一种用于真空处理装置的载置台

摘要

本发明提供一种真空处理装置的载置台，包括基座和转轴，该基座的下表面中心设有一第一凹槽；该转轴至少包括一连接端，该连接端与该第一凹槽相匹配，使该转轴能够插入该第一凹槽；该载置台还包括至少一个凹入该第一凹槽的该第二凹槽、与该第二凹槽数量相同且凹入该连接端端面的第三凹槽、与该第三凹槽数量相同的锁舌以及控制单元；每个锁舌分别设置于第三凹槽内，并具有一个与第二凹槽的侧壁相贴合的表面，用于带动基座同步转动；控制单元接收转轴的转动或停止状态信号，控制锁舌伸出并进入第二凹槽内，或控制锁舌缩回第三凹槽。

权利要求

1.一种真空处理装置的载置台，包括：

基座，所述基座的下表面中心设有一第一凹槽；

转轴，所述转轴至少包括一连接端，所述连接端与所述第一凹槽相匹配，使所述转轴能够插入所述第一凹槽；

其特征在于，还包括：

至少一个凹入所述第一凹槽的所述第二凹槽；

与所述第二凹槽数量相同且凹入所述连接端端面的第三凹槽；

与所述第三凹槽数量相同的锁舌，每个所述锁舌分别设置于所述第三凹槽内，并具有一个与第二凹槽的侧壁相贴合的表面，用于带动所述基座同步转动；

控制单元，接收所述转轴的转动或停止状态信号，控制所述锁舌伸出并进入所述第二凹槽内，或控制所述锁舌缩回所述第三凹槽。

2.根据权利要求1所述的真空处理装置的载置台，其特征在于，所述第二凹槽的数量为一个，且偏离所述基座的下表面中心设置。

3.根据权利要求1所述的真空处理装置的载置台，其特征在于，所述第二凹槽的数量为多个，且围绕所述基座的下表面中心均匀分布。

4.根据权利要求1所述的真空处理装置的载置台，其特征在于，

所述锁舌上表面为一斜面，所述斜面的凸起由低端到高端沿所述第一凹槽的切线方向布置，并且所述锁舌低端与所述连接端的一个端面的连接边相枢接，所述斜面的凸起高端与第二凹槽的侧壁相贴合；

所述控制单元包括：

一连杆，所述连杆的一端与所述锁舌凸起高端的下表面连接；以及

一第一弹簧，所述第一弹簧连接于所述连杆的另一端，其支撑所述连杆顶住所述锁舌，使所述锁舌凸出并进入所述第二凹槽，并且在所述转轴停止转动且所述基座惯性运动时，所述基座压迫所述锁舌斜面以使所述第一弹簧受压压缩，从而使所述锁舌沿枢接边转动且缩于所述第三凹槽中。

5.根据权利要求4所述的真空处理装置的载置台，其特征在于，所述第二凹槽为长方形凹槽，所述锁舌为直角三角形柱体，其柱体的斜面为锁舌上表面，其柱体的一直角面为与第二凹槽的侧壁相贴合的表面，另一个直角面为与所述锁舌凸起高端的下表面。

6.根据权利要求4所述的真空处理装置的载置台，其特征在于，所述连杆和锁舌由耐高温材料制成。

7.根据权利要求1所述的真空处理装置的载置台，其特征在于，所述转轴的转动或停止状态信号为控制所述转轴转动的电源通断信号；所述控制单元包括一连杆、执行机构以及继电器；所述连杆一端连接于所述锁舌的下表面，所述继电器根据获得的电源通断信号控制所述执行机构驱动所述连杆带动所述锁舌伸出并进入所述第二凹槽内，或控制所述锁舌缩回所述第三凹槽。

8.根据权利要求7所述的真空处理装置的载置台，其特征在于，所述锁舌上表面为一斜面，所述斜面的凸起由低端到高端沿所述第一凹槽的切线方向布置，并且所述锁舌低端与所述连接端的一个端面的连接边相枢接，所述斜面的凸起高端与第二凹槽的侧壁相贴合；以及所述控制单元还包括一第二弹簧；所述连杆一端连接于所述锁舌的下表面，所述第二弹簧连接于所述连杆的另一端，并且在所述转轴通电时，所述继电器通过所述执行机构和/或所述第二弹簧共同控制所述连杆使所述锁舌凸出进入所述第二凹槽，而在所述转轴断电时且所述基座惯性运动时，所述继电器通过所述执行机构和/或所述第二弹簧共同控制所述连杆带动所述锁舌缩于所述第三凹槽中。

