本发明提供了一种LED陶瓷基板及其制备方法，该基板由以下组分及其重量百分比制成：氧化铝60%～70%、稀土氧化物0.2%～0.5%、有机溶剂10%～30%、表面活性剂0.2%～1.2%、粘接剂3.5%～5.5%、塑化剂2.5%～7.2%和氧化物添加剂2%～5%。制备时，首先按照重量百分比准确称取各组分后进行混合均匀和球磨；然后在恒温环境下进行真空脱泡、搅拌；接着依次进行涂布成型、热风干燥、冲切加工、真空封装、压制和冷却；最后进行陈腐、低温排胶、烧结和冷却；即可制得散热性高，表面光洁度高，粗糙度低，从而增强光的反射率，提高了光效，减少光衰，延长LED灯的使用寿命的陶瓷基板。
1.一种LED陶瓷基板，其特征在于，由以下组分及其重量百分比制成：氧化铝60％～
70％、稀土氧化物0.2％～0.5％、有机溶剂10％～30％、表面活性剂0.2％～1.2％、粘接剂3.5％～5.5％、塑化剂2.5％～7.2％和氧化物添加剂2％～5％，上述各组分的重量百分比之和为100％；所述氧化铝是直径为0.5μm～3μm和纯度为99％以上的氧化铝粉料；
所述有机溶剂采用无水乙醇、丁酮、正丁醇三元混合有机溶剂体系；所述稀土氧化物是由粒径2μm以下的Y2O3、La2O3、Yb2O3和Eu2O3中的一种以上组成的混合物；所述粘结剂为PVB粘结剂；所述塑化剂为DBP塑化剂或PEG塑化剂；所述氧化物添加剂是粒径2μm以下的氧化镁、氧化钙、氧化硅、氧化锆中的至少两种的混合物。
2.根据权利要求1所述的LED陶瓷基板，其特征在于，由以下组分及其重量百分比制成：氧化铝70％、稀土氧化物0.2％、有机溶剂21.6％、表面活性剂0.2％、粘接剂3.5％、塑化剂2.5％和氧化物添加剂2％。
3.根据权利要求2所述的LED陶瓷基板，其特征在于，所述无水乙醇、丁酮、正丁醇的重量配比为40：55：5。
4.根据权利要求1至3中任何一项所述的LED陶瓷基板，其特征在于，所述制成的陶瓷基板的晶体颗粒为粒径1μm～3μm均匀微细多面体结构，表面粗糙度小于0.25μm。
5.根据权利要求4所述的LED陶瓷基板，其特征在于，所述制成的陶瓷基板的密度为3
6.一种基于上述权利要求1至5中任何一项所述的LED陶瓷基板的制备方法，该LED陶瓷基板是高导热高反光陶瓷基板，其特征在于，包括有以下步骤：a.按照重量百分比准确称取出各组分；
c.在恒温环境下对球磨后的混合物进行真空脱泡、搅拌；
d.将真空脱泡和搅拌后的混合物依次进行涂布成型、热风干燥、冲切加工制得生坯片，并对生坯片进行真空封装、压制和冷却；
e.将真空封装压制和冷却的生坯片进行陈腐、低温排胶、烧结和冷却。
所述将称取出的各组分混合均匀并进行球磨，具体为：首先将氧化铝、氧化物添加剂和稀土氧化物混合均匀，然后加入表面活性剂与部分有机溶剂混合均匀并球磨，同时将粘结剂、塑化剂与余下有机溶剂混合均匀，最后将混合均匀并经球磨的氧化铝、氧化物添加剂、稀土氧化物、表面活性剂和部分有机溶剂与混合后的粘结剂、塑化剂和余下有机溶剂混合一起并进行球磨；
所述在恒温环境下对球磨后的混合物进行真空脱泡、搅拌，具体为：在保持温度
35℃～45℃和-0.05Mpa～-0.1Mpa下进行真空脱泡、搅拌，使球磨后的混合物的流速达到
所述将真空脱泡和搅拌后的混合物依次进行涂布成型、热风干燥、冲切加工制得生坯片，并对生坯片进行真空封装、压制和冷却，具体为：首先将真空脱泡和搅拌后的混合物涂布成型，然后在40℃～120℃下热风干燥得到生坯，接着将生坯放入模具后进行冲切成生坯片，最后在-0.09Mpa～-0.1Mpa下对生坯片进行真空封装后，通过在50℃～95℃和
