弹性表面波装置

摘要

本发明实现了一种具有优异特性且制造容易的弹性表面波装置。弹性表面波装置(10)具备由铌酸锂构成的压电基板(101)。在压电基板(101)的表面上配列形成有多个槽(110)。在各槽(110)中形成有由铜构成的IDT电极(102)。IDT电极(102)由被埋入槽(110)中的第一电极层(102i)与从压电基板(101)的表面突出的第二电极层(102o)构成。第一电极层(102i)的标准化电极膜厚Di在1.0％以上12.0％以下，第二电极层(102o)的标准化电极膜厚Do在1.0％以上9.0％以下。IDT电极(102)的整体的标准化电极膜厚D在6.0％以上13.0％以下。

权利要求

1.一种弹性表面波装置，具备：

压电基板，在其表面形成有槽；

IDT电极，其具有位于所述槽内的第一电极层和位于所述槽外的第二电极层，所述压电基板由铌酸锂构成，所述第一电极层以及所述第二电极层由铜构成，当将根据弹性表面波的波长而对电极膜厚进行标准化的值作为标准化电极膜厚时，所述第二电极层的标准化电极膜厚Do、所述第一电极层的标准化电极膜厚Di满足如下关系，

1.0％≤Do≤9.0％

并且，1.0％≤Di≤12.0％

并且，6.0％≤(Do+Di)≤13.0％。

2.如权利要求1所述的弹性表面波装置，其中，所述压电基板的欧拉角为：φ＝0°±5°，80°≤θ≤110°，ψ＝0°±5°。

3.如权利要求1所述的弹性表面波装置，其中，所述压电基板的槽的开口面积随着自所述表面起变深而变小，并且相对于所述表面的侧面的角度α为，

50°≤α≤70°。

4.如权利要求2所述的弹性表面波装置，其中，所述压电基板的槽的开口面积随着自所述表面起变深而变小，并且相对于所述表面的侧面的角度α为，

50°≤α≤70°。

5.如权利要求1至权利要求4中任一项所述的弹性表面波装置，其中，具备在所述压电基板上以覆盖所述IDT电极的方式设置的氧化硅膜，该氧化硅膜的与所述压电基板侧相反侧的面被大致平坦化。

6.如权利要求5所述的弹性表面波装置，其中，所述氧化硅膜的膜厚相对于根据在该弹性表面波装置中传播的弹性表面波的波长而标准化了的标准化膜厚而言，处于5％至35％的范围内。

说明书

弹性表面波装置

技术领域

[0001] 本发明涉及一种在压电基板的表面形成IDT电极而成的弹性表面波装置。

背景技术

[0002] 一直以来，提出了各种在压电基板的表面形成IDT电极而成的弹性表面波装置。例如，在专利文献1中公开了在压电基板的表面沿着厚度方向局部埋入多个指状电极的弹性表面波装置。

[0003] 在专利文献1中，关于压电基板的种类及指状电极的材料，记载了可以使用各种已知的材料，并对形成指状电极的槽的深度与指状电极的膜厚的平坦度进行了规定。

[0004] 专利文献1：日本特开2006-270906号公报

[0005] 但是，对于专利文献1所记载的指状电极材料及槽的深度的条件，也存在由于压电基板以及指状电极的材料的组合而造成作为弹性表面波装置的各种特性，例如分数带宽(比带域)、共振的Q值、干扰特性等发生偏差，从而得不到良好特性的情况。

发明内容

[0006] 因此，本发明的目的在于，实现一种在特定的材料的组合中具有更加优异的特性而且使制造变得容易的弹性表面波装置。

[0007] 本发明涉及一种弹性表面波装置，该弹性表面波装置具备：压电基板，在其表面形成有槽；IDT电极，其具有位于槽内的第一电极层和位于槽外的第二电极层。压电基板由铌酸锂构成。由第一电极层与第二电极层构成的IDT电极由铜或以铜为主体的金属、或者以铜为主成分的合金构成。IDT电极以铜为主体是指，铜超过IDT电极整体的50重量％。当将根据弹性表面波的波长而对电极膜厚进行标准化的值作为标准化电极膜厚时，设第二电极层的标准化电极膜厚为Do，第一电极层的标准化电极膜厚为，并以满足如下的(i)、(ii)、(iii)的条件的方式形成IDT电极。

