一种电工级氧化镁用添加剂的制备方法转让专利

申请号 : CN201210512865.7

文献号 : CN103523791B

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相似专利:

发明人 : 宗俊金宏伟庄伟兵潘文斌刘荣栋

申请人 : 上海实业振泰化工有限公司

摘要 :

本发明涉及氧化镁技术领域,具体涉及一种氧化镁用添加剂的制备方法。一种电工级氧化镁用添加剂的制备方法,包括如下步骤:1)称取氧化镁和二氧化硅;2)在混合搅拌器中混合得到混合料;3)把得到的混合料置于刚玉匣钵中,在高温炉中进行煅烧,保温后随炉冷却出料;4)将得到的物料冷却至室温,添加硼化合物,在另一搅拌器中搅拌;5)把得到的物料置于高温炉中煅烧,保温;6)把得到的物料冷却至室温,用机械粉碎机进行粉碎,并经筛网过筛,即得到含镁硅酸盐的添加剂。由于采用以上技术方案,本发明得到的添加剂添加到电熔氧化镁后,能大幅降低电工级高温氧化镁的泄漏电流,从而达到改善电加热元件的产品质量。

权利要求 :

1.一种电工级氧化镁用添加剂的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

1)称取重量比为1~2:1~3的氧化镁和二氧化硅;

2)在混合搅拌器中均匀混合25分钟~35分钟,得到混合料;

3)把步骤2)得到的混合料置于刚玉匣钵中,在1300℃~1600℃高温炉中进行煅烧,保温120分钟~180分钟,然后随炉冷却至480℃~520℃出料;

4)将步骤3)得到的物料冷却至室温,添加1%~4%的硼化合物,在另一搅拌器中搅拌

25分钟~35分钟;

5)把步骤4)得到的物料置于400℃~600℃的高温炉中煅烧,保温60~120分钟;

6)把步骤5)得到的物料冷却至室温,用机械粉碎机进行粉碎,并经70目~90目筛网过筛,即得到含镁硅酸盐的添加剂。

2.根据权利要求1所述的一种电工级氧化镁用添加剂的制备方法,其特征在于,步骤

2)中,在混合搅拌器中均匀混合30分钟,得到混合料。

3.根据权利要求2所述的一种电工级氧化镁用添加剂的制备方法,其特征在于,步骤

3)中,随炉冷却至500℃出料。

4.根据权利要求1所述的一种电工级氧化镁用添加剂的制备方法,其特征在于,步骤

3)中的高温炉采用箱式硅钼棒电阻炉。

5.根据权利要求1所述的一种电工级氧化镁用添加剂的制备方法,其特征在于,步骤

3)中的高温炉采用高温转炉。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述的一种电工级氧化镁用添加剂的制备方法,其特征在于,步骤4)中,在另一搅拌器中搅拌30分钟。

7.根据权利要求1所述的一种电工级氧化镁用添加剂的制备方法,其特征在于,步骤

6)中,采用80目筛网过筛,得到添加剂。

8.根据权利要求1或7所述的一种电工级氧化镁用添加剂的制备方法,其特征在于,为了获得适宜的加工性能,步骤1)中,采用的氧化镁和二氧化硅的目数为100目~200目的粉体。

说明书 :

一种电工级氧化镁用添加剂的制备方法

技术领域

[0001] 本发明涉及氧化镁技术领域,具体涉及一种氧化镁用添加剂的制备方法。

背景技术

[0002] 电工级高温氧化镁主要用于制作使用温度较高、能承受1050℃热处理的电加热元件。电熔氧化镁通过添加一种含镁硅酸盐的添加剂到电熔氧化镁中来改善电性能,通过制作电加热元件后能改善电加热元件的泄漏电流,因而被广泛地用作电热元件的填充料。影响电工级高温氧化镁泄漏电流因素很多,其中一个重要的因素就是电工级高温氧化镁的专用添加剂的质量。

发明内容

[0003] 本发明的目的在于,提供一种电工级氧化镁用添加剂的制备方法,解决以上技术问题。
[0004] 本发明所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现:
[0005] 一种电工级氧化镁用添加剂的制备方法,包括如下步骤:
[0006] 1)称取重量比为1~2:1~3的氧化镁和二氧化硅;
[0007] 2)在混合搅拌器中均匀混合25分钟~35分钟,得到混合料;
[0008] 3)把步骤2)得到的混合料置于刚玉匣钵中,在1300℃~1600℃高温炉中进行煅烧,保温120分钟~180分钟,然后随炉冷却至480℃~520℃出料;
[0009] 4)按照步骤3)冷却至室温得到的物料添加硼化合物1%~4%的重量份,在另一搅拌器中搅拌25分钟~35分钟;
[0010] 5)把步骤4)得到的物料置于400℃~600℃的高温炉中煅烧,保温60分钟~120分钟;
[0011] 6)把步骤5)得到的物料冷却至室温,用机械粉碎机进行粉碎,并经70目~90目筛网过筛,即得到含镁硅酸盐的添加剂。
[0012] 本发明采用上述氧化镁和二氧化硅为原料,以硼化合物为添加剂,经过高温合成镁硅酸盐而获得的电工级高温氧化镁用添加剂,区别于其他现有技术中利用天然矿石法生产的电工级氧化镁用添加剂。采用本发明制备方式制成的添加剂,其电性能绝大的优于利用天然矿石法生产的添加剂。
[0013] 步骤2)中,优选在混合搅拌器中均匀混合30分钟。
[0014] 步骤3)中,优选随炉冷却至500℃出料。
[0015] 步骤3)中的高温炉可以是箱式硅钼棒电阻炉,也可以是高温转炉,使用高温转炉后,可以实现连续化生产,实现产业化。
[0016] 步骤4)中,在另一搅拌器中优选搅拌30分钟。
[0017] 步骤6)中,优选采用80目筛网过筛,得到添加剂。
[0018] 为了获得适宜的加工性能,步骤1)中,优选采用的氧化镁和二氧化硅的目数为100目~200目的粉体,便于加工。
[0019] 有益效果:由于采用以上技术方案,本发明得到的电工级高温氧化镁用添加剂添加到电熔氧化镁后,能大幅降低电工级高温氧化镁的泄漏电流,从而达到改善最终产品,即电加热元件的产品质量。

