一种芯片承载基板结构，至少包含金属基底层、阻隔层、凸块结构、绝缘材料层、线路层以及防焊层，阻隔层的材料不同于金属基底层、该凸块结构的材料，设置于金属基底层及该凸块结构之间，该线路层与该凸块结构连接，藉由设置阻隔层于金属基底层及凸块结构之间，能够使得在制作过程使凸块结构的形状、深度维持恒定，避免产生深度不一致及容易脱层的问题，提升整体制作的良率。
一阻隔层，形成在该金属基底层上，且完全覆盖该金属基底层的一上表面；
一绝缘材料层，填入该凸块结构与该阻隔层之间，使该绝缘材料层覆盖该阻隔层但该凸块结构的一表面从该绝缘材料层露出；
一线路层，形成在该绝缘材料层及该凸块结构上，且与该凸块结构连接；以及一防焊层，形成于该绝缘材料与该线路层之上，包覆部分的该线路层，其中该阻隔层的材料不同于该金属基底层及该凸块结构的材料，该凸块结构的该表面与该绝缘材料层形成一共面平面，该线路层形成在部分的该共面平面之上。
2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该阻隔层不完全覆盖该金属基底层的该上表面，且位于该凸块结构的底部，使得该绝缘材料层进一步填入该凸块结构与该阻隔层及该金属基底层之间，使该绝缘材料层覆盖该阻隔层及该金属基底层但该凸块结构的该表面从该绝缘材料层露出。
3.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该金属基底层、该凸块结构、以及该线路层的材料为铜、铝的至少其中之一，而该阻隔层的材料为锡、镍、钛、钯的至少其中之一，与该金属基底层材料形成介金属化合物，且该阻隔层的厚度为3～10μm，该绝缘材料层为BT树脂、玻璃纤维、ABF胶膜的其中之一。
一阻隔层，形成在该金属基底层上，且完全覆盖该金属基底层的一上表面；
一绝缘材料层，填入该凸块结构与该阻隔层之间，使该绝缘材料层覆盖该阻隔层但该凸块结构的一表面从该绝缘材料层露出；
至少一导电层，形成于该至少一碳纤维预浸布上，该至少一导电层与该至少一碳纤维预浸布为一对一的配置，该至少一导电层的一表面从该绝缘材料层露出，使该至少一导电层、该凸块结构的该表面与该绝缘层形成一共面表面；
一线路层，形成在部分的该共面平面上，且与该凸块结构及该至少一导电层连接；以及一防焊层，将未被该线路层覆盖的该绝缘材料及该至少一导电层包覆，同时包覆部分的该线路层，其中该阻隔层的材料不同于该金属基底层及该凸块结构的材料。
5.如权利要求4所述的结构，其特征在于，该阻隔层不完全覆盖该金属基底层的该上表面，且位于该凸块结构的底部，使得该绝缘材料层进一步填入该凸块结构与该阻隔层及该金属基底层之间，使该绝缘材料层覆盖该阻隔层及该金属基底层但该凸块结构的一表面从该绝缘材料层露出。
6.如权利要求4所述的结构，其特征在于，该金属基底层、该凸块结构、该至少一导电层以及该线路层的材料为铜、铝的至少其中之一，而该阻隔层的材料为锡、镍、钛、钯的至少其中之一，与该金属基底层材料形成介金属化合物，且该阻隔层的厚度为3～10μm，该绝缘材料层为BT树脂、玻璃纤维、ABF胶膜的至少其中之一。
芯片承载基板结构
技术领域
[0001] 本发明涉及一种芯片承载基板结构，主要是利用基底上增加阻隔层，以维持凸块(Paddle)结构的制作恒定性，并使芯片承载基板不易发生脱层问题。
背景技术
[0002] 如图1A及图1B，分别为现有技术芯片承载基板结构第一示例及第二示例的剖面示意图。如图1A所示，现有技术芯片承载基板结构100包含一金属基底层10、形成在金属基底层10上的凸块结构(paddle)15、绝缘材料层30、线路层40以及防焊层60，绝缘材料层30填入凸块结构15与金属基底层10之间，使该绝缘材料层30覆盖金属基底层10但凸块结构15的一平面从绝缘材料层30露出，而形成一共面平面。线路层40形成在该共面平面之上，与凸块结构15连接，而防焊层60形成于绝缘材料层30与线路层40之上，包覆部分线路层40，以免在形成焊垫(未显示)时，造成短路。
