MEMS纳米结构及其形成方法

摘要

本发明涉及一种形成MEMS纳米结构的方法，该方法包括：将部分衬底凹进，从而在该衬底内形成多个台面。多个台面中的每个台面均具有顶面和侧壁面。在该衬底之上方沉积反光层，从而覆盖每个台面的顶面和侧壁面。在反光层之上形成保护层。在保护层之上形成ARC层。光刻胶层中的开口形成在每个台面上的ARC层之上。通过该开口去除部分ARC层、保护层和反光层，从而暴露出每个台面的顶面。去除每个台面的顶面之上的光刻胶层和ARC层。本发明还提供了一种MEMS纳米结构及其形成方法。

权利要求

1.一种形成多个MEMS纳米结构的方法，所述方法包括：使衬底的一部分凹进，从而在所述衬底中形成多个台面，所述多个台面中的每个台面均具有顶面和与所述顶面相邻的侧壁面；

在所述衬底之上沉积反光层，从而覆盖每个台面的所述顶面和所述侧壁面；

在所述反光层之上形成保护层；

在所述保护层之上形成抗反射涂层(ARC)，所述抗反射涂层包括氮化钛；

在每个台面上方的所述抗反射涂层之上的光刻胶层中形成开口；

通过所述开口去除所述抗反射涂层的一部分、所述保护层的一部分和所述反光层的一部分，从而暴露出每个台面的顶部；以及去除每个台面的所述顶面之上的所述光刻胶层和所述抗反射涂层，其中，在含H2O2的湿溶液中去除所述抗反射涂层。

2.根据权利要求1所述的形成多个MEMS纳米结构的方法，其中，所述反光层包括铝、铜、金、银、铬、钛或它们的混合物。

3.根据权利要求1所述的形成多个MEMS纳米结构的方法，其中，所述保护层包括氧化物层或氮化物层。

4.根据权利要求1所述的形成多个MEMS纳米结构的方法，其中，形成所述保护层包括：在含氧的等离子体环境中处理所述反光层。

5.根据权利要求1所述的形成多个MEMS纳米结构的方法，其中，所述开口的宽度只能容纳被分析物的一个分子。

6.根据权利要求1所述的形成多个MEMS纳米结构的方法，其中，所述开口的宽度介于

110nm至170nm之间的范围内。

7.根据权利要求1所述的形成多个MEMS纳米结构的方法，进一步包括：在所述光刻胶层中形成所述开口的步骤之前，形成围绕每个台面的填充材料。

8.根据权利要求7所述的形成多个MEMS纳米结构的方法，进一步包括：将所述填充材料平坦化为与每个台面的所述顶面基本共面的水平。

9.根据权利要求1所述的形成多个MEMS纳米结构的方法，其中，去除所述抗反射涂层包括：去除每个台面之上的整个所述抗反射涂层。

10.一种形成多个MEMS纳米结构的方法，所述方法包括：蚀刻衬底的一部分，从而在所述衬底中形成多个台面，所述多个台面中的每个台面均具有顶面和与所述顶面相邻的侧壁面；

在所述衬底之上沉积反光层，从而覆盖每个台面的所述顶面和所述侧壁面；

沿着所述反光层共形地形成保护层；

在所述保护层之上形成抗反射涂层(ARC)，所述抗反射涂层包括氮化钛；

在每个台面之上的所述抗反射涂层之上的光刻胶层中形成开口；

通过所述开口去除所述抗反射涂层的一部分、所述保护层的一部分和所述反光层的一部分，从而暴露出每个台面的顶部；以及在基本上不去除所述保护层的情况下，去除所述光刻胶层和所述抗反射涂层，其中，在含H2O2的湿溶液中去除所述抗反射涂层。

