具有集成的间隙的薄膜电感器

摘要

一种根据一个实施例的薄膜电感器包括一个或多个臂；经过每一个臂的一个或多个导体；部分地包裹在该一个或多个臂中的第一臂中的一个或多个导体周围的第一铁磁轭，该第一铁磁轭包括磁顶部、磁底部以及位于该一个或多个臂中的第一臂中的一个或多个导体的相对侧上的通孔区域，其中该磁顶部和磁底部通过通孔区域中的低磁阻路径耦合在一起；以及通孔区域中的至少一个中的顶部和底部之间的一个或多个非磁性间隙。还提供了其他系统和方法。

权利要求

1.一种薄膜电感器，包括：

一个或多个臂；

经过每一臂的一个或多个导体；

部分地包裹在所述一个或多个臂中的第一臂中的一个或多个导体周围的第一铁磁轭，所述第一铁磁轭包括磁顶部、磁底部以及位于所述一个或多个臂中的第一臂中的一个或多个导体的相对侧上的通孔区域，其中所述磁顶部和磁底部通过所述通孔区域中的低磁阻路径耦合在一起；以及所述第一臂的通孔区域中的至少一个中的顶部和底部之间的一个或多个非磁性间隙，其中所述第一铁磁轭具有该铁磁轭中的单个非磁性间隙。

2.如权利要求1所述的薄膜电感器，其特征在于，所述一个或多个非磁性间隙是由电绝缘材料制成的。

3.如权利要求1所述的薄膜电感器，其特征在于，所述一个或多个非磁性间隙是由导电材料制成的。

4.如权利要求1所述的薄膜电感器，其特征在于，还包括部分地包裹在所述一个或多个臂中的第二臂中的一个或多个导体周围的第二铁磁轭，所述第二铁磁轭包括磁顶部、磁底部以及位于所述一个或多个臂中的第二臂中的一个或多个导体的相对侧上的通孔区域，其中所述磁顶部和磁底部通过所述通孔区域中的低磁阻路径耦合在一起；以及所述第二臂的通孔区域中的至少一个中的顶部和底部之间的一个或多个非磁性间隙。

5.如权利要求4所述的薄膜电感器，其特征在于，在相应臂中包裹所述一个或多个导体的铁磁轭中的每一个都具有该铁磁轭中的单个非磁性间隙。

6.如权利要求4所述的薄膜电感器，其特征在于，每一个铁磁轭的非磁性间隙位于所述薄膜电感器的内部。

7.如权利要求1所述的薄膜电感器，其特征在于，所述一个或多个导电体具有螺旋构造。

8.如权利要求1所述的薄膜电感器，其特征在于，线圈通过电绝缘材料与所述底部分隔开，其中所述电绝缘材料形成所述一个或多个非磁性间隙并具有由单层沉积创建的物理和结构特性。

