本发明涉及整流二极管生产工艺，具体涉及一种D2PAK整流二极管生产焊接工艺。本发明提出了一种D2PAK整流二极管生产焊接工艺。本发明的优点是工艺巧妙合理，散热好采用新型的结构框架，节省了三分之一的材料，减少工艺生产的时间，同时引线的外部焊接，为后续工作带来很大的便利（降低焊接工艺造成的晶粒损伤，并提升后期使用过程中热应力的释放空间），大大提高产品的生产效率及品质；另一优点：此产品将全面代替二极管封装的光伏管，其优势在于散热性能好，封装的晶粒相比较于二极管的尺寸可提升至180mil,此大尺寸晶粒的封装能承受的顺向电流同比增加，适用范围更广，延长太阳能光伏接线盒的使用寿命。
1.DPAK整流二极管生产焊接工艺，其特征在于以下步骤构成：作业前准备；装填框架；
框架刷膏；铜粒装填；铜粒点胶；晶粒分面；晶粒装填；晶粒点膏；框架点膏；框架转换；跳线装填；目检；焊接；出炉下料；
1)作业前准备：清洁工作场地、台面；用异丙醇、汗衫布清洁工作台、点胶机工作台面、框架定位板、网板、各类吸盘、不锈钢盘；在点胶机上安装点胶头、焊膏瓶；用橡皮管将吸盘吸笔与真空气源相连，开启真空、压空气源，调节真空气源至适宜操作；将网板依框架定位板上定位块的定位导向，固定于印刷台上待用；
2)装填框架：将DPAK-T、AT2、AT3框架放置于各框架定位板上；框架定位由第二、第十八定位孔与框架定位板定位销配合定位；
3)框架刷膏：将装好框架的框架定位板依印刷台定位导向平放与印刷台上；倒适量罐装式焊膏在网板上；用刮膏板轻刮焊膏，在框架的焊接部位上，均匀刮涂0.1mm厚的焊膏；
将刷好膏的AT2/AT3框架从框架定位板上取下放入周转承料盒内待用；保持网板干净清洁，正常使用4小时后需重新清洗一次；刮好膏的材料，需检查焊膏量，焊膏量过少或过多，需人工补膏或用汗衫布擦洗去焊膏，重新刮膏；
4)铜粒装填：将真空度调节至适宜操作，取适量铜粒倒入铜粒吸盘中，轻摇吸盘，使铜粒落入吸盘的每一个孔中；翻转吸盘，将多余的铜粒倒入不锈钢盘中，用镊子去除多余的铜粒，并调整至正确位置；在刷好膏的框架定位板即装有AT框架上安装定位框；将铜粒吸笔依定位稍导向置于铜粒吸盘上，打开真空吸取铜粒并依定位框导向，置于框架定位板上；关闭真空，使铜粒落于框架上对应的刷胶的指定区域；补全或调整铜粒；铜粒吸盘每孔中仅允许存在一颗铜粒；每次倒出的铜粒数量小于或等于1.5K；粘膏后，立即用异丙醇清洗并用小针通吸气孔；铜粒放置时应与框架底面平行；不用的铜粒立即倒于塑料自封袋内，放入干燥剂，密封保存；
5)铜粒点胶：针筒式焊膏、点膏头装配好并固定在点膏机上；框架定位板由设定第四、十三两根条上的定位孔与点胶机定位稍定位；安放框架定位板；根据铜粒尺寸大小，通过调节压空压力及点膏时间长短，控制点膏量；点胶结束，目检上胶量及上胶位置，合格后移走定位板；其中焊膏必须点在铜粒正中；
6)晶粒分面：晶粒有P面和N面，取1K左右晶粒放于纸板上；轻摇纸板，使N面向上的晶粒滑落到不锈钢盘内；用碳素镊子或毛笔去除N面向上的晶粒；将晶粒方向盒大面向上；
将晶粒方向纸板平插入晶粒方向盒，使晶粒滑入晶粒方向盒，晶粒P面向上或用另一纸板轻轻对准已分向的晶粒纸板，平放于手中将其反向，晶粒N面向上；用碳素镊子或毛笔去除P面向上的晶粒，将晶粒方向盒大面向上；将晶粒方向纸板平插入晶粒方向盒，使晶粒滑入晶粒方向盒，晶粒P面向上；每次倒出的晶粒数量小于或等于1K；不用的晶粒，立即装入塑料自封袋内，放入干燥剂，密封保存；
