阵列基板的制作方法

摘要

本发明公开了一种阵列基板的制作方法，涉及显示技术领域，简化了绝缘层通孔的制作过程。该阵列基板的制作方法，包括：在基板上沉积金属层；在基板上涂布光刻胶；对金属层刻蚀区域的光刻胶进行完全曝光并显影，使金属层刻蚀区域的光刻胶被去除，绝缘层通孔区域为不进行曝光的区域，对绝缘层通孔区域之外的光刻胶进行半曝光并显影，使绝缘层通孔区域之外的光刻胶厚度变薄；对金属层刻蚀区域的金属层进行刻蚀；对金属层刻蚀区域之外的光刻胶进行灰化，使金属层刻蚀区域和绝缘层通孔区域之外的光刻胶被去除，使绝缘层通孔区域的光刻胶厚度变薄；沉积绝缘层；剥离绝缘层通孔区域的光刻胶，形成绝缘层通孔。

权利要求

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在基板上沉积金属层；

在包括所述金属层的基板上涂布光刻胶；

对金属层刻蚀区域的光刻胶进行完全曝光并显影，使所述金属层刻蚀区域的光刻胶被去除，绝缘层通孔区域为不进行曝光的区域，对所述绝缘层通孔区域之外的光刻胶进行半曝光并显影，使所述绝缘层通孔区域之外的光刻胶厚度变薄；

对所述金属层刻蚀区域的金属层进行刻蚀；

对所述金属层刻蚀区域之外的光刻胶进行灰化，使所述金属层刻蚀区域和绝缘层通孔区域之外的光刻胶被去除，使所述绝缘层通孔区域的光刻胶厚度变薄；

在包括所述绝缘层通孔区域光刻胶的基板上沉积绝缘层；

剥离所述绝缘层通孔区域的光刻胶，形成绝缘层通孔。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述金属层为源漏金属层，所述绝缘层为钝化层，所述绝缘层通孔区域为钝化层通孔区域；

所述对所述金属层刻蚀区域的金属层进行刻蚀的过程为：对所述源漏金属层刻蚀区域的源漏金属层进行刻蚀，形成包括数据线和TFT源漏极的图案，所述钝化层通孔区域位于所述TFT的漏极处；

在所述形成绝缘层通孔之后，还包括：

在包括所述绝缘层通孔的基板上形成透明电极，使所述透明电极通过所述绝缘层通孔与所述TFT的漏极连接。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述金属层为栅极金属层，所述绝缘层为栅极绝缘层；

所述对所述金属层刻蚀区域的金属层进行刻蚀的过程为：对所述栅极金属层刻蚀区域的栅极金属层进行刻蚀，形成包括栅线、开关TFT栅极和驱动TFT栅极的图案，所述绝缘层通孔区域位于所述驱动TFT的栅极处；

在所述剥离所述绝缘层通孔区域的光刻胶，形成绝缘层通孔的过程之前，还包括：在包括所述绝缘层的基板上形成有源层；

在所述剥离所述绝缘层通孔区域的光刻胶，形成绝缘层通孔的过程之后，还包括：在包括所述绝缘层通孔的基板上沉积源漏金属层，使所述开关TFT的漏极通过所述绝缘层通孔与所述驱动TFT的栅极连接。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述包括所述绝缘层通孔的基板上沉积源漏金属层的过程之后，还包括：在包括所述源漏金属层的基板上涂布光刻胶；

对源漏金属层刻蚀区域的光刻胶进行完全曝光并显影，使所述源漏金属层刻蚀区域的光刻胶被去除，钝化层通孔区域为不进行曝光的区域，对所述钝化层通孔区域之外的光刻胶进行半曝光并显影，使所述钝化层通孔区域之外的光刻胶厚度变薄；

对所述源漏金属层刻蚀区域的源漏金属层进行刻蚀，形成包括数据线、开关TFT源漏极和驱动TFT源漏极的图案，所述钝化层通孔区域位于所述驱动TFT的漏极处；

对所述源漏金属层刻蚀区域之外的光刻胶进行灰化，使所述源漏金属层刻蚀区域和钝化层通孔区域之外的光刻胶被去除，使所述钝化层通孔区域的光刻胶厚度变薄；

在包括所述钝化层通孔区域光刻胶的基板上沉积钝化层，剥离所述钝化层通孔区域的光刻胶，形成钝化层通孔。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述形成钝化层通孔之后，还包括：

在包括所述钝化层通孔的基板上形成透明电极，所述透明电极通过所述钝化层通孔与所述驱动TFT的漏极连接。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述半曝光为半色调曝光或灰度色调曝光。