所述将真空封装、压制和冷却的生坯片进行陈腐、低温排胶、烧结和冷却，具体为：首先将真空封装、压制和冷却后的生坯片陈腐12小时以上，然后以2℃/min～8℃/min的升温速度进行低温排胶24h～54h，最后在1600℃～1700℃环境下保温2h～3h后，自然降温冷却即可。
所述将称取出的各组分混合均匀并进行球磨，具体为：首先采用混料机将氧化铝、氧化物添加剂和稀土氧化物混合均匀，然后加入表面活性剂与一半有机溶剂并采用高速分散机以300～600转/分的转速混合均匀后采用球磨机球磨10～36小时，同时采用另一高速分散机以300～600转/分的转速将粘结剂、塑化剂与另一半有机溶剂混合均匀，最后将混合均匀并经球磨的氧化铝、氧化物添加剂、稀土氧化物、表面活性剂和部分有机溶剂与混合后的粘结剂、塑化剂和余下有机溶剂混合一起并采用球磨机球磨24～48小时；
所述在恒温环境下对球磨后的混合物进行真空脱泡、搅拌，是采用真空脱泡机并以
500～800转/分的转速对球磨后的混合物进行真空脱泡、搅拌，同时采用防爆全自动热水系统进行恒温控制；
所述将真空脱泡和搅拌后的混合物依次进行涂布成型、热风干燥、冲切加工，并对生坯片进行真空封装、压制和冷却，具体是：首先采用涂布成型机将真空脱泡和搅拌后的混合物进行涂布成型，然后采用加热鼓风干燥箱对涂布成型后的混合物进行热风干燥，得到
0.2mm～1.5mm的生坯，接着采用自动冲片机对放入模具后的生坯进行冲切，最后通过真空包装机对生坯片进行真空封装，通过温水等静压机对真空封装后生坯片进行均匀压制并冷却；
所述低温排胶、烧结和冷却是采用包含排胶段、升温段、烧结段和冷却段的推板式电窑来实现。
一种LED陶瓷基板及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及陶瓷基板技术领域，特别涉及一种LED单颗芯片封装或芯片集成封装(COB)用高导热、高反光陶瓷基板及其制备方法。【背景技术】
[0002] 现有的LED产品因为光衰较高，这导致其使用寿命大大下降。LED的光衰是和它的结温有关，所谓结温就是半导体PN结的温度，结温越高越早出现光衰，也就是寿命越短。
[0003] 导致LED产品光衰的原因很多，现有高功率LED输入功率仅有约15％转化成光，其余转化成热，热若不能有效导散出去，就会导致LED结温上升。LED芯片本身的热阻、银胶的影响、基板的散热效果，以及胶体和金线，这些都影响着LED产品的结温，进而影响其光衰，其中LED封装基板的散热性尤其重要。
[0004] LED封装基板包括单颗芯片封装成单颗灯珠的基板(小功率的用塑胶基板，大功率的用陶瓷基板)、多颗芯片封装成面光源的基板(一般用铜铝等金属基板或陶瓷基板)、多颗灯珠SMD贴装的系统电路基板(一般用铜铝等金属基板或陶瓷基板)。
[0005] LED的铜铝基板上必须涂覆一层绝缘硅油，再在绝缘硅油上印刷电路；尽管铜铝的导热系数很高，但涂了绝缘硅油后的综合导热系数只有2W/m.k左右。而且绝缘硅油长期在高温下工作易老化，老化后导热率更低，LED工作温度更高，绝缘硅油更易老化，形成恶性循环，加快LED衰减、死灯。此外，薄薄的绝缘硅油耐电压能力低，有击穿漏电之虞。
[0006] 陶瓷材料高散热，高绝缘、高耐压性能保证了灯具的高安全性，UL/CE等安规认证极易通过。大大降低了漏电击穿等危险现象的发生概率。而且陶瓷散热性高，96％氧化铝陶瓷材料放射率为0.97，是铝的19倍，其导热系数≥20W/m.k，这样的高导热率有利于将LED内热量快速散发出去。
[0007] 氧化铝陶瓷以其较高的性价比成为高性能LED封装的主流材料。
[0008] 但是，现用的LED封装基板都采用传统的用于大功率厚膜及混合集成电路的氧化铝陶瓷基板，并没有考虑光学要求。
