一种液晶面板及其显示装置

摘要

本发明公开了一种液晶面板及其显示装置，其主要内容包括：通过相对设置的第一基板和第二基板，以及填充于第一基板与第二基板之间的液晶层，所述液晶面板包括显示区域和非显示区域，其中，所述非显示区域包围显示区域；在第一基板上远离液晶层一侧的非显示区域设置第一屏蔽层，与现有技术相比，通过在液晶面板的第一基板上远离液晶层一侧的非显示区域设置第一屏蔽层，制作工艺相对较简单，并在液晶面板受到静电干扰时，设置的第一屏蔽层能对产生的静电起到抵抗作用，利用第一屏蔽层的导电性将产生的静电释放，减少了静电对液晶面板内部器件的损坏，提高了液晶面板的抗ESD能力。

权利要求

1.一种液晶面板，包括：相对设置的第一基板和第二基板，以及填充于第一基板与第二基板之间的液晶层，所述液晶面板包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域包围显示区域，其特征在于：在第一基板上远离液晶层一侧的非显示区域设置有采用PVD镀膜的方式形成的第一静电屏蔽层；在第一基板上远离液晶层一侧的显示区域设置有采用PVD镀膜的方式形成的第二静电屏蔽层，所述第一静电屏蔽层的厚度大于所述第二静电屏蔽层的厚度；

所述液晶面板还包括：设置在第二基板上远离液晶层一侧的非显示区域的第三静电屏蔽层；

所述第一基板上非显示区域的第一静电屏蔽层与显示区域的第二静电屏蔽层的材料相同。

2.如权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述第一基板为彩膜基板，所述第二基板为阵列基板。

3.如权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述液晶面板还包括：设置连接参考电位的接触垫，所述第一静电屏蔽层通过银胶和所述接触垫电连接。

4.如权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述第一基板上非显示区域的第一静电屏蔽层的厚度为100～3000埃。

5.如权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述第一基板上显示区域内的第二静电屏蔽层的厚度为50～300埃。

6.如权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述第一基板上非显示区域的第一静电屏蔽层与显示区域的第二静电屏蔽层的材料为铟锡氧化物ITO。

7.一种显示装置，其特征在于，包含权利要求1～6任一所述的液晶面板。

说明书

一种液晶面板及其显示装置

技术领域

[0001] 本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种液晶显示面板及其显示装置。

背景技术

[0002] 随着显示技术的发展，液晶显示装置因其具有外型轻薄、耗电少以及无辐射污染等优点，广泛应用于电视、笔记本电脑、移动电话等电子产品中。其中，液晶显示面板是液晶显示装置的关键器件，主要由两个基板以及两个基板之间涂覆的液晶进行对盒后形成。而液晶显示的原理是在两个基板上施加电压，进而在施加的电压的作用下使得两个基站之间形成电场，液晶分子在电场的作用下旋转并控制光束的通过，以实现显示图像。

[0003] 液晶显示面板在制造过程中或者在应用该电子产品时，通常会因为摩擦而产生电压高达数千伏的静电，产生的静电通过液晶显示面板内部的线路寻找释放路径，在利用确定的释放路径释放静电时，容易对液晶显示面板内部抗静电能力差的器件造成损害，影响液晶显示面板的正常显示。

[0004] 用户在使用液晶显示器件时，对液晶器件的抗ESD（即静电）能力要求也越来越高，已从原来的2Kv/4kv(接触/间隙)到现在的4Kv/8kv，目前还有提出8Kv/15kv的要求。一般可通过静电枪在液晶显示面板上打点的测试方式确定液晶显示器件的抗ESD能力，具体方法为：如图1所示，为检测液晶显示面板抗ESD能力的示意图，在液晶显示面板上确定若干个点，通常九个点，点1至点9，所述九个点分别位于液晶面板的不同区域，对着确定的点，使用静电枪将静电打到液晶面板上，一部分静电会在液晶显示面板的表层扩散，还有另一部分静电会透过液晶显示面板的玻璃基板进入的内部的TFT玻璃表面，沿着玻璃基板的表面的线路寻找释放路径，当这一部分的静电较强时，将对TFT玻璃表面的内部线路造成损害，影响液晶显示面板的显示。

[0005] 关于静电对液晶显示面板的正常显示造成的损害这一问题，在现有技术中，多采用对液晶显示面板的结构进行改造来预防静电的方式，例如：在液晶显示面板的框胶外围区域涂覆一圈不导电的胶体，使得基板内部的电极层与外界隔离，从而阻断了静电通过基板内部时造成的损害。

