用于近场芯片间多信道传送的接收器

摘要

本发明涉及用于封装内系统的堆叠芯片之间的垂直信号传送的诸如电容或电感链路的近场芯片间多信道传送系统的接收器。对于两个单片集成电路之间的数字传送提供4个传送信道的近场芯片间多信道传送的接收器包括4个耦合器件（211）（212）（213）（214），所述耦合器件中的每一个是对于磁场变化敏感的平面绕组。多输入端口和多输出端口放大器（23）具有4个输入端口，所述输入端口中的每一个与所述耦合器件（211）（212）（213）（214）中的仅仅一个连接。接收器还包括4个恢复电路（281）（282）（283）（284），所述恢复电路中的每一个具有与多输入端口和多输出端口放大器（23）的输出端口中的一个连接的输入端口，所述恢复电路中的每一个具有与用户（28）连接的输出端子。本发明的接收器减少传送信道之间的串扰。

权利要求

1.一种近场多信道传送系统的接收器，所述近场多信道传送系统提供分别与将从第一单片集成电路向第二单片集成电路发送的信号对应的m个传送信道，这里，m是大于等于2的整数，所述第一单片集成电路和所述第二单片集成电路在结构上被组合，所述接收器包含：内置于所述第二单片集成电路中的n个耦合器件(211)(212)(213)(214)，这里，n是大于等于m的整数；

多输入端口和多输出端口放大器(23)，所述多输入端口和多输出端口放大器(23)内置于所述第二单片集成电路中，所述多输入端口和多输出端口放大器(23)具有n个输入端口和m个输出端口，所述输入端口中的每一个与所述耦合器件(211)(212)(213)(214)中的仅仅一个连接，所述耦合器件(211)(212)(213)(214)中的每一个与所述输入端口中的仅仅一个连接，所述多输入端口和多输出端口放大器(23)在所述多输入端口和多输出端口放大器(23)处于激活状态时在用于传送的频带中的各频率上对于小的信号具有短路转移导纳矩阵，所述短路转移导纳矩阵是尺寸m×n的复矩阵，所述短路转移导纳矩阵的各行的两个或更多个条目与零不同。

2.根据权利要求1的接收器，其中，所述耦合器件(211)(212)(213)(214)中的一个或更多个对于电场变化敏感。

3.根据权利要求1或2的接收器，其中，所述耦合器件(211)(212)(213)(214)中的一个或更多个对于磁场变化敏感。

4.根据权利要求1或2的接收器，其中，所述短路转移导纳矩阵的各行的两个或更多个条目与零明显不同。

5.根据权利要求1或2的接收器，其中，在用于传送的所述频带中的各频率上，在所述短路转移导纳矩阵的各行中，与具有最大的绝对值的条目不同的至少一个条目具有比具有最大绝对值的条目的绝对值的1/100倍更大的绝对值。

6.根据权利要求1或2的接收器，其中，所述短路转移导纳矩阵是对角矩阵和与频率无关的实矩阵的积。

7.根据权利要求1或2的接收器，其中，作为提供分别与将从所述第二单片集成电路向所述第一单片集成电路发送的信号对应的一个或更多个传送信道的近场传送系统的部分，所述n个耦合器件(211)(212)(213)(214)被用于发送电场或磁场。

8.根据权利要求1或2的接收器，其中，所述多输入端口和多输出端口放大器(23)使用在用于传送的所述频带中的各频率上提供短路转移导纳矩阵的反馈，使得所述短路转移导纳矩阵的各行的两个或更多个条目与零明显不同。

9.根据权利要求1或2的接收器，其中，所述多输入端口和多输出端口放大器(23)包含多输入和多输出串-串反馈放大器。

10.根据权利要求1或2的接收器，其中，所述多输入端口和多输出端口放大器(23)包含具有伪差动输入的多输入和多输出串-串反馈放大器。

说明书

用于近场芯片间多信道传送的接收器

技术领域

[0001] 本发明涉及用于使用三维（3-D）集成的封装内系统（SiP）的堆叠芯片之间的垂直信号传送的诸如电容或电感链路的近场芯片间多信道传送系统的接收器。

[0002] 并入在2010年7月2日提交的发明名称为“Récepteur pour transmission multivoie puce-à-puce en champ proche”的法国专利申请No.10/02802作为参考。