9.如权利要求1所述的薄膜电感器，其特征在于，所述第一铁磁轭的顶部和底部是由两个非磁性间隙隔开的。

10.如权利要求9所述的薄膜电感器，其特征在于，所述两个非磁性间隙具有不同的厚度。

11.如权利要求1所述的薄膜电感器，其特征在于，所述一个或多个导电体具有两圈或更多圈。

12.如权利要求1所述的薄膜电感器，其特征在于，所述一个或多个导电体具有一圈。

13.如权利要求1所述的薄膜电感器，其特征在于，所述第一铁磁轭的顶部是平坦的，并且磁性材料的柱子在所述第一铁磁轭的顶部和底部之间延伸。

14.如权利要求13所述的薄膜电感器，其特征在于，所述第一铁磁轭的一个或多个非磁性间隙在一个或多个所述柱子的底部。

15.如权利要求13所述的薄膜电感器，其特征在于，所述第一铁磁轭的一个或多个非磁性间隙在一个或多个所述柱子的顶部。

16.如权利要求4所述的薄膜电感器，其特征在于，所述第一铁磁轭的顶部和底部中的至少一个以及所述第二铁磁轭的顶部和底部中的至少一个是跨所述第一和第二铁磁轭连续的。

17.如权利要求4所述的薄膜电感器，其特征在于，所述第一铁磁轭的顶部和底部中的至少一个以及所述第二铁磁轭的顶部和底部中的至少一个是磁性和非磁性层的叠层。

18.一种系统，包括：

电子设备；以及

包含薄膜电感器的电源，所述薄膜电感器如权利要求4所述。

19.如权利要求18所述的系统，其特征在于，每一铁磁轭的顶部是共形的。

20.如权利要求18所述的系统，其特征在于，每一铁磁轭的顶部是平坦的，并且磁性材料的柱子在每一铁磁轭的顶部和底部之间延伸。

21.如权利要求18所述的系统，其特征在于，所述第一铁磁轭的顶部和底部中的至少一个以及所述第二铁磁轭的顶部和底部中的至少一个是磁性和非磁性层的叠层。

22.如权利要求18所述的系统，其特征在于，所述薄膜电感器和所述电子设备被物理地构造在共同的衬底上。

23.一种制造薄膜电感器的方法，所述方法包括：

形成两个轭的底部；

在所述两个底部中的每一个的至少一部分上形成第一层电绝缘材料；

形成在所述底部中的每一个上经过的一个或多个导体；

在所述一个或多个导体上形成第二层电绝缘材料；以及

形成所述两个轭的顶部；

其中在一个或多个通孔区域中存在一个或多个非磁性间隙，所述通孔区域位于每一轭的顶部和底部之间的一个或多个导体的每一侧上，其中所述一个或多个非磁性间隙是由导电材料制成的。

24.如权利要求23所述的制造薄膜电感器的方法，其特征在于，每一轭的顶部是平坦的，并且所述方法还包括形成在每一轭的顶部和底部之间延伸的磁性材料的柱子。

说明书

具有集成的间隙的薄膜电感器

技术领域

[0001] 背景

[0002] 本发明涉及铁磁电感器，尤其涉及用于功率转换的薄膜铁磁电感器。

背景技术

[0003] 将电感转换器集成到硅上是减少电子设备的成本、重量和尺寸的一种途径。开发出完全集成的“硅上”功率转换器的主要挑战是开发出高质量的薄膜电感器。为了切实可行，电感器应具有高Q、大感应系数以及每单位区域的大能量存储。

发明内容

[0004] 概述

[0005] 一种根据一个实施例的薄膜电感器包括一个或多个臂；经过每一个臂的一个或多个导体；部分地包裹在该一个或多个臂中的第一臂中的一个或多个导体周围的第一铁磁轭，该第一铁磁轭包括磁顶部、磁底部以及位于该一个或多个臂中的第一臂中的一个或多个导体的相对侧上的通孔区域，其中该磁顶部和磁底部通过通孔区域中的低磁阻路径耦合在一起；以及通孔区域中的至少一个中的顶部和底部之间的一个或多个非磁性间隙。

[0006] 根据一个实施例的系统包括电子设备；以及包含薄膜电感器的电源。该薄膜电感器包括至少两个臂；经过每一臂的一个或多个导体；部分地包裹在这些臂中的第一臂中的一个或多个导体周围的第一铁磁轭，该第一铁磁轭包括磁顶部、磁底部以及位于该一个或多个臂中的第一臂中的一个或多个导体的相对侧上的通孔区域，其中该磁顶部和磁底部通过通孔区域中的第一低磁阻路径耦合在一起；以及通孔区域中的至少一个中的顶部和底部之间的一个或多个非磁性间隙；部分地包裹在这些臂中的第二臂中的一个或多个导体周围的第二铁磁轭，该第二铁磁轭包括磁顶部、磁底部以及位于该一个或多个臂中的第二臂中的一个或多个导体的相对侧上的通孔区域，其中该磁顶部和磁底部通过通孔区域中的第二低磁阻路径耦合在一起；以及通孔区域中的至少一个中的顶部和底部之间的一个或多个非磁性间隙。