[0008] (i)1.0％≤Do≤9.0％

[0009] (ii)1.0％≤Di≤12.0％

[0010] (iii)6.0％≤(Do+Di)≤13.0％。

[0011] 通过设置为该结构，能够提高弹性波的声速，并且使弹性波的分数带宽保持为宽频带宽度，从而能够抑制干扰。

[0012] 而且，优选为，在本发明的弹性表面波装置中，压电基板的欧拉角为(φ＝0°±5°，80°≤θ≤110°，ψ＝0°±5°)。

[0013] 通过设置为该结构，能够进一步抑制成为干扰要因的瑞利波。

[0014] 而且，优选为，在本发明的弹性表面波装置中，压电基板的槽的开口面积随着自表面起变深而变小，并且相对于表面的侧面的角度α为，50°≤α≤70°。

[0015] 通过设置为该结构，能够使弹性波的分数带宽成为更宽的频带宽度。

[0016] 而且，优选为，在本发明的弹性表面波装置中，具备在压电基板上以覆盖IDT电极的方式设置的氧化硅膜，氧化硅膜的与压电基板侧相反侧的面被大致平坦化。

[0017] 通过该结构，可以改善弹性表面波装置的频率温度特性。

[0018] 而且，优选为，在本发明的弹性表面波装置中，氧化硅膜的膜厚以根据在弹性表面波装置中传播的弹性表面波的波长而标准化了的标准化膜厚计为5％至35％的范围内的膜厚。

[0019] 通过该结构，能够进一步改善弹性表面波装置的频率特性。

[0020] 发明效果

[0021] 根据本发明，能够实现特性优异且制造容易的弹性表面波装置。

附图说明

[0022] 图1是作为本发明的实施方式所涉及的弹性表面波装置的1端口型共振器的俯视图、侧面剖视图、以及侧剖面的局部放大图。

[0023] 图2是表示将第二电极层102o的标准化电极膜厚Do与第一电极层102i的标准化电极膜厚Di作为参数后的声速特性的图。

[0024] 图3是表示在标准化电极膜厚D为6％、7％、8％的情况下，在各标准化电极膜厚D中使欧拉角的θ从70°变化至110°的条件下的声速变化的坐标图。

[0025] 图4是表示在标准化电极膜厚D为9％、10％、11％的情况下，在各标准化电极膜厚D中使欧拉角的θ从70°变化至110°的条件下的声速变化的坐标图。

[0026] 图5是表示在标准化电极膜厚D为12％、13％的情况下，在各标准化电极膜厚D中使欧拉角的θ从70°变化至110°的条件下的声速变化的坐标图。

[0027] 图6是表示将第二电极层102o的标准化电极膜厚Do与第一电极层102i的标准化电极膜厚Di作为参数后的SH波的分数带宽的特性的图。

[0028] 图7是表示在将标准化电极膜厚D设置为10％、8％、12％，并改变第二电极层102o的标准化电极膜厚Do与第一电极层102i的标准化电极膜厚Di的比例的情况下，被激发的全弹性表面波能量中以压电基板101的表面为基准在深度方向上1λ以内的范围内的能量集中度的特性的图。

[0029] 图8是分别使用本实施方式的结构、由将电极102全部埋入的构造而构成的比较例1、由在表面形成有电极102的构造构成的比较例2，形成1端口型SAW共振器时的阻抗特性的图。

[0030] 图9是表示将标准化电极膜厚D设为10％，改变第二电极层102o的标准化电极膜厚Do与第一电极层102i的标准化电极膜厚Di的比例，并使欧拉角的θ从70°变化至110°这一条件下的瑞利波的分数带宽的变化的图。

[0031] 图10是由本发明的实施方式所涉及的其他结构构成的弹性表面波装置10A的侧面的局部放大图。

[0032] 图11是表示将相对于在压电基板表面形成的槽的侧面的角度α以及欧拉角的θ作为参数、SH波的分数带宽的变化的特性图。

[0033] 图12是具备上层膜103的弹性表面波装置10B的侧面的局部放大图。

[0034] 图13是表示SiO2膜的基于弹性表面波波长而得到的标准化膜厚与频率温度特性(Temperature Coefficient of Frequency：TCF)的关系的坐标图。

具体实施方式

[0035] 参照附图对本发明的实施方式所涉及的弹性表面波装置进行说明。图1(A)是作为本实施方式的弹性表面波装置的1端口型共振器的俯视图，图1(B)是图1(A)的A-A’侧面的剖视图，图1(C)是侧剖面的局部放大图。然而，本发明的弹性表面波装置不限定于1端口型共振器，例如也可以为弹性表面波滤波器装置。