背景技术

[0003] 三维集成是使得能够有效地集成复杂的系统的新技术。在使用三维集成的封装中，芯片可被堆叠并且在结构上被组合。在这种封装内系统中，两个芯片之间的信号传送的垂直距离一般小于200μm。已开发了许多垂直芯片间传送技术。使用穿透硅通孔（TSV）的技术由于增加制造工艺复杂性而是昂贵的。使用近场芯片间传送的技术不增加工艺复杂性。

[0004] 图1表示在第一单片集成电路（1）与第二单片集成电路（2）之间提供m=12个传送信道的近场芯片间多信道传送系统的耦合器件，该近场芯片间多信道传送系统包括：

[0005] 内置于第一单片集成电路（1）的金属层级内的耦合器件的第一阵列（11），耦合器件的第一阵列（11）的耦合器件（111）对于电场变化和/或磁场变化敏感，耦合器件的第一阵列（11）包含m个耦合器件；

[0006] 内置于第二单片集成电路（2）的金属层级内的耦合器件的第二阵列（21），耦合器件的第二阵列（21）的耦合器件（211）对于电场变化和/或磁场变化敏感，耦合器件的第二阵列（21）包含m个耦合器件，耦合器件的第二阵列（21）的耦合器件（211）面向耦合器件的第一阵列（11）的单个耦合器件（111）。

[0007] 对于电场变化敏感的耦合器件，例如，具有足够面积的导电表面（一些作者称为电容器板），可被用于接收用于信号传送的电场，并且还可被用于发送用于信号传送的电场。对于磁场敏感的耦合器件，例如，绕组（一些作者称为线圈或电感器），可被用于接收用于信号传送的磁场，并且还可被用于发送用于信号传送的磁场。具体而言，耦合器件可以是对于电场变化和/或磁场变化敏感的任何器件，例如，包含导电表面和/或绕组的组合的器件。

[0008] 图2表示对于两个单片集成电路之间的数字传送提供m=4个传送信道的近场多信道传送系统的接收器的第一例子的框图，该接收器包括：

[0009] m个耦合器件（211）（212）（213）（214），所述耦合器件中的每一个是对于磁场变化敏感的平面绕组，所述耦合器件中的每一个具有接地端子；

[0010] m个单端放大器（221）（222）（223）（224），所述单端放大器中的每一个具有与所述耦合器件（211）（212）（213）（214）中的仅仅一个连接的输入端口；

[0011] m个恢复电路（281）（282）（283）（224），所述恢复电路中的每一个具有与所述单端放大器（221）（222）（223）（224）中的仅仅一个的输出端口连接的输入端口，所述恢复电路中的每一个具有与用户（29）连接的输出端口。

[0012] 图3表示对于两个单片集成电路之间的数字传送提供m=4个传送信道的近场多信道传送系统的接收器的第二例子的框图，该接收器包括：

[0013] m个耦合器件（211）（212）（213）（214），所述耦合器件中的每一个是对于磁场变化敏感的平面绕组；

[0014] m个差动放大器（221）（222）（223）（224），所述差动放大器中的每一个具有与所述耦合器件（211）（212）（213）（214）中的仅仅一个连接的输入端口；

[0015] m个恢复电路（281）（282）（283）（224），所述恢复电路中的每一个具有与所述差动放大器（221）（222）（223）（224）中的仅仅一个的输出端口连接的输入端口，所述恢复电路中的每一个具有与用户（29）连接的输出端口。

[0016] 在图2和图3中，恢复电路传输希望的数字信号。根据选择的信令技术，恢复电路可使用不同类型的电路。例如，恢复电路可以是积分器、Schmitt触发器、锁存器、这些电路的组合或适于恢复数字信号的更复杂的器件。在图2和图3中没有示出恢复电路的操作所需要的使能和/或时钟和/或控制线。