[0003] 如图1B所示，现有技术芯片承载基板结构150，在第一示例的结构作为变化，是在绝缘材料层30中埋入碳纤维预浸布50以及形成于其上的导电层55，线路层式形成于凸块结构15、绝缘材料层30及导电层55的一共面平面上，与该凸块结构15及该导电层50连接。
[0004] 现有的芯片承载板结构的缺点在于，凸块结构15通常是以蚀刻方式，直接从线路层40产生，由于都是同一种材质，在量产时凸块结构15的形状、蚀刻的深度、空缺的深度都难以维持一定，这使得不论是后续的绝缘材料层30难以维持平坦表面，碳纤维预浸布50以及形成于其上的导电层55的位置也难以恒定，这在受到外力时芯片承载基板容易发生脱层的现象，使得良率难以提升。
发明内容
[0005] 本发明的主要目的在提供一种芯片承载基板结构，该结构包含：一金属基底层；一阻隔层，形成在该金属基底层上，至少覆盖该金属基底层的一上表面的一部分；一凸块结构，形成于该阻隔层上；一绝缘材料层，填入该凸块结构与该阻隔层之间，使该绝缘材料层覆盖该阻隔层但该凸块结构的一平面从该绝缘材料层露出；一线路层，形成在该绝缘材料层及该凸块结构上，且与该凸块结构连接；以及一防焊层，形成于该绝缘材料与该线路层之上，包覆部分的该线路层，其中该凸块结构的该表面与该绝缘材料层形成一共面平面，该线路层形成在部分的该共面平面之上。
[0006] 本发明的另一目的在提供一种芯片承载基板结构，该结构包含：一金属基底层；一阻隔层，形成在该金属基底层上，至少覆盖该金属基底层的一上表面的一部分；一凸块结构，形成于该阻隔层上；一绝缘材料层，填入该凸块结构与该阻隔层之间，使该绝缘材料层覆盖该阻隔层但该凸块结构的一平面从该绝缘材料层露出；至少一碳纤维预浸布；至少一导电层，形成于该至少一碳纤维预浸布上，该至少一导电层与该至少一碳纤维预浸布为一对一的配置，该至少一导电层的一表面从该绝缘材料层露出，使该至少一导电层、该凸块结构的该表面与该绝缘层形成一共面表面；一线路层，形成在部分的该共面平面上，且与该凸块结构及该至少一导电层连接；以及一防焊层，将未被该线路层覆盖的该绝缘材料及该至少一导电层包覆，同时包覆部分的该线路层。
[0007] 该阻隔层可以完全覆盖金属基底层的上表面，或是仅位于凸块结构的底部，藉由设置阻隔层于金属基底层及凸块结构之间，能够使得在制作过程使凸块结构的形状、深度维持恒定，避免产生深度不一致及容易脱层的问题，提升整体制作的良率。
附图说明
[0008] 图1A是现有技术芯片承载基板结构第一示例的剖面示意图。
[0009] 图1B是现有技术芯片承载基板结构第一示例的剖面示意图。
[0010] 图2A是本发明芯片承载基板结构第一实施例的剖面示意图。
[0011] 图2B是本发明芯片承载基板结构第二实施例的剖面示意图。
[0012] 图3A是本发明芯片承载基板结构第三实施例的剖面示意图。
[0013] 图3B是本发明芯片承载基板结构第四实施例的剖面示意图。
[0014] 其中，附图标记说明如下：
[0015] 1 芯片承载基板结构
[0016] 2 芯片承载基板结构
[0017] 3 芯片承载基板结构
[0018] 4 芯片承载基板结构
[0019] 10 金属基底层
[0020] 11 金属基底层
[0021] 13 凸块结构
[0022] 15 凸块结构
[0023] 20 阻隔层
[0024] 22 阻隔层
[0025] 30 绝缘材料层
[0026] 40 线路层
[0027] 50 碳纤维预浸布
[0028] 55 导电层
[0029] 60 防焊层
[0030] 100 芯片承载基板结构
[0031] 150 芯片承载基板结构
