其衍生物、聚乙炔或其衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、以及聚芴或其衍生物;所述有机低分子量半导体选自三异丙基甲硅烷基乙炔基TIPS并五苯、并五苯、并四苯、蒽、红荧烯和α-六噻吩(α-6T);所述有机绝缘聚合物选自聚氧化乙烯PEO、聚苯乙烯PS、聚已酸内酯PCL、聚丙烯腈PAN、聚(甲基丙烯酸甲酯)PMMA、聚酰亚胺、聚(偏二氟乙烯)PVDF或聚氯乙烯PVC。
14.根据权利要求1所述的方法,其中,从所述衬底上去除所述有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案的步骤包括:通过利用粘合带剥离所述有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案。
15.根据权利要求1所述的方法,其中,从所述衬底上去除所述有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案的步骤包括:将沉积有所述材料层的所述衬底浸渍在用于超声处理的有机溶剂中,并且利用高频波超声处理用于超声处理的所述有机溶剂。
16.根据权利要求1和权利要求9至11中任一项所述的方法,其中,通过利用所述有机线或有机-无机混合线的对齐的图案而形成的所述微图案的宽度在10nm至100cm的范围内。
17.一种形成微图案的方法,所述方法包括:
在衬底上形成图案形成层;
在所述衬底上形成具有圆形截面或椭圆形截面的有机线蚀刻掩模图案或有机-无机混合线蚀刻掩模图案;
通过利用所述有机线蚀刻掩模图案或有机-无机混合线蚀刻掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述图案形成层;和从所述衬底上选择性地除去所述有机线蚀刻掩模图案或有机-无机混合线蚀刻掩模图案,其中,所述有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案的形成通过使用电场辅助机器人喷嘴印刷机来执行,所述电场辅助机器人喷嘴印刷机适于排出通过将有机材料或有机-无机混合材料与蒸馏水或有机溶剂相混合而制备的有机溶液,所述电场辅助机器人喷嘴印刷机放置在壳体中,所述壳体被密封且设置有通风机,其中,通过使用所述通风机控制所述壳体中的蒸气压而控制在形成有机线或有机-无机混合线期间的溶剂的蒸发速度。
18.根据权利要求17所述的方法,其中,所述图案形成层包括:零维材料,所述零维材料由选自导体、有机半导体、无机半导体、具有由纳米尺寸的氧化物半导体粒子形成的核的量子点半导体、有机绝缘体、无机绝缘体的材料构成;一维材料,所述一维材料选自半导体带、金属纳米带、碳纳米管、半导体纳米线和金属纳米线;二维材料,所述二维材料由选自石墨烯、MoS2、六方氮化硼BN的材料构成。
19.根据权利要求18所述的方法,其中,所述零维材料包括金属。
20.根据权利要求18所述的方法,其中,所述零维材料包括富勒烯。
21.根据权利要求17所述的方法,其中,所述图案形成层包括薄膜或图案,所述薄膜或图案具有选自有机材料、无机材料和有机-无机混合材料的导体、半导体、或绝缘体的特征。
22.根据权利要求21所述的方法,其中,所述有机材料是聚合物材料。
23.根据权利要求17所述的方法,其中,所述图案形成层包括光致抗蚀剂图案。
24.根据权利要求17所述的方法,其中,通过使用干法蚀刻方法或湿法蚀刻方法进行所述图案形成层的蚀刻,所述干法蚀刻法包括气体等离子蚀刻方法、反应离子蚀刻方法或离子铣方法。
25.一种形成具有底栅结构的微通道晶体管的方法,所述方法包括:
在衬底上形成栅电极;
在所述栅电极上形成栅极介电层;
在所述栅极介电层上形成具有圆形截面或椭圆形截面的有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案;
在所述栅极介电层和所述有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案上形成用于源电极和漏电极的材料层;
通过从所述衬底上剥离所述有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案而形成源电极和漏电极;以及在所述源电极和所述漏电极上形成有源层,
其中,所述有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案的形成通过使用电场辅助机器人喷嘴印刷机来执行,所述电场辅助机器人喷嘴印刷机适于排出通过将有机材料或有机-无机混合材料与蒸馏水或有机溶剂相混合而制备的有机溶液,所述电场辅助机器人喷嘴印刷机放置在壳体中,所述壳体被密封且设置有通风机,其中,通过使用所述通风机控制所述壳体中的蒸气压而控制在形成有机线或有机-无机混合线期间的溶剂的蒸发速度。