[0009] 如何提高氧化铝陶瓷基板的反光率、减少基板吸收光线变成热能及减少光线折射穿透基板变成无效光，以提高LED综合光效，如何进一步提高氧化铝陶瓷基板的热导率，是一项亟待解决的问题。
[0010] 因此，开发一种导热性更优越，同时对LED的光的反射率高的基板，来进一步提高LED照明灯具的性能，便成为LED照明行业的期盼！【发明内容】
[0011] 为了解决现有技术中存在的上述技术问题，本发明依据陶瓷光学中陶瓷晶相结构与其导热、对光的反射、折射及吸收的特性关系的理论，沿着制备最有利于光的反射、抑制光的折射、减少光的吸收的晶粒及晶相结构的思路进行研究，发明了一种在反光性和导热性均明显优于传统氧化铝陶瓷基板的LED封装专用的氧化铝陶瓷基板及其制备方法。
[0012] 本发明解决现有技术问题所采用的技术方案为：
[0013] 一种LED陶瓷基板，由以下组分及其重量百分比制成：氧化铝60％～70％、稀土氧化物0.2％～0.5％、有机溶剂10％～30％、表面活性剂0.2％～1.2％、粘接剂3.5％～5.5％、塑化剂2.5％～7.2％和氧化物添加剂2％～5％，所述氧化物添加剂至少是氧化镁、氧化钙、氧化硅、氧化锆中的一种。
[0014] 进一步地，所述LED陶瓷基板由以下组分及其重量百分比制成：氧化铝70％、稀土氧化物0.2％、有机溶剂21.6％、表面活性剂0.2％、粘接剂3.5％、塑化剂2.5％和氧化物添加剂2％。
[0015] 进一步地，所述氧化铝是直径为0.5um～3um和纯度为99％以上的氧化铝粉料；所述有机溶剂采用无水乙醇、丁酮、正丁醇三元混合有机溶剂体系；所述稀土氧化物是由粒径2um以下的Y2O3、La2O3、Yb2O3和Eu2O3中的一种或一种以上组成的混合物；所述粘结剂为PVB粘结剂；所述塑化剂为DBP塑化剂或PEG塑化剂；所述氧化物添加剂是粒径2um以下的氧化镁、氧化钙、氧化硅、氧化锆中的至少两种的混合物。
[0016] 进一步地，所述无水乙醇、丁酮、正丁醇的重量配比为40∶55∶5。
[0017] 进一步地，所述制成的陶瓷基板的晶体颗粒为粒径1um～3um均匀微细多面体结构，表面粗糙度小于0.25um。
[0018] 进一步地，所述制成的陶瓷基板的密度高为3.78g/cm3以上。
[0019] 一种基于所述的高导热高反光陶瓷基板的制备方法，包括有以下步骤：
[0020] a.按照重量百分比准确称取出各组分；
[0021] b.将称取出的各组分混合均匀并进行球磨；
[0022] c.在恒温环境下对球磨后的混合物进行真空脱泡、搅拌；
[0023] d.将真空脱泡和搅拌后的混合物依次进行涂布成型、热风干燥、冲切加工制得生坯片，并对生坯片进行真空封装、压制和冷却；
[0024] e.将真空封装压制和冷却的生坯片进行陈腐、低温排胶、烧结和冷却。
[0025] 进一步地，所述将称取出的各组分混合均匀并进行球磨，具体为：首先将氧化铝、氧化添加剂和稀土氧化物混合均匀，然后加入表面活性剂与部分有机溶剂混合均匀并球磨，同时将粘结剂、塑化剂与余下有机溶剂混合均匀，最后将混合均匀并经球磨的氧化铝、氧化添加剂、稀土氧化物、表面活性剂和部分有机溶剂与混合后的粘结剂、塑化剂和余下有机溶剂混合一起并进行球磨；
[0026] 所述在恒温环境下对球磨后的混合物进行真空脱泡、搅拌，具体为：在保持温度35℃～45℃和-0.05Mpa～-0.1Mpa下进行真空脱泡、搅拌，使球磨后的混合物的流速达到
15000mps～30000mps；