9.根据权利要求1所述的真空处理装置的载置台，其特征在于，

所述锁舌上表面为一斜面，所述斜面的凸起由低端到高端沿所述第一凹槽的切线方向布置，并且所述锁舌低端与所述连接端的一个端面的连接边相枢接，所述斜面的凸起高端与第二凹槽的侧壁相贴合；

所述控制单元包括：

一第三弹簧，所述第三弹簧连接于所述斜面的凸起高端的下表面，其支撑顶住所述锁舌斜面的凸起高端，使所述锁舌凸出并进入所述第二凹槽，并且在所述转轴停止转动且所述基座惯性运动时，所述基座压迫所述锁舌斜面以使所述第三弹簧受压压缩，从而使所述锁舌沿枢接边转动且缩于所述第三凹槽中。

10.根据权利要求9所述的真空处理装置的载置台，其特征在于，所述锁舌和第三弹簧由耐高温材料制成。

11.一种真空处理装置，用于金属有机化学气相沉积，其特征在于，所述真空处理装置还包括如权利要求1～10中任一项所述的真空处理装置的载置台。

说明书

一种用于真空处理装置的载置台

技术领域

[0001] 本发明涉及半导体工艺设备，尤其涉及一种用于真空处理装置的载置台。

背景技术

[0002] 在半导体制程中，各种制程很大程度上依赖基片的温度。因此，对基片的温度控制是半导体制程中非常重要的一环，而由于基片具有一定尺寸，能够对基片的温度进行均匀控制更是至关重要的。

[0003] 基片温度控制对于金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应器尤为重要。MOCVD是金属有机化合物化学气相沉积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition)的英文缩写。MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。它以III族、II族元素的有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种III-V族、II-VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。

[0004] 在现有工艺中，MOCVD机台的载置台真空处理装置通常由基座以及位于基座下方并驱动基座转动的转轴，转轴通过自转带动上方的基座一起转动，其中，现有技术的由转轴带动基座的转动机制主要有两种：

[0005] 根据其中一种转动机制基座是靠转轴和基座之间的摩擦力来获得动力转动的，但是基座和转轴不可避免地会出现相对位移。本领域技术人员应当理解，在MOCVD机台中一般还会在基座上放置有若干基片，因此需要设定一个基片定位系统用于确定基片的准确位置。由于在这种转动机制中，基座和转轴会不可避免地出现相对位移，而基片定位系统又是以转轴的转动角度来确定基片的位置的，因此会导致基片定位不准确，影响制程。

[0006] 因此，现有技术又提出了另外一种转动机制，在基座和转轴之间设定一个很小的连接装置，将两者固定起来，这样就避免了基座和转轴之间的相对位移。然而，虽然基座与转轴可以实现同步转动，但是由于MOCVD机台的转轴转动速度非常快，有时甚至达到1000转/分以上，当转轴因断电而急停时，上方的基座也将跟随转轴而急停，由于连接装置非常小且相对脆弱，原本放置于基座上的处理基板由于惯性的作用而飞出基座，并且基座的急停也大大增加的基座与转轴之间的磨损，会导致设备和基片的损坏。

[0007] 因此，业内需要一种新型的转轴和基座的转动机制，既能够满足转轴和基座的同步转动，又能够避免由于急停而导致的设备或基片的损坏。

发明内容

[0008] 针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种真空处理装置的载置台，使转轴既能在正常运行时与上方的基座之间完全同步，又能在急停时上方的基座仍然能够继续转动，并缓慢停止，从而解决了现有技术中的不足。

[0009] 根据本发明的一个方面，提供一种真空处理装置的载置台，包括基座和转轴，基座的下表面中心设有一第一凹槽；该转轴至少包括一连接端，连接端与第一凹槽相匹配，使转轴能够插入第一凹槽；该载置台还包括至少一个凹入第一凹槽的第二凹槽、与第二凹槽数量相同且凹入连接端端面的第三凹槽、与第三凹槽数量相同的锁舌以及控制单元；其中，每个锁舌分别设置于第三凹槽内，并具有一个与第二凹槽的侧壁相贴合的表面，用于带动基座同步转动；控制单元接收转轴的转动或停止状态信号，控制锁舌伸出并进入第二凹槽内，或控制锁舌缩回第三凹槽。

