一种MOS门PLC光耦驱动电路及电阻回路装置转让专利

申请号 : CN201310260257.6

文献号 : CN103337839B

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法律信息:

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发明人 : 杨广羽刘敏刘高峰王清坚霍鹏飞邹卓霖

申请人 : 国家电网公司许继集团有限公司许继电气股份有限公司

摘要 :

本发明涉及一种MOS门PLC光耦驱动电路及电阻回路装置,该PLC光耦驱动电路包括一个配置有MOS门电路的PLC光耦端子,在所述PLC光耦端子的后级负载两端并联有电阻回路,所述电阻回路由一个刀闸和一个电阻串联组成,本发明的电阻回路装置由所述电阻回路组成,所述电阻的一端焊接在刀闸的一端,电阻和刀闸的另一端对应连接所述电阻回路装置的两个导电端,所述电阻回路装置通过所述导电端用于安装在MOS门PLC光耦端子的后级负载两端。通过电阻回路的设置,避免了PLC光耦的短时导通现象,减少了MOS门电路的放电时间,消除了MOS门自身寄生电路和其旁路电容的影响。

权利要求 :

1.一种MOS门PLC光耦驱动电路,该PLC光耦驱动电路包括一个配置有MOS门电路的PLC光耦端子,其特征在于,在所述PLC光耦端子的后级负载两端并联有电阻回路,所述电阻回路由一个开关和一个电阻串联组成;通过电阻回路的设置,避免了PLC光耦的短时导通现象,减少了MOS门电路的放电时间,消除了MOS门自身寄生电路和其旁路电容的影响。

2.根据权利要求1所述的MOS门PLC光耦驱动电路,其特征在于,所述开关为一个刀闸。

说明书 :

一种MOS门PLC光耦驱动电路及电阻回路装置

技术领域

[0001] 本发明涉及高压直流输电控制保护领域,具体涉及一种MOS门PLC光耦驱动电路及电阻回路装置。

背景技术

[0002] 由于MOS门回路信号传输速度快等特点,在高压直流输电控制保护系统接口设计中,大量应用此类MOS门设计的PLC光耦端子。由于MOS门开断过程中会引起电流的不断变化,这些不断变化的电流流过导线及印制板上,会产生电压的变化。在MOS门元件的电子设计回路中,为了保证MOS元件的电压不随这电流发生剧烈变化,会在MOS门上增加旁路电容来滤除高频干扰信号。
[0003] 由于MOS门本身寄生电路及旁路电容的影响,在MOS门关断过程中,有较长的放电时间;而且当PLC光耦端子的原边激励断开情况下,瞬间合上MOS门电路会有短时导通的现象,容易造成后级负载的误触发。

发明内容

[0004] 本发明的目的是提供一种MOS门PLC光耦驱动电路及电阻回路装置,用以消除现有采用MOS电路的PLC光耦受旁路电容影响的问题。
[0005] 为实现上述目的,本发明的方案是:一种MOS门PLC光耦驱动电路,该PLC光耦驱动电路包括一个配置有MOS门电路的PLC光耦端子,在所述PLC光耦端子的后级负载两端并联有电阻回路,所述电阻回路由一个开关和一个电阻串联组成。
[0006] 所述开关为一个刀闸。
[0007] 本发明还提供一种电阻回路装置,所述电阻回路装置由一个电阻回路组成,所述电阻回路由一个开关和一个电阻串联组成,所述电阻的一端焊接在开关的一端,电阻和开关的另一端对应连接所述电阻回路装置的两个导电端,所述电阻回路装置通过所述导电端用于安装在MOS门PLC光耦端子的后级负载回路中。
[0008] 所述电阻回路装置卡扣安装在MOS门PLC光耦端子的后级负载回路中。
[0009] 所述开关为刀闸
[0010] 本发明达到的有益效果:本发明在MOS门PLC光耦端子的后级负载回路中设置有电阻回路,当PLC光耦端子的原边激励消失时,首先通过接通该电阻回路,将PLC光耦中MOS门电路产生的瞬时冲击电压通过电阻回路放电,这样,再合上后级负载回路的开关,就避免了PLC光耦端子原边激励的断开情况下,因瞬间合上后级负载回路开关产生的冲击电压导致PLC光耦的短时导通现象,并且由于增加电阻回路,使得回路中电流增大,减少了旁路电容的放电时间,消除了MOS门自身寄生电路和其旁路电容的影响。
[0011] 电阻直接焊接在刀闸端子中,且电阻回路采用卡扣式安装方式,PLC光耦端子中有散热小孔,便于电阻的安装及散热,且维护成本低,易于实现现场安装和改进。