[0027] 所述将真空脱泡和搅拌后的混合物依次进行涂布成型、热风干燥、冲切加工制得生坯片，并对生坯片进行真空封装、压制和冷却，具体为：首先将真空脱泡和搅拌后的混合物涂布成型，然后在40℃～120℃下热风干燥得到生坯，接着将生坯放入模具后进行冲切成生坯片，最后在-0.09Mpa～-0.1Mpa下对生坯片进行真空封装后，通过在50℃～95℃和15Mpa～25Mpa下均匀压制并冷却；
[0028] 所述将真空封装、压制和冷却的生坯片进行陈腐、低温排胶、烧结和冷却，具体为：首先将真空封装、压制和冷却后的生坯片陈腐12小时以上，然后以2℃/min～8℃/min的升温速度进行低温排胶24h～54h，最后在1600℃～1700℃环境下保温2h～3h后，自然降温冷却即可。
[0029] 进一步地，所述将称取出的各组分混合均匀并进行球磨，具体为：首先采用混料机将氧化铝、氧化添加剂和稀土氧化物混合均匀，然后加入表面活性剂与一半有机溶剂并采用高速分散机以300～600转/分的转速混合均匀后采用球磨机球磨10～36小时，同时采用另一高速分散机以300～600转/分的转速将粘结剂、塑化剂与另一半有机溶剂混合均匀，最后将混合均匀并经球磨的氧化铝、氧化添加剂、稀土氧化物、表面活性剂和部分有机溶剂与混合后的粘结剂、塑化剂和余下有机溶剂混合一起并采用球磨机球磨24～48小时；
[0030] 所述在恒温环境下对球磨后的混合物进行真空脱泡、搅拌，是采用真空脱泡机并以500～800转/分的转速对球磨后的混合物进行真空脱泡、搅拌，同时采用防爆全自动热水系统进行恒温控制；
[0031] 所述将真空脱泡和搅拌后的混合物依次进行涂布成型、热风干燥、冲切加工，并对生坯片进行真空封装、压制和冷却，具体是：首先采用涂布成型机将真空脱泡和搅拌后的混合物进行涂布成型，然后采用加热鼓风干燥箱对涂布成型后的混合物进行热风干燥，得到0.2mm～1.5mm的生坯，接着采用自动冲片机对放入模具后的生坯进行冲切，最后通过真空包装机对生坯片进行真空封装，通过温水等静压机对真空封装后生坯片进行均匀压制并冷却；
[0032] 所述低温排胶、烧结和冷却是采用包含排胶段、升温段、烧结段和冷却段的推板式电窑来实现。
[0033] 本发明的有益效果如下：
[0034] 本发明通过上述技术方案制成的LED陶瓷基板的散热性高，表面光洁度高，粗糙度低，从而增强了光的反射率，提高了光效，减少光衰，延长LED灯的使用寿命；而且制备方法简单，操作方便。【附图说明】
[0035] 图1是本发明所述一种LED陶瓷基板的制备方法实施例的流程示意图。【具体实施方式】
[0036] 为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0037] 本发明实施列所述的一种LED陶瓷基板由以下组分及其重量百分比制成：氧化铝60％～70％、稀土氧化物0.2％～0.5％、有机溶剂10％～30％、表面活性剂0.2％～1.2％、粘接剂3.5％～5.5％、塑化剂2.5％～7.2％和氧化物添加剂2％～5％，所述氧化物添加剂至少是氧化镁、氧化钙、氧化硅、氧化锆中的一种；优选方案，由以下组分及其重量百分比制成：氧化铝70％、稀土氧化物0.2％、有机溶剂21.6％、表面活性剂0.2％、粘接剂
3.5％、塑化剂2.5％和氧化物添加剂2％。
[0038] 其中，所述氧化铝是直径为0.5um～3um和纯度为99％以上的氧化铝粉料；所述有机溶剂采用无水乙醇、丁酮、正丁醇(无水乙醇、丁酮、正丁醇的重量配比为40∶55∶5)三元混合有机溶剂体系，所述稀土氧化物是由Y2O3、La2O3、Yb2O3和Eu2O3中的一种或一种以上组成的混合物；所述粘结剂为PVB粘结剂；所述塑化剂为DBP塑化剂或PEG塑化剂；所述氧化物添加剂是粒径2um以下的氧化镁、氧化钙、氧化硅、氧化锆中的至少两种的混合物。