26.一种形成具有顶栅结构的微通道晶体管的方法,所述方法包括:
在衬底上形成具有圆形截面或椭圆形截面的有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案;
在所述有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案上形成用于源电极和漏电极的材料层;
通过从所述衬底上剥离所述有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案而形成源电极和漏电极;
在所述源电极和所述漏电极上形成有源层;
在所述有源层上形成栅极介电层;以及
在所述栅极介电层上形成栅电极,
其中,所述有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案的形成通过使用电场辅助机器人喷嘴印刷机来执行,所述电场辅助机器人喷嘴印刷机适于排出通过将有机材料或有机-无机混合材料与蒸馏水或有机溶剂相混合而制备的有机溶液,所述电场辅助机器人喷嘴印刷机放置在壳体中,所述壳体被密封且设置有通风机,其中,通过使用所述通风机控制所述壳体中的蒸气压而控制在形成有机线或有机-无机混合线期间的溶剂的蒸发速度。
27.根据权利要求25或26所述的方法,其中,通过所述电场辅助机器人喷嘴印刷形成所述有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案的步骤包括:将有机材料或有机-无机混合材料与蒸馏水或有机溶剂相混合以制备有机溶液;
将所述有机溶液放入电场辅助机器人喷嘴印刷机的溶液储存装置中,所述电场辅助机器人喷嘴印刷机包括:所述溶液储存装置,所述溶液储存装置供给待排出的溶液;喷嘴,所述喷嘴排出由所述溶液储存装置供给的溶液;电压施加装置,所述电压施加装置向所述喷嘴施加高电压;平整的且可移动的收集器,从所述喷嘴排出而形成的有机线或有机-无机混合线在所述收集器上对齐;机器人平台,所述机器人平台安装在所述收集器的下方以使所述收集器沿着x-y方向移动,所述x-y方向即水平方向;微距控制器,所述微距控制器控制所述喷嘴和所述收集器之间的在z方向上的距离,所述z方向即竖直方向;以及底板,所述底板设置在所述机器人平台的下方以保持所述收集器的平整度并抑制所述机器人平台运行期间产生的振动;
通过所述电场辅助机器人喷嘴印刷机的所述电压施加装置向所述喷嘴施加高电压,同时使所述溶液储存装置中的所述有机溶液从所述喷嘴排出;和使所述收集器移动,同时将由所述喷嘴排出的所述有机溶液形成的有机线或者有
机-无机混合线在所述收集器上的所述衬底上对齐。
28.根据权利要求25或26所述的方法,其中,所述源电极和所述漏电极之间的间隔在
10nm至100μm的范围内。
29.根据权利要求25或26所述的方法,其中,所述有源层包括:无机半导体材料,所述无机半导体材料选自硅、锗和氧化锌ZnO;有机聚合物半导体材料,所述有机聚合物半导体材料选自聚3-己基噻吩P3HT、聚3-辛基噻吩P3OT、聚丁基噻吩PBT、和聚吡咯或其衍生物;
或有机低分子量半导体材料,所述有机低分子量半导体材料选自三异丙基甲硅烷基乙炔基TIPS并五苯、并五苯和蒽。
30.根据权利要求25或26所述的方法,其中,通过热蒸发、电子束蒸发、原子层沉积、化学气相沉积、旋涂、浸涂、滴铸或溅射而形成所述有源层。
31.根据权利要求27所述的方法,其中,通过利用电场辅助机器人喷嘴印刷机以有机线的形状形成所述有源层。
32.根据权利要求31所述的方法,其中,形成所述有源层的步骤包括:
将有源层材料与蒸馏水或有机溶剂相混合以制备有源层材料溶液;
将所述有源层材料溶液放入所述电场辅助机器人喷嘴印刷机的所述溶液储存装置
中;
通过所述电场辅助机器人喷嘴印刷机的电压施加装置向喷嘴施加高电压,同时使所述溶液储存装置中的所述有源层材料溶液从所述喷嘴排出;和使所述收集器移动,同时将由所述喷嘴排出的所述有源层材料溶液形成的有机线在所述收集器上的所述衬底上对齐。
33.一种形成具有底栅结构的微通道发光晶体管的方法,所述方法包括:
在衬底上形成栅电极;
在所述栅电极上形成栅极介电层;
在所述栅极介电层上形成具有圆形截面或椭圆形截面的有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案;
在所述栅极介电层和所述有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案上形成用于源电极和漏电极的材料层;
通过从所述衬底上剥离所述有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案而形成源电极和漏电极;以及在所述源电极和所述漏电极上形成发光有源层,
