一种OLED基板切割保护装置及切割方法

摘要

本发明的一种OLED基板切割保护装置包括基台、机械手、匚型石英盖板和回风装置；所述基台用于放置OLED基板，匚型石英盖板的尺寸与切割后的OLED基板相应，用于保护OLED基板；所述匚型石英盖板包括石英导管，石英导管连接氮气源。基板切割方法主要包括步骤：a、将OLED基板转运到切割基台上并固定；b、控制机械手将石英盖板固定于OLED基板上方0.3mm～0.5mm的位置，石英盖板之间为OLED基板切割区域；c、向所述匚型石英盖板的石英导管通入氮气。有益效果在于避免了基板直接接触而对OLED基板的影响。利用本发明的方法进行OLED基板切割能够有效防止切割过程中产生的微尘对裸露的基板电极的影响。

权利要求

1.一种OLED基板切割保护装置，其特征在于，包括基台、机械手、匚型石英盖板和回风装置；所述基台用于放置OLED基板，匚型石英盖板的尺寸与切割后的OLED基板相应，用于保护OLED基板；所述匚型石英盖板包括石英导管，石英导管连接氮气源；回风装置位于OLED基板切割基线上方，用于抽排因基板切割产生的微尘；机械手用于固定匚型石英盖板。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，匚型石英盖板的凹槽深度不小于1.7mm。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，机械手用于将匚型石英盖板固定在OLED基板上方，并保证匚型石英盖板边缘距离OLED基板0.3mm～0.5mm。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，氮气源的气压为0.15Mpa～0.25Mpa，纯度为99.999％。

5.根据权利要求1-4之任一项权利要求所述的装置，其特征在于，回风装置为线形结构，与OLED基板切割线相应。

6.根据权利要求1-5所述装置的OLED基板切割方法，其特征在于，包括以下步骤：a、将OLED基板转运到切割基台上并固定；

b、控制机械手将石英盖板固定于OLED基板上方0.3mm～0.5mm的位置，石英盖板之间为OLED基板切割区域；

c、向所述匚型石英盖板的石英导管通入氮气；

d、在石英盖板下的空气被步骤c通入的氮气取代时开启回风装置并开始切割OLED基板；

e、OLED基板切割完成后保持氮气通入和回风装置开启10～45秒。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤c中氮气开始时为大气压，并逐渐升高至设定值后稳定。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，氮气气压设定值为0.15Mpa～0.25Mpa，纯度为99.999％。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，匚型石英盖板的凹槽深度不小于1.7mm。

10.根据权利要求6-9之任一项权利要求所述的方法，其特征在于，步骤e的氮气通入和回风装置开启时间为10～15秒。

说明书

一种OLED基板切割保护装置及切割方法

技术领域

[0001] 本发明属于有机发光二极管（OLED）显示技术领域，涉及OLED显示器件的基板切割技术，具体涉及一种OLED基板切割保护装置以及方法。

背景技术

[0002] 有机电致发光二极管（OLED）显示器被称为“梦幻显示器”，其以全固态、主动发光、高亮度、高对比度、超薄超轻、低功耗、无视角限制以及工作温度范围广等特性，被认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。

[0003] 在完成OLED基板制作后，受到目前蒸镀技术的限制，无法保证整张基板有机材料成膜的均匀性，因此需要把已经制作完成基板切割成若干小基板再进行蒸镀。而此时尚未进行器件的封装，光刻好的电极裸露在外，切割过程中产生的微尘飘落在电极上就会造成器件的不良或失效。

发明内容

[0004] 本发明为了解决现有的OLED基板切割过程中切割产生的尘埃影响OLED基板上裸露的电极，进而导致后期产品不良的工艺缺陷，提出一种OLED基板切割保护装置以及使用该装置完成OLED基板的方法。

[0005] 本发明的技术方案是：一种OLED基板切割保护装置，其特征在于，包括基台、机械手、匚型石英盖板和回风装置；所述基台用于放置OLED基板，匚型石英盖板的尺寸与切割后的OLED基板相应，用于保护OLED基板；所述匚型石英盖板包括石英导管，石英导管连接氮气源；回风装置位于OLED基板切割基线上方，用于抽排因基板切割产生的微尘；机械手用于固定匚型石英盖板。

