OLED器件封装结构

摘要

一种OLED器件封装结构，包括：上玻璃基板，下玻璃基板，连接上玻璃基板、下玻璃基板的玻璃封装料；在所述下玻璃基板靠近所述玻璃封装料处开设凹槽。在激光进行封装的时候，激光对玻璃封装料进行加热，玻璃封装料处于熔融状态，在受到上、下玻璃基板的贴合过程中的压力，熔融状态的玻璃封装料流入开设的凹槽中，防止玻璃封装料溢流出玻璃基板，避免OLED器件遭受破坏，提高OLED的封装良品率。

权利要求

1.一种OLED器件封装结构，其特征在于，包括：上玻璃基板，下玻璃基板，连接上玻璃基板、下玻璃基板的玻璃封装料；在所述下玻璃基板靠近所述玻璃封装料处开设凹槽，所述凹槽开设在所述玻璃封装料所对应的所述下玻璃基板上，所述凹槽为倒T型；

所述玻璃封装料的质量分数为：16％的B2O3、35％的ZnO、29％的P2O5、20％的Co2O3；

还包括预警层，所述预警层设置在所述玻璃封装的内侧，所述预警层为水致变色材料，所述水致变色材料为无水硫酸铜或无水氯化钴。

2.根据权利要求1所述的OLED器件封装结构，其特征在于，在所述玻璃封装料的两侧的所述下玻璃基板上开设凹槽。

3.根据权利要求1所述的OLED器件封装结构，其特征在于，还包括，在所述上玻璃基板靠近所述玻璃封装料处开设凹槽。

4.根据权利要求3所述的OLED器件封装结构，其特征在于，在所述玻璃封装料的两侧的所述上玻璃基板上开设凹槽。

说明书

OLED器件封装结构

技术领域

[0001] 本发明涉及封装技术，特别是涉及一种OLED器件封装结构。

背景技术

[0002] 随着技术的发展，OLED封装技术从胶水封装发展到目前的激光封装。激光对OLED器件进行封装的时候，上下玻璃基板之间的玻璃封装材料受到激光的加热，玻璃封装料开始融化，在上下玻璃基板的贴合过程中（即上下玻璃基板受到压力），由于玻璃封装料为熔融状态，在受到压力的情况下会朝外侧溢流出，或者朝内侧（OLED芯片方向）流动，使得OLED器件遭受破坏，造成OLED的封装良品率降低。

发明内容

[0003] 基于此，提供一种防止玻璃封装料溢出的OLED器件封装结构。

[0004] 一种OLED器件封装结构，包括：上玻璃基板，下玻璃基板，连接上玻璃基板、下玻璃基板的玻璃封装料；在所述下玻璃基板靠近所述玻璃封装料处开设凹槽。

[0005] 在其中一个实施例中，在所述玻璃封装料的两侧的所述下玻璃基板上开设凹槽。

[0006] 在其中一个实施例中，在所述玻璃封装料所对应的所述下玻璃基板上开设凹槽。

[0007] 在其中一个实施例中，还包括：预警层，所述预警层设置在所述玻璃封装的内侧，所述预警层为水致变色材料。

[0008] 在其中一个实施例中，所述水致变色材料为无水硫酸铜或无水氯化钴。

[0009] 在其中一个实施例中，所述凹槽为倒T型。

[0010] 在其中一个实施例中，还包括，在所述上玻璃基板靠近所述玻璃封装料处开设凹槽。

[0011] 在其中一个实施例中，在所述玻璃封装料的两侧的所述上玻璃基板上开设凹槽。

[0012] 在其中一个实施例中，所述玻璃封装料的组分为：10-20%的B2O3、25-45%的ZnO、25-45%的P2O5、0-20的%Co2O3、0-20%的CuO。

[0013] 在其中一个实施例中，所述玻璃封装料的组分为：16%的B2O3、35%的ZnO、29%的P2O5、20%的Co2O3。

[0014] 在激光进行封装的时候，激光对玻璃封装料进行加热，玻璃封装料处于熔融状态，在受到上、下玻璃基板的贴合过程中的压力，熔融状态的玻璃封装料流入开设的凹槽中，防止玻璃封装料溢流出玻璃基板，避免OLED器件遭受破坏，提高OLED的封装良品率。