7)晶粒装填：将真空度调节至适宜操作，将晶片分向盒与晶片吸盘配合，并使晶片滑入晶片吸盘；打开真空，摇动晶粒吸盘，使晶粒落入吸盘的每一个孔中；多余的晶片倒入晶粒分向盒中；移开分向盒，并关闭真空；补全或调整晶片；在框架定位板上安装定位框；用晶粒吸笔依定位销导向置于晶粒吸盘上；打开真空，吸取晶粒，并依定位框导向，置于框架定位板上；关闭真空，使晶粒落于框架上对应的焊膏上面；补全或调整晶粒；晶粒必须沉入方形晶粒吸盘吸孔中,且每个孔中仅允许有一个晶粒；确实检视每片晶粒外观是否良好，不良品、残缺不全者必须挑出；
8)晶粒点膏：在晶粒上点膏，操作程序同第5步骤铜粒点胶；根据晶粒尺寸大小，通过调节压空压力及点膏时间长短，控制点膏量即点膏完平放置五秒钟后目测，晶粒P面直径的3/4≥焊膏直径≥晶粒P面直径的1/3；待目检合格取下框架定位板；
9)框架转换：从框架定位板上取下装填好的DPAK-T框架依焊接板定位针转换到焊接板上；将刷好膏的AT2/AT3框架依焊接板定位针转换到焊接板上；转换时框架须放置到位；
10)跳线装填：取适量跳线倒入跳线吸盘中，轻摇吸盘，使跳线落入吸盘的每一个孔中；翻转吸盘，将多余的跳线倒入不锈钢盘中，用镊子去除多余的跳线，并调整至正确位置；将跳线吸笔依定位销导向置于跳线吸盘上；打开真空，吸取跳线，并依焊接板定位销导向，置于焊接板上；关闭真空，使跳线落于晶粒上对应的焊膏上面；每次倒出的跳线数量≤1.5K；跳线吸盘每孔中有且只有单一跳线，确实检视每片跳线外观是否良好，变形的跳线必须挑出；不用的跳线必须立即倒于塑料自封袋内，放入干燥剂，密封保存；检视跳线的焊接部位是否在晶粒P面的中心位置及框架的正确位置，否则需人工调整；
11)目检：在焊接板上目检是否有晶粒、跳线偏位歪斜，焊膏量过多或过少的现象，并调整正确；盖上上盖等待进炉焊接；
A、焊接炉的工艺条件的设定：加热区温度的设定；气体流量的设定；冷却水温度、流量的设定；链速的设定；
B、摆放方式：每组两底两盖、每排两组竖进，前后焊接板之间不留间距或按照工程部规定摆放进炉焊接；
C、材料进炉前或结束后,必须进40组以上的空焊接板,以稳定炉温；焊接炉升温4小时后，方可进空焊接板及材料；若炉温未达设定温度，不得进焊接板焊接；
13)出炉下料：用顶出架将材料从焊接板内取出平放于工作台上冷却；目检挑出少焊锡、未接触、少晶片、少跳线、晶片、跳线偏位不良品；将目检合格的材料整齐轻挂于清洗架上；用镊子去除焊接不良的晶片、跳线；取出处理好的材料，冷却；人工补上焊膏、晶片、跳线；重新装于焊接板上进炉焊接；材料出炉后须检查焊锡是否熔开铺满晶片表面；挑出的焊接不良品，需作复焊处理。
2.根据权利要求1所述的D PAK整流二极管生产焊接工艺，其特征是所述的点胶头每12H用焊膏润滑剂冲洗一次。
3.根据权利要求1所述的D PAK整流二极管生产焊接工艺，其特征是所述的刷胶网板及刮刀正常使用每4H用酒精/异丙醇清洗一次。
4.根据权利要求1所述的D PAK整流二极管生产焊接工艺，其特征是所述的每一个月清洗焊接炉，每次洗完炉后，用高纯氮气加高温清洁炉管。