[0017] 即使各耦合器件在天线理论的意义上可被视为电气上的小天线，值得注意的是，在近场芯片间多信道传送系统中，耦合器件的阵列不被用作在天线理论的意义上的天线的阵列。这是由于耦合器件的阵列在其中电场和磁场随着距离非常迅速地减小的近场传送系统中操作。因此，在理想情况下，用于接收电场或磁场的耦合器件仅感测由用于发送电场或磁场的最近的耦合器件产生的电场或磁场变化。例如，在耦合器件的第二阵列（21）的耦合器件（211）面向耦合器件的第一阵列（11）的单个耦合器件（111）的图1中，可能的是，信号传送主要出现在相对面对的耦合器件之间，不是从第一单片集成电路（1）到第二单片集成电路（2）就是从第二单片集成电路（2）到第一单片集成电路（1）。

[0018] 但是，不可避免地出现一些不希望的耦合，这在传送信道之间产生串扰。不幸的是，该内部串扰限制可在给定的区域中使用的信道的数量。该内部串扰具有三种原因：

[0019] －由于信号传送不仅仅出现在相对面对的耦合器件之间，因此，耦合器件的阵列中的一个阵列的耦合器件可明显地与耦合器件的另一阵列的多于一个的耦合器件耦合；

[0020] －耦合器件的第一阵列的耦合器件交互作用；

[0021] －耦合器件的第二阵列的耦合器件交互作用。

[0022] 例 如，A.Fazzi,L.Magagni,M.Mirandola,B.Charlet,L.Di Cioccio,E.Jung,R.Canegallo and R.Guerrieri在2007年10月在IEEE Journal of Solid-State Circuits,vol.42,No.10,pp.2270-2282中公开的名称为“3-D Capacitive Interconnections for Wafer-Leverl and Die-Level Assemble”的文章涉及对于信号传送利用电场变化的近场芯片间多信道传送系统。该文章讨论了传送信道之间的串扰。

[0023] 例 如，Y.Yoshida,N.Miura and Tadahiro Kuroda 在 2008 年 11 月 在 IEEE Journal of Solid-State Circuits,vol.43,No.11,pp.2363-2369中公开的名称为“A2Gb/s Bi-directional Inter-Chip Data Transceiver With Differential Inductors for High Density Inductive Channel Array”的文章涉及对于信号传送利用磁场变化的近场芯片间多信道传送系统。该文章强调串扰的有害影响并引入用于减少串扰的称为“差动电感器”的特殊绕组的使用。不幸的是，这种特殊的绕组对于给定的区域产生较低的希望的耦合，并且仅提供串扰的部分减少。

发明内容

[0024] 本发明的目的是，提供克服已知的技术的上述的限制的近场芯片间多信道传送的接收器。

[0025] 根据本发明，提供一种近场多信道传送系统的接收器，所述近场多信道传送系统提供分别与从第一单片集成电路向第二单片集成电路发送的信号对应的m个传送信道，这里，m是大于等于2的整数，第一单片集成电路和第二单片集成电路在结构上被组合，该接收器包含：

[0026] 内置于第二单片集成电路中的n个耦合器件，这里，n是大于等于m的整数，该耦合器件的每一个对于电场变化和/或磁场变化敏感；

[0027] 多输入端口和多输出端口放大器，所述多输入端口和多输出端口放大器内置于第二单片集成电路内，所述多输入端口和多输出端口放大器具有n个输入端口和m个输出端口，所述输入端口中的每一个与所述耦合器件中的仅仅一个连接，所述耦合器件中的每一个与所述输入端口中的仅仅一个连接，所述多输入端口和多输出端口放大器在所述多输入端口和多输出端口放大器处于激活状态时在用于传送的频带中的各频率上对于小的信号具有短路转移导纳矩阵，所述短路转移导纳矩阵是尺寸m×n的复矩阵，所述短路转移导纳矩阵的各行的两个或更多个条目与零不同。