7.根据权利要求1至5中任意一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述灰化为O2等离子体灰化。

说明书

阵列基板的制作方法

技术领域

[0001] 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制作方法。

背景技术

[0002] 显示器的阵列基板是由不同的层结构组成，其中，绝缘层上往往会制作一些通孔以使被绝缘层隔开的导电部分相连通。比如，在专利申请号为：“201110461345.3”的文件中也公开了通过在绝缘层上制作过孔以使被绝缘层隔开的导电部分相连通。

[0003] 然而，由于每层绝缘层上的通孔都需要使用单独的构图工艺进行制作，并且阵列基板上往往包括多个绝缘层，因此通孔制作过程较为复杂。

发明内容

[0004] 本发明提供一种阵列基板的制作方法，简化了绝缘层通孔的制作过程。

[0005] 为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

[0006] 提供一种阵列基板的制作方法，包括：

[0007] 在基板上沉积金属层；

[0008] 在包括所述金属层的基板上涂布光刻胶；

[0009] 对金属层刻蚀区域的光刻胶进行完全曝光并显影，使所述金属层刻蚀区域的光刻胶被去除，绝缘层通孔区域为不进行曝光的区域，对所述绝缘层通孔区域之外的光刻胶进行半曝光并显影，使所述绝缘层通孔区域之外的光刻胶厚度变薄；

[0010] 对所述金属层刻蚀区域的金属层进行刻蚀；

[0011] 对所述金属层刻蚀区域之外的光刻胶进行灰化，使所述金属层刻蚀区域和绝缘层通孔区域之外的光刻胶被去除，使所述绝缘层通孔区域的光刻胶厚度变薄；

[0012] 在包括所述绝缘层通孔区域光刻胶的基板上沉积绝缘层；

[0013] 剥离所述绝缘层通孔区域的光刻胶，形成绝缘层通孔。

[0014] 可选地，所述金属层为源漏金属层，所述绝缘层为钝化层，所述绝缘层通孔区域为钝化层通孔区域；

[0015] 所述对所述金属层刻蚀区域的金属层进行刻蚀的过程为：

[0016] 对所述源漏金属层刻蚀区域的源漏金属层进行刻蚀，形成包括数据线和TFT源漏极的图案，所述钝化层通孔区域位于所述TFT的漏极处；

[0017] 在所述形成绝缘层通孔之后，还包括：

[0018] 在包括所述绝缘层通孔的基板上形成透明电极，使所述透明电极通过所述绝缘层通孔与所述TFT的漏极连接。

[0019] 可选地，所述金属层为栅极金属层，所述绝缘层为栅极绝缘层；

[0020] 所述对所述金属层刻蚀区域的金属层进行刻蚀的过程为：

[0021] 对所述栅极金属层刻蚀区域的栅极金属层进行刻蚀，形成包括栅线、开关TFT栅极和驱动TFT栅极的图案，所述绝缘层通孔区域位于所述驱动TFT的栅极处；

[0022] 在所述剥离所述绝缘层通孔区域的光刻胶，形成绝缘层通孔的过程之前，还包括：

[0023] 在包括所述绝缘层的基板上形成有源层；

[0024] 在所述剥离所述绝缘层通孔区域的光刻胶，形成绝缘层通孔的过程之后，还包括：

[0025] 在包括所述绝缘层通孔的基板上沉积源漏金属层，使所述开关TFT的漏极通过所述绝缘层通孔与所述驱动TFT的栅极连接。

[0026] 具体地，在所述包括所述绝缘层通孔的基板上沉积源漏金属层的过程之后，还包括：

[0027] 在包括所述源漏金属层的基板上涂布光刻胶；

[0028] 对源漏金属层刻蚀区域的光刻胶进行完全曝光并显影，使所述源漏金属层刻蚀区域的光刻胶被去除，钝化层通孔区域为不进行曝光的区域，对所述钝化层通孔区域之外的光刻胶进行半曝光并显影，使所述钝化层通孔区域之外的光刻胶厚度变薄；

[0029] 对所述源漏金属层刻蚀区域的源漏金属层进行刻蚀，形成包括数据线、开关TFT源漏极和驱动TFT源漏极的图案，所述钝化层通孔区域位于所述驱动TFT的漏极处；