[0007] 根据一个实施例的制造薄膜电感器的方法包括形成两个轭的底部；在该两 个底部中的每一个的至少一部分上形成第一层电绝缘材料；形成在这些底部中的每一个上经过的一个或多个导体；在该一个或多个导体上形成第二层电绝缘材料；以及形成这两个轭的顶部，其中在一个或多个通孔区域中存在一个或多个非磁性间隙，这些通孔区域位于每一轭的顶部和底部之间的一个或多个导体的每一侧上。

[0008] 本发明的其他方面和实施例将在结合作为本发明原理的示例示出的附图考虑以下详细描述中变得显而易见。

附图说明

[0009] 附图的若干视图的简述

[0010] 图1是根据一个实施例的薄膜电感器的透视图。

[0011] 图2是根据一个实施例的薄膜电感器的截面图。

[0012] 图3是根据一个实施例的薄膜电感器的截面图。

[0013] 图4是根据一个实施例的薄膜电感器的截面图。

[0014] 图5是根据一个实施例的薄膜电感器的截面图。

[0015] 图6A是根据一个实施例的薄膜电感器的截面图。

[0016] 图6B是根据一个实施例的薄膜电感器的截面图。

[0017] 图7是根据一个实施例的薄膜电感器的截面图。

[0018] 图8是根据一个实施例的薄膜电感器的截面图。

[0019] 图9是根据一个实施例的一种方法的流程图。

[0020] 图10是根据一个实施例的一种方法的流程图。

[0021] 图11是根据一个实施例的系统的简化图。

[0022] 图12是根据一个实施例的系统的简化电路图。

具体实施方式

[0023] 详细描述

[0024] 以下描述是出于阐明本发明的一般原理的目的而做出的，而不旨在限制所此处所要求保护的发明概念。此外，本文描述的特定特征可以与各种可能的组合和排列中的每一种中的其他所描述的特征相结合地使用。

[0025] 除非此处由于某种原因而专门定义，所有术语都将被给予它们的最宽泛的可能解释，包括说明书中暗示的含义以及本领域技术人员所理解的和/或如在词 典、著作等中定义的含义。

[0026] 还必须要注意到，在说明书以及所附权利要求书中所使用地，单数形式的“一”、“一个”以及“该”包括复数引用，除非另外指明。

[0027] 在附图中，相同的元素具有跨各附图的相同编号。

[0028] 以下描述公开了具有铁磁轭的薄膜电感器结构的若干优选实施例，该铁磁轭具有将导体夹在中间的磁顶部和磁底部。在该导体的两侧上的是通孔区域，其中磁顶部和磁底部通过低磁阻路径耦合。这些通孔区域中的一个或多个还具有非磁性间隙。该非磁性间隙用于存储能量并增加铁磁轭饱和的电流。所得电感器在每一单位区域存储更多能量。

[0029] 在一个一般实施例中，一种薄膜电感器包括一个或多个臂；经过每一个臂的一个或多个导体；部分地包裹在该一个或多个臂中的第一臂中的一个或多个导体周围的第一铁磁轭，该第一铁磁轭包括磁顶部、磁底部以及位于该一个或多个臂中的第一臂中的一个或多个导体的相对侧上的通孔区域，其中该磁顶部和磁底部通过通孔区域中的低磁阻路径耦合在一起；以及通孔区域中的至少一个中的顶部和底部之间的一个或多个非磁性间隙。