[0028] 从1到n计数多输入端口和多输出端口放大器的输入端口。任何大于等于1且小于等于n的整数j与多输入端口和多输出端口放大器的输入端口的数量对应。定义流入输入端口j的正端子中的输入电流iIj和输入端口j的正端子与输入端口j的负端子之间的输入电压vIj。还定义输入电流iI1…iIn的列矢量II和输入电压vI1、…vIn的列矢量VI。从1到m计数多输入端口和多输出端口放大器的输出端口。任何大于等于1且小于等于m的整数k与多输入端口和多输出端口放大器的输出端口的数量对应。定义流入输出端口k的正端子中的输出电流iOk和输出端口k的正端子与输出端口k的负端子之间的输出电压vOk。
还定义输出电流iO1、…iOm的列矢量IO和输出电压vO1、…vOm的列矢量VO。当多输入端口和多输出端口放大器处于激活状态时，对于小信号，多输入端口和多输出端口放大器在频域中由以下的两式表达：

[0029] II＝YIVI+YRVO(1)

[0030] IO＝YTVI+YOVO(2)

[0031] 这里，YI是方形n×n矩阵，YO是方形m×m矩阵，YR是n×m矩阵，并且，YT是m×n矩阵。这些矩阵的所有成分具有导纳的量纲。因此，本领域技术人员理解，可将YI称为放大器的“短路输入导纳矩阵”，将YR称为放大器的“短路逆转移导纳矩阵，将YT称为放大器的“短路转移导纳矩阵”，并将YO称为放大器的“短路输出导纳矩阵”。这四个矩阵具有复杂的成分，并且可能是依赖于频率的。

[0032] 根据本发明，所述短路转移导纳矩阵的各行的两个或更多个条目可与零明显不同。例如，所述多输入端口和多输出端口放大器可使得，在用于传送的所述频带中的各频率上，在所述短路转移导纳矩阵的各行中，与具有最大的绝对值的条目不同的至少一个条目具有大于具有最大绝对值的条目的绝对值的1/100倍的绝对值。例如，所述多输入端口和多输出端口放大器可使得，在用于传送的所述频带中的各频率上，在所述短路转移导纳矩阵的各行中，与具有最大的绝对值的条目不同的至少一个条目具有大于具有最大绝对值的条目的绝对值的1/10倍的绝对值。

[0033] 以下，措词“处于减活状态”和“不处于激活状态”是相当的。

[0034] 根据本发明，处于激活状态中的多输入端口和多输出端口放大器对于小的信号在用于传送的频带中的各频率上具有短路转移导纳矩阵，所述短路转移导纳矩阵是尺寸m×n的复矩阵，所述短路转移导纳矩阵的各行的两个或者更多个条目与零明显不同。根据本发明，可能的是，存在多输入端口和多输出端口放大器的减活状态，其中，多输入端口和多输出端口放大器的行为不同。但是，多输入端口和多输出端口放大器的减活状态的存在根本不是本发明的特征。

[0035] 根据本发明，作为提供分别与从第一单片集成电路向第二单片集成电路发送的信号对应的m个传送信道的近场传送系统的部分，内置于第二单片集成电路中的所述n个耦合器件被用于接收电场或磁场。作为提供分别与从第二单片集成电路向第一单片集成电路发送的信号对应的一个或更多个传送信道的近场传送系统的部分，内置于第二单片集成电路中的所述n个耦合器件可被用于发送电场或磁场。因此，获得了双向的传送。本领域技术人员理解可如何获得该结果，例如，通过利用受控的模拟开关和/或多输入端口和多输出端口放大器的减活状态。

[0036] 根据本发明，第一单片集成电路和第二单片集成电路在结构上被组合，使得第一和第二单片集成电路具有固定的相对位置。本领域技术人员理解，该要求允许设计人员计算内部串扰的上述的三种原因的影响，并确定可分别消除多输入端口和多输出端口放大器的输出端口上的内部串扰的一组短路转移导纳矩阵。

[0037] 根据本发明，至少一个其它的单片集成电路可在结构上与第一单片集成电路和/或第二单片集成电路组合。在这种情况下，

[0038] －本发明的接收器也可被用作分别与从所述至少一个其它的单片集成电路向第二单片集成发送的信号对应的一个或更多个传送信道的近场传送系统的一部分；

[0039] －作为提供分别与从第二单片集成电路向所述至少一个其它的单片集成电路发送的信号对应的一个或更多个传送信道的近场传送系统的部分，内置于第二单片集成电路中的n个耦合器件也可被用于发送电场或磁场。