11.根据权利要求10所述的形成多个MEMS纳米结构的方法，所述反光层包括铝、铜、金、银、铬、钛或它们的混合物。

12.根据权利要求10所述的形成多个MEMS纳米结构的方法，其中，所述保护层包括氧化物层或氮化物层。

13.根据权利要求12所述的形成多个MEMS纳米结构的方法，其中，所述保护层是厚度在至 的范围内的氧化铝层。

14.根据权利要求10所述的形成多个MEMS纳米结构的方法，其中，所述开口的宽度只能容纳被分析物的一个分子。

15.一种形成多个MEMS纳米结构的方法，所述方法包括：使衬底的一部分凹进，从而在所述衬底中形成多个台面，所述多个台面中的每个台面均具有顶面和与所述顶面相邻的侧壁面；

在所述衬底之上沉积反光层，从而覆盖每个台面的所述顶面和所述侧壁面；

在所述反光层之上形成保护层；

在所述保护层之上形成抗反射涂层(ARC)，所述抗反射涂层包括氮化钛；

形成围绕每个台面的填充材料，从而暴露所述抗反射涂层的一部分；

在每个台面之上的所暴露抗反射涂层之上的光刻胶层中形成开口；

通过所述开口去除所暴露抗反射涂层的一部分、所述保护层的一部分和所述反光层的一部分，从而暴露出每个台面的所述顶部；以及去除每个台面的所述光刻胶层和所述抗反射涂层的暴露部分，其中，在含H2O2的湿溶液中去除所述抗反射涂层。

16.根据权利要求15所述的形成多个MEMS纳米结构的方法，其中，所述反光层包括铝、铜、金、银、铬、钛或它们的混合物。

17.根据权利要求15所述的形成多个MEMS纳米结构的方法，其中，形成所述保护层包括：在含氧的等离子体环境中处理所述反光层。

18.根据权利要求15所述的形成多个MEMS纳米结构的方法，其中，所述填充材料包括氧化硅、介电材料、多晶硅、非晶硅或它们的组合。

说明书

MEMS纳米结构及其形成方法

[0001] 相关申请的交叉参考

[0002] 本申请要求于2012年3月30日提交的美国临时专利申请第61,617,834号的优先权，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

[0003] 本公开涉及MEMS纳米结构及形成MEMS纳米结构的方法。

背景技术

[0004] 微机电系统(MEMS)的制造技术包括以微米比例(百万分之一米)的尺寸形成微结构，从而实现机械、流体、光学、生物和/或电气系统。该制造技术的重要部分(包括清洁、成层、图案化、蚀刻或掺杂步骤)均源于集成电路(IC)技术。

[0005] MEMS应用包括惯性传感器应用，诸如，运动传感器、加速器和陀螺仪。其他MEMS应用包括光学应用(诸如活动反射镜)、RF应用(诸如RF开关和共振器)以及生物感测结构。虽然上述应用很引人注目，但是在发展MEMS纳米结构方面仍存在很多挑战。用于形成这些MEMS纳米结构的配置和方法的各种技术已经被实现用于进行尝试以及进一步改善设备的性能。

发明内容

[0006] 为了解决现有技术中所存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种形成多个MEMS纳米结构的方法，所述方法包括：使衬底的一部分凹进，从而在所述衬底中形成多个台面，所述多个台面中的每个台面均具有顶面和与所述顶面相邻的侧壁面；在所述衬底之上沉积反光层，从而覆盖每个台面的所述顶面和所述侧壁面；在所述反光层之上形成保护层；在所述保护层之上形成抗反射涂层(ARC)；在每个台面上方的所述ARC层之上的光刻胶层中形成开口；通过所述开口去除所述ARC层的一部分、所述保护层的一部分和所述反光层的一部分，从而暴露出每个台面的顶部；以及去除每个台面的所述顶面之上的所述光刻胶层和所述ARC层。