[0036] 弹性表面波装置10具备平板状的压电基板101。压电基板101由铌酸锂(LiNbO3)构成。压电基板101以切割面以及弹性波的传播方向用欧拉角表示成为(0°、90°、0°)的方式，利用所谓的Y向切割而形成。

[0037] 在压电基板101之上形成有IDT电极102，该IDT电极102具有相互插入彼此之间的一对梳齿电极。在弹性表面波装置10中，通过在该IDT电极102中被激发的弹性波作为弹性表面波在压电基板101的表面进行传播而实现了弹性表面波装置10的功能。

[0038] 如图1所示，在本实施方式中，IDT电极102由第一电极层102i与第二电极层102o的层叠体构成。

[0039] 另外，第一电极层102i被形成于在压电基板101的表面形成的槽110内。第一以及第二电极层102i、102o分别由Cu形成。

[0040] 需要说明的是，第一以及第二电极层102i、102o的主成分只要是Cu即可，其可以不是Cu单体，而是Cu合金。此处，主成分为Cu是指，IDT电极102的整体中Cu超过50重量％的IDT电极。例如，在IDT电极102由单层金属膜构成的情况下，则由Cu或以Cu为主成分的合金构成。以Cu为主成分的合金是指，以重量比超过50重量％的比例包含Cu的合金。而且，在压电基板与Cu之间作为分界层，可以存在Ti、Ni、NiCr、Ta等。而且，例如也可以使调节频率用的Cu以外的金属或绝缘膜存在于上表面侧，例如，即使是诸如Cu/Ti/Cu/Ti/Cu/Ti…这样的层叠构造，只要其主要材料为Cu即可。

[0041] IDT电极102的形成间隔被设定为所传播的弹性波的波长λ。需要说明的是，该波长λ由传播的弹性波的频率和后述的相位速度(声速)决定。

[0042] 以弹性波波长λ的约1/4的宽度形成IDT电极102。

[0043] 通过设置为上述结构，能够激发沿着与IDT电极102的指状电极延伸的方向正交的方向传播的、以SH波为主体的弹性表面波。

[0044] 此外，IDT电极102以满足如下表示的式1、式2、式3的尺寸的膜厚而形成。此处，关于膜厚，使用利用弹性波的波长λ而对IDT电极102的实际形成的平均膜厚进行标准化了的值(标准化电极膜厚(％))。而且，用Do来表示从IDT电极102的压电基板101突出的部分、即第二电极层102o的标准化电极膜厚，用Di来表示被埋入槽110的部分、即第一电极层102i的标准化电极膜厚，用D(＝Do+Di)来表示IDT电极102的整体膜厚。

[0045] 1.0％≤Do≤9.0％     -(式1)

[0046] 1.0％≤Di≤12.0％    -(式2)

[0047] 6.0％≤D≤13.0％     -(式3)

[0048] 通过以这种尺寸来形成IDT电极102，能够得到以下所示的效果。

[0049] 需要说明的是，这些第一以及第二电极层102i、102o既可以继第一电极层102i之后继续形成第二电极层102o，也可以在形成了第一电极层102i以后，通过别的工序来形成第二电极层102o。在本实施方式中，继第一电极层102i之后继续形成第二电极层102o。即，将第一电极层102i与第二电极层102o设置为一体。

[0050] 图2是表示将第二电极层102o的标准化电极膜厚Do与第一电极层102i的标准化电极膜厚Di作为参数后的声速特性的图。

[0051] 图3至图5是表示在标准化电极膜厚D从6％变化至13％，且在各标准化电极膜厚D中使欧拉角的θ从70°变化至110°的条件下的声速变化的图。图3(A)表示标准化电极膜厚D为6％的情况，图3(B)表示标准化电极膜厚D为7％的情况，图3(C)表示标准化电极膜厚D为8％的情况。图4(A)表示标准化电极膜厚D为9％的情况，图4(B)表示标准化电极膜厚D为
10％的情况，图4(C)表示标准化电极膜厚D为11％的情况。图5(A)表示标准化电极膜厚D为
12％的情况，图5(B)表示标准化电极膜厚D为13％的情况。需要说明的是，这些特性是利用有限元方法进行了模拟的结果。

