一种用于纳米粉体煅烧的回转窑炉

摘要

本发明涉及一种回转式窑炉，特指一种用于纳米粉体煅烧的回转窑炉，包括炉体支架，所述炉体支架设置有回转滚筒，所述回转滚筒的前端设置有进料装置，所述回转滚筒的后端设置有出料装置，所述炉体支架设置有驱动装置，所述驱动装置与回转滚筒连接并带动回转滚筒在炉体支架上旋转，所述回转滚筒由前端往后端向下倾斜设置于所述炉体支架，所述回转滚筒的内壁沿轴向排布有若干拨料筋板；所述回转滚筒的中部设置为高温煅烧段，所述高温煅烧段采用双相不锈钢离心浇铸成胚料并经过锻造而成；双相不锈钢离心浇铸过程中还增加了钨和钴；所述高温煅烧段设置有加热装置，满足纳米粉体晶型再造的条件，晶型再造后的纳米粉体的晶型规范，形状一致。

权利要求

1.一种用于纳米粉体煅烧的回转窑炉，包括炉体支架，所述炉体支架设置有回转滚筒，所述回转滚筒的前端设置有进料装置，所述回转滚筒的后端设置有出料装置，所述炉体支架设置有驱动装置，所述驱动装置与回转滚筒连接并带动回转滚筒在炉体支架上旋转，其特征在于：所述回转滚筒由前端往后端向下倾斜设置于所述炉体支架，所述回转滚筒的内壁沿轴向排布有若干拨料筋板；

所述回转滚筒的中部设置为高温煅烧段，所述高温煅烧段采用双相不锈钢离心浇铸成胚料并经过锻造而成；

双相不锈钢离心浇铸过程中还增加了0.2%~0.8%（质量百分比）的钨和0.1%~0.6%（质量百分比）的钴；

所述回转滚筒的中部设置为高温煅烧段，所述高温煅烧段设置有加热装置；所述回转滚筒的前部为预热段，所述回转滚筒的后部为冷却段；

所述回转滚筒的倾斜角度为5度；

所述拨料筋板的长度等于所述回转滚筒的长度。

2.根据权利要求1所述的用于纳米粉体煅烧的回转窑炉，其特征在于：所述拨料筋板的数量为8个，8个拨料筋板均匀排布于回转滚筒的高温煅烧段的内壁。

3.根据权利要求1所述的用于纳米粉体煅烧的回转窑炉，其特征在于：所述高温煅烧段的长度为6米。

4.根据权利要求1所述的用于纳米粉体煅烧的回转窑炉，其特征在于：所述钨的质量百分比为0.5%。

5.根据权利要求1所述的用于纳米粉体煅烧的回转窑炉，其特征在于：所述钴的质量百分比为0.3%。

6.根据权利要求1所述的用于纳米粉体煅烧的回转窑炉，其特征在于：所述加热装置为电阻加热装置。

7.根据权利要求1所述的用于纳米粉体煅烧的回转窑炉，其特征在于：所述回转滚筒的外侧还设置有保温层。

说明书

一种用于纳米粉体煅烧的回转窑炉

技术领域

[0001] 本发明涉及一种回转式窑炉，特指一种用于纳米粉体煅烧的回转窑炉。

背景技术

[0002] 现有技术的回转窑炉一般用于催化剂的制备，干燥和焙烧是催化剂制备过程中必不可少的操作。由于制备催化剂所需要的温度并不高，所以回转窑炉的回转滚筒的耐热性能也不高，而生产纳米粉体的煅烧温度往往需要500至1000摄氏度的，现有技术的回转窑炉并不能达到生产生产纳米粉体所需温度的要求。

[0003] 由于催化剂的颗粒较大，在干燥和焙烧的过程中，对其自身的分散性和温度的均匀性要求并不高，而纳米粉体的颗粒小，要脱离纳米粉体的结晶水，使纳米粉体晶型再造的话，纳米粉体在煅烧过程中自身需要更好的分散性和温度的均匀性。

[0004] 现有技术的回转窑炉满足不了纳米粉体的生产要求。

发明内容

[0005] 本发明的目的在于针对现有技术的不足提供一种用于纳米粉体煅烧的回转窑炉，满足纳米粉体晶型再造的条件，晶型再造后的纳米粉体的晶型规范，形状一致。

[0006] 为实现上述目的，本发明的一种用于纳米粉体煅烧的回转窑炉，包括炉体支架，所述炉体支架设置有回转滚筒，所述回转滚筒的前端设置有进料装置，所述回转滚筒的后端设置有出料装置，所述炉体支架设置有驱动装置，所述驱动装置与回转滚筒连接并带动回转滚筒在炉体支架上旋转，所述回转滚筒由前端往后端向下倾斜设置于所述炉体支架，所述回转滚筒的内壁沿轴向排布有若干拨料筋板；