[0007] 在所述方法中，所述反光层包括铝、铜、金、银、铬、钛或它们的混合物。

[0008] 在所述方法中，所述保护层包括氧化物层或氮化物层。

[0009] 在所述方法中，形成所述保护层包括：在含氧的等离子体环境中处理所述反光层。

[0010] 在所述方法中，所述开口的宽度只能容纳被分析物的一个分子。

[0011] 在所述方法中，所述开口的宽度介于大约110nm至大约170nm之间的范围内。

[0012] 在所述方法中，进一步包括：在所述光刻胶层中形成所述开口的步骤之前，形成围绕每个台面的填充材料。

[0013] 在所述方法中，进一步包括：将所述填充材料平坦化为与每个台面的所述顶面基本共面的水平。

[0014] 在所述方法中，去除所述ARC层包括：在含H2O2的湿溶液中进行去除。

[0015] 在所述方法中，去除所述ARC层包括：去除每个台面之上的整个所述ARC层。

[0016] 根据本发明的另一方面，一种形成多个MEMS纳米结构的方法，所述方法包括：蚀刻衬底的一部分，从而在所述衬底中形成多个台面，所述多个台面中的每个台面均具有顶面和与所述顶面相邻的侧壁面；在所述衬底之上沉积反光层，从而覆盖每个台面的所述顶面和所述侧壁面；沿着所述反光层共形地形成保护层；在所述保护层之上形成抗反射涂层(ARC)；在每个台面之上的所述ARC层之上的光刻胶层中形成开口；通过所述开口去除所述ARC层的一部分、所述保护层的一部分和所述反光层的一部分，从而暴露出每个台面的顶部；以及在基本上不去除所述保护层的情况下，去除所述光刻胶层和所述ARC层。

[0017] 在所述方法中，所述反光层包括铝、铜、金、银、铬、钛或它们的混合物。

[0018] 在所述方法中，所述保护层包括氧化物层或氮化物层。

[0019] 在所述方法中，所述保护层是厚度在大约 至大约 的范围内的氧化铝层。

[0020] 在所述方法中，所述开口的宽度只能容纳被分析物的一个分子。

[0021] 在所述方法中，去除所述ARC层包括：在含H2O2的湿溶液中进行去除。

[0022] 根据本发明的又一方面，提供了一种形成多个MEMS纳米结构的方法，所述方法包括：使衬底的一部分凹进，从而在所述衬底中形成多个台面，所述多个台面中的每个台面均具有顶面和与所述顶面相邻的侧壁面；在所述衬底之上沉积反光层，从而覆盖每个台面的所述顶面和所述侧壁面；在所述反光层之上形成保护层；在所述保护层之上形成抗反射涂层(ARC)；形成围绕每个台面的填充材料，从而暴露所述ARC层的一部分；在每个台面之上的所暴露ARC层之上的光刻胶层中形成开口；通过所述开口去除所暴露ARC层的一部分、所述保护层的一部分和所述反光层的一部分，从而暴露出每个台面的所述顶部；以及去除每个台面的所述光刻胶层和所述ARC层的暴露部分。

[0023] 在所述方法中，所述反光层包括铝、铜、金、银、铬、钛或它们的混合物。

[0024] 在所述方法中，形成所述保护层包括：在含氧的等离子体环境中处理所述反光层。

[0025] 在所述方法中，所述填充材料包括氧化硅、介电材料、多晶硅、非晶硅或它们的组合。

附图说明

[0026] 当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各种部件没有被按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减少。