[0052] 如图2至图5所示，能够在满足上述式(1)、(2)、(3)的条件的膜厚范围内实现2600m/s以上的声速。特别是，只要第二电极层102o的标准化电极膜厚Do在10％以下，就能够实现2800m/s以上的声速。

[0053] 这样，如果频率相同，则可以通过较高地设定声速而将波长λ设定为比声速低时大。即，能够加长IDT电极的形成间距。由此，能够提高制造成品率。而且，能够防止由于电极间的短路等而造成的耐电性及耐静电性的下降，从而能够制造可靠性高的设备。

[0054] 例如，当在上述条件下形成弹性表面波装置1时，由于声速在2600m/s以上，因此，为了传播2.6GHz的高频，只要使波长λ为1μm以上、即电极102的宽度在0.25μm以上即可。特别是，如果将第二电极层102o的标准化电极膜厚Do设置为10％以下，则声速在2800m/s以上，因此，为了传播更高频的2.8GHz的高频信号，只要使波长λ为1μm以上、即电极102的宽度在0.25μm以上即可。

[0055] 在此，光刻法使用在当前的SAW设备的制造工序被普遍利用的i线及KrF线，由于在光刻法中最细的电极宽度为0.25μm(波长λ为1μm)，因此，能够利用当前普通的SAW设备的制造工序来容易地制造上述高频率用的SAW设备。

[0056] 即，能够通过现有的普通的制造工序来制造如下的弹性表面波装置，所述弹性表面波装置为，使用SAW滤波器等SAW设备中所要求的最高频带的UMTS-BAND7(2.6GHz)或LTE-BandClass13(2.8GHz)用的弹性表面波装置。换言之，按照现有的技术，需要特殊且昂贵的制造装置，然而根据本实施方式的弹性表面波装置，能够不使用这些特殊装置就进行制造。而且，即使对于这种高频，也能够制造可靠性高的弹性表面波装置。

[0057] 需要说明的是，在上述的图2、图3、图4、以及图5所示的模拟结果中，包含第二电极层102o的标准化电极膜厚Do为0％的情况以及第一电极层102i的标准化电极膜厚Di为0％的情况。换言之，包含IDT电极102未从压电基板101突出的情况以及IDT电极102仅形成于压电基板101的平板表面上的情况。但是，根据这些条件，基于如下所示的理由，需要对使用进行限制。

[0058] 图6是表示将第二电极层102o的标准化电极膜厚Do与第一电极层102i的标准化电极膜厚Di作为参数后的SH波的分数带宽的特性的图。

[0059] 分数带宽与弹性表面波装置的电气机械结合系数相关联，分数带宽越宽则电气机械结合系数越高。分数带宽是指，在使用了该弹性表面波装置的共振器中，用共振频率除反共振频率与共振频率的宽度即反共振频率与共振频率的差而进行标准化的频带宽度，分数带宽越宽则能够得到频带越宽的弹性表面波装置。

[0060] 如图6所示，与第二电极层102o的标准化电极膜厚Do无关，第一电极层102i的标准化电极膜厚Di为0％的情况，与第一电极层102i的标准化电极膜厚Di在1％以上的情况相比，分数带宽变窄。换言之，在压电基板101的表面形成IDT电极102的构造中，与从压电基板101的表面埋入规定量的IDT电极102的至少一部分的构造相比，分数带宽变窄。因此，通过使用第一电极层102i的标准化电极膜厚Di在1.0％以上的结构(1.0％≤Di)，即使用从压电基板101的表面埋入规定量的IDT电极102的至少一部分的构造，能够实现具有更加优异特性的弹性表面波装置。特别是，通过使第二电极层102o的标准化电极膜厚Do在10％以下，即使是包含上述条件等的膜厚组合，也能够将SH波的分数带宽设置为0.18(18％)。由此，能够实现具有更加优异特性的弹性表面波装置。

[0061] 接下来，图7是表示在将标准化电极膜厚D设置为10％、8％、12％，并改变第二电极层102o的标准化电极膜厚Do与第一电极层102i的标准化电极膜厚Di的比例的情况下，通过下述的1端口型SAW共振器的反共振点而被激发的全弹性表面波能量中以压电基板101的表面为基准在深度方向上1λ以内的范围内的能量集中度的特性的图。图7(A)表示标准化电极膜厚D为10％的情况，图7(B)表示标准化电极膜厚D为8％的情况，图7(C)表示标准化电极膜厚D为12％的情况。