其中,所述有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案的形成通过使用电场辅助机器人喷嘴印刷机来执行,所述电场辅助机器人喷嘴印刷机适于排出通过将有机材料或有机-无机混合材料与蒸馏水或有机溶剂相混合而制备的有机溶液,所述电场辅助机器人喷嘴印刷机放置在壳体中,所述壳体被密封且设置有通风机,其中,通过使用所述通风机控制所述壳体中的蒸气压而控制在形成有机线或有机-无机混合线期间的溶剂的蒸发速度。
34.一种形成具有顶栅结构的微通道发光晶体管的方法,所述方法包括:
在衬底上形成具有圆形截面或椭圆形截面的有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案;
在所述有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案上形成用于源电极和漏电极的材料层;
通过从所述衬底上剥离所述有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案而形成源电极和漏电极;
在所述源电极和所述漏电极上形成发光有源层;
在所述发光有源层上形成栅极介电层;以及
在所述栅极介电层上形成栅电极,
其中,所述有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案的形成通过使用电场辅助机器人喷嘴印刷机来执行,所述电场辅助机器人喷嘴印刷机适于排出通过将有机材料或有机-无机混合材料与蒸馏水或有机溶剂相混合而制备的有机溶液,所述电场辅助机器人喷嘴印刷机放置在壳体中,所述壳体被密封且设置有通风机,其中,通过使用所述通风机控制所述壳体中的蒸气压而控制在形成有机线或有机-无机混合线期间的溶剂的蒸发速度。
35.根据权利要求33或34所述的方法,其中,所述发光有源层包括:无机发光半导体的粒子、量子点、杆、线、或薄膜,所述无机发光半导体选自GaAs、AlGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、GaN、InGaN、ZnSe、CdSe、CdTe和CdS;有机发光聚合物半导体材料,所述有机发光聚合物半导体材料选自聚(9-乙烯基咔唑)或其衍生物、聚(9,9’-二辛基芴-共-联噻吩)F8T2或其衍生物、聚(9,9’-二辛基芴-共-苯并噻二唑)F8BT或其衍生物、聚对苯乙烯撑或其衍生物、聚苯撑或其衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚芴或其衍生物、以及聚(螺-芴)或其衍生物;有机发光低分子量半导体材料,所述有机发光低分子量半导体材料选自并四苯、红荧烯、α,ω-双(联苯基)三噻吩BP3T、α-五噻吩(α-5T)、α-六噻吩(α-6T)、以及N,N’-二十三烷基苝-3,4,9,10-四羧二酰亚胺P13;或其混合物。
36.根据权利要求33或34所述的方法,其中,所述发光有源层还包括促进空穴和电子的注入的离子掺杂剂。
37.根据权利要求36所述的方法,其中,所述离子掺杂剂选自四丙基四氟硼酸铵TPABF4、四丁基四氟硼酸铵TBABF4、三氟甲烷磺酸锂LiOTf、三氟甲烷磺酸钾KTf和三氟甲烷磺酸钠NaTf。
38.根据权利要求33或34所述的方法,其中,通过热蒸发、电子束蒸发、原子层沉积、化学气相沉积、旋涂、浸涂、滴铸或溅射形成所述发光有源层。
39.根据权利要求33或34所述的方法,其中,通过利用电场辅助机器人喷嘴印刷机以有机线的形状形成所述发光有源层。
说明书 :
微图案形成方法和使用其的微通道晶体管和微通道发光晶
体管的形成方法
技术领域
其来形成电子器件的方法。
背景技术
(UV)光源的昂贵设备,如248nm KrF准分子激光器或193nm ArF准分子激光器以实现纳米
级图案。尽管如此,分辨率可被限于约0.1μm。因此,可能需要新的技术方法以用于减少图案大小和成本。
金-银-金(或金-镍-金)形式的纳米线被制备且任意分散在衬底上,然后使金/钛或二
氧化硅(SiO2)沉积在其上。通过超声处理使金-银-金(或金-镍-金)纳米线与衬底分
离,然后仅从金-银-金(或金-镍-金)纳米线选择性地蚀刻银(或镍)以在金层之间存在
银(或镍)的位置处形成纳米间隔。由于可在通过上述方法制得的纳米线电极中形成最小尺寸为5nm的纳米间隔,故可制造具有高分辨率的纳米级装置。
目的必须使用高成本的电子束光刻技术,故上述方法可能不适于大面积生产或大量生产。
(3)上述方法具有差的再现性,因此难以用于实际器件。
Pisana,Y.Fu,P.Beecher,W.I.Miline,A.C.Ferrari,Nano Letters,8,1358-1362.