[0040] 根据本发明，多输入端口和多输出端口放大器可例如使得其输入端口和/或其输出端口的负端子与接地点对应，这种端口在这种情况下是单端的。

[0041] 根据本发明，多输入端口和多输出端口放大器可例如使得其输入端口中的每一个与差动输入对应并且/或者使得其输出端口中的每一个与差动输出对应。

[0042] 根据本发明，多输入端口和多输出端口放大器可包含多输入和多输出串-串反馈放大器，例如在2006年1月17日的发明名称为“Amplificateuràentrées multiples et sorties multiples”的法国专利申请No.06/00388、2006年12月19日的发明名称为“Multiple-input and multiple-output amplifier”相应的国际申请号PCT/IB2006/003950（WO2007/083191）、2006年6月23日 的发 明 名称 为“Amplificateur àentrées multiples et sorties multiples utilisant l’induction mutuelle dans le réseau de rétroaction”的法国专利申请No.06/05633和2007年4月26日的发明名称为“Multiple-input and multiple-output amplifier using mutual induction in the feedback network”相应的国际申请号PCT/IB2007/001344（WO2008/001168）中所描述的。

[0043] 根据本发明，多输入端口和多输出端口放大器可包括具有伪差动输入的多输入和多输出串-串反馈放大器，例如在2008年7月11日的发明名称为“Amplificateuràentrées multiples et sorties multiples ayant des entrées pseudo-différentielles”的法国专利申请No.08/03982和2009年3月31日的发明名称为“Multiple-input and multiple-output amplifier having pseudo-differential inputs”相应的国际申请号PCT/IB2009/051358（WO2010/004445）中所描述的。

附图说明

[0044] 从参照附图作为非限制性例子给出的本发明的特定的实施例的以下的描述，其它的优点和特征将更加明显。

[0045] 图1表示近场芯片间多信道传送系统的耦合器件，并且已在专用于介绍背景技术的部分中被讨论；

[0046] 图2表示近场芯片间多信道传送系统的接收器的第一例子的框图，并且已在专用于介绍背景技术的部分中被讨论；

[0047] 图3表示近场芯片间多信道传送系统的接收器的第二例子的框图，并且已在专用于介绍背景技术的部分中被讨论；

[0048] 图4表示本发明的第一实施例的框图；

[0049] 图5表示本发明的第二实施例的框图。

具体实施方式

[0050] 第一实施例（最佳方式）

[0051] 作为以本发明的非限制性例子和实施本发明的最佳方式给出的本发明的器件的第一实施例，在图4中给出对于从第一单片集成电路到第二单片集成电路的数字传送提供m=4个传送信道的近场芯片间多信道传送的接收器的框图，该接收器包含：

[0052] 内置于第二单片集成电路中的n=4个耦合器件（211）（212）（213）（214），所述耦合器件中的每一个是对于磁场变化敏感的平面绕组；

[0053] 内置于第二单片集成电路中的多输入端口和多输出端口放大器（23），所述多输入端口和多输出端口放大器具有n个输入端口和m个输出端口，所述输入端口中的每一个与所述耦合器件（211）（212）（213）（214）中的仅仅一个连接，所述耦合器件（211）（212）（213）（214）中的每一个与所述输入端口中的仅仅一个连接，所述多输入端口和多输出端口放大器在所述多输入端口和多输出端口放大器处于激活状态时在用于传送的频带中的各频率上对于小的信号具有短路转移导纳矩阵，所述短路转移导纳矩阵是尺寸m×n的复矩阵，所述短路转移导纳矩阵的各行的两个或更多个条目与零明显不同；

[0054] m个恢复电路（281）（282）（283）（224），所述恢复电路中的每一个具有与多输入端口和多输出端口放大器（23）的输出端口中的一个连接的输入端口，所述恢复电路中的每一个具有与用户（29）连接的输出端口。