[0030] 在另一个一般实施例中，一种系统包括电子设备；以及包含薄膜电感器的电源。该薄膜电感器包括至少两个臂；经过每一个臂的一个或多个导体；部分地包裹在这些臂中的第一臂中的一个或多个导体周围的第一铁磁轭，该第一铁磁轭包括磁顶部、磁底部以及位于该一个或多个导体的相对侧上的通孔区域，其中该磁顶部和磁底部通过第一低磁阻路径耦合在一起；以及该第一臂中的顶部和底部之间的一个或多个非磁性间隙。部分地包裹在这些臂中的第二臂中的一个或多个导体周围的第二铁磁轭，该第二铁磁轭包括磁顶部、磁底部以及位于该一个或多个导体的相对侧上的通孔区域，其中该磁顶部和磁底部通过第二低磁阻路径耦合在一起；以及该第二臂中的顶部和底部之间的一个或多个非磁性间隙。

[0031] 在又一一般实施例中，一种制造薄膜电感器的方法包括形成两个轭的底部；在该两个底部中的每一个的至少一部分上形成第一层电绝缘材料；形成在这些底部中的每一个上经过的一个或多个导体；在该一个或多个导体上形成第二层电绝缘材料；以及形成这两个轭的顶部，其中在一个或多个通孔区域中存 在一个或多个非磁间隙，这些通孔区域位于每一轭的顶部和底部之间的一个或多个导体的每一侧上。

[0032] 为了有效地转换功率，电感器需要具有低损耗。另外，薄膜电感器需要在每一单位区域存储大量能量以适应硅上的有限空间。铁磁材料使得电感器能够为给定电流存储更多能量。铁磁材料的另一好处是减少损耗。电感器中的主要损耗机制之一来自导体的电阻。该损耗与电流的平方成比例。使用铁磁材料减少了存储给定量的功率所必需的电流并由此减少损耗。

[0033] 然而，铁磁材料还引入一些缺点。铁磁材料中的场的量值受到饱和的限制。轭饱和因此限制电感器能够存储的最大电流和最大能量。另外，以高频率操作的磁性材料通过涡流电流和磁滞来产生损耗。这些损耗在电感器以非常高的频率操作的情况下能很大。

[0034] 通过在磁性材料中放置一个或多个小间隙，能够克服磁性材料的某些限制。这些间隙用于存储能量并且减少磁轭中的场。这增加了饱和电流并增加了设备的能量存储，而不影响设备尺寸。另外，存储在空隙中的额外能量不造成任何磁损耗。如果磁芯损耗很高，则这能够减少系统中的总损耗并增加Q。

[0035] 在一个实施例中，一种电感器结构具有多个臂，这些臂具有各自具备经过每一臂的一圈或多圈的一个或多个导电体。每一臂都被包含一个或多个间隙的铁磁轭包围。

[0036] 间隙被放置成与磁通经过轭的方向垂直。这些间隙用于存储能量并增加使得电感器饱和所必需的电流。这些间隙因而允许电感器在每一单位区域存储比在没有间隙的情况下更多的能量。

[0037] 参考图1，示出了薄膜电感器100，该电感器具有两个臂102、104以及经过每一臂的导体106。在这种情况下，导体具有螺旋构造的若干圈，但在其他方法中可具有单个圈。在其他方法中，可采用各自具有一圈或多圈的多个导体。

[0038] 第一铁磁轭108部分地包裹在这些臂中的第一臂102中的一个或多个导体周围。该第一铁磁轭包括磁顶部110和磁底部112。在导体106的任一侧上的是通孔区域113和115，其中磁顶部110和磁底部112通过低磁阻路径耦合。这些通孔区域中的一个或多个还具有非磁性间隙。在该实施例中，低磁阻路径通过最小化通孔区域中的顶孔和底孔之间的间隔来创建。下文详细呈现了若干 说明性间隙构造。

[0039] 第二铁磁轭114部分地包裹在这些臂中的第二臂104中的一个或多个导体周围。第二铁磁轭包括磁顶部116和磁性地耦合到第二铁磁轭的磁顶部的磁底部118，并且具有通孔区域117、119中的一个或多个中的顶部和底部之间的一个或多个非磁性间隙，其中该顶部和磁底部通过低磁阻路径耦合在一起。