[0007] 所述回转滚筒的中部设置为高温煅烧段，所述高温煅烧段采用双相不锈钢离心浇铸成胚料并经过锻造而成；

[0008] 双相不锈钢离心浇铸过程中还增加了0.2%~0.8%（质量百分比）的钨和0.1%~0.6%（质量百分比）的钴；

[0009] 所述高温煅烧段设置有加热装置。

[0010] 作为优选，所述回转滚筒的倾斜角度为5度。

[0011] 作为优选，所述拨料筋板的数量为8个，8个拨料筋板均匀排布于回转滚筒的高温煅烧段的内壁。

[0012] 作为优选，所述拨料筋板的长度等于所述回转滚筒的长度。

[0013] 作为优选，所述高温煅烧段的长度为6米。

[0014] 作为优选，所述钨的质量百分比为0.5%。

[0015] 作为优选，所述钴的质量百分比为0.3%。

[0016] 作为优选，所述加热装置为电阻加热装置。

[0017] 作为优选，所述回转滚筒的外侧还设置有保温层。

[0018] 本发明的有益效果：一种用于纳米粉体煅烧的回转窑炉，回转滚筒的中部设置为高温煅烧段，所述高温煅烧段采用双相不锈钢离心浇铸成胚料并经过锻造而成；双相不锈钢离心浇铸过程中还增加了0.2%~0.8%（质量百分比）的钨和0.1%~0.6%（质量百分比）的钴；提高了回转滚筒的强度和耐高温性能，其耐温性可达1200摄氏度；

[0019] 回转滚筒的内壁沿轴向排布有若干拨料筋板，改善了纳米粉体在回转滚筒中的分散效果，使纳米粉体受热更加均匀，更好的脱离纳米粉体的结晶水，使纳米粉体的透明度高，外观颜色好。

附图说明

[0020] 图1为本发明的结构示意图。

[0021] 图2为沿图1中 A-A线的剖切视图。

[0022] 附图标记包括：

[0023] 1—炉体支架 2—回转滚筒

[0024] 21—拨料筋板 22—高温煅烧段

[0025] 3—进料装置 4—出料装置

[0026] 5—驱动装置。

具体实施方式

[0027] 以下结合附图对本发明进行详细的描述。

[0028] 如图1至图2所示，本发明的一种用于纳米粉体煅烧的回转窑炉，包括炉体支架1，所述炉体支架1设置有回转滚筒2，所述回转滚筒2的前端设置有进料装置3，所述回转滚筒2的后端设置有出料装置4，所述炉体支架1设置有驱动装置5，所述驱动装置5与回转滚筒2连接并带动回转滚筒2在炉体支架1上旋转，所述回转滚筒2由前端往后端向下倾斜设置于所述炉体支架1，所述回转滚筒2的内壁沿轴向排布有若干拨料筋板21；

[0029] 所述回转滚筒2的中部设置为高温煅烧段22，所述高温煅烧段22设置有加热装置。所述回转滚筒2的前部为预热段，所述回转滚筒2的后部为冷却段。加热装置对回转滚筒2的高温煅烧段22进行加热，本实施例的加热装置对高温煅烧段22加热至700摄氏度。

[0030] 作为优选，本实施例的拨料筋板21的数量为8个，而且8个拨料筋板21均匀排布于回转滚筒2的高温煅烧段22的内壁。本实施例拨料筋板21的长度等于所述回转滚筒2的长度。经气流粉碎后的纳米粉体还含有一定量的结晶水，纳米粉体由进料装置3进入回转滚筒2的内部，倾斜设置的回转滚筒2使纳米粉体在翻转的过程中，渐渐的往进料装置3方向前进。当纳米粉体进入高温煅烧段22时候，拨料筋板21随回转滚筒2一起旋转，拨料筋板21旋转过程中将纳米粉体翻滚打散，改善纳米粉体在回转滚筒2旋转过程的分布状况。纳米粉体在回转滚筒2内不停的翻转，直至前进至出料装置4送出。

[0031] 作为优选，本实施例的回转滚筒2的倾斜角度为5度。纳米粉体依次经过预热段、高温煅烧段22和冷却段，使纳米粉体在回转滚筒2内停留足够长的时间，停留大概1个小时左右，使纳米粉体得到充分的煅烧，脱离纳米粉体的结晶水，使纳米粉体的透明度达到85%~90%。

[0032] 本实施例的拨料筋板21的数量为8个，8个拨料筋板21均匀排布于回转滚筒2的高温煅烧段22的内壁，所述高温煅烧段22的长度等于拨料筋板21的长度，作为优选，所述高温煅烧段22的长度为6米。纳米粉体经过高温煅烧段22时，使纳米粉体可以在回转滚筒2内充分散落，而且受热均匀，满足纳米粉体晶型再造的条件，晶型再造后的纳米粉体的晶型规范，形状一致。

[0033] 经发明人大量的试验、配比所得，为使回转滚筒2的高温煅烧段22能承受1000摄氏度及以上的温度，所述高温煅烧段22采用双相不锈钢离心浇铸成胚料并经过锻造而成；双相不锈钢离心浇铸过程中还增加了0.2%~0.8%（质量百分比）的钨和0.1%~0.6%（质量百分比）的钴；作为最优配比，本实施例选择钨的质量百分比为0.5%，钴的质量百分比为0.3%。
大大提高了回转滚筒2的强度和耐高温性能，其耐温性可达1200摄氏度，满足生产纳米粉体的煅烧所需要的温度要求。

[0034] 本实施例的加热装置可选择电阻加热装置，通过电能加热，温度控制更为准确，使用更加方便。

[0035] 本实施例的所述回转滚筒2的外侧还设置有保温层，减少回转滚筒2的热量散失，维持回转滚筒2内部各段温度的恒定。

[0036] 以上内容仅为本发明的较佳实施例，对于本领域的普通技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。