(2008))。然而,由于在该方法中纳米线也是随意分散在衬底上,故该方法可具有上文描述的三个缺点。
发明内容
衬底上除去有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案,以只保留衬底的未形成有机线
掩模图案或有机-无机混合线掩模图案的一部分上的材料层。
液;电压施加装置,该电压施加装置向喷嘴施加高电压;平整的且可移动的收集器,从喷嘴排出而形成的有机线或有机-无机混合线在该收集器上对齐;机器人平台,该机器人平台
安装在收集器的下方以使收集器沿着x-y方向(水平方向)移动;微距控制器,该微距控制器控制喷嘴和收集器之间的在z方向(垂直方向)上的距离;以及底板,该底板设置在所述机器人平台的下方以保持收集器的平整度并抑制机器人平台运行期间产生的振动。
液;将该有机溶液放置在电场辅助机器人喷嘴印刷机的溶液储存装置中;通过电场辅助机
器人喷嘴印刷机的电压施加装置向喷嘴施加高电压,同时使溶液储存装置中的有机溶液
从喷嘴排出;以及,使所述收集器移动,同时将由喷嘴排出的有机溶液形成的有机线或有
机-无机混合线在收集器上的衬底上对齐。
刻掩模来蚀刻图案形成层;以及,从衬底上选择性地除去有机线蚀刻掩模图案或有机-无
机混合线蚀刻掩模图案。
丝、湿法纺丝、干法纺丝、凝胶纺丝、或静电纺丝来制造。
有圆形截面或椭圆形截面的有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案;在栅极介电层
和有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案上形成用于源电极和漏电极的材料层;通
过从衬底上剥离有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案而形成源电极和漏电极;以
及,在源电极和漏电极上形成有源层。
合线掩模图案;在有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案上形成用于源电极和漏电
极的材料层;通过从衬底上剥离有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案而形成源电
极和漏电极;在源电极和漏电极上形成有源层;在有源层上形成栅极介电层;以及,在栅极介电层上形成栅电极。
层和有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案上形成用于源电极和漏电极的材料层;
通过从衬底上剥离有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案而形成源电极和漏电极;
以及,在源电极和漏电极上形成发光有源层。
机混合线掩模图案;在有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案上形成用于源电极和
漏电极的材料层;通过从衬底上剥离有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案而形
成源电极和漏电极;在源电极和漏电极上形成发光有源层;在发光有源层上形成栅极介电
层;以及,在栅极介电层上形成栅电极。
案或有机-无机混合线掩模图案上形成材料层,然后除去有机线掩模图案或有机-无机混
合线掩模图案,而在大面积上且在所需的位置处精确地形成具有微间距的图案。由于有机
线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案的形成可在室温或大气压下进行,故该方法可替
代常规的高成本的形成微图案的方法,例如光刻和电子束光刻。
性能晶体管器件。
和漏电极促进空穴和电子注入到有源层中,来制造发光效率高的发光晶体管。
附图说明
人喷嘴印刷机100的示意性透视图和侧视图;
具体实施方式
本领域技术人员。在附图中,为清晰起见使层和区域的厚度增大。在全文中,相同的附图标记指相同的元件。
内的直径。
中,两个或更多个平行线之间的角度公差在0度至10度的范围中。此外,相对于每根线的印刷方向,所对齐的图案的平直度在0%至10%的范围中。此外,所形成的有机线或有机-无
机混合线的对齐图案可具有均一的间距。例如,所形成的有机线或有机-无机混合线的对
齐图案的间距可在约10nm至约100cm的范围中。同时,不满足上述条件的图案被定义为任
意取向的图案。任意取向的图案可具有各种形状(如圆形、椭圆形、弧形、线形和弯曲形状)的组合。
的,则当在掩模图案上形成材料层时,以连续的形状形成掩模图案上的材料层和未形成掩
模图案的部分上的材料层。此时,当除去掩模图案时,在未形成掩模图案的部分上的材料层中,靠近掩模图案的材料层的部分与掩模图案上的材料层一起被除去,因而不能形成精确
的微图案。此外,在掩模图案的截面不是圆形的或椭圆形的情况下,由于掩模图案和衬底之间的接触面积增大,故掩模图案不能被合适地除去。因此,可使用具有圆形截面或椭圆形截面的有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案。
Guo,B.Li,Appl.Phys.Lett.,93,121101(2008))、弯月面导向直接写入(Meniscus-guided Direct Writing)(参见J.T.Kim,S.K.Seol,J.Pyo,J.S.Lee,J.H.Je,G.Margaritondo,Adv.
Mater.23,1968-1970(2011))、熔融纺丝(Melt spinning)(参见S.Kase,T.Matsuo,J.
Polymer.Sci.Part A,3,2541-2554(1965))、湿法纺丝(Wet spinning)(参见G.C.East,Y.Qin,J.Appl.Polymer Sci.50,1773-1779(1993))、干 法 纺 丝(Dry spinning)(参 见
S.Gogolewski,A.J.Pennings,Polymer,26,1394-1400(1985))、凝胶纺丝(Gel spinning)
(参 见 R.Fukae,A.Maekawa,O.Sangen,Polymer,46,11193-11194(2005)) 或 静 电 纺
丝 (Electrospinning)(参 见 V.Thavasi,G.Singh,S.Ramakrishna,Energy Environ.