5.根据权利要求1所述的D PAK整流二极管生产焊接工艺，其特征是所述的铜粒吸笔是单嘴铜粒吸笔或者双嘴铜粒吸笔。
6.根据权利要求1所述的D PAK整流二极管生产焊接工艺，其特征是所述的晶粒吸笔是单嘴晶粒吸笔或者双嘴晶粒吸笔。
7.根据权利要求1所述的D PAK整流二极管生产焊接工艺，其特征是所述的跳线吸笔是单嘴跳线吸笔或者双嘴跳线吸笔。
2
DPAK整流二极管生产焊接工艺
技术领域
[0001] 本发明涉及整流二极管生产工艺，具体涉及一种D2PAK整流二极管生产焊接工艺。
背景技术
[0002] 整流二极管(rectifier diode)一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。通常它包含一个PN结，有阳极和阴极两个端子。其结构如图1所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降(典型值为0.7V),称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流(称反向漏电流)，称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿)。这种器件的结面积较大，能通过较大电流(可达上千安)，但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。
[0003] 传统整流二极管的生产制造工艺生产的产品散热不好，耗材多，工艺复杂，后续工作不好处理。
发明内容
[0004] 为了解决上述问题，本发明提出了一种D2PAK整流二极管生产焊接工艺，工艺合理，制造的产品散热好，耗材减少，有利于后续工作的进行，大大提高了生产效率。
[0005] 为了达到上述发明目的，本发明提出了以下技术方案：
[0006] D2PAK整流二极管生产焊接工艺，具体在于以下步骤构成：作业前准备；装填框架；框架刷膏；铜粒装填；铜粒点胶；晶粒分面；晶粒装填；晶粒点膏；框架点膏；框架转换；跳线装填；目检；焊接；出炉下料；
[0007] 1)作业前准备：清洁工作场地、台面；用异丙醇、汗衫布清洁工作台、点胶机工作台面、框架定位板、网板、各类吸盘、不锈钢盘；在点胶机上安装点胶头、焊膏瓶；用橡皮管将吸盘吸笔与真空气源相连，开启真空、压空气源，调节真空气源至适宜操作；将网板依框架定位板上定位块的定位导向，固定于印刷台上待用；装填晶粒、跳线必须使用不锈钢盘，以减少对芯片、跳线的摩擦、损伤；禁止用丙酮等有机溶剂擦拭点胶机控制面板，以防损伤控制面板；
[0008] 2)装填框架：将D2PAK-T、AT2、AT3框架放置于各框架定位板上；框架定位由第二、第十八定位孔与框架定位板定位销配合定位；作业员必须戴细纱手套或者指套；框架轻拿轻放，以免框架变形，禁止用手接触框架焊接区，以防焊接氧化或虚焊，不用的框架必须立即放于塑料袋内，密封保存，防止框架氧化；
[0009] 3)框架刷膏：将装好框架的框架定位板依印刷台定位导向平放与印刷台上；倒适量罐装式焊膏在网板上；用刮膏板轻刮焊膏，在框架的焊接部位上，均匀刮涂0.1mm厚的焊膏；将刷好膏的AT2/AT3框架从框架定位板上取下放入周转承料盒内待用；保持网板干净清洁，正常使用4小时后需重新清洗一次；刮好膏的材料，需检查焊膏量，焊膏量过少或过多，需人工补膏或用汗衫布擦洗去焊膏，重新刮膏；用汗衫布擦过焊膏的框架，必须立即投入使用，防止框架氧化，影响焊接区域；