[0010] 优选地，第二凹槽的数量为一个，且偏离基座的下表面中心设置。

[0011] 优选地，第二凹槽的数量为多个，且围绕基座的下表面中心均匀分布。

[0012] 优选地，锁舌上表面为一斜面，斜面的凸起由低端到高端沿第一凹槽的切线方向布置，并且锁舌低端与连接端的一个端面的连接边相枢接，斜面的凸起高端与第二凹槽的侧壁相贴合；控制单元包括：一连杆以及一第一弹簧，连杆的一端与锁舌凸起高端的下表面连接；，第一弹簧连接于连杆的另一端，其支撑连杆顶住所述锁舌，使锁舌凸出并进入第二凹槽，并且在转轴停止转动且基座惯性运动时，基座压迫锁舌斜面以使第一弹簧受压压缩，从而使锁舌沿枢接边转动且缩于第三凹槽中。

[0013] 优选地，第二凹槽为长方形凹槽，锁舌为直角三角形柱体，其柱体的斜面为锁舌上表面，其柱体的一直角面为与第二凹槽的侧壁相贴合的表面，另一个直角面为与所述锁舌凸起高端的下表面。

[0014] 优选地，连杆和锁舌由耐高温材料制成。

[0015] 优选地，转轴的转动或停止状态信号为控制转轴转动的电源通断信号；控制单元包括一连杆、执行机构以及继电器；连杆一端连接于所述锁舌的下表面，继电器根据获得的电源通断信号控制执行机构驱动连杆带动锁舌伸出并进入第二凹槽内，或控制锁舌缩回第三凹槽。

[0016] 优选地，锁舌上表面为一斜面，斜面的凸起由低端到高端沿第一凹槽的切线方向布置，并且锁舌低端与连接端的一个端面的连接边相枢接，斜面的凸起高端与第二凹槽的侧壁相贴合；以及控制单元还包括一第二弹簧；连杆一端连接于锁舌的下表面，第二弹簧连接于连杆的另一端，并且在转轴通电时，继电器通过执行机构和/或第二弹簧共同控制连杆使锁舌凸出进入第二凹槽，而在转轴断电时且基座惯性运动时，继电器通过执行机构和/或第二弹簧共同控制连杆带动锁舌缩于第三凹槽中。

[0017] 优选地，锁舌上表面为一斜面，斜面的凸起由低端到高端沿第一凹槽的切线方向布置，并且锁舌低端与连接端的一个端面的连接边相枢接，斜面的凸起高端与第二凹槽的侧壁相贴合；控制单元包括一第三弹簧，第三弹簧连接于斜面的凸起高端的下表面，其支撑顶住锁舌斜面的凸起高端，使锁舌凸出并进入第二凹槽，并且在转轴停止转动且基座惯性运动时，基座压迫锁舌斜面以使第三弹簧受压压缩，从而使锁舌沿枢接边转动且缩于第三凹槽中。

[0018] 优选地，锁舌和第三弹簧由耐高温材料制成。

[0019] 根据本发明的另一个方面，还提供一种真空处理装置，用于有机金属化学气象沉积，其中所述真空处理装置还包括上述载置台。

[0020] 本发明通过提供一种真空处理装置的载置台，其通过在基座与转轴之间设置一个可以伸缩的锁舌，使转轴在急停时上方的基座仍然能够继续转动，并缓慢停止，从而防止在基座上的处理基板将不会从基座上飞离，并且基座与转轴之间也减少了互相磨损。此外，当转轴带动基座高速转动时，基座和转轴能够减少相对位移而同步转动。

附图说明

[0021] 通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

[0022] 图1示出根据本发明的第一实施例的，所述真空处理装置的载置台的纵截面图；

[0023] 图2示出根据本发明的第二实施例的，所述真空处理装置的载置台的纵截面图；

[0024] 图3示出根据本发明的第三实施例的，所述真空处理装置的载置台的纵截面图；

[0025] 图4示出根据本发明的第一实施例的，所述基座的横截面的剖视图；以及[0026] 图5示出根据本发明的第一实施例的，所述真空处理装置的载置台的纵截面的剖面图。

具体实施方式

[0027] 下面结合附图和实施例对本发明的技术内容进行进一步地说明。

[0028] 本发明通过在转轴和基座之间设置一个能够伸缩的锁舌，其中，转轴的自转能够带动锁舌以相同的转速高速旋转，锁舌在转动中会给基座一个压力，使得基座依靠此压力获得动力来随着转轴的转动而高速旋转。