[0062] 如图7所示，与标准化电极膜厚D无关，第二电极层102o的标准化电极膜厚Do为0％的情况与第二电极层102o的标准化电极膜厚Do在1％以上的情况相比，能量集中度大幅度降低。即，在反共振点附近处于能量向压电基板的深度方向漏泄的状态，弹性表面波的传播损失增大。特别是，当第二电极层102o的标准化电极膜厚Do在1％以上时，能量集中度为80以上，能够高效地获取表面波。

[0063] 需要说明的是，虽然未在图中表示，只要标准化电极膜厚D在6％以上13％以下(6.0％≤D≤13.0％)，则不管何种标准化电极膜厚D，均能够得到同样的特性。

[0064] 这样，通过使用第二电极层102o的标准化电极膜厚Do在1％以上的结构(1.0％≤Do)，即，通过使用IDT电极102的至少一部分从压电基板101的表面突出1％以上的构造，能够实现具有更加优异特性的弹性表面波装置。

[0065] 图8是分别使用本实施方式的结构、由将IDT电极102全部埋入的构造构成的比较例1、由在表面形成有IDT电极102的构造构成的比较例2，形成1端口型SAW共振器时的阻抗特性的图。需要说明的是，图8中示出了标准化电极膜厚D为10％的情况，将第二电极层102o的标准化电极膜厚Do为8％，第一电极层102i的标准化电极膜厚Di为2％的情况作为本实施方式的结构。

[0066] 如图8所示，在由将IDT电极102全部埋入的构造构成的比较例1中，SH波的反共振点的陡峭程度较差。这是由于，如上所述，在反共振点附近弹性表面波的能量集中度低，且在压电基板的深度方向上泄漏的缘故。因此，反共振点处的阻抗小，共振点与反共振点的阻抗比(极大以及极小的宽度)变小，从而特性发生劣化。

[0067] 而且，由在表面形成有IDT电极102的构造构成的比较例2中，瑞利波的响应非常高，因瑞利波而产生的共振以及反共振大幅度显现。而且，根据图3、图4、图5也可以得知，与本实施方式及比较例1相比频率大幅度降低，而在形成相同频率的共振器的情况下，必须缩短波长，从而使制造的难易度提高。而且，反共振频率与共振频率的差即分数带宽变窄，从而不能实现宽频带宽度的弹性表面波装置。

[0068] 对此，在本实施方式的结构中，几乎没有瑞利波的响应，不会因瑞利波而产生共振及反共振。而且，与比较例1相比，能够增大在SH波的共振点以及反共振点处的极大以及极小的宽度，而不会受到其他干扰的影响。而且，与比较例2相比，能够加宽分数带宽，从而能够实现优异的共振特性。

[0069] 需要说明的是，虽然没有进行图示，但只要标准化电极膜厚D在6％以上13％以下(6.0％≤D≤13.0％)，第二电极层102o的标准化电极膜厚Do以及第一电极层102i的标准化电极膜厚Di在1％以上，即可得到同样的特性。

[0070] 这样，只要形成为本实施方式所示的结构，即可实现具有足够的电气机械结合系数、共振特性优异、抑制了包括瑞利波在内的各干扰的特性优异的弹性表面波装置。

[0071] 需要说明的是，在上述的说明中，虽然以欧拉角的θ为90°的情况为主进行了说明，但将欧拉角的θ设置在规定的角度范围内也能够得到同样的效果，尤其通过设置为如下所示的角度范围，能够得到良好的特性。

[0072] 图9是表示将标准化电极膜厚D设为10％，改变第二电极层102o的标准化电极膜厚Do与第一电极层102i的标准化电极膜厚Di的比例，并使欧拉角的θ从70°变化至110°这一条件下的瑞利波的分数带宽的变化的图。

[0073] 如图9所示，与第二电极层102o的标准化电极膜厚Do与第一电极层102i的标准化电极膜厚Di的比例无关，欧拉角的θ在80°以上110°以下，瑞利波的分数带宽变得极小。

[0074] 需要说明的是，虽然图9示出了将标准化电极膜厚D设置为10％的情况，然而包含上述本实施方式的结构条件在内的其他标准化电极膜厚D也可以得到同样的效果。

[0075] 因此，通过在上述条件的基础上将欧拉角的θ设定为80°以上110°以下，能够进一步抑制瑞利波的干扰，从而能够实现特性更加优异的弹性表面波装置。

[0076] 而且，虽然在上述的说明中示出了槽110的侧面以及IDT电极102的侧面与压电基板101的表面所成的角为90°的情况，然而也可以使用如图10所示的槽110A以及IDT电极102A。