[0030] 对所述源漏金属层刻蚀区域之外的光刻胶进行灰化，使所述源漏金属层刻蚀区域和钝化层通孔区域之外的光刻胶被去除，使所述钝化层通孔区域的光刻胶厚度变薄；

[0031] 在包括所述钝化层通孔区域光刻胶的基板上沉积钝化层，剥离所述钝化层通孔区域的光刻胶，形成钝化层通孔。

[0032] 具体地，在所述形成钝化层通孔之后，还包括：

[0033] 在包括所述钝化层通孔的基板上形成透明电极，所述透明电极通过所述钝化层通孔与所述驱动TFT的漏极连接。

[0034] 具体地，所述半曝光为半色调曝光或灰度色调曝光。

[0035] 具体地，所述灰化为O2等离子体灰化。

[0036] 本发明提供的阵列基板的制作方法，通过半曝光工艺使作为金属层掩模板的光刻胶在通孔区域保留，在沉积绝缘层之后，剥离通孔区域的光刻胶，此时通孔区域的绝缘层被同时剥离，因此无需单独的构图工艺来制作通孔，简化了绝缘层通孔的制作过程，避免了较多的曝光和干刻处理工序对器件均匀性和稳定性的影响。

附图说明

[0037] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

[0038] 图1为本发明实施例一中一种阵列基板的制作方法流程图；

[0039] 图2至图7为本发明实施例一中一种阵列基板的剖面示意图；

[0040] 图8为本发明实施例二中一种阵列基板的制作方法流程图；

[0041] 图9为本发明实施例三中一种阵列基板的制作方法流程图；

[0042] 图10、11、13、14、15、16、18、19、20、22、23和24为本发明实施例三中一种阵列基板的剖面示意图；

[0043] 图12、17、21和25为本发明实施例三中一种阵列基板的平面示意图。

具体实施方式

[0044] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。

[0045] 实施例一

[0046] 如图1所示，本实施例提供一种阵列基板的制作方法，包括：

[0047] 步骤101、如图2所示，在基板上沉积金属层1；

[0048] 步骤102、在包括上述金属层1的基板上涂布光刻胶2；

[0049] 步骤103、如图3所示，对金属层刻蚀区域的光刻胶进行完全曝光并显影，使上述金属层刻蚀区域的光刻胶2被去除，绝缘层通孔区域为不进行曝光的区域，即绝缘层通孔区域的光刻胶2完全保留，对上述绝缘层通孔区域之外的光刻胶2进行半曝光并显影，使上述绝缘层通孔区域之外的光刻胶2厚度变薄；

[0050] 步骤104、如图4所示，通过光刻胶2作为掩模板对上述金属层刻蚀区域的金属层1进行刻蚀，得到金属层图案；

[0051] 步骤105、如图5所示，对上述金属层刻蚀区域之外的光刻胶进行灰化，使上述金属层刻蚀区域和绝缘层通孔区域之外的光刻胶被去除，使上述绝缘层通孔区域的光刻胶2厚度变薄，由于在灰化之前绝缘层通孔区域的光刻胶2最厚，因此通过灰化可以方便地去除绝缘层通孔区域之外的光刻胶2，而仅保留绝缘层通孔区域的光刻胶2；

[0052] 步骤106、如图6所示，在包括上述绝缘层通孔区域光刻胶的基板上沉积绝缘层3；

[0053] 步骤107、如图7所示，剥离上述绝缘层通孔区域的光刻胶，由于之前绝缘层通孔区域的绝缘层覆盖在光刻胶上，因此在剥离光刻胶的过程中自然去除了绝缘层通孔区域的绝缘层，从而自然形成绝缘层通孔。

[0054] 需要说明的是，上述的半曝光可以为半色调(Halftone)曝光或灰度色调(Graytone)曝光，用于通过限制曝光时的透过率来控制显影后光刻胶残留厚度。另外，上述灰化具体可以为O2等离子体灰化。

[0055] 本实施例中阵列基板的制作方法，通过半曝光工艺使作为金属层掩模板的光刻胶在通孔区域保留，在沉积绝缘层之后，剥离通孔区域的光刻胶，此时通孔区域的绝缘层被同时剥离，因此无需单独的构图工艺来制作通孔，简化了绝缘层通孔的制作过程，避免了较多的曝光和干刻处理工序对器件均匀性和稳定性的影响。

[0056] 实施例二

[0057] 在实施例一的基础上，本实施例通过液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)阵列基板的制作方法为例具体说明钝化层通孔的制作。