[0040] 图2描绘了具有一个特定间隙构造的薄膜电感器100的截面图。电感器200具有两个铁磁轭，每一轭都具有内通孔区域115、119中的单个非磁性间隙202。如图所示，在一些方法中，每一个铁磁轭的非磁性间隙都位于薄膜电感器的内部。换言之，间隙可以彼此面对或者以其他方式朝着薄膜电感器的中间。在其中期望维护围绕电感器中心附近的间隙的边缘场，而不是朝着外部通孔区域113、117中的外围的间隙的边缘场（诸如这些边缘场可能干扰其他附近组件）的情况下，该方法可以是优选的。

[0041] 继续参考图2，线圈可通过一层电绝缘材料204来与每一轭的底部分隔开。在该实施例和其他实施例中，该电绝缘材料形成一个或多个非磁性间隙。优选地，该层电绝缘材料具有由单层沉积创建的物理和结构特性。例如，电绝缘材料可具有一种结构，该结构不具有作为多个沉积过程的特性的过渡或对接；相反，该层是没有这样的过渡或对接的单个连续层。这一层可由诸如溅射、旋涂等单个沉积过程来形成，该沉积过程形成该层电绝缘材料至所需厚度，或大于所需厚度（并且随后经由诸如蚀刻、铣削等缩减过程来减少）。

[0042] 图3描绘了具有又一间隙构造的薄膜电感器300的截面图。在该构造中，电感器具有两个铁磁轭，其中每一轭的顶部和底部由两个非磁性间隙来隔开。

[0043] 在与本发明的各种设计中的任一种相兼容的一些方法中，第一和第二轭的顶部和底部中的至少一个是跨第一和第二轭连续的。例如，图4描绘了具有两个铁磁轭的薄膜电感器400，其中每一轭的顶部和底部由两个非磁性间隙隔开，并且其中该轭的底部是单个连续件。图5描绘了具有两个铁磁轭的薄膜电感器500的截面图，其中每一轭的顶部和底部由两个非磁性间隙隔开，并且其中该轭的顶部是单个连续件。在另一实施例中，顶部和底部两者都是连续的。

[0044] 图6A描绘了具有两个铁磁轭的薄膜电感器600的截面图，其中每一轭的顶部和底部由不同厚度的两个非磁性间隙隔开，并且其中厚度指的是间隙材料 的沉积厚度。如图6A还描绘了具有单圈的说明性导体。两个间隙中的较大间隙可由两个沉积过程来定义，而这两个间隙中的较小间隙可由一个沉积过程来定义。

[0045] 图6B描绘了具有单个臂、具有一圈的单个导体以及单个铁磁轭的薄膜电感器650的截面图，其中该轭的顶部和底部由不同厚度的两个非磁性间隙隔开，并且其中厚度指的是间隙材料的沉积厚度。当然，这一实施例可具有类似于诸如在图1-6A和7-8中找到的任何其它构造的特征，如将在阅读本公开后对本领域的一个技术人员而言是明显的。

[0046] 在参考图2-6描述的实施例中，每一轭的顶部是共形的。换言之，顶部通常具有符合底层结构的形状的截面轮廓。

[0047] 参考图7和8，薄膜电感器700、800分别被描绘为具有每一轭的平坦顶部以及在每一轭的顶部和底部之间延伸的磁性材料的柱子702。在该实施例中，低磁阻路径通过使用通孔区域中的顶部和底部之间的两个附加磁柱结构来创建。这些磁柱允许磁通在顶孔和底孔之间流动。优选地，每一个柱子的至少一端与相关联的轭的顶部和/或底部接触。如图7所示，每一轭的一个或多个非磁性间隙可位于一个或多个柱子的底部。如图8所示，每一轭的一个或多个非磁性间隙可位于一个或多个柱子的顶部。