[0029] 图1示出了根据本发明的第一实施例的，所述真空处理装置的载置台的纵截面图。其中，所述真空处理装置典型地为MOCVD机台。所述载置台优选地被放置于所述真空处理装置的内部。在本实施例中，该真空处理装置的载置台主要包括基座1以及转轴2，具体地，该基座1呈圆柱状，其下表面至少设有一第一凹槽11，该第一凹槽11的形状、尺寸与转轴2相适应，该第一凹槽11用于与转轴2相连接，进而该转轴2的一端可以插入第一凹槽11中，通过转轴2的转动，能够带动基座1以相同的转速高速旋转。优选地，该第一凹槽11设置在基座1的下表面的中心处，相应地，该转轴2也随之插在基座1的中心位置。

[0030] 进一步地，第一凹槽11中至少设有一个凹入第一凹槽的第二凹槽12。具体地，在一个优选例中，如果第二凹槽12的数量为一个，该第二凹槽12设置于偏离基座1的下表面中心；如果第二凹槽12的数量为多个，该多个第二凹槽12围绕基座2的下表面中心均匀分布。根据图1所示实施例，第一凹槽11中设有一个第二凹槽12。

[0031] 如图1所示，转轴2上设有一锁舌21，该锁舌21的形状、尺寸与第二凹槽12相适应，并且其在转轴2上的位置也与第一凹槽11中的第二凹槽12相对应，使锁舌21可以插入第二凹槽12。更具体地，该锁舌21具有一个与第二凹槽12的侧壁121相贴合的表面，使得转轴2转动时，由于锁舌21伸入第二凹槽12内，由于锁舌21的表面与第二凹槽12的侧壁121相贴，因此能够通过该侧壁121施加压力，从而使得转轴2可以通过锁舌21带动基座1同步转动。

[0032] 进一步地，根据图1所示实施例，锁舌21的下部还包括控制单元3；该控制单元3接收转轴2的转动或停止状态信号，控制锁舌21伸出并进入第二凹槽12内，或控制锁舌21缩回第三凹槽22。

[0033] 在本发明的一个实施例中，锁舌21设置在转轴2与第一凹槽11连接的连接端23的端面上，其凸出于该转轴2的连接端23的端面。进一步地，在锁舌21设置于转轴2的连接端23的端面上时，其至少有一条与连接端23的端面相连的连接边211，连接端23的端面上还包括一凹入连接端23端面的第三凹槽22，第三凹槽22与锁舌21相适应，从而使锁舌21能够绕连接边211伸出或缩入该第三凹槽22。当锁舌21向上凸出于第三凹槽22时可以进入第二凹槽12，当锁舌21向下进入第三凹槽22时便退出第二凹槽12。

[0034] 优选地，锁舌21的上表面为一斜面，该斜面的凸起由低端到高端沿该第一凹槽11的切线方向布置，锁舌21的斜面低端与连接端23的一个端面的连接边相枢接，斜面的凸起高端与第二凹槽12的侧壁121相贴合，锁舌21与第二凹槽12的尺寸相适应，进而当转轴2转动时，锁舌21也随之转动，从而通过锁舌21与第二凹槽12的相连带动基座1同步地作同轴转动。

[0035] 更具体地，第二凹槽12可以为长方形凹槽，锁舌12为直角三角形柱体，其柱体的斜面为锁舌12的上表面，其柱体的一直角面为与第二凹槽12的侧壁121相贴合的表面，另一个直角面为与锁舌12凸起高端的下表面。

[0036] 在本实施例中，控制单元3包括连杆31和第一弹簧32，连杆31的一端连接至锁舌21的下表面，当连杆31向上运动时，连杆31向上顶住锁舌21的下表面并使锁舌21进入第二凹槽12。而当连杆31向下运动时，锁舌21将退出第二凹槽12。

[0037] 在一个优选例中，连杆31的另一端连接于第一弹簧32，第一弹簧32支撑连杆31顶住锁舌21，使锁舌21凸出并进入第二凹槽12，并且在转轴2停止转动且基座1惯性运动时，基座1压迫锁舌21的斜面以使第一弹簧32受压压缩，从而使锁舌21沿枢接边转动且缩于第三凹槽22中。