附图说明

[0020] 图1为本发明的流程示意图。

具体实施方式

[0021] 为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体图示进一步阐述本发明。
[0022] 参照图1,一种电工级氧化镁用添加剂的制备方法,包括如下步骤:
[0023] 第一步,取料:称取重量比为1~2:1~3的氧化镁和二氧化硅。为了获得适宜的加工性能,优选采用的氧化镁和二氧化硅的目数为100目~200目的粉体,便于加工。
[0024] 第二步,混合:在混合搅拌器中均匀混合30分钟,得到混合料。
[0025] 第三步,煅烧:把第二步得到的混合料置于刚玉匣钵中,在1300℃~1600℃高温炉中进行煅烧,保温120分钟~180分钟,然后随炉冷却至500℃,出料。其中,高温炉可以是箱式硅钼棒电阻炉,也可以是高温转炉,使用高温转炉后,既可以使最终得到的添加剂质量均一稳定,还可以实现连续化生产,实现产业化。
[0026] 第四步,加料混合:将步骤3)得到的物料冷却至室温,添加硼化合物,硼化合物添加量是步骤3)冷却至室温得到的物料的1%~4%重量比,在另一搅拌器中搅拌30分钟。
[0027] 第五步,再次煅烧:把第四步得到的物料置于400℃~600℃的高温炉中煅烧,保温60~120分钟;
[0028] 第六步,粉碎过筛:把第五步得到的物料冷却至室温,用机械粉碎机进行粉碎,并经80目筛网过筛,即得到含镁硅酸盐的添加剂。
[0029] 实施方式一:
[0030] 包括如下重量比成份:氧化镁1重量份,二氧化硅1.75重量份,硼化合物2.15%。
[0031] 选取1重量份的氧化镁和1.75重量份的二氧化硅,在混合搅拌器中均匀混合25分钟,得到混合料。把得到的混合料置于刚玉匣钵中,在1300℃高温转炉中进行煅烧,保温120分钟,然后随炉冷却至480℃出料。将出料后的物料冷却至室温,添加2.15%的硼化合物,在另一搅拌器中搅拌30分钟。把得到的物料置于400℃的高温炉中煅烧,保温60分钟。
把得到的物料冷却至室温,用机械粉碎机进行粉碎,并经70目筛网过筛,即得到含镁硅酸盐的添加剂。
[0032] 实施方式二:
[0033] 包括如下重量比成份:氧化镁1.85重量份,二氧化硅2.55重量份,硼化合物1.35%。
[0034] 选取1.85重量份的氧化镁和2.55重量份的二氧化硅,在混合搅拌器中均匀混合35分钟,得到混合料。把得到的混合料置于刚玉匣钵中,在1600℃高温转炉中进行煅烧,保温180分钟,然后随炉冷却至520℃出料。将出料后的物料冷却至室温,添加1.35%的硼化合物,在另一搅拌器中搅拌35分钟。把得到的物料置于600℃的高温炉中煅烧,保温120分钟。把得到的物料冷却至室温,用机械粉碎机进行粉碎,并经90目筛网过筛,即得到含镁硅酸盐的添加剂。
[0035] 实施方式三:
[0036] 包括如下重量比成份:氧化镁1.5重量份,二氧化硅2.85重量份,硼化合物2.5%。
[0037] 选取1.5重量份的氧化镁和2.85重量份的二氧化硅,在混合搅拌器中均匀混合30分钟,得到混合料。把得到的混合料置于刚玉匣钵中,在1500℃高温转炉中进行煅烧,保温150分钟,然后随炉冷却至500℃出料。将出料后的物料冷却至室温,添加2.5%的硼化合物,在另一搅拌器中搅拌30分钟。把得到的物料置于500℃的高温炉中煅烧,保温90分钟。把得到的物料冷却至室温,用机械粉碎机进行粉碎,并经80目筛网过筛,即得到含镁硅酸盐的添加剂。
[0038] 用上述实施方式二方法生产的含镁硅酸盐的添加剂(为Ms助剂)与天然矿石法生产的助剂(为H助剂),把这些添加剂添加到电熔氧化镁粉中生产电工级高温氧化镁的泄漏电流对比,对比结果如下:
[0039]2
[0040] 注:泄漏电流测试仪器为:PA30型数字泄漏电流测试仪,测试管表负荷为10w/cm[0041] 以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。