[0006] 通过对液晶显示面板的结构进行改造来预防静电，不仅使得制作液晶面板的时间增长，而且在液晶显示面板的框胶外围区域涂布不导电的胶体还需要额外增加专门的胶体涂布设备，使得液晶显示面板的制作工艺复杂度增加。

[0007] 由此可见，现有技术中为了防止液晶显示面板内部电极层免受静电的影响，存在制作液晶面板的制作时间长、以及制作液晶面板的工艺复杂度较大的问题。

发明内容

[0008] 本发明实施例提供了一种液晶面板及其显示装置，用于解决现有技术中为了防止液晶显示面板内部电极层免受静电的影响，存在制作液晶面板的制作时间长、以及制作液晶面板的工艺复杂度较大的问题。

[0009] 一种液晶面板，包括：相对设置的第一基板和第二基板，以及填充于第一基板与第二基板之间的液晶层，所述液晶面板包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域包围显示区域，在第一基板上远离液晶层一侧的非显示区域设置有第一屏蔽层。

[0010] 一种显示装置，包含上述的液晶面板。

[0011] 本发明有益效果如下：

[0012] 本发明实施例通过在液晶面板的第一基板上远离液晶层一侧的非显示区域设置第一屏蔽层，制作工艺相对较简单，并在液晶面板受到静电干扰时，设置的第一屏蔽层能对产生的静电起到抵抗作用，利用第一屏蔽层的导电性将产生的静电释放，减少了静电对液晶面板内部器件的损坏，提高了液晶面板的抗ESD能力。

附图说明

[0013] 图1为检测液晶显示面板抗ESD能力的示意图；

[0014] 图2为本实施例一的一种液晶面板的结构示意；

[0015] 图3为ITO厚度与抗ESD能力的示意图；

[0016] 图4为ITO厚度与穿透率的示意图；

[0017] 图5为一种液晶面板的结构图；

[0018] 图6为一种液晶面板的结构图；

[0019] 图7为本实施例三的一种液晶面板的制作方法的流程图。

具体实施方式

[0020] 为了实现本发明的目的，本发明实施例提供了一种液晶面板及其显示装置，通过相对设置的第一基板和第二基板，以及填充于第一基板与第二基板之间的液晶层，所述液晶面板包括显示区域和非显示区域，其中，所述非显示区域包围显示区域；在第一基板上远离液晶层一侧的非显示区域设置第一屏蔽层。

[0021] 与现有技术相比，通过在液晶面板的第一基板上远离液晶层一侧的非显示区域设置第一屏蔽层，制作工艺相对较简单，并在液晶面板受到静电干扰时，设置的第一屏蔽层能对产生的静电起到抵抗作用，利用第一屏蔽层的导电性将产生的静电释放，减少了静电对液晶面板内部器件的损坏，提高了液晶面板的抗ESD能力。

[0022] 下面结合说明书附图对本发明各实施例进行详细描述。

[0023] 实施例一：

[0024] 如图2所示，为本实施例一的一种液晶面板的结构示意。所述液晶面板包括：相对设置的第一基板11和第二基板12，以及填充于第一基板与第二基板之间的液晶层13，所述液晶面板包括显示区域14和非显示区域15，所述非显示区域15包围显示区域14设置，并在第一基板上远离液晶层一侧的非显示区域15设置有第一屏蔽层16。

[0025] 较优地，所述第一基板11为彩膜基板，所述第二基板12为阵列基板。

[0026] 具体地，所述非显示区域15的第一屏蔽层16可以是覆盖整个液晶面板的非显示区域，还可以是根据实际需要覆盖在液晶面板的部分非显示区域，其中，非显示区域的第一屏蔽层的材料为铟锡氧化物ITO时，ITO的厚度可以为100~3000埃。

[0027] 由于ITO材料具有很好的导电性和透明性，因此，将ITO作为第一屏蔽层的材料可以起到很好的抗静电的作用。

[0028] 较优地，所述第一基板上非显示区域的第一屏蔽层的材料为导电的金属或者金属化合物，例如：导电的金属可以是铝、镁、银等；金属化合物可以是ITO等。

[0029] 较优地，在第一基板11上远离液晶层一侧的显示区域14设置有第二屏蔽层17，其中，所述第一屏蔽层16的厚度大于所述第二屏蔽层17的厚度。

[0030] 具体地，所述第一基板11上显示区域14内的第二屏蔽层17的材料为铟锡氧化物ITO时，ITO的厚度可以为50~300埃。

[0031] 较优地，所述第一基板上非显示区域的第一屏蔽层与显示区域的第二屏蔽层的材料可以不相同，所述第一基板上显示区域的第二屏蔽层的材料为透光导电的金属或者金属化合物，例如：透光导电的金属可以是铝等；透光导电的金属化合物可以为具有透光导电性的铝的化合物。