Sci.1,205-221(2008))。然而,本发明不限于此。
人喷嘴印刷机100的示意性透视图和侧视图。
玻璃、或不锈钢制成,但本发明不限于此。溶液储存装置10的储存容量可选自约1μl至约
5,000ml的范围内,但并不限于此。例如,溶液储存装置10的储存容量可选自约10μl至
约50ml的范围内。在溶液储存装置10由不锈钢制成的情况下,提供能够将气体注入溶液
储存装置10的进气口(未示出),从而可通过使用气体压力将有机溶液注入到溶液储存装置的外部。同时,可使用多个溶液储存装置10以形成具有核壳结构的有机线或有机-无机混
合线。
作排出控制器20。排出控制器20可将有机溶液的排出速度控制在1nl/min至50ml/min的
范围中。在使用多个溶液储存装置10的情况下,可通过在每个溶液储存装置10中设置单
独的排出控制器20而独立地操作该多个溶液储存装置10。在不锈钢制成的溶液储存装置
10的情况下,气体压力调节器(未示出)可用作排出控制器20。
围中,但并不限于此。
范围为约0.1kV至约50kV,但本发明并不限于此。接地的收集器50和具有通过电压施加装
置40施加的高电压的喷嘴30之间可存在电场,在喷嘴30的端部处形成的液滴通过所述电
场形成泰勒锥(Taylor cone),并在其端部处连续地形成有机线或有机-无机混合线。
上移动。相对于施加至喷嘴30的高电压,收集器50相对接地。附图标记51表示收集器50
接地。收集器50可由导电性材料(例如,金属)制成,并可具有的平整度范围为0.5μm至
10μm(平整度表示在完全水平的平面的平整度的值为0时,实际平面与完全水平的平面的
最大误差值。例如,一个平面的平整度为该平面的最低点和最高点之间的距离)。
轴和y轴两个方向移动。例如,机器人平台60可由沿x轴方向移动的x轴机器人平台60a
和沿y轴方向移动的y轴机器人平台60b构成。机器人平台60的可移动距离在10nm以上
至100cm以下的范围中,但并不限于此。机器人平台60的可移动距离可以在10μm以上至
20cm以下的范围中。机器人平台60的移动速度可控制在1mm/min至60,000mm/min的范
围中,但并不限于此。机器人平台60可安装在底板61上,且底板61可具有的平整度范围
为0.1μm至5μm。可通过底板61的平整度恒定地调节喷嘴30和收集器50之间的距离。
即,由于底板61的平整度高,故喷嘴30和在底板61上移动的机器人平台60上设置的收集
器50之间的距离可被恒定地调节。此外,底板61可抑制由机器人平台60的运行而发生的
振动,从而能够控制有机线图案或有机-无机混合线图案的精度。
给装置71使喷嘴30靠近收集器50,然后可通过测微计72准确地调节喷嘴30和收集器50
之间的距离。通过使用微距控制器70可将喷嘴30和收集器50之间的距离调节在10μm
至20mm的范围中。例如,通过使用机器人平台60可使与x-y平面平行的收集器50在x-y
平面上移动,并且通过使用微距控制器70可沿着z轴方向调节喷嘴30和收集器50之间的
距离。
charged liquid jets of polymer solutions in electrospinning"J.Appl.
Phys.,87,9,4531-4546(2000)的论文中,公开了收集器和喷嘴之间的距离越大,纳米纤维
的扰动(perturbation)越大。根据所述论文,
机-无机混合线远离喷嘴,有机线或有机-无机混合线的横向速度(lateral velocity)增
大,从而可使有机线或有机-无机混合线弯曲。
形式掉落在收集器50上。因此,可通过收集器50的移动来形成有机线图案或有机-无机
混合线图案。
线图案的扰动变量,来形成更精确的有机线图案或有机-无机混合线图案。
的气体可以是氮气、干燥空气等,通过注入所述气体,使易受水分氧化的有机溶液可保持稳定。并且,在壳体80中可设置通风机81(ventilator)和灯82。通风机81和电灯82可
设置在适当的位置。通风机81可通过控制壳体80中的蒸气压(由溶剂产生)而控制在形成
有机线或有机-无机混合线期间的溶剂的蒸发速度。在需要溶剂快速蒸发的机器人喷嘴印
刷中,可通过控制通风机81的速度来促进溶剂的蒸发。溶剂的蒸发速度可影响有机线或有
机-无机混合线的形状和电性能。在溶剂的蒸发速度比较高的情况下,在形成有机线或有
机-无机混合线之前,溶液在喷嘴的端部处变干从而可堵塞喷嘴。在溶剂的蒸发速度比较
低的情况下,不形成固体的有机线或固体的有机-无机混合线,而液态的有机线或有机-无
机混合线可被放置在收集器上。由于液态的有机溶液形成的线的电性能较差,因此不能将
其用于制造器件。因此,由于溶剂的蒸发速度影响有机线或有机-无机混合线的形成及特
性,因此通风机81可在形成有机线或有机-无机混合线中起重要的作用。