[0027] 图1A是根据本公开的一个或多个实施例的包括了多个位于衬底上的MEMS芯片的晶圆的俯视图；

[0028] 图1B是根据本公开的一个或多个实施例的图1A的单个MEMS芯片的放大图；

[0029] 图2是根据本公开的一个或多个实施例形成具有MEMS纳米结构的MEMS芯片结构的方法的流程图；

[0030] 图3A和图4到图9是根据图2方法的多个实施例的在具有MEMS纳米结构的MEMS芯片中的结构在各个制造阶段中的截面图；

[0031] 图3B是根据本公开的一个或多个实施例的图3A的单个MEMS芯片结构的俯视图；

[0032] 图3C是根据本公开的一个或多个实施例沿图3B中的线A-A的单个MEMS芯片的透视图；

[0033] 图10是根据本公开的一个或多个实施例在探测生物分子操作中的MEMS纳米结构的放大截面图。

具体实施方式

[0034] 应该理解，以下公开提供了多种不同实施例或实例，用于实现本发明的不同特征。以下将描述组件和布置的特定实例以简化本发明。当然，这些仅是实例并且不旨在限制本发明。而且，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可以包括其他部件可以形成在第一部件和第二部件之间使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。此外，相对术语的参考，例如，“顶部”、“前部”、“底部”和“后部”用于提供部件之间的相对关系，并不用于暗示任何绝对的方向。为了简单和清楚，可以不同比例任意绘制各个部件。

[0035] 图1A是标记在衬底102上的包括多个MEMS芯片103的晶圆100的俯视图。利用MEMS芯片103之间的划片槽106来分割多个MEMS芯片103。图1B是图1A所示的单个MEMS芯片103的放大图。衬底102将经历清洗、成层、图案化、蚀刻或掺杂多个步骤，从而形成MEMS芯片103中的MEMS纳米结构。本文中的术语“衬底”通常涉及的是适于传输分析物的电信号或光信号的体衬底。在至少一个实例中，衬底102包括有透明材料，如石英、蓝宝石、熔融石英或其他适合的玻璃。在另一个实例中，衬底采用一种刚性材料，在观察过程中，该刚性材料能够使被观察的分析物保持在固定位置上。在又一个实例中，衬底102采用了一种透明的有机材料，例如，甲基丙烯酸酯聚合物(诸如，PMMA、聚碳酸酯)、环烯烃聚合物、苯乙烯聚合物、含氟聚合物、聚酯、聚醚酮、聚醚砜、聚酰亚胺或其混合物。在一些实施例中，衬底102之上形成了各种层和器件。层的实例包括有介电层、掺杂层、多晶硅层或导电层。器件结构的实例包括晶体管、电阻器和/或电容器，它们可以通过互连层与额外的器件互连。

[0036] 图2是根据本公开的一个或多个实施例在具有MEMS纳米结构的MEMS芯片中形成结构的方法200的流程图。方法200可以包括：使用适用于互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的一个或多个工艺步骤形成MEMS纳米结构。方法200的流程图从操作201开始。在操作201中，将一部分衬底凹进(recessed)，从而形成了多个台面(mesa)。然后，方法200继续操作202，其中，在衬底上方沉积了反光层来覆盖每个台面。方法200继续操作203，其中，在反光层上方形成了保护层。方法200继续操作204，其中，在保护层上方形成了抗反射涂布层(ARC)。方法200继续操作205，其中，在每个台面之上的ARC层之上的光刻胶层中形成了开口。方法200继续操作206，其中，通过开口去除部分ARC层、保护层和反光层，从而暴露出每个台面的顶面。方法200继续操作207，其中，去除了每个台面的顶面之上的光刻胶层和ARC层。可以理解，方法200包括具有典型的CMOS技术工艺流程特征的步骤，并且因此，在此仅对其进行简单的描述。此外，也可以理解，在方法200之前，期间和之后，均可执行额外的步骤。
对于所述方法200的附加实施例而言，下列某些步骤可以代替或去除。

[0037] 图3A和图4至图9是根据图2中的方法200的各个实施例的在具有MEMS纳米结构的MEMS芯片中的结构104在各个制造阶段中的截面图。为了更好地理解本公开的发明理念，对各个附图进行了简化。

[0038] 参考图3A，该图是在执行了操作201之后在MEMS芯片的结构104的部分的放大截面图。在图3A中，将衬底102的部分凹进，从而形成了多个台面108。衬底102的凹进部分形成了多个围绕着每个台面的凹部110。凹部110将相邻的台面108分隔开。可以通过使用适合的光刻工艺在衬底102上提供图案来实现凹进操作201。然后，执行蚀刻工艺来去除衬底102的部分，从而限定出多个台面108。该蚀刻工艺可以包括湿式蚀刻、干式蚀刻、等离子体蚀刻和/或其他适合的工艺。