[0032] 也就是说，所述第一基板上非显示区域的第一屏蔽层与显示区域的第二屏蔽层的材料也可以相同，即所述第一基板上显示区域的第二屏蔽层的材料都为铟锡氧化物ITO。

[0033] 由于ITO材料的导电性与ITO材料的厚度成正比，如图3所示，为ITO厚度与抗ESD能力的示意图，在第一基板上非显示区域覆盖的ITO材料的厚度越大，ITO的导电性越强，液晶面板的抗静电能力越好；而ITO材料的透光性与ITO材料的多少成反比，如图4所示，为ITO厚度与穿透率的示意图，在第一基板上显示区域覆盖的ITO材料的厚度越小，ITO的透光性越好，液晶面板模组亮度越大，因此在液晶面板的第一基板上覆盖整层的ITO时，第一基板非显示区域的ITO的厚度大于显示区域的ITO厚度，既能保证液晶面板显示区域的透光性要求，还能保证液晶面板的抗静电能力的要求。

[0034] 较优地，所述液晶面板还包括：设置在第二基板12上远离液晶层13一侧的非显示区域15的第三屏蔽层18，如图5所示，为一种液晶面板的结构图。

[0035] 所述第三屏蔽层18的材料可以是导电的金属还可以是金属化合物。

[0036] 较优地，所述第三屏蔽层的材料为ITO。

[0037] 这样在液晶面板的背面增加第三屏蔽层，将有助于增强液晶面板的抗静电能力。

[0038] 较优地，所述液晶面板还包括：设置连接参考电位的接触垫19，所述第一屏蔽层16通过银胶20和所述接触垫电连接，如图6所示，为一种液晶面板的结构图。

[0039] 具体地，在液晶面板的第二基板上设置连接参考点位的接触垫，所述第一基板上的第一屏蔽层通过银胶和所述接触垫连接，这样可以通过接触垫将第一屏蔽层上产生的静电快速的释放，提高液晶面板的抗静电能力。

[0040] 实施例二：

[0041] 假设液晶面板采用的IPS（In-Plane Switching，平面转换）模式，第一基板是彩膜基板，第二基板是阵列基板，采用实施例一的方案，在彩膜基板的非显示区域设置第一屏蔽层，在彩膜基板的显示区域设置第二屏蔽层，其中，第一屏蔽层和第二屏蔽层的材料为ITO。

[0042] 具体地，在显示区域设置第二屏蔽层的厚度控制在100埃左右，而在非显示区域设置的第一屏蔽层的厚度可达到600埃，这样既保证了显示区域的显示要求，即显示区域的第二屏蔽层可以起到屏蔽外界电场的作用，以免外界电场对液晶面板内的水平电场造成干扰，也加强了液晶面板的抗静电的能力。

[0043] 假设液晶面板采用的非IPS（Non-In-Plane Switching，非平面转换）模式，第一基板是彩膜基板，第二基板是阵列基板，采用实施例一的方案，在彩膜基板的非显示区域设置第一屏蔽层，其中，第一屏蔽层的材料为ITO。

[0044] 具体地，在非显示区域设置的第一屏蔽层的厚度为600埃，这样既不降低液晶面板穿透率的要求，也加强了液晶面板的抗静电的能力。

[0045] 实施例三：

[0046] 如图7所示，为本实施例三的一种液晶面板的制作方法的流程图，所述方法包括：

[0047] 步骤101：提供第一玻璃基板。

[0048] 步骤102：在第一玻璃基板上采用PVD镀膜的方式形成第一ITO层。

[0049] 其中，在第一玻璃基板的显示区域的第一ITO层为实施例一中设置的第二屏蔽层。

[0050] 具体地，所述第一ITO层的厚度为100埃。

[0051] 步骤103：利用掩板遮住第一玻璃基板上的所有显示区域后，在整个第一玻璃基板上采用PVD镀膜的方式形成第二ITO层。

[0052] 其中，所述第二ITO层的厚度为500埃。

[0053] 需要说明的是，在第一玻璃基板的非显示区域的第一ITO层和第二ITO层结合形成实施例一中设置的第一屏蔽层。

[0054] 步骤104：提供第二玻璃基板，在第二玻璃基板上的非显示区域内利用PVD镀膜的方式形成第三屏蔽层。

[0055] 其中，所述第三屏蔽层的材料为ITO，其厚度为100埃。

[0056] 步骤105：将第一玻璃基板未设置第一屏蔽层和第二屏蔽层的一侧和第二玻璃基板未设置第三屏蔽层一侧相向贴合，并且在其之间形成液晶层。

[0057] 实施例四：

[0058] 一种显示装置，所述显示装置包括了实施一中所述的液晶面板。

[0059] 显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。