在形成有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案111中使用的电场辅助机器人喷嘴印
刷机100。然而,形成有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案111的方法并不限于使
用电场辅助机器人喷嘴印刷机的方法。
以制备有机溶液。可使用有机低分子量半导体、有机聚合物半导体、导电聚合物、绝缘聚合物或其混合物作为有机材料,但有机材料不限于此。有机低分子量半导体材料的示例可为
6,13-双(三异丙基甲硅烷基乙炔基并五苯)、三乙基甲硅烷基乙炔基双噻吩蒽(TES ADT)、或[6,6]-苯基-C61丁酸甲酯(PCBM)、但有机低分子量半导体材料并不限于此。有机聚合
物半导体或导电聚合物材料的示例可为包括聚(3-己基噻吩)(P3HT)或聚(3,4-乙烯二
氧噻吩)(PEDOT)的聚噻吩衍生物、聚(9-乙烯基咔唑)(PVK)或其衍生物、聚对苯乙烯撑(poly(p-phenylene vinylene))或其衍生物、聚芴或其衍生物、聚苯胺或其衍生物、或聚吡咯或其衍生物,但有机聚合物半导体或导电聚合物材料并不限于此。绝缘聚合物材料可包
括聚氧化乙烯(PEO)、聚苯乙烯(PS)、聚已酸内酯(PCL)、聚丙烯腈(PAN)、聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)、聚酰亚胺、聚(偏二氟乙烯)(PVDF)或聚氯乙烯(PVC),但绝缘聚合物材料并不限于此。
节粘度的物质。例如,用于调节粘度的物质可以包括PEO(聚氧化乙烯)、PVK(聚(9-乙烯基咔唑))、PCL(聚已酸内酯)或PS(聚苯乙烯),但用于调节粘度的物质并不限于此。
加装置40向该喷嘴30施加0.1kV至50kV范围的电压时,通过在液滴中形成的电荷和接
地的收集器50之间的静电力(electrostatic force),液滴不分散而是沿着电场的方向伸长,同时液滴贴附在收集器50上的衬底101上。此外,衬底101可构成收集器50。
的直径可被控制在10nm至100μm的范围内。在本说明书中,直径小于1μm的线称为纳米
线,直径大于1μm的线称为微细线。
通过将喷嘴30和收集器50之间的距离控制在10μm至20mm之间,有机线或有机-无机混
合线可以不以相互交织的形式、而以分离的形式形成在收集器50上的衬底上。此时,可通
过利用微距控制器70来控制喷嘴30和收集器50之间的距离。
成对齐的有机线或有机-无机混合线时,可通过由伺服电机驱动的机器人平台60使收集器
50在10nm至100cm的范围内精确地移动,从而有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图
案的宽度以及具有微间距的图案的宽度可被调节在10nm至100cm的范围内。
材料层120以所需的形状沉积。材料层120可形成在衬底101上和微细线掩模图案111上。
(P3HT)、聚3-辛基噻吩(P3OT)、聚丁基噻吩(PBT)、聚乙烯二氧噻吩(PEDOT)/聚苯乙烯磺酸盐(PSS)、和聚(9,9’-二辛基芴-共-联噻吩)(F8T2)的聚噻吩衍生物、聚对苯乙烯撑或其衍生物、聚(噻吩乙炔)(PTV)或其衍生物、聚乙炔或其衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、或聚芴或其衍生物,但有机聚合物半导体或导电聚合物材料不限于此。有机低分子量半导体材料可为三异丙基甲硅烷基乙炔基(TIPS)并五苯、并五苯、并四苯、蒽、红荧烯、或α-六噻吩(α-6T),但有机低分子量半导体材料不限于此。绝缘聚合物材料可包括聚氧化乙烯(PEO)、聚苯乙烯(PS)、聚已酸内酯(PCL)、聚丙烯腈(PAN)、聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)、聚酰亚胺、聚(偏二氟乙烯)(PVDF)或聚氯乙烯(PVC),但绝缘聚合物材料不限于此。此外,材料层120可由除上述材料外的有机材料、无机材料或金属材料制成,且可为半导体、导电性材料或绝缘性材料。
来进行有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案111的去除,但本发明不限于此。
掩模图案或有机-无机混合线掩模图案111。当有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模
图案111从衬底101分离时,沉积在有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案111上
的材料层120也被分离。