[0039] 在一个实施例中，多个台面108被布置成了如结构104的俯视图图3B所示的阵列。图3C是沿着图3B中的线A-A的台面108的透视图。图3A是沿着图3B中的线A-A’的台面108的截面图。衬底102具有顶面102A和底面102B。凹部110从顶面102A以约为2μm到10μm的深度D延伸到衬底102中，但没有穿透底面102B。凹部110具有内表面110A和底面110B。台面108具有顶面和与顶面相邻的侧壁。台面108的顶面与衬底102的顶面102A相同。台面108的侧壁与凹部110的内表面110A相同。在一个实例中，台面108在平行于底面110B的平面和内表面
110A之间有内角1(角1)，该内角1在大约60°到85°的范围内。

[0040] 重新参看图2，方法200继续操作202。图4示出了在衬底102之上沉积了用于覆盖每个台面108的反光层112之后，制造阶段中的结构104的截面图。反光层112覆盖每个凹部110的顶面102A、内表面110A和底面110B。在一个实例中，反光层112具有在大约 至大约的范围内的厚度。在一个实例中，台面108和设置在台面108的外表面(例如，顶面102A和内表面110A)上的反光层112被配置成了微镜(micro-mirror)。反光层112能够增强台面108的外表面(102A和110A)的反射率。在稍后的部分中图10进一步解释了微镜的操作。

[0041] 反光层112是一种不透明或反射材料。在一些实施例中，反光层112可以与生物实体键合(bio-entity binding)相容(例如，友好)。在其他实施例中，反光层112包括金属材料，诸如，铝、铜、金、银、铬、钛或其混合物。在本实例中，反光层112是铝铜层(也称之为铝铜层112)。可以采用适合的工艺，诸如，物理汽相沉积(PVD)、化学汽相沉积(CVD)或原子层沉积来形成反光层112。在其他的实施例中，反光层112还能够包括反光有机聚合物，诸如，包括有分散在聚合材料中的反射粒子的复合材料。

[0042] 重新参看图2，方法200继续操作203。图5示出了在将保护层114形成在每个台面108上方的反光层112的上方之后，制造阶段中的结构104的截面图。在一些实施例中，保护层114包括氧化层、氮化层或在随后的工艺中防止在反光层112上形成金属复合物的其他材料。在一些实例中，保护层114是沿着反光层112的顶面的共形的衬垫。保护层114的厚度T1小于凹部110的深度D。

[0043] 在本实例中，保护层114是氧化铝层。在含氧的等离子体环境中处理反光层112(例如，铝铜层)从而形成保护层114(例如，氧化铝层)。等离子体环境包括载体气体，诸如，He、N2或Ar。载体气体有助于控制等离子体密度和处理均匀度。在一个实施例中，氧气的流量在大约5标准立方厘米/分(sccm)到大约500 sccm的范围内。N2的流量大约是等离子体环境下腔内总气体量的大约10％-大约90％。等离子体环境的操作功率在大约100W到大约5000W的范围内。等离子体环境的操作压力从大约5 mTorr至大约500 mTorr。保护层114的厚度T1在大约 到大约 的范围内。在其他实例中，可以通过等离子体增强的化学汽相沉积(PECVD)、高纵横比工艺(HARP)或原子层沉积(ALD)来形成保护层114。

[0044] 重新参看图2，方法200继续操作204。图6示出了在保护层114之上形成ARC层116之后，制造阶段中的结构104的截面图。在一些实施例中，ARC层116包括氮化钛、氮氧化硅或在光刻胶曝光工艺中减少意外光反射的其他适合的材料。在一些实例中，ARC层116是沿着保护层114的顶面的共形的衬垫。在本实例中，ARC层116是氮化钛层，该氮化钛的厚度T2在大约 到大约 的范围内。可以通过等离子体增强的化学汽相沉积(PECVD)，高纵横比工艺(HARP)或原子层沉积(ALD)来形成ARC层116。