[0039] 采用前述组分及其重量百分比制成的LED陶瓷基板具有以下有益效果：
[0040] 1、提高光效方面：
[0041] 采用微米流延技术，粉体的粒度在0.5um～2.0um之间，添加稀土氧化物降低氧化铝陶瓷的烧结温度，减少晶粒尺寸，抑制反常的晶粒长大，烧结后陶瓷晶体颗粒小且均匀一致，在1um～3um之间，比传统的氧化陶瓷的晶体颗粒3um～5um小，从而使得晶界增多，提高了光的反射率，同时表面晶体颗粒小，表面粗糙度小于0.25um，增加LED陶瓷基板对光的镜面反射和漫反射，提高光效。
[0042] 2、提高散热性方面：
[0043] 由于显微结构的特点，这种专用LED陶瓷基板的密度比传统的陶瓷基板密度高，3
达到3.78g/cm 以上，添加的稀土氧化物是为了减少玻璃相，减少气孔率，晶界小而致密，从而提高基板的热导率；
[0044] 因此，该LED陶瓷基板的散热性高，表面光洁度高，粗糙度低，从而增强了光的反射率，提高了光效，减少光衰，延长LED灯的使用寿命。
[0045] 如图1中所示：
[0046] 本发明实施列所述的一种基于前述LED陶瓷基板的制备方法，包括有以下步骤：
[0047] 步骤S101.按照重量百分比准确称取出各组分；
[0048] 步骤S102.将称取出的各组分混合均匀并进行球磨；
[0049] 步骤S103.在恒温环境下对球磨后的混合物进行真空脱泡、搅拌；
[0050] 步骤S104.将真空脱泡和搅拌后的混合物依次进行涂布成型、热风干燥、冲切加工制得生坯片，并对生坯片进行真空封装、压制和冷却；
[0051] 步骤S105.将真空封装压制和冷却的生坯片进行陈腐、低温排胶、烧结和冷却。
[0052] 其中，所述将称取出的各组分混合均匀并进行球磨，具体可以为：首先将氧化铝、氧化添加剂和稀土氧化物混合均匀，然后加入表面活性剂与部分有机溶剂混合均匀并球磨，同时将粘结剂、塑化剂与余下有机溶剂混合均匀，最后将混合均匀并经球磨的氧化铝、氧化添加剂、稀土氧化物、表面活性剂和部分有机溶剂与混合后的粘结剂、塑化剂和余下有机溶剂混合一起并进行球磨；例如：首先采用混料机将氧化铝、氧化添加剂和稀土氧化物混合均匀，然后加入表面活性剂与一半有机溶剂并采用高速分散机以300～600转/分的转速混合均匀后采用球磨机球磨10～36小时，同时采用另一高速分散机以300～600转/分的转速将粘结剂、塑化剂与另一半有机溶剂混合均匀，最后将混合均匀并经球磨的氧化铝、氧化添加剂、稀土氧化物、表面活性剂和部分有机溶剂与混合后的粘结剂、塑化剂和余下有机溶剂混合一起并采用球磨机球磨24～48小时。
[0053] 所述在恒温环境下对球磨后的混合物进行真空脱泡、搅拌，具体可以为：在保持温度35℃～45℃和-0.05Mpa～-0.1Mpa下进行真空脱泡、搅拌，使球磨后的混合物的流速达到15000mps～30000mps；当中可采用真空脱泡机并以500～800转/分的转速对球磨后的混合物进行真空脱泡、搅拌，同时采用防爆全自动恒温热水系统进行恒温控制。
[0054] 所述将真空脱泡和搅拌后的混合物依次进行涂布成型、热风干燥、冲切加工制得生坯片，并对生坯片进行真空封装、压制和冷却，具体可以为：首先将真空脱泡和搅拌后的混合物涂布成型，然后在40℃～120℃下热风干燥得到生坯，接着将生坯放入模具后进行冲切成生坯片，最后在-0.09Mpa～-0.1Mpa下对生坯片进行真空封装后，通过在50℃～95℃和15Mpa～25Mpa下均匀压制并冷却；例如：首先采用涂布成型机将真空脱泡和搅拌后的混合物进行涂布成型，然后采用加热鼓风干燥箱对涂布成型后的混合物进行热风干燥，得到0.2mm～1.5mm的生坯，接着采用自动冲片机对放入模具后的生坯进行冲切，最后通过真空包装机对生坯片进行真空封装，通过温水等静压机对真空封装后生坯片进行均匀压制并冷却。