[0055] 图4所示的接收器是近场多信道传送系统的一部分，该近场多信道传送系统还包括发射器，该发射器包含内置于第一单片集成电路中的n个耦合器件，这些耦合器件中的每一个是对于磁场变化敏感的平面绕组。通过下式描述内置于第一单片集成电路和第二单片集成电路中的2n个耦合器件之间的所有交互作用：

[0056] VT＝jω(LTIT-LCII)+RTIT(3)

[0057] VI＝jω(tLCIT-LRII)-RRII(4)

[0058] 这里，ω是弧度频率，LT、LC、LR、RT和RR是方形n×n实矩阵，tX表示矩阵X的转置，IT是通过发射器向内置于第一单片集成电路中的耦合器件传输的电流的列矢量，VT是内置于第一单片集成电路中的耦合器件两端的电压的列矢量，而VI和II在上面被定义。

[0059] 矩阵LT、LC和LR的所有条目具有电感的量纲，矩阵RT和RR的所有条目具有电阻的量纲。第一单片集成电路和第二单片集成电路在结构上被组合，本领域技术人员理解，能够计算矩阵LT、LC、LR、RT和RR。在本第一实施例中，设计人员使用多输入端口和多输出端口放大器，使得YO、YR和YI的所有条目在用于传送的频带中具有小的绝对值，使得多输入端口和多输出端口放大器的输出电流大致由下式给出：

[0060] IO≈jωYTtLCIT(5)

[0061] 设计人员使用对于内置于第一单片集成电路中的耦合器件中的每一个呈现高阻抗的发射器。因此，本领域技术人员可以理解，可分别消除多输入端口和多输出端口放大器的输出端口上的内部串扰的一组短路转移导纳矩阵由以下的条件限定：

[0062] YT≈DtLC-1(6)

[0063] 这里，D是对角复矩阵，D是任意的，并且可能是依赖于频率的。因此，设计人员可设计多输入端口和多输出端口放大器，使得所述短路转移导纳矩阵是对角矩阵与频率无关的实矩阵的积。可通过使用多输入和多输出串-串反馈放大器或具有伪差动输入的多输入和多输出串-串反馈放大器，获得适当的短路转移导纳矩阵。因此，多输入端口和多输出端口放大器可使用在用于传送的所述频带中的各频率上提供短路转移导纳矩阵的反馈，使得所述短路转移导纳矩阵的各行的两个或更多个条目与零不同或者明显与零不同。

[0064] 第二实施例

[0065] 作为非限制性例子给出的本发明的器件的第二实施例，在图5中给出对于从第一单片集成电路到第二单片集成电路的数字传送提供m=4个传送信道的近场芯片间多信道传送的接收器的框图，该接收器包含：

[0066] 内置于第二单片集成电路中的n=4个耦合器件（211）（212）（213）（214），所述耦合器件中的每一个是对于磁场变化敏感的导电表面；

[0067] 内置于第二单片集成电路中的多输入端口和多输出端口放大器（23），所述多输入端口和多输出端口放大器具有n个输入端口和m个输出端口，所述输入端口中的每一个与所述耦合器件（211）（212）（213）（214）中的仅仅一个连接，所述耦合器件（211）（212）（213）（214）中的每一个与所述输入端口中的仅仅一个连接，所述多输入端口和多输出端口放大器在所述多输入端口和多输出端口放大器处于激活状态时在用于传送的频带中的各频率上对于小的信号具有短路转移导纳矩阵，所述短路转移导纳矩阵是尺寸m×n的复矩阵，所述短路转移导纳矩阵的各行的两个或更多个条目与零不同；

[0068] m个恢复电路（281）（282）（283）（224），所述恢复电路中的每一个具有与多输入端口和多输出端口放大器（23）的输出端口中的一个连接的输入端口，所述恢复电路中的每一个具有与用户（29）连接的输出端口。

[0069] 图5所示的接收器是近场多信道传送系统的一部分，该近场多信道传送系统还包括发射器，该发射器包含内置于第一单片集成电路中的n个耦合器件，这些耦合器件中的每一个是对于电场变化敏感的导电表面。通过下式描述内置于第一单片集成电路和第二单片集成电路中的2n个耦合器件之间的所有交互作用：