[0045] 重新参看图2，所述方法200继续操作205和206。图7A是在每个台面108上的ARC层116上的光刻胶层120中形成开口118之后，制造阶段中的结构104的截面图。通过光刻图案化工艺在图6中所述结构104之上形成的光刻胶层120在台面108的顶面和ARC层116以上的平面上。光刻图案化工艺包括光刻胶涂布(例如，旋涂)、软烘、掩模对准、曝光、曝光前烘烤、光刻胶显影、清洗、干燥(硬烘)或其组合。在光刻图案化工艺之后，在台面108上方形成开口
118。在至少一个实例中，开口118具有在大约110nm至大约170nm的范围内的宽度W。有利的是光刻胶层120下的ARC层116降低了光刻胶层120中的驻波效应。此外，开口118的宽度W的临界尺寸(CD)能够被准确地控制。

[0046] 仍参看图7A，随后对经过图案化的光刻胶层120采用蚀刻工艺，从而通过开口118去除部分ARC层116、部分保护层114和部分反光层112。暴露出每个台面108的部分顶面102A，同时将开口118限定在ARC层116、保护层114和反光层112内。在一些实施例中，开口
118能够包括被观察的分析物。该分析物可以包括酶、抗体、配体、缩氨酸或寡核苷酸。在至少一个实例中，开口118的宽度W只能包括分析物的一个分子。宽度W包括部分的DNA(脱氧核糖核酸)链和聚合酶118。

[0047] 图7B示出了在形成每个台面108的开口118的制造阶段中的另一个实施例的结构104的截面图。在操作205和206之前，将填充材料122填充到围绕每个台面108的凹部中并将其平坦化成与台面108的顶面102A基本上相齐平。暴露出顶面102A之上的部分ARC层116。然后，在暴露出的ARC层116和填充材料122之上形成光刻胶层120。在一些实例中，填充材料包括氧化硅、介电材料、多晶硅、非晶硅或其组合。在操作温度低于300℃的情况下，通过低温化学汽相沉积(LTCVD)来形成填充材料122以防止电信号或光信号探测损坏衬底102。有利的是，经过平坦化的填充材料122和表面102A上的ARC层116形成了光滑的表面。该光滑的表面增强了随后在该光滑表面上进行的光刻工艺获得更好分辨力的能力。

[0048] 重新参看图2，方法200继续图8和9中所示的操作207。在图8中，从结构104中去除光刻胶层120。在一些实例中，光刻胶层120在含氧的等离子体环境中被灰化。在其他实例中，在湿化学溶液中剥离光刻胶层120。

[0049] 在图9中，从结构104中去除ARC层116。在一些实例中，湿化学溶液用于选择性地去除ARC层116，而基本上不会蚀刻到下面的保护层114。在本实例中，ARC层116是氮化钛层。在含H2O2的湿溶液中去除氮化钛层。在一个实施例中，H2O2的流率在大约10标准立方厘米/分(sccm)和大约500sccm的范围内。操作温度在大约40℃至大约70℃的范围内。在图7A所示的一个实例中，去除每个台面108之上的整个ARC层116，暴露出保护层114。在图7B所示的另一个实例中，去除填充材料112之上的暴露出的ARC层116。其余部分的ARC层116嵌入到填充材料122中。有利的是，在去除ARC层116过程中，保护层114起到保护下层的作用且防止电信号或光信号探测损害反光层112和衬底102。此外，在ARC层116和反光层112之间形成保护层114。保护层114防止任何ARC层116的残留物(residual)与下面的反光层112反应产生金属复合物。在探测生物分子的过程中，能够防止被观察的分析物受到金属复合物的干扰。