[0010] 4)铜粒装填：将真空度调节至适宜操作，取适量铜粒倒入铜粒吸盘中，轻摇吸盘，使铜粒落入吸盘的每一个孔中；翻转吸盘，将多余的铜粒倒入不锈钢盘中，用镊子去除多余的铜粒，并调整至正确位置；在刷好膏的框架定位板即装有AT框架上安装定位框；将铜粒吸笔依定位稍导向置于铜粒吸盘上，打开真空吸取铜粒并依定位框导向，置于框架定位板上；关闭真空，使铜粒落于框架上对应的刷胶的指定区域；补全或调整铜粒；铜粒吸盘每孔中仅允许存在一颗铜粒，不得缺少或叠片；每次倒出的铜粒数量小于或等于1.5K；铜粒吸笔不得粘有焊膏；粘膏后，立即用异丙醇清洗并用小针通吸气孔，以防焊膏堵塞吸气孔；铜粒放置时应与框架底面平行，铜粒下压时，用力适中，以防下层焊膏外溢；不用的铜粒必须立即倒于塑料自封袋内，放入干燥剂，密封保存；
[0011] 5)铜粒点胶：针筒式焊膏、点膏头装配好并固定在点膏机上；框架定位板由设定第四、十三两根条上的定位孔与点胶机定位稍定位；安放框架定位板；选用设定的程序，按“START”键，机器自动点膏；根据铜粒尺寸大小，通过调节压空压力及点膏时间长短，控制点膏量，确保铜粒焊接牢固且无焊锡堆积在铜粒边缘或流挂；点胶结束，目检上胶量及上胶位置，合格后移走定位板；其中焊膏必须点在铜粒正中；
[0012] 6)晶粒分面：晶粒有P面和N面，取约1K左右晶粒放于纸板上；轻摇纸板，使N面向上的晶粒滑落到不锈钢盘内；用碳素镊子或毛笔去除N面向上的晶粒；将晶粒方向盒大面向上；将晶粒方向纸板平插入晶粒方向盒，使晶粒滑入晶粒方向盒，晶粒P面向上或用另一纸板轻轻对准已分向的晶粒纸板，平放于手中将其反向，晶粒N面向上；用碳素镊子或毛笔去除P面向上的晶粒，将晶粒方向盒大面向上；将晶粒方向纸板平插入晶粒方向盒，使晶粒滑入晶粒方向盒，晶粒P面向上；严禁用金属镊子夹取GPP晶粒，避免损伤晶片，取晶片必须 使用碳素镊子或吸笔；每次倒出的晶粒数量小于或等于1K；不用的晶粒，立即装入塑料自封袋内，放入干燥剂，密封保存，以免受潮氧化；
[0013] 7)晶粒装填：将真空度调节至适宜操作，将晶片分向盒与晶片吸盘配合，并使晶片滑入晶片吸盘；打开真空，摇动晶粒吸盘，使晶粒落入吸盘的每一个孔中；多余的晶片倒入晶粒分向盒中；移开分向盒，并关闭真空；补全或调整晶片；在框架定位板上安装定位框；用晶粒吸笔依定位销导向置于晶粒吸盘上；打开真空，吸取晶粒，并依定位框导向，置于框架定位板上；关闭真空，使晶粒落于框架上对应的焊膏上面；补全或调整晶粒；晶粒必须沉入方形晶粒吸盘吸孔中,且每个孔中仅允许有一个晶粒,以免吸笔压伤晶粒；确实检视每片晶粒外观是否良好，不良品、残缺不全者必须挑出；吸笔吸嘴严禁紧压或撞击晶粒；不用的晶粒严禁长时间暴露在空气中，必须立即倒于塑料自封袋内，放入干燥剂，密封保存；装填后，严禁晶粒倾斜，晶粒及框架底面必须平行；
[0014] 8)晶粒点膏：在晶粒上点膏，操作程序同第5步骤铜粒点胶；根据晶粒尺寸大小，通过调节压空压力及点膏时间长短，控制点膏量即点膏完平放置五秒钟后目测，晶粒P面直径的3/4≥焊膏直径≥晶粒P面直径的1/3，确保晶粒焊接牢固且无焊锡堆积在晶粒边缘或流挂；待目检合格取下框架定位板；焊膏必须点在晶粒正中，不得有外溢到晶粒侧面；点膏头严禁碰及晶粒；