附图说明

[0012] 图1是本发明MOS门PLC光耦驱动电路原理图。

具体实施方式

[0013] 下面结合附图对本发明做进一步详细的说明。
[0014] MOS门PLC光耦驱动电路实施例:
[0015] 本发明的MOS门PLC光耦回路包括一个配置有MOS门电路的PLC光耦端子,在所述PLC光耦端子的后级负载两端并联有电阻回路,所述电阻回路由一个开关和一个电阻串联组成。
[0016] 如图1所示,K2为PLC光耦的原边控制开关,K1为后级负载回路控制开关,电阻回路由电阻R和开关K3串联组成,本实施例中,后级负载为一个PLC光耦,开关K3为一个刀闸,该电阻回路并联在后级PLC光耦两端,电阻回路具有消除MOS门电路短时导通现象和加快MOS门电路放电时间的作用,具体实施过程如下:
[0017] 1.消除MOS门电路短时导通现象
[0018] 如图1,接入电阻回路之前,在K2断开的情况下,即在前级PLC光耦原边激励断开的情况下,如果瞬间闭合开关K1,会产生教的冲击电压,较大的冲击电压会使前级光耦的MOS门电路产生一个短时的导通,导致后级PLC光耦的误触发。
[0019] 接入电阻回路后,在K2闭合,K1断开的情况下,即是前一级PLC光耦中MOS门电路的测试状态,当测试结束,先合上电阻回路刀闸K3,把电阻接入到负载回路中,然后再断开K2,由于电阻回路为MOS门电路提供电流回路,MOS门电路本身寄生电路及旁路电容的瞬时冲击电压经电阻回路放电,最后再合上K1开关,这样就消除了MOS门电路的短时导通现象。
[0020] 2.加快MOS门电路放电时间
[0021] 如图1,接入电阻回路之前,在K1闭合的情况下,如果直接瞬时打开K2,由于MOS门自身寄生电路及其旁路电容的影响,在MOS门关断过程中,放电时间比较长,易引起下级回路的误动作。
[0022] 接入电阻回路后,当K2、K1同时闭合的情况下,即是接口回路正常运行状态,此时,合上电阻回路刀闸K3,把电阻接入到负载回路中,然后再瞬时断开K2开关,增加电阻回路就相当于在原来回路的基础上增加了负载回路,由于电阻回路中的电阻阻值要远小于后级负载的阻值,这样就使得原来回路中的电流大大增加,加速了MOS门电路的放电时间。由于MOS门回路旁通电容影响的时间较短,为减少电阻所带来的损耗,在增加电阻回路加速放电过程后,直接打开刀闸K3,旁路电阻回路。
[0023] 本发明电阻回路装置实施例:
[0024] 本发明的电阻回路装置由一个电阻回路组成,所述电阻回路由一个开关和一个电阻串联组成,所述电阻的一端焊接在开关的一端,电阻和开关的另一端对应连接所述电阻回路装置的两个导电端,所述电阻回路装置通过所述导电端用于安装在MOS门PLC光耦端子的后级负载回路中。
[0025] 本实施例的开关为刀闸,电阻直接焊接在刀闸端子中,刀闸端子中有散热小孔,便于电阻的安装及散热;电阻封装到端子中,采用端子的卡扣式安装方式,便于电阻回路的快捷安装。
[0026] 本发明电阻回路装置的作用和具体实施过程与MOS门PLC光耦回路实施例相同,在此不再赘述。