[0077] 图10是由本实施方式所涉及的其他结构构成的弹性表面波装置10A的侧面的局部放大图。

[0078] 由本实施方式的其他结构构成的弹性表面波装置10A以槽110A的侧面以及IDT电极102A的第一电极层的侧面相对于压电基板101A的表面形成非90°的角度α的方式被形成。此时，槽110A以及IDT电极102A以底部(最深部)处的平面面积相对于压电基板101A的表面位置处的平面面积变小的方式来设定角度α。即，如图10所示，在从侧面进行观察时，IDT电极102A的埋入侧的侧面与压电基板101A的表面所形成的位于电极102A的内侧的角度α小于
90°。特别是，角度α在50°以上70°以下时会得到更加优异的特性。

[0079] 图11是表示将角度α以及欧拉角的θ作为参数、SH波的分数带宽的变化的特性图。图11中，将角度α设定在50°以上90°以下，将欧拉角的θ设定在86°、88°、90°、92°、94°。图11中示出了第二电极层102o的标准化电极膜厚Do为2％，第一电极层102i的标准化电极膜厚Di为8％的情况。

[0080] 如图11所示，与欧拉角的θ的值无关，在角度α在50°以上70°以下的范围内，SH波的分数带宽变得极大，而越比70°高且越接近90°，分数带宽越下降。虽然没有在图中表示出这种趋势，然而上述欧拉角的θ为80°以上110°以下的任意一个角度同样会产生这种趋势。

[0081] 因此，通过将角度α设置为50°≤α≤70°，与其他角度相比，能够增大SH波的分数带宽，从而能够实现特性更加优异的弹性表面波装置。

[0082] 需要说明的是，在上述的说明中，虽然对于欧拉角的 以及ψ没有进行详细说明，但只要其分别在±5°的范围内，即只要满足-5°≤φ≤+5°，-5°≤ψ≤+5°，即可以得到上述效果。

[0083] 也可以以覆盖IDT电极的方式来形成由氧化硅(SiO2)等构成的上层膜。图12是具备上层膜103的弹性表面波装置10B的侧面的局部放大图。如图12所示，在弹性表面波装置10B中，在形成有压电基板101的IDT电极102的侧面形成有由氧化硅(SiO2)等构成的上层膜
103。通过设置为这种结构，能够改善弹性表面波装置的频率温度特性。

[0084] 图13是表示SiO2膜的基于弹性表面波波长而得到的标准化膜厚与频率温度特性(Temperature Coefficient of Frequency：TCF)的关系的坐标图。该坐标图是对如下的TCF进行绘图的结果，所述TCF是在图12所示的构造中，通过将IDT电极102的第二电极层102o的标准化电极膜厚Do设置为6％，将第一电极102i的标准化电极膜厚Di设置为2％，将压电基板101设置为欧拉角(0°、90°、0°)的铌酸锂，并使SiO2膜(相当于图12的上层膜103)的标准化膜厚发生变化而得到的。此处，即使欧拉角及IDT电极的膜厚在上述条件以外，只要是在本发明的公开范围内，即可以确认能够得到与图13中所显现出的趋势相同的结果。

[0085] 从图13可以明显看出，随着SiO2膜变大，TCF得到改善。更优选的是，SiO2膜的标准化膜厚在5％到35％。此时，与未形成有SiO2膜的情况相比，弹性表面波装置的TCF被改善。

[0086] 而且，优选该SiO2膜的表面、即与压电基板101侧相反侧的面被大致平坦化。此时，由于在SiO2膜的表面几乎不存在凹凸，因此不会发生所不希望的弹性表面波的反射等，从而能够抑制弹性表面波装置的特性劣化。

[0087] 需要说明的是，也可以在SiO2膜上形成频率调节膜。该频率调节膜例如由氮化硅(SiN)等构成。而且，也可以在IDT电极与SiO2膜之间形成由氮化硅(SiN)等构成的湿气混入防止用的膜或者构成IDT电极的Cu的扩散防止用的膜。

[0088] 符号说明

[0089] 10、10A、10B：弹性表面波装置，101：压电基板，102、102A：IDT电极，102o：第二电极层，102i：第一电极层，103：上层膜，110、110A：槽