且进行超声处理。此时,可使用二氯乙烯、三氯乙烯、三氯甲烷、氯苯、二氯苯、苯乙烯、二甲基甲酰胺、二甲亚砜、二甲苯、甲苯、环己烯、异丙醇、乙醇、丙酮、或其混合溶剂可用作用于超声处理的有机溶剂,但用于超声处理的有机溶剂不限于此。当有机线掩模图案或有
机-无机混合线掩模图案111被有机溶剂选择性地溶解时,形成在有机线掩模图案或有
机-无机混合线掩模图案111上的材料层120被分离。
案121。因此,借助有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案111的直径,可容易地控
制微图案121的微间距。
可在衬底211上形成缓冲层(未示出)。例如,栅电极221可由导电性材料制成,该导电性
材料选自金、铂、银、镍、铜、铝、钛、钴、铁、钨、钌、铑、钯、钼、镉、钒、铬、锌、铟、钇、锂、锡、铅或其合金、或p型掺杂硅或n型掺杂硅、氧化锌、氧化铟、铟锡氧化物(ITO)、或铟锌氧化物(IZO)。然而,本发明不限于此。
的形成方法来形成。即,有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案上的材料层由源电
极和漏电极231的材料制成,且可通过除去有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案
而形成源电极和漏电极231。此外,电场辅助机器人喷嘴印刷、直接尖端拉丝、弯月面导向直接写入、熔融纺丝、湿法纺丝、干法纺丝、凝胶纺丝或静电纺丝可用于形成有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案和形成源电极和漏电极。然而,本发明不限于此。所形成的
源电极和漏电极231的厚度范围可为1nm至10μm。源电极和漏电极231之间的间距可在
10nm至100μm的范围内。
而可形成有机线通道(未示出)。
实施方式的形成具有底栅结构的微通道晶体管的方法。即,首先在衬底211上形成源电极
和漏电极231,在源电极和漏电极231上形成有源层241,然后形成栅极介电层222且在栅
极介电层222上形成栅电极221。
面或椭圆形截面的有机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案,在有机线掩模图案或有
机-无机混合线掩模图案上形成用于源电极和漏电极的材料层,通过从衬底211上剥离有
机线掩模图案或有机-无机混合线掩模图案而形成源电极和漏电极231。然后,在源电极和
漏电极231上形成有源层241。
以下特征:通过分别从源电极和漏电极注入空穴和电子而从发光有源层发出光。然而,在不包括微通道的情况下,由于空穴和电子没有被有效注入,故可能不会得到适当的发光特性。
可能需要独立的空穴传输层和电子传输层以解决上述缺陷,因此,器件的结构变得复杂。由于通过形成微通道而制造发光晶体管时通道可相对较小,因此可有效地注入空穴和电子,
从而可制造具有极好的发光特性的高性能发光晶体管。微通道发光晶体管也可制造成底栅
结构或顶栅结构。
乙烯撑或其衍生物、聚苯撑或其衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、或聚芴或其衍生物、和聚(螺-芴)或其衍生物;选自并四苯、红荧烯、α,ω-双(联苯基)三噻吩(BP3T)、α-五噻吩(α-5T)、α-六噻吩(α-6T)和N,N’-二十三烷基苝-3,4,9,10-四羧二酰亚胺(P13)的有机发光低分子量半导体材料;或其混合物。在本发明中,由于发光有源层的材料可包括全部的荧光材料、磷光材料或其混合物,因此发光有源层不特别限于特定的发光材料。发光有源层可包括纳米尺寸的颗粒、量子点、或杆形式的上述材料。
包括任意的零维材料(例如:具有由纳米尺寸的II-VI半导体颗粒(CdSe、CdTe、CdS等)形成的中心(核)的量子点半导体、富勒烯和石墨烯量子点)、一维材料(例如:碳纳米管、纳米线和纳米带)、或二维材料(例如:石墨烯、MoS2、六方氮化硼(BN))。图案形成层321还可为已形成的光致抗蚀剂图案。然而,图案形成层321不限于此。
直接写入、熔融纺丝、湿法纺丝、干法纺丝、凝胶纺丝法或静电纺丝形成具有圆形截面或椭圆形截面的有机线或有机-无机混合线331,但本发明不限于此。上述有机材料,即,有机低分子量半导体、有机聚合物半导体、导电聚合物、绝缘聚合物、及其混合物,或者上述有机材料和上述无机材料的混合材料可用作有机线或有机-无机混合线331的材料,但本发明不
限于此。所形成的有机线或有机-无机混合线331的直径可在10nm至100μm范围内。
刻方法、反应离子蚀刻方法或离子铣方法作为干法蚀刻方法,但干法蚀刻方法不限于此。可通过根据图案形成层321的类型选择合适的蚀刻剂来执行湿法蚀刻过程。例如,含有氢氟
酸(HF)的溶液(例如缓冲氧化物蚀刻(BOE)溶液)可用于蚀刻无机氧化物,且HF和硝酸的混合溶液可用于蚀刻硅。铬可利用硝酸铵溶液进行蚀刻而金(Au)可利用KI和I2的混合溶
