一种ITO表面微纳米结构处理方法

摘要

本发明公开了一种ITO表面微纳米结构的处理方法；首先将清洗后的外延片进行ITO蒸镀，然后将上述产品送至黄光，进行匀胶，曝光，显影，从而将掩模版上面的微纳米结构复制至ITO表面，接着利用ITO刻蚀液分步刻蚀的方法，对没有胶体保护的ITO进行湿法刻蚀，最后去胶后，将其进行浸泡于BOE溶液中进行震荡腐蚀，最终在ITO表面形成多种的微纳米结构；本工艺具有操作简单可行，利用ITO分步刻蚀和BOE溶液在ITO表面腐蚀出微纳米结构的粗糙漫反射层，从而增加LED芯片的出光效率。

权利要求

1.一种ITO表面微纳米结构处理方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将清洗后的外延片进行ITO蒸镀；

（2）将表面镀有ITO的外延片送至黄光进行匀胶，利用接近式曝光方式，将掩模版表面的微纳米结构复制至胶体表面，最后进行显影；

（3）将显影后的成品进行ITO湿法刻蚀，为了更好的将上述图形刻蚀干净，在这里采用分步刻蚀的方式进行处理；

（4）湿法刻蚀完毕后，去除ITO表面的胶体，再将上述产品送至BOE槽体进行湿法刻蚀，其溶液温度为常温，时间为25-40s，刻蚀时，需上下震荡产品。

2.根据权利要求1所述的一种ITO表面微纳米结构处理方法其特征在于：所述步骤（3）中分步刻蚀方式为：第一步刻蚀时，ITO刻蚀液温度为45℃～50℃，刻蚀时间为30-45s，第二部刻蚀时，ITO刻蚀液温度为室温，刻蚀时间为30-45s。

说明书

一种ITO表面微纳米结构处理方法

技术领域

[0001] 本发明涉及光电技术领域，尤其是一种ITO表面微纳米结构的处理方法。 背景技术

[0002] 在能源日益紧缺的今天，LED以其独有的耗能少，使用寿命高，结构简单，易于使用等优点，在户外背光，照明等领域有着越来越广泛的应用。ITO（铟锡氧化物）作为一种N层半导体，制作工艺简单，透光性好，方阻低，电流横向拓展性佳从而被广泛应用于LED芯片前段工艺，然而由于ITO和空气之间较大的折射率差值，所以当光线从LED芯片内部出射时，容易在ITO与空气的分界面形成全反射角，约束了光线的出射，从而影响LED的外量子效率。

[0003] 因此，需要一种新的技术方案以解决上述问题。

发明内容

[0004] 发明目的：为了解决现有技术所产生的问题，本发明提供了一种简单易行，工艺简单的ITO表面微纳米结构的处理方法。

[0005] 技术方案：为达到上述目的，本发明可采用如下技术方案：一种ITO表面微纳米结构的处理方法，包括以下步骤：

[0006] （1）将清洗后的外延片进行ITO蒸镀；

[0007] （2）将表面镀有ITO的外延片送至黄光进行匀胶，利用接近式曝光方式，将掩模版表面的微纳米结构复制至胶体表面，最后进行显影；

[0008] （3）将显影后的成品进行ITO湿法刻蚀，为了更好的将上述图形刻蚀干净，在这里采用分步刻蚀的方式进行处理；

[0009] （4）湿法刻蚀完毕后，去除ITO表面的胶体，再将上述产品送至BOE槽体进行湿法刻蚀，其溶液温度为常温，时间为25-40s，刻蚀时，需上下震荡产品。 [0010] 更进一步的，所述步骤（3）中分步刻蚀方式为：第一步刻蚀时，ITO刻蚀液温度为45℃～50℃，刻蚀时间为30～45s，第二部刻蚀时，ITO刻蚀液温度为室温，刻蚀时间为30～45s。

[0011] 有益效果：本发明公开了一种ITO表面微纳米结构的处理方法；首先将清洗后的外延片进行ITO蒸镀，然后将上述产品送至黄光，进行匀胶，曝光，显影，从而将掩模版上面的微纳米结构复制至ITO表面，接着利用ITO刻蚀液分步刻蚀的方法，对没有胶体保护的ITO进行湿法刻蚀，最后去胶后，将其进行浸泡于BOE溶液中进行震荡腐蚀，最终在ITO表面形成多种的微纳米结构；本工艺具有操作简单可行，利用ITO分步刻蚀和BOE溶液在ITO表面腐蚀出微纳米结构的粗糙漫反射层，从而增加LED芯片的出光效率。 具体实施方式

[0012] 下面结合具体实施方式，进一步阐明本发明，应理解下述具体实施方式仅用于说