具体实施方式
[0032] 以下配合附图及附图标记对本发明的实施方式做更详细的说明，使熟习本领域的技术人员在研读本说明书后能据以实施。
[0033] 如图2A及图2B，分别为本发明芯片承载基板结构第一实施例及第二实施示例的剖面示意图。如图2A所示，本发明第一实施例的芯片承载基板结构1包含一金属基底层11、一阻隔层20、一凸块结构13、绝缘材料层30、线路层40以及防焊层60。阻隔层20形成在金属基底层11上，且覆盖金属基底层11的上表面，凸块结构13形成于阻隔层20上，绝缘材料层30填入凸块结构13与阻隔层20之间，使绝缘材料层30覆盖阻隔层20但凸块结构13的一表面从绝缘材料层30露出，与绝缘材料层30形成一共面平面。线路层40形成在部分的该共面平面上，与凸块结构13连接，而防焊层60形成于绝缘材料层30与线路层40之上，覆盖未被该线路层40的该绝缘材料层30以及部分线路层40，以免在形成焊垫(未显示)时，造成短路。
[0034] 如图2B所示，其本发明第二实施例的芯片承载基板结构2，基本与第一实施例相同，唯阻隔层22形成在金属基底层11与凸块结构13之间，仅形成在凸块结构13的底部，而不完全覆盖金属基底层11，而绝缘材料层30填入凸块结构13与阻隔层20、金属基底层11之间，使绝缘材料层30覆盖阻隔层20及金属基底层11但凸块结构13的一表面从绝缘材料层30露出。
[0035] 如图3A及图3B，分别为本发明芯片承载基板结构第三实施例及第四实施示例的剖面示意图。如图3A所示，本发明第三实施例的芯片承载基板结构3包含一金属基底层11、一阻隔层20、一凸块结构13、绝缘材料层30、线路层40、至少一碳纤维预浸布50、至少一导电层55以及防焊层60。阻隔层20形成在金属基底层11上，且覆盖金属基底层11的上表面，凸块结构13形成于阻隔层20上，绝缘材料层30填入凸块结构13与阻隔层20，使绝缘材料层30覆盖阻隔层20但凸块结构13的一表面从绝缘材料层30露出，碳纤维预浸布50以及形成于其上的导电层55镶设于绝缘材料层30中，导电层55显露于绝缘材料层30，而使得凸块结构13的表面、导电层55以及绝缘材料层30形成一共面平面。
[0036] 线路层40形成在部分的该共面平面之上，与凸块结构13及该导电层55连接，而防焊层60形成于绝缘材料30、线路层40以及导电层55之上，将外被线路层40覆盖的绝缘材料30及导电层55包覆，同时包覆部分线路层40，以免在形成焊垫(未显示)时，造成短路。
[0037] 如图3B所示，其本发明第四实施例的芯片承载基板结构4，基本与第三实施例相同，唯阻隔层22形成在金属基底层11与凸块结构13之间，仅形成在凸块结构13的底部，而不完全覆盖金属基底层11，而绝缘材料层30填入凸块结构13与阻隔层22、金属基底层11之间，使绝缘材料层30覆盖阻隔层20及金属基底层11但凸块结构13的一表面从绝缘材料层30露出。
[0038] 其中金属基底层11、凸块结构13、线路层40以及导电层55的材料为铜、铝的至少其中之一，而阻隔层20、22的材料为锡、镍、钛、钯的至少其中之一，进一步与金属基底层11的材料形成介金属化合物，且该阻隔层20、22的厚度范围是3～10μm。绝缘材料层30为BT树脂、玻璃纤维、ABF(Ajinomoto Build-Up Film)胶膜等。
[0039] 本发明的特点在于藉由设置阻隔层20于金属基底层11及凸块结构13之间，能够使得在制作过程使凸块结构13的形状、深度维持恒定，避免产生深度不一致及容易脱层的问题，提升整体制作的良率。
[0040] 以上所述内容仅为用以解释本发明的较佳实施例，并非企图据以对本发明做任何形式上的限制，因此，凡有在相同的发明精神下所作有关本发明的任何修饰或变更，皆仍应包括在本发明意图保护的范畴。