[0038] 图2示出了根据本发明的第二实施例的，所述真空处理装置的载置台的纵截面图。其中，所述真空处理装置典型地为MOCVD机台。本实施例可以理解为上述实施例的一个变化例。具体地，转轴2的转动或停止状态信号为控制转轴2转动的电源通断信号；在本实施例中，控制单元3包括一个连杆31、一个继电器33以及执行机构34，继电器33可以接受转轴2是否通电转动的信号。具体地，当转轴2通电并开始转动时，继电器33接受到一个转轴2通电转动的信号驱动执行机构34带动连杆31向上移动，连杆31与锁舌21连接的一端也将提供给锁舌21一个向上的推力，从而使锁舌21顶入第二凹槽12内，而当转轴2断电并停止转动时，继电器33接受到一个转轴2断电停止转动的信号将驱动执行机构34带动连杆31向下运动，锁舌21将随连杆31的向下运动而移出第二凹槽12，更具体地，本领域技术人员理解，在此实施例中，锁舌21的上表面不是一个斜面而是一个平面，即该锁舌
21呈一个长方体的块状，其同样可以结合该变化例予以实现，此处不予赘述。

[0039] 更为进一步地，根据上述变化例，连杆31、执行机构34以及继电器33组成控制单元3，在另一个变化例中，控制单元3包括一连杆31、第二弹簧35、执行机构34以及继电器33。第二弹簧35连接于连杆31的另一端，第二弹簧35配合继电器33提供给连杆31上下移动的弹力与拉力，此时第二弹簧35起到保险的作用，当继电器33没有接受到转轴2是否通电的信号时，其同样可以保证连杆31在锁舌21的上表面不受力时进入第二凹槽12，而在锁舌21受压时退出第二凹槽12。可以理解的是，在此变化例中，锁舌21的上表面是一个斜面，从而使第二弹簧35起到与该优选例中的第一弹簧32相同的作用。本领域技术人员理解，这些变化例均可以结合图2所示实施例予以实现，其并不影响本发明的实质内容，此处不予赘述。

[0040] 更进一步地，根据图1以及图2所示实施例，本领域技术人员理解，由于该转轴2的连接端23处于高温中，因此连杆31和锁舌21使用一些耐高温的材料，连杆31的一端连接锁舌21，其另一端一直延伸至下方的低温区域，从而连接使用普通金属材料的第一弹簧32或第二弹簧35，以确保连杆31的不被连接端23处的高温所影响，此处不予赘述。

[0041] 更为进一步地，图3示出了根据本发明的第三实施例的，所述真空处理装置的载置台的纵截面图。其中，所述真空处理装置典型地为MOCVD机台。本实施例可以理解为上述图1的另一个变化例。具体地，该锁舌21的下表面可以不连接连杆31，该锁舌21的下表面可以直接连接一根与第一弹簧32相类似的第三弹簧36。具体地，锁舌21远离连接边211的一边安装一根第三弹簧36，第三弹簧36的一端连接锁舌21的下表面，另一端连接第三凹槽22的凹面，并且当锁舌21的上表面不受压力时，第三弹簧36提供给锁舌21进入第二凹槽12的支撑力。而当锁舌21受压时，第三弹簧36也同样受压，从而使锁舌21退出第二凹槽12。更具体地，由于第三弹簧36位于高温的连接端23处，因此，第三弹簧36应该使用与连杆31类似或相同的耐高温材料，此保证第三弹簧36发挥作用。本领域技术人员理解，该变化例同样可以结合图1所示实施例予以实现，此处不予赘述。

[0042] 图4示出了根据本发明的第一实施例的，所述基座1的横截面的剖视图。具体地，在本实施例中，基座1的下表面的中心部位设置有一个第一凹槽11，转轴2与第一凹槽11相适应并插入第一凹槽11。进一步地，连接端23端面上至少设有一个锁舌21，锁舌21可以插入与其对应第一凹槽11中的第二凹槽12。更具体地，锁舌21优选地为一凸起的斜面，其斜面凸起的高度由低到高是沿着基座1或第一凹槽11的切线方向设置的，即此时锁舌21能够沿着基座1或第一凹槽11的切线方向向退出第二凹槽12。

[0043] 进一步地，根据图4所示实施例(其中，所述真空处理装置典型地为MOCVD机台)，第二凹槽12与锁舌21优选地均设置一个，其设置于远离第一凹槽11的圆心的边缘部分。而在一些变化例中，第二凹槽12与锁舌21也可以设置在第一凹槽11的圆心与其边缘之间的位置，本领域技术人员理解，这些变化例均可以结合图2所示实施例予以实现。更进一步地，在另一些变化例中，第二凹槽12与锁舌21也可以设置多个，例如两个、三个、四个或更多，其既可以设置在第一凹槽11的同一半径上，也可以沿第一凹槽11的边缘均匀地布置，采取多个第二凹槽12与锁舌21能够更有利于转轴2带动基座1转动，本领域技术人员理解，这些变化例同样可以结合图2所示实施例予以实现，其并不影响本发明的实质内容，此处不予赘述。