[0050] 在操作207之后，在MEMS芯片的结构104中形成具有微镜的MEMS纳米结构124。

[0051] 在一些实施例中，完成操作207后可以选择性地进行其他工艺步骤。在一些实施例中，沿着晶圆100的划片槽106执行机械切割或激光切割，并且衬底102被切割成了单独的MEMS芯片103。

[0052] 图10示出了生物分子探测操作中MEMS纳米结构124的放大截面图。MEMS纳米结构124包括与衬底102的部分整体地连接的台面108。台面108具有与衬底102的顶面102A相应的顶面和与该顶面相邻且与凹部110A的侧壁110A相应的侧壁面。反光层112设置了在顶面
102A和侧壁面110A之上。台面108和设置在台面108的外表面(102A和110A)上的反光层112被配置成了微镜。保护层114被设置在反光层112之上。开口设置在保护层114和反光层112中，从而暴露出衬底102的部分顶面102A。在作为生物传感器的探测操作过程中，分析物126被置于MEMS纳米结构124的开口中。分析物126可以包括酶、抗体、配体、缩氨酸或寡核苷酸。
激发辐射源(未显示)在分析物126上生成入射辐射。分析物126将光输出128发射到下面的微镜。微镜反射光输出128并将光输出128传输至衬底102的底面102B下的探测器130。探测器130收集光输出128并将光输出128存储在存储装置中以作分析。反光层112能够提高台面
108的外表面(102A和110A)的反射率。

[0053] 本公开的一个方面描述了一种形成多个MEMS纳米结构的方法。将衬底的一部分凹进(recessed)，从而以在该衬底中形成多个台面(mesa)。多个台面中的每个均具有顶面和与该顶面相邻的侧壁面。反光层沉积在衬底之上，由此覆盖了每个台面的顶面和侧壁面。在反光层之上形成保护层。在保护层之上形成ARC层。在每个台面上的ARC层上的光刻胶层中形成开口。通过该开口去除部分ARC层、保护层和反光层，从而暴露出每个台面的顶面。去除每个台面的顶面上的光刻胶层和ARC层。

[0054] 本公开的另一个方面描述了一种形成多个MEMS纳米结构的方法。将衬底的一部分凹进，从而在该衬底中形成多个台面。多个台面中的每个台面均具有顶面和与该顶面相邻的侧壁面。在衬底之上沉积反光层，由此覆盖了每个台面的顶面和侧壁面。沿着反光层共形地形成了保护层。在保护层之上形成ARC层。在每个台面上的ARC层之上的光刻胶层中形成开口。通过该开口去除部分ARC层、保护层和反光层，从而暴露出每个台面的顶面。在没有基本上去除保护层的情况下，去除反光层和ARC层。

[0055] 本公开的另一个方面描述了一种形成多个MEMS纳米结构的方法。将衬底的一部分凹进，从而在该衬底中形成多个台面。多个台面中的每个台面均具有顶面和与该顶面相邻的侧壁面。在衬底之上沉积反光层，由此覆盖了每个台面的顶面和侧壁面。在反光层之上形成了保护层。在保护层之上形成ARC层。围绕着每个台面形成填充材料，从而暴露出部分ARC层。光刻胶层中的开口形成在每个台面上的暴露出的ARC层之上。通过开口去除部分暴露出的ARC层、保护层和反光层，从而暴露出每个台面的顶面。去除光刻胶层和暴露出的部分ARC层。

[0056] 尽管已经详细介绍实施例以及优点，但是应该理解，可以在不背离所附权利要求限定的本发明主旨和范围的情况下，做各种不同的改变，替换和更改。而且，本申请的范围并不仅限于本说明书中描述的工艺、机器、制造、材料组分、装置、方法和步骤的特定实施例。作为本领域的技术人员应理解，通过本发明，现有的或今后开发的用于执行与根据本发明所采用的所述相应实施例基本相同的功能或获得基本相同结果的工艺、机器、制造，材料组分、装置、方法或步骤根据本发明可以被使用。因此，所附权利要求应该包括在这样的工艺、机器、制造、材料组分、装置、方法或步骤的范围内。