[0070] IT＝jω(CTVT+CCVI)(7)

[0071] -II＝jω(tCCVT+CRVI)(8)

[0072] 这里，CT、CC和CR是方形n×n实矩阵，IT是通过发射器向内置于第一单片集成电路中的耦合器件传输的电流的列矢量，VT是内置于第一单片集成电路中的耦合器件两端的电压的列矢量，VI和II在上面被定义。

[0073] 矩阵CT、CC和CR的所有条目具有电感的量纲。第一单片集成电路和第二单片集成电路在结构上被组合，本领域技术人员理解，能够计算矩阵CT、CC和CR。在本第二实施例中，设计人员使用多输入端口和多输出端口放大器，使得YO、YR和YI的所有条目在用于传送的频带中具有小的绝对值，使得多输入端口和多输出端口放大器的输出电流大致由下式给出：

[0074]

[0075] 设计人员使用对于内置于第一单片集成电路中的耦合器件中的每一个呈现低阻抗的发射器。因此，本领域技术人员可以理解，可分别消除多输入端口和多输出端口放大器的输出端口上的内部串扰的一组短路转移导纳矩阵由以下的条件限定：

[0076] YT≈DtCC-1CR(10)

[0077] 这里，D是对角复矩阵，D是任意的，并且可能是依赖于频率的。因此，设计人员可设计多输入端口和多输出端口放大器，使得所述短路转移导纳矩阵是对角矩阵与频率无关的实矩阵的积。可通过使用多输入和多输出串-串反馈放大器或具有伪差动输入的多输入和多输出串-串反馈放大器，获得适当的短路转移导纳矩阵。

[0078] 第三实施例

[0079] 作为非限制性例子给出的本发明的器件的第三实施例也与图5所示的近场芯片间多信道传送的接收器的框图对应。除了在本第三实施例中YI等于由GI表示的对角实矩阵使得在用于传送的频带中GI的各对角条目的绝对值远大于jωCR的所有条目的绝对值以外，上述关于第二实施例描述的适用于本第三实施例。这是由于，电流模式前置放大器被用作多输入端口和多输出端口放大器的输入级。因此，多输入端口和多输出端口放大器的输出电流大致由下式给出：

[0080]

[0081] 设计人员使用对于内置于第一单片集成电路中的耦合器件中的每一个呈现低阻抗的发射器。因此，本领域技术人员理解，可分别消除多输入端口和多输出端口放大器的输出端口上的内部串扰的一组短路转移导纳矩阵由以下的条件限定：

[0082] YT≈DtCC-1GI(12)

[0083] 这里，D是对角复矩阵，D是任意的，并且可能是依赖于频率的。因此，设计人员可设计多输入端口和多输出端口放大器，使得所述短路转移导纳矩阵是对角矩阵与频率无关的实矩阵的积。可通过使用多输入和多输出串-串反馈放大器或具有伪差动输入的多输入和多输出串-串反馈放大器，获得适当的短路转移导纳矩阵。

[0084] 工业适用性的指示

[0085] 本发明的用于近场芯片间多信道传送的接收器被用作对于使用三维（3-D）集成的封装内系统（SiP）的堆叠芯片之间的垂直信号传送使用的电容或电感链路中的接收器。

[0086] 在上述的本发明的器件的三个实施例中，本发明的用于近场芯片间多信道传送的接收器提供m=4个传送信道。这并不是本发明的特征，原因是本发明的用于近场芯片间多信道传送的接收器可提供大量的传送信道。

[0087] 本发明的用于近场芯片间多信道传送的接收器适于接收模拟信号和/或数字信号。本发明的用于近场芯片间多信道传送的接收器适于接收使用任何类型的调制的信号。

[0088] 本发明的用于近场芯片间多信道传送的接收器具有在宽的带宽上减少传送信道之间的串扰的优点。本发明的用于近场芯片间多信道传送的接收器具有增加可在给定的区域中创建的传送信道的数量的优点。本发明的用于近场芯片间多信道传送的接收器具有增加可在给定的区域内获得的传送距离的优点。