[0006] 进一步的，匚型石英盖板的凹槽深度不小于1.7mm。

[0007] 进一步的，机械手用于将匚型石英盖板固定在OLED基板上方，并保证匚型石英盖板边缘距离OLED基板0.3mm～0.5mm。

[0008] 进一步的，氮气源的气压为0.15Mpa～0.25Mpa，纯度为99.999%。

[0009] 进一步的，回风装置为线形结构，与OLED基板切割线相应。

[0010] 根据上述装置的OLED基板切割方法，其特征在于，包括以下步骤：

[0011] a、将OLED基板转运到切割基台上并固定；

[0012] b、控制机械手将石英盖板固定于OLED基板上方0.3mm～0.5mm的位置，石英盖板之间为OLED基板切割区域；

[0013] c、向所述匚型石英盖板的石英导管通入氮气；

[0014] d、在石英盖板下的空气被步骤c通入的氮气取代时开启回风装置并开始切割OLED基板；

[0015] e、OLED基板切割完成后保持氮气通入和回风装置开启10～45秒。

[0016] 进一步的，步骤c中氮气开始时为大气压，并逐渐升高至设定值后稳定。

[0017] 进一步的，上述氮气气压设定值为0.15Mpa～0.25Mpa，纯度为99.999%。

[0018] 进一步的，匚型石英盖板的凹槽深度不小于1.7mm。

[0019] 进一步的，步骤e的氮气通入和回风装置开启时间为10～15秒。

[0020] 本发明的有益效果在于：本发明的OLED基板切割保护装置通过机械手将保护用的匚型石英盖板固定于OLED基板上方一定的距离，避免与OLED基板直接接触而对OLED基板的影响。并且石英盖板设置的匚型凹槽有效的保证了石英盖板与OLED基板电极材料的距离，可以使得在通入氮气时气压均匀且适中，降低对OLED基板电极的损坏。设置的回风装置能够吸走因为基板切割而产生的大多数微尘。利用本发明的方法进行OLED基板切割能够有效防止切割过程中产生的微尘对裸露的基板电极的影响。

附图说明

[0021] 图1为本发明的OLED基板切割保护装置结构示意图。

具体实施方式

[0022] 下面结合附图和具体实施例对本发明做进一步的说明。

[0023] 如图1所示，本实施例的OLED基板切割保护装置，包括基台、机械手、匚型石英盖板4和回风装置6；所述基台用于放置OLED基板1，匚型石英盖板的尺寸与切割后（成品）的OLED基板相应，用于保护OLED基板；所述匚型石英盖板4包括石英导管5，石英导管5连接氮气源；回风装置6位于OLED基板切割基线上方，用于抽排因基板切割产生的微尘；机械手用于固定匚型石英盖板。优选的，匚型石英盖板的凹槽深度不小于1.7mm，以保证在OLED基板切割过程中石英导管通气口距离OLED基板电极3的距离不小于2mm。采用该优选方案的石英盖板可以在利用氮气流保护OLED电极的同时保证电极免受氮气流的损坏。

[0024] 为了避免石英盖板与OLED基板直接接触而损坏OLED基板，本实施例优选机械手用于将匚型石英盖板固定在OLED基板上方，并保证匚型石英盖板边缘距离OLED基板0.3mm～0.5mm。其中保持石英盖板与OLED基板一定距离是为了在OLED基板需要保护的电极区域形成向四周扩散的氮气气流。上述的氮气源的气压优选为0.15Mpa～0.25Mpa，采用纯度99.999%氮气源。上述回风装置优选为线形结构，与OLED基板切割线2相应。以保证OLED基板切割过程中产生微尘的切割点的正上方都有负压气流将微尘吸走。

[0025] 本实施例的根据上述装置的OLED基板切割方法，包括以下步骤：

[0026] a、将OLED基板转运到切割基台上并固定；

[0027] b、控制机械手将石英盖板固定于OLED基板上方0.3mm～0.5mm的位置，石英盖板之间为OLED基板切割区域；

[0028] c、向所述匚型石英盖板的石英导管通入氮气；

[0029] d、在石英盖板下的空气被步骤c通入的氮气取代时开启回风装置并开始切割OLED基板；

[0030] e、OLED基板切割完成后保持氮气通入和回风装置开启10～15秒。

[0031] 其中，步骤c中氮气开始时为大气压，并逐渐升高至设定值后稳定。氮气气压设定值优选为0.15Mpa～0.25Mpa，纯度为99.999%。匚型石英盖板的凹槽深度不小于1.7mm。

[0032] 为了便于理解本发明的原理，以下进一步提供本发明一具体实施例装置及方法的操作步骤及原理：OLED基板在切割前放置在切割基台上，石英盖板通过机械手对位系统覆盖在光刻电极3之上但不与之接触。因为大尺寸OLED基板非常轻薄，与石英盖板接触容易造成基板弯曲变形。盖板边缘与基板间的缝隙控制在0.3mm～0.5mm，光刻电极不得与盖板接触，电极与盖板距离>2mm。由于石英材质具有低析出性，所以在使用过程中不会产生新的微尘。盖板上方有熔接的石英导管，在切割过程中从石英导管通入氮气(纯度99.999%)作为保护气体，气压（0.15Mpa～0.25Mpa）略大于标准大气压，因为气压过高可能损伤光刻电极。中间的切割区域是激光切割基板后产生微尘的主要位置，在其正上方沿切割区域设置长条形回风装置，使绝大多数微尘可以被排除。装置操作步骤为：OLED基板通过机械手从卡匣中取出并放置在切割机台上，机械对位系统拾取已经刻蚀在基板上的mark点，机械装置把石英盖板覆盖在光刻电极上方并缓缓下降，当盖板边缘与基板间的缝隙达到设定值后保持此种状态。开始通入氮气，气压由常压逐渐达到设定值。在氮气基本取代空气充满内部空间后开始基板切割并打开回风装置，产生的微尘能最大程度被吸走。基板切割完成后，仍保持一定时间的氮气导入和回风，避免残余微尘对光刻电极造成污染。

[0033] 本领域的普通技术人员将会意识到，这里所述的实施例是为了帮助读者理解本发明的原理，应被理解为本发明的保护范围并不局限于这样的特别陈述和实施例。本领域的普通技术人员可以根据本发明公开的这些技术启示做出各种不脱离本发明实质的其它各种具体变形和组合，这些变形和组合仍然在本发明的保护范围内。