惯性传感器、惯性传感器的制造方法以及电子设备转让专利

申请号 : CN201310119819.5

文献号 : CN103378061B

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发明人 : 古畑诚

摘要 :

本发明提供一种半导体元件、半导体元件的制造方法以及电子设备,其降低了寄生电容。本发明的半导体元件(1)的特征在于,包括:底基板(12);第一半导体布线(50)和第二半导体布线(50),其以在所述底基板(12)上相互并列的方式而配置;所述底基板(12)在所述第一半导体布线(50)与所述第二半导体布线(50)之间,具备沿着所述第一半导体布线(50)和所述第二半导体布线(50)的延伸方向的开口部(布线间槽(54)、狭缝(56))。