[0015] 9)框架转换：从框架定位板上取下装填好的D2PAK-T框架依焊接板定位针转换到焊接板上；将刷好膏的AT2/AT3框架依焊接板定位针转换到焊接板上；转换时框架须放置到位；取框架时必须轻拿轻放，避免晃动或倾斜，防止铜粒、晶粒移位；
[0016] 10)跳线装填：取适量跳线倒入跳线吸盘中，轻摇吸盘，使跳线落入吸盘的每一个孔中；翻转吸盘，将多余的跳线倒入不锈钢盘中，用镊子去除多余的跳线，并调整至正确位置；将跳线吸笔依定位销导向置于跳线吸盘上；打开真空，吸取跳线，并依焊接板定位销导向，置于焊接板上；关闭真空，使跳线落于晶粒上对应的焊膏上面；每次倒出的跳线数量≤1.5K；跳线吸盘每孔中有且只有单一跳线，确实检视每片跳线外观是否良好，变形的跳线必须挑出；不用的跳线必须立即倒于塑料自封袋内，放入干燥剂，密封保存；检视跳线的焊接部位是否在晶粒P面的中心位置及框架的正确位置，否则需人工调整；
[0017] 11)目检：在焊接板上目检是否有晶粒、跳线偏位歪斜，焊膏量过多或过少的现象，并调整正确；盖上上盖等待进炉焊接；
[0018] 12)焊接：
[0019] A、焊接炉的工艺条件的设定：加热区温度的设定；气体流量的设定；冷却水温度、流 量的设定；链速的设定；依照工程规定执行；
[0020] B、摆放方式：每组两底两盖、每排两组竖进，前后焊接板之间不留间距或按照工程部规定摆放进炉焊接；
[0021] C、注意事项：作业员必须戴粗纱手套或细纱手套；焊接炉设定的每一次更改要保持记录，且必须由工艺员签名；材料进炉前或结束后,必须进40组以上的空焊接板,以稳定炉温；焊接炉升温4小时后，方可进空框架及材料；若炉温未达设定温度，不得进焊接板焊接；
[0022] 13)出炉下料：用顶出架将材料从焊接板内取出平放于工作台上冷却；目检挑出少焊锡、未接触、少晶片、少跳线、晶片、跳线偏位等不良品；将目检合格的材料整齐轻挂于清洗架上；用镊子去除焊接不良的晶片、跳线；取出处理好的材料，冷却；人工补上焊膏、晶片、跳线；重新装于焊接板上进炉焊接；填好流程卡等相关记录；材料出炉后须检查焊锡是否熔开铺满晶片表面,焊接质量异常时，立即停止进炉,并通知工艺员处理；不允许手伸进挡风板内接材料；材料出炉后严禁交叉碰撞排放，以防碰伤晶粒；每个批号分开，防止混料；挑出的焊接不良品，需作复焊处理。
[0023] 所述的铜粒装填、铜粒点胶步骤主要适用于晶粒P面向下封装形式时操作，正常封装晶粒P面向上无需此两步骤。
[0024] 所述的点胶头每12H清洗一次。
[0025] 所述的每一个月清洗焊接炉，每次洗完炉后，用高纯氮气加高温清洁炉管。
[0026] 所述的铜粒吸笔是单嘴铜粒吸笔或者双嘴铜粒吸笔。
[0027] 所述的晶粒吸笔是单嘴晶粒吸笔或者双嘴晶粒吸笔。
[0028] 所述的跳线吸笔是单嘴跳线吸笔或者双嘴跳线吸笔。
[0029] 本发明的优点是工艺巧妙合理，散热好采用新型的结构框架，节省了三分之一的材料，减少工艺生产的时间，同时引线的外部焊接，为后续工作带来很大的便利(降低焊接工艺造成的晶粒损伤，并提升后期使用过程中热应力的释放空间)，大大提高产品的生产效率及品质；另一优点：此产品将全面代替二极管封装的光伏管，其优势在于散热性能好，封装的晶粒相比较于二极管的尺寸可提升至180mil,此大尺寸晶粒的封装能承受的顺向电流同比增加，适用范围更广，延长太阳能光伏接线盒的使用寿命。