[0044] 图5示出了根据本发明的第一实施例的，所述真空处理装置的载置台的纵截面的剖面图。其中，所述真空处理装置典型地为MOCVD机台。具体地，图5示出了转轴2停止转动时的基座1与转轴2的截面剖面图。在本实施例的优选例中，由于连杆31的一端顶住锁舌21的下表面并依靠第一弹簧32提供给锁舌21向上的支撑力，因此锁舌21可以凸出于转轴2的连接端23的端面并进入第二凹槽12，从而转轴2可以通过锁舌21带动基座1同步地转动，而当转轴2停止转动时，基座1由于惯性的原因将会沿着原先的转动方向继续转动，基座1的继续转动将会施加给锁舌21一个向下的压力，进而通过连杆31使第一弹簧32压缩，锁舌21退出第二凹槽12中。在此情况下，基座1并不会因为转轴2的停止而立即停止转动，其可以通过摩擦缓慢地将旋转的速度下降直至最后逐渐停止转动。在此设计下，放置在基座1上加工的基板将不会因基座1的急停而飞出基座1，并且该基座1也可以避免多次转轴2的急停从而引起锁舌21与基座1之间的碰撞，使基座1发生断裂，损坏基座1。

[0045] 进一步地，结合上述图1至图5所示实施例，在本发明的一个变化例中，该第二凹槽12凹入连接端23的端面，锁舌21为一凸出于第一凹槽11凹面的斜面，锁舌21斜面的凸起由低到高沿第一凹槽11的切线方向布置。锁舌21同样有一连接边211与第一凹槽11的凹面相连，第一凹槽11的凹面上包括一凹入第一凹槽11的第三凹槽22，第三凹槽22与锁舌21相适应，锁舌21绕连接边211凹入或弹出该第三凹槽22。更具体地，该变化例的设计与上述优选例相反。本领域技术人员理解，在此变化例中，锁舌21由于其重力的作用，在其不受压力的情况下，该锁舌21将始终进入第二凹槽12，而当锁舌21受压时，其将会退出第二凹槽12，因此在此变化例中，锁舌21甚至不需要上述实施例中的连杆31、第一弹簧32、继电器33或第三弹簧36，本领域技术人员理解，该变化例同样可以结合予以实现，此处不予赘述。

[0046] 本发明所提供的真空处理装置的载置台的基座的动力来源是锁舌21通过一个与第二凹槽12的侧壁121相贴合的表面以施加基座1一定压力来获得的。当控制单元3接收到转轴2转动的电源接通的信号，控制锁舌21伸出并进入第二凹槽12内，以带动基座1进行高速旋转。此时，基座1与转轴2之间几乎没有摩擦力，也没有相对滑动。当控制单元3接收到转轴2转动的电源断开的信号，控制锁舌21缩回第三凹槽22，以掐断基座1旋转的动力。此时，基座1与转轴2之间有摩擦力，并且具有相对滑动，给基座1的继续转动带来了阻力。因此，当锁舌21缩回第三凹槽22内，基座1会在阻力的作用下缓慢降低旋转速度最后逐渐停止转动，放置在基座1上加工的基板将不会因基座1的急停而飞出基座1。

[0047] 综上所述，本发明提供的真空处理装置的载置台，在基座1和转轴2之间设定一个可以伸缩的锁舌21。当控制单元3接收到转轴2转动的信号，锁舌21即伸出保持基座1和转轴2之间的连接，使得基座1和转轴2高速同步转动，因此，在这种模式下能够保证基片位置的准确定位。当控制单元3接收到转轴2停止转动的信号，锁舌21即缩回断开基座1和转轴2之间的物理连接，使得两者依靠摩擦力继续转动并逐渐缓慢转动直至停止转动，在这种模式下能够保证基座1缓慢停止而不会导致基片飞出基盘，或者造成设备的损坏。

[0048] 需要说明的是，本发明适用于所有依靠转轴带动基座进行转动的真空处理装置。其中，本发明尤其适用于MOCVD机台。

[0049] 以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改，这并不影响本发明的实质内容。