附图说明

[0015] 图1为一实施例OLED器件封装结构示意图；

[0016] 图2为另一实施例OLED器件封装结构示意图；

[0017] 图3为一实施例OLED器件封装结构正视图；

[0018] 图4为另一实施例OLED器件封装结构示意图；

[0019] 图5为另一实施例OLED器件封装结构示意图；

[0020] 图6为一实施例具有预警层的OLED器件封装结构示意图。

具体实施方式

[0021] 为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

[0022] 参阅附图1～5，OLED器件封装结构，包括：上玻璃基板1，下玻璃基板2、玻璃封装料3以及在玻璃基板上开设的凹槽4。

[0023] 上玻璃基板1，是OLED器件重要的组成构件之一，一般为透明的玻璃基板构成。

[0024] 下玻璃基板2，是OLED器件重要的组成构件之一，OLED芯片、电极（图未示）等设置在下玻璃基板2上。

[0025] 玻璃封装料3，连接上玻璃基板1和下玻璃基板2，密封上玻璃基板1和下玻璃基板2。具体地，玻璃封装料3一般是预烧结在上玻璃基板1上，然后上玻璃基板1与下玻璃基板2对位准确，最后通过激光对玻璃封装料3进行加热，实现上玻璃基板1与下玻璃基板2的封装。

[0026] 在靠近玻璃封装料3处的下玻璃基板2上开设有凹槽4。可以理解，该凹槽4可以在玻璃封装料3的两侧皆开设，或者在玻璃封装料3的一侧开设，或者在玻璃封装料3所对应的下玻璃基板2上开设。

[0027] 在激光进行封装的时候，激光对玻璃封装料3进行加热，玻璃封装料3处于熔融状态，在受到上、下玻璃基板的贴合过程中的压力，熔融状态的玻璃封装料3流入开设的凹槽4中，防止玻璃封装料3溢流出玻璃基板，避免OLED器件遭受破坏，提高OLED的封装良品率。

[0028] 把凹槽4设置在玻璃封装料3所对应的下玻璃基板2上，由于重力的作用，玻璃封装料3恰能够流入到该凹槽4内，更为有效的防止玻璃封装料3溢流。

[0029] 在一实施例中，结合附图4～5，该凹槽4设置为倒T型，熔融状态的玻璃封装料3流入到T型的凹槽4内，当玻璃封装料3冷却后，玻璃封装料3形成一个卡合件，紧密的把上、下玻璃基板2连接为一体，密封性更佳。

[0030] 在一实施例中，结合附图6，器件封装结构，还包括：预警层5，预警层5设置在玻璃封装的内侧，预警层5为水致变色材料。

[0031] 具体地，预警层5设置在玻璃封装料3的内侧，即OLED器件的密封区域的内部。而预警层5是水致变色材料（遇水变颜色）制成，最佳的是无水硫酸铜（遇水变蓝色）或无水氯化钴（遇水变粉红色）。可以理解，水致变色材料可以多种，例如是碘单质或高锰酸钾等。

[0032] 由于密封的OLED器件，在使用一段时间后，玻璃封装料3或多或少的会产生一些裂缝，水汽就会通过这些裂缝进入OELD器件内部。通过设置具有该水致变色材料的预警层5，水汽进入OLED器件内部时遇到水致变色材料变色，可以起到预警作用，告知使用该OLED器件的用户：该OLED器件即将损坏，需要及时更换。

[0033] 在一实施例中，器件封装结构上开设的凹槽4，除了在下玻璃基板2上开设的同时，还可以在上玻璃基板1上开设凹槽4，凹槽4开设的位置为靠近玻璃封装料3。进一步地，在玻璃封装料3的两侧的上玻璃基板1上开设凹槽4。

[0034] 在一实施例中，为了使得玻璃封装料3具有更佳的热膨胀系数及熔点温度，玻璃封装料3组分的质量分数为：10-20%的B2O3、25-45%的ZnO、25-45%的P2O5、0-20的%Co2O3、0-20%的CuO。

[0035] 最佳的为：16%的B2O3、35%的ZnO、29%的P2O5、20%的Co2O3。

[0036] 具体地，玻璃封装料3的种类对封装效果有较大的影响，结合以下附表，该种玻璃封装料3各种配比的实验效果。理想状态下CTE以及熔点温度数值越小越好，但是实际上降低熔点温度时，热膨胀系数则会升高，反之也一样。传统玻璃料采用五氧化二钒作为吸收剂加入到玻璃料中，但是五氧化二钒为有毒物质，如果操作不当会对环境造成影响；此外，传统材料，虽然保证了玻璃料的融化温度下降，但是玻璃料与玻璃基板之间的CTE（热膨胀系数）差别很大，在封接时容易造成裂纹和坍塌。

[0037] 注：各物质的数值为质量数比。

[0038]

[0039] 采用以上配比组分的玻璃料，添加三氧化二钴作为吸收剂，激光吸收率高，使得激光封装工艺时间缩短。此外该种材料不含有毒成分，不污染环境，还具有熔点低、CTE系数低的特点。

[0040] 以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。