[0048] 图9描绘了根据一个实施例的制造薄膜电感器的方法900。在一些方法中，方法900可以在任何所需环境中执行，并且可包括参考图1-8描述的实施例和/或方法。当然，如将对本领域技术人员已知的，可以执行比图9所示的那些操作更多或更少的操作。

[0049] 在步骤902，形成两个轭的底部。可使用任何合适的过程，诸如电镀、溅射、掩蔽和铣削等。各个轭的顶部和底部可由诸如铁合金、镍合金、钴合金、铁氧体等任何软磁性材料来构造。各轭的顶部和/或底部可具有连续形成的层的特性，或者可以是磁性和非磁性层的叠层，例如交替的磁性和非磁性层。非磁性层优选地包括非导电材料，但具有非磁性导体层的实施例也是可能的。此外，如以上参考图4所述，底部可以是磁性材料的连续层的各部分。

[0050] 在图9的步骤904中，在两个底部中的每一个的至少一部分上形成第一层电绝缘材料。可使用任何合适的过程，诸如溅射、旋涂等。可使用本领域内已 知的任何电绝缘材料，诸如氧化铝、二氧化硅、抗蚀剂、聚合物等。该层还可以包括不同或相似材料的多层，只要它是非磁性和不导电的。该层可任选地用于创建铁磁轭中的间隙。该层还可以被图案化以允许只在想要放置的地方形成间隙。

[0051] 在步骤906中，形成在每一个底部和第一层电绝缘材料上经过的一个或多个导体。导体可由诸如铜、金、铝等任何导电材料来构造。可使用任何已知制造技术，诸如电镀穿掩膜、镶嵌处理、导体印刷、溅射、掩蔽和铣削等。

[0052] 在步骤908中，在一个或多个导体上形成第二层电绝缘材料。第二层电绝缘材料可以按与第一层电绝缘材料相似的方式和/或构成来形成，或者它可包括不同材料。

[0053] 在步骤910中，形成两个轭的顶部。顶部可以按与底部相似的方式和/或构成来形成。在一些方法中，顶部可具有与底部不同的构成。

[0054] 每一轭的顶部和底部之间存在一个或多个非磁性间隙。这些间隙可被形成为单独层、另一层的副产品等。可使用任何已知过程，诸如电镀、溅射等。

[0055] 在一些实施例中，非磁性间隙可由诸如金属氧化物（诸如氧化铝）、二氧化硅、抗蚀剂、聚合物等本领域内已知的电绝缘材料来制成。在一种方法中，第一层电绝缘材料还形成非磁性间隙中的一个或多个。第一层电绝缘材料具有由单层沉积过程创建的物理和结构特性。

[0056] 在其他实施例中，非磁性间隙可由诸如钌、钽、铝等本领域内已知的导电材料制成。

[0057] 在每一轭的顶部是平坦的情况下（如图7和8），该方法还可包括形成在每一轭的顶部和底部之间延伸的磁性材料的柱子。例如，图10描绘了用于形成如图7所示的电感器的方法1000。在一些方法中，方法1000可以在任何所需环境中执行，并且可包括参考图1-9描述的实施例和/或方法。当然，如将对本领域技术人员已知的，可以执行比图10所示的那些操作更多或更少的操作。

[0058] 在步骤1002，形成两个轭的底部。可使用任何合适的过程，诸如电镀、溅射、掩蔽和铣削等。各个轭的顶部和底部可由诸如铁合金、镍合金、钴合金、铁氧体等任何软磁性材料来构造。各轭的顶部和/或底部可具有连续形成的层的特性，或者可以是磁性和非磁性层的叠层，例如交替的磁性和非磁性层。此外， 如以上参考图4所述，底部可以是磁性材料的连续层的各部分。

[0059] 在图10的步骤1004中，在两个底部中的每一个的至少一部分上形成第一层电绝缘材料。可使用任何合适的过程，诸如溅射、旋涂等。可使用本领域内已知的任何电绝缘材料，诸如氧化铝、二氧化硅、防腐剂、聚合物等。该层还可以包括不同或相似材料的多层，只要它是非磁性和不导电的。该层可任选地用于创建铁磁轭中的间隙。该层还可以被图案化以允许只在想要放置的地方形成间隙。