具体实施方式
[0030] D2PAK整流二极管生产焊接工艺，具体在于以下步骤构成：作业前准备；装填框架；框架刷膏；铜粒装填；铜粒点胶；晶粒分面；晶粒装填；晶粒点膏；框架点膏；框架转换；跳线装填；目检；焊接；出炉下料；
[0031] 1)作业前准备：清洁工作场地、台面；用异丙醇、汗衫布清洁工作台、点胶机工作台面、框架定位板、网板、各类吸盘、不锈钢盘；在点胶机上安装点胶头、焊膏瓶；用橡皮管将吸盘吸笔与真空气源相连，开启真空、压空气源，调节真空气源至适宜操作；将网板依框架定位板上定位块的定位导向，固定于印刷台上待用；装填晶粒、跳线必须使用不锈钢盘，以减少对芯片、跳线的摩擦、损伤；禁止用丙酮等有机溶剂擦拭点胶机控制面板，以防损伤控制面板；
[0032] 2)装填框架：将D2PAK-T、AT2、AT3框架放置于各框架定位板上；框架定位由第二、第十八定位孔与框架定位板定位销配合定位；作业员必须戴细纱手套或者指套；框架轻拿轻放，以免框架变形，禁止用手接触框架焊接区，以防焊接氧化或虚焊，不用的框架必须立即放于塑料袋内，密封保存，防止框架氧化；
[0033] 3)框架刷膏：将装好框架的框架定位板依印刷台定位导向平放与印刷台上；倒适量罐装式焊膏在网板上；用刮膏板轻刮焊膏，在框架的焊接部位上，均匀刮涂约0.1mm厚的焊膏；将刷好膏的AT2/AT3框架从框架定位板上取下放入周转承料盒内待用；保持网板干净清洁，正常使用4小时后需重新清洗一次；刮好膏的材料，需检查焊膏量，焊膏量过少或过多，需人工补膏或用汗衫布擦洗去焊膏，重新刮膏；用汗衫布擦过焊膏的框架，必须立即投入使用，防止框架氧化，影响焊接区域；
[0034] 4)铜粒装填：将真空度调节至适宜操作，取适量铜粒倒入铜粒吸盘中，轻摇吸盘，使铜粒落入吸盘的每一个孔中；翻转吸盘，将多余的铜粒倒入不锈钢盘中，用镊子去除多余的铜粒，并调整至正确位置；在刷好膏的框架定位板即装有AT框架上安装定位框；将铜粒吸笔依定位稍导向置于铜粒吸盘上，打开真空吸取铜粒并依定位框导向，置于框架定位板上；关闭真空，使铜粒落于框架上对应的刷胶的指定区域；补全或调整铜粒；铜粒吸盘每孔中仅允许存在一颗铜粒，不得缺少或叠片；每次倒出的铜粒数量小于或等于1.5K；铜粒吸笔不得粘有焊膏；粘膏后，立即用异丙醇清洗并用小针通吸气孔，以防焊膏堵塞吸气孔；铜粒放置时应与框架底面平行，铜粒下压时，用力适中，以防下层焊膏外溢；不用的铜粒必须立即倒于塑料自封袋内，放入干燥剂，密封保存；
[0035] 5)铜粒点胶：针筒式焊膏、点膏头装配好并固定在点膏机上；框架定位板由设定第四、十三两根条上的定位孔与点胶机定位稍定位；安放框架定位板；选用设定的程序，按“START”键，机器自动点膏；根据铜粒尺寸大小，通过调节压空压力及点膏时间长短，控制点膏量，确保铜粒焊接牢固且无焊锡堆积在铜粒边缘或流挂；点胶结束，目检上胶量及上胶位置，合格后移走定位板；其中焊膏必须点在铜粒正中；