[0055] 所述将真空封装压制和冷却的生坯片进行陈腐、低温排胶、烧结和冷却，具体可以为：首先将真空封装、压制和冷却后的生坯片在恒温恒湿的房间内陈腐12小时以上，然后以2℃/min～8℃/min的升温速度进行低温排胶24h～54h，最后在1600℃～1700℃环境下保温、烧结2h～3h后，自然降温冷却即可；当中可采用包含排胶段、升温段、烧结段和冷却段的推板式电窑来实现。
[0056] 另外，可将烧结后的本发明LED陶瓷基板捆扎，并放入推板式电窑内在1400℃～1450℃温度下进行整平。
[0057] 通过本发明所述的制备方法得到的LED陶瓷基板性能如下表：
[0058]
[0059]
[0060] 从上表可知，使用纯度为99％以上的氧化铝，保证了制备出的产品具有高绝缘性的致密瓷体，其抗电强度高，硬度高，其热导率可达24W/m.k，比普通低温陶瓷的热导率高3～5倍；添加剂的使用其中氧化镁、氧化硅、氧化钙、氧化锆的至少两种的混合物，可形成与PN结热膨胀系数接近的陶瓷表面层，提高制备出的产品的热稳定性，使得产品可在850℃左右快速降到室温，或从室温快升温至850℃而不开裂，使得与产品连接的LED芯片不易脱落；稀土氧化物使得烧结后陶瓷基板表面平整度高，可达到0.01mm～50mm且粗糙度
3
≤0.25um，同时改善晶体结构，瓷体的密度达到3.78g/cm，产品的表面致密度高，表面光洁度高，粗糙度低，增强了光的反射率，从而提高光效，减少光衰，延长LED灯的使用寿命；采用三元共沸混合有机溶剂体系，如无水乙醇、丁酮、正丁醇三种有机溶剂组成，此体系可提供良好的溶解特性，具有良好的化学稳定性，不与上述无机粉料发生化学反应，同时制备的浆料无毒，而且成本较低；表面活性剂采用高效的表面活性剂；而且本制备方法简单，操作方便。
[0061] 以下是针对本发明所述的LED陶瓷基板及其制备方法进行的三个实施例，具体情况如下。
[0062] 实施例一：
[0063] 本发明实施列所述的一种LED陶瓷基板由以下组分及其重量百分比制成：氧化铝60％、稀土氧化物0.5％、有机溶剂30％、表面活性剂1.2％、粘接剂3％、塑化剂2.5％和氧化物添加剂2.8％；制备时，按照该组分及重量百分比并通过本发明所述制备方法，即可制得散热性高，表面光洁度高，粗糙度低，增强了光的反射率，提高了光效，减少光衰，延长LED灯的使用寿命的LED封装用陶瓷基板。
[0064] 实施例二：
[0065] 本发明实施列所述的一种LED陶瓷基板由以下组分及其重量百分比制成：氧化铝65％、稀土氧化物0.4％、有机溶剂20％、表面活性剂0.8％、粘接剂4.5％、塑化剂5.3％和氧化物添加剂4％；制备时，按照该组分及重量百分比并通过本发明所述制备方法，即可制得散热性高，表面光洁度高，粗糙度低，增强了光的反射率，提高了光效，减少光衰，延长LED灯的使用寿命的LED封装用陶瓷基板。
[0066] 实施例三：
[0067] 本发明实施列所述的一种LED陶瓷基板由以下组分及其重量百分比制成：氧化铝70％、稀土氧化物0.5％、有机溶剂10.6％、表面活性剂1.2％、粘接剂5.5％、塑化剂7.2％和氧化物添加剂5％；制备时，按照该组分及重量百分比并通过本发明所述制备方法，即可制得散热性高，表面光洁度高，粗糙度低，增强了光的反射率，提高了光效，减少光衰，延长LED灯的使用寿命的LED封装用陶瓷基板。
[0068] 以上内容是结合具体的优选技术方案对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。