[0060] 在步骤1006中，形成柱子。柱子可以按与底部相似的方式和/或构成来形成。在一些方法中，柱子可具有与底部不同的构成。

[0061] 在步骤1008中，形成在每一个底部和第一层电绝缘材料上经过的一个或多个导体。导体可由诸如铜、金、铝等任何导电材料来构造。可使用任何已知制造技术，诸如电镀穿掩膜、镶嵌处理、导体印刷、溅射、掩蔽和铣削等。

[0062] 在步骤1010中，在一个或多个导体上形成第二层电绝缘材料。第二层电绝缘材料可以按与第一层电绝缘材料相似的方式和/或构成来形成，或者它可包括不同材料。它可包括聚合物层。该绝缘层随后可使用诸如化工机械平坦化等各种平坦化技术来平坦化，以使得导体上方的绝缘区域是平坦的。

[0063] 在步骤1012中，形成两个轭的顶部。顶部可以按与底部和/或柱子相似的方式和/或构成来形成。在一些方法中，顶部可具有与底部和/或柱子不同的构成。

[0064] 在任何方法中，各个部分的尺寸可取决于薄膜电感器将用于的特定应用。具备此处的教导的本领域的技术人员将能够选择合适的尺寸，而无需执行不适当的实验。作为一般的指导，增益量一般与同轭的长度成比例的间隙大小成比例，而间隙越大，电感器的电感系数越低。然而，如果间隙太大，磁轭在提高电感系数和减少设备中的电流方面变得效率较低。

[0065] 在使用中，薄膜电感器可以在其中电感器是有用的任何应用中使用。在图11描绘的一个一般实施例中，系统1100包括电子设备1102以及根据本文描述的任一个实施例的薄膜电感器1104，该薄膜电感器1104优选地被耦合到或结合到电子设备的电源1106中。这一电子设备可以是电路或其组件、芯片或其组件、微处理器或其组件、专用集成电路（ASIC）。在其他实施例中，电子设 备和薄膜电感器被物理地构造（形成）在共同的衬底上。由此，在一些方法中，薄膜电感器可以集成在芯片、微处理器、ASIC等中。

[0066] 在图12所描绘的一个说明性实施例中，提供了一种降压转换器电路1200。在该示例中，电路包括两个晶体管开关1202、1203、电感器1204和电容器1206。在开关上的适当的控制信号的情况下，该电路将高效地将较大的输入电压转换成较小的输出电压。结合电感器的许多这样的电路对本领域技术人员是已知的。这种类型的电路可以是独立功率转换器或者芯片或其组件的一部分、微处理器或其组件、专用集成电路（ASIC）等。在其他实施例中，电子设备和薄膜电感器被物理地构造（形成）在共同的衬底上。由此，在一些方法中，薄膜电感器可以集成在芯片、微处理器、ASIC等中。

[0067] 在还有一些其他方法中，薄膜电感器可被集成到电子设备中，其中这些电感器在用于应用而不是功率转换的电路中使用。电感器可以是单独组件或者形成在与电子设备相同的衬底上。

[0068] 在又一方法中，薄膜电感器可以形成在耦合到具有电子设备的第二芯片的第一芯片上。例如，第一芯片可用作电源和第二芯片之间的内插器。

[0069] 说明性系统包括移动电话、计算机、个人数字助理（PDA）、便携式电子设备等。电源可包括电源线、电池、变压器等。

[0070] 尽管上文描述了各实施例，但是，应该理解，它们只是作为示例来呈现的，而不作为限制。因此，本发明的实施例的宽度和范围不应由上述示例性实施方式中的任何一个来限制，而应当只根据所附权利要求书及其等效物来限定。