[0036] 6)晶粒分面：晶粒有P面和N面，取约1K左右晶粒放于纸板上；轻摇纸板，使N面向上的晶粒滑落到不锈钢盘内；用碳素镊子或毛笔去除N面向上的晶粒；将晶粒方向盒大面向上；将晶粒方向纸板平插入晶粒方向盒，使晶粒滑入晶粒方向盒，晶粒P面向上或用另一纸板轻轻对准已分向的晶粒纸板，平放于手中将其反向，晶粒N面向上；用碳素镊子或毛笔去除P面向上的晶粒，将晶粒方向盒大面向上；将晶粒方向纸板平插入晶粒方向盒，使晶粒滑入晶粒方向盒，晶粒P面向上；严禁用金属镊子夹取GPP晶粒，避免损伤晶片，取晶片必须使用碳素镊子或吸笔；每次倒出的晶粒数量小于或等于1K；不用的晶粒，立即装入塑料自封袋内，放入干燥剂，密封保存，以免受潮氧化；
[0037] 7)晶粒装填：将真空度调节至适宜操作，将晶片分向盒与晶片吸盘配合，并使晶片滑入晶片吸盘；打开真空，摇动晶粒吸盘，使晶粒落入吸盘的每一个孔中；多余的晶片倒入晶粒分向盒中；移开分向盒，并关闭真空；补全或调整晶片；在框架定位板上安装定位框；用晶粒吸笔依定位销导向置于晶粒吸盘上；打开真空，吸取晶粒，并依定位框导向，置于框架定位板上；关闭真空，使晶粒落于框架上对应的焊膏上面；补全或调整晶粒；晶粒必须沉入方形晶粒吸盘吸孔中,且每个孔中仅允许有一个晶粒,以免吸笔压伤晶粒；确实检视每片晶粒外观是否良好，不良品、残缺不全者必须挑出；吸笔吸嘴严禁紧压或撞击晶粒；不用的晶粒严禁长时间暴露在空气中，必须立即倒于塑料自封袋内，放入干燥剂，密封保存；装填后，严禁晶粒倾斜，晶粒及框架底面必须平行；
[0038] 8)晶粒点膏：在晶粒上点膏，操作程序同第5步骤铜粒点胶；根据晶粒尺寸大小，通过调节压空压力及点膏时间长短，控制点膏量即点膏完平放置五秒钟后目测，晶粒P面直径的3/4≥焊膏直径≥晶粒P面直径的1/3，确保晶粒焊接牢固且无焊锡堆积在晶粒边缘或流挂；待目检合格取下框架定位板；焊膏必须点在晶粒正中，不得有外溢到晶粒侧面；点膏头严禁碰及晶粒；
[0039] 9)框架转换：从框架定位板上取下装填好的D2PAK-T框架依焊接板定位针转换到焊接板上；将刷好膏的AT2/AT3框架依焊接板定位针转换到焊接板上；转换时框架须放置到位；取框架时必须轻拿轻放，避免晃动或倾斜，防止铜粒、晶粒移位；
[0040] 10)跳线装填：取适量跳线倒入跳线吸盘中，轻摇吸盘，使跳线落入吸盘的每一个孔中；翻转吸盘，将多余的跳线倒入不锈钢盘中，用镊子去除多余的跳线，并调整至正确位置；将跳线吸笔依定位销导向置于跳线吸盘上；打开真空，吸取跳线，并依焊接板定位销导向，置于焊接板上；关闭真空，使跳线落于晶粒上对应的焊膏上面；每次倒出的跳线数量≤1.5K；跳线吸盘每孔中有且只有单一跳线，确实检视每片跳线外观是否良好，变形的跳线必须挑出； 不用的跳线必须立即倒于塑料自封袋内，放入干燥剂，密封保存；检视跳线的焊接部位是否在晶粒P面的中心位置及框架的正确位置，否则需人工调整；
[0041] 11)目检：在焊接板上目检是否有晶粒、跳线偏位歪斜，焊膏量过多或过少的现象，并调整正确；盖上上盖等待进炉焊接；
[0042] 12)焊接：
[0043] A、焊接炉的工艺条件的设定：加热区温度的设定；气体流量的设定；冷却水温度、流量的设定；链速的设定；依照工程规定执行；
[0044] B、摆放方式：每组两底两盖、每排两组竖进，前后焊接板之间不留间距或按照工程部规定摆放进炉焊接；