液进行蚀刻。钛(Ti)可利用FeCl3溶液或Marble’s试剂溶液(典型地,50mlHCl:50ml去离子水:10g CuSO4的溶液)进行蚀刻。过氧化氢(H2O2)可包括在蚀刻剂中。
机-无机混合线331选择性地溶解在溶剂中而除去有机线或有机-无机混合线331。
人喷嘴印刷机的注射器内,向喷嘴施加电压的同时使PVK溶液从喷嘴排出。在通过机器人
平台移动的收集器上的衬底上形成PVK纳米线掩模图案。
方向的移动速度为8,000mm/min。形成直径约为450nm的纳米线掩模图案,其沿x轴方向伸
长且沿y轴方向的间隔为约50μm。
PVK纳米线掩模图案从衬底上干净地除去而没有断开或残留。当PVK纳米线掩模图案从衬
底上除去时,PVK纳米线掩模图案上的金层也被除去,从而形成了具有纳米间隔的金图案。
约460nm,这几乎与PVK纳米线掩模图案的直径相匹配。
将PVK溶解在苯乙烯中以制备PVK溶液。将PVK溶液置入电场辅助机器人喷嘴印刷机的注
射器内,向喷嘴施加4kV的电压的同时使PVK溶液从喷嘴排出。使机器人平台沿x轴方向
移动以形成沿x轴方向的纳米线掩模图案,且使机器人平台沿y轴方向移动以形成沿y轴
方向的纳米线掩模图案,从而形成纳米线掩模正交图案。
沿y轴方向的移动速度为1,000mm/min且沿x轴方向的移动速度为8,000mm/min。类似地,
当形成沿y轴方向的纳米线掩模图案时,机器人平台沿x轴方向的移动间隔为50μm,沿y
轴方向的移动距离为15cm。此时,机器人平台沿x轴方向的移动速度为1,000mm/min且沿
y轴方向的移动速度为8,000mm/min。
金层也被除去,从而形成了具有纳米间隔由金层构成的方形图案。
模图案的间隔相匹配,此外,方形金图案之间的平均间隔为约460nm,这几乎与纳米线掩模图案的直径相匹配。
线掩模图案由PVK形成。
嘴排出。在通过机器人平台移动的收集器上的衬底上形成PVK纳米线掩模图案。通过热蒸
发在PVK纳米线掩模图案上形成金层。通过利用粘合带的粘合力的方法从衬底上除去PVK
纳米线掩模图案。当PVK纳米线掩模图案从衬底上除去时,PVK纳米线掩模图案上的金层
也被除去,从而形成了由金制成的具有纳米间隔的四边形图案。
方向的移动速度为8,000mm/min。
电极和漏电极221。
这几乎与聚合物纳米线掩模图案的厚度相匹配。在图10a和图10b中,由于在金电极221
上的并五苯有源层是透明的,故并五苯有源层不被识别。
压增加时,漏极电流增加;当漏极电压(绝对值)相对于特定的栅极电压增加时,漏极电流增
2
加。参照图11的曲线图,纳米间隔的薄膜晶体管的迁移率测量为0.041cm/V·s,且可理解
成晶体管稳定地运行。
层,即通道。
时,p型掺杂硅片和氧化硅层分别被用作栅电极和栅极介电层。
7:3混合而成的粉末溶解在混合溶液中,以制备P3HT溶液,混合溶液中具有的氯苯与三氯
乙烯的重量比为2:1。在P3HT溶液中,基于整个溶液,P3HT的浓度为2.6%(按重量百分比
计),PEO的浓度为1.1%(按重量百分比计)。
栅极介电层、以及源电极和漏电极的硅片上形成P3HT纳米线通道。此时,所使用的喷嘴的
直径为100μm,喷嘴和收集器之间的距离为5.5mm,施加电压为1.5kV,溶液的排出速度为
200nl/min。机器人平台沿y轴方向的移动间隔为5.5mm,沿x轴方向的移动距离为15cm。
机器人平台沿y轴方向的移动速度为1,000mm/min,沿x轴方向的移动速度为30,000mm/
min。收集器的大小为20cm×20cm,收集器上的衬底的大小为8cm×8cm。
漏电极的间隔部分以矩形标记且被放大,在放大的显微照片中可以确认,源电极和漏电极
的与通道长度相对应的间隔为337.5nm,与通道宽度相对应的P3HT:PEO纳米线的宽度为
309.0nm。
极电压的曲线图。参照曲线图,计算电荷(空穴)的迁移率为0.0021cm/V·s且开/关电流
2
的比率为5.25×10。
的压力下提供8sccm的H2,同时将温度降低至室温,以在铜箔上形成单层石墨烯。
箔,从而得到由单层石墨烯/PMMA层构成的薄膜。
上。
带。
p型掺杂硅片和氧化硅层分别被用作栅电极和栅极介电层。通过利用直径为300nm的PVK
纳米线作为纳米线掩模图案,来制造纳米间隔的源电极和漏电极。
液从喷嘴排出。在通过机器人平台移动的收集器上的衬底上形成PVK纳米线掩模图案。通
过热蒸发在PVK纳米线掩模图案上形成金层。通过利用粘合带的粘合力的方法从衬底上除
去PVK纳米线掩模图案。当PVK纳米线掩模图案从衬底上除去时,PVK纳米线掩模图案上
的金层也被除去,从而形成了由金制成的具有纳米间隔的源电极和漏电极。
轴方向的移动速度为8,000mm/min。
旋涂中的F8T2溶液。以500rpm进行旋涂5秒,然后以2000rpm进行旋涂90秒。