[0058] 上述金属层在本实施例中为源漏金属层，上述绝缘层在本实施例中为钝化层，上述绝缘层通孔区域在本实施例中为钝化层通孔区域。

[0059] 具体地，如图8所示，在上述步骤101之前，还包括：

[0060] 步骤100、在基板上形成包括薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的图案；

[0061] 上述步骤101具体为步骤1011、在包括上述TFT图案的基板上沉积源漏金属层。

[0062] 步骤102、在包括上述TFT图案的基板上沉积源漏金属层；

[0063] 步骤103、对源漏金属层刻蚀区域的光刻胶进行完全曝光并显影，使上述源漏金属层刻蚀区域的光刻胶被去除，钝化层通孔区域为不进行曝光的区域，对上述钝化层通孔区域之外的光刻胶进行半曝光并显影，使上述钝化层通孔区域之外的光刻胶厚度变薄；

[0064] 上述步骤104、对所述金属层刻蚀区域的金属层进行刻蚀的过程具体为：

[0065] 步骤1041、对上述源漏金属层刻蚀区域的源漏金属层进行刻蚀，形成包括数据线和TFT源漏极的图案，上述钝化层通孔区域位于该TFT的漏极处；

[0066] 步骤105、对上述源漏金属层刻蚀区域之外的光刻胶进行灰化，使上述源漏金属层刻蚀区域和钝化层通孔区域之外的光刻胶被去除，使上述钝化层通孔区域的光刻胶厚度变薄；

[0067] 步骤106、在包括上述钝化层通孔区域光刻胶的基板上沉积绝缘层；

[0068] 步骤107、剥离上述钝化层通孔区域的光刻胶，形成钝化层通孔

[0069] 在上述步骤107之后，还包括：步骤108、在包括上述钝化层通孔的基板上形成透明电极，使上述透明电极通过上述钝化层通孔与该TFT的漏极连接。

[0070] 需要说明的是，本实施例中阵列基板的制作方法也可以用于其他类型的显示器中钝化层通孔的制作，例如用于有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器中钝化层通孔的制作，区别仅在于形成的图案或结构不同，但是均包括需要刻蚀图案的源漏金属层和与其相邻的钝化层。

[0071] 本实施例中阵列基板的制作方法，通过半曝光工艺使作为金属层掩模板的光刻胶在通孔区域保留，在沉积绝缘层之后，剥离通孔区域的光刻胶，此时通孔区域的绝缘层被同时剥离，因此无需单独的构图工艺来制作通孔，简化了绝缘层通孔的制作过程，避免了较多的曝光和干刻处理工序对器件均匀性和稳定性的影响。

[0072] 实施例三

[0073] 在实施例一的基础上，本实施例通过OLED显示器中阵列基板的制作方法为例具体说明栅极绝缘层通孔和钝化层通孔的制作。

[0074] 实施例一中所述金属层在本实施例中为栅极金属层，所述绝缘层为栅极绝缘层。

[0075] 如图9所示，本实施例中阵列基板的制作方法包括：

[0076] 步骤201、如图10所示，在基板上沉积栅极金属层4；

[0077] 步骤202、在包括上述栅极金属层4的基板上涂布光刻胶2；

[0078] 步骤203、如图11和图12所示，对栅极金属层刻蚀区域的光刻胶2进行完全曝光并显影，使上述栅极金属层刻蚀区域的光刻胶2被去除，栅极绝缘层通孔区域51为不进行曝光的区域，对上述栅极绝缘层通孔区域51之外的光刻胶2进行半曝光并显影，使上述栅极绝缘层通孔区域51之外的光刻胶厚度变薄；

[0079] 步骤204、如图13和图12所示，对上述栅极金属层刻蚀区域的栅极金属层4进行刻蚀，形成包括栅线6、开关TFT栅极71和驱动TFT栅极72的图案，栅极绝缘层通孔区域51位于驱动TFT的栅极72处；

[0080] 步骤205、如图14和图12所示，对上述栅极金属层刻蚀区域之外的光刻胶2进行灰化，使上述栅极绝缘层通孔区域之外的光刻胶2被去除，即仅保留栅极绝缘层通孔区域51的光刻胶2，并使栅极绝缘层通孔区域51的光刻胶2厚度变薄；

[0081] 步骤206、如图15所示，在包括栅极绝缘层通孔区域光刻胶2的基板上沉积栅极绝缘层8；

[0082] 步骤207、如图16和图17所示，在包括上述栅极绝缘层的基板上形成有源层9；

[0083] 形成有源层9的过程具体可以包括依次沉积有源层和光刻胶，对光刻胶进行曝光显影，对有源层进行刻蚀，最终形成位于开关TFT栅极和驱动TFT栅极处的有源层9，并且有源层9上留有光刻胶2。

[0084] 步骤208、如图18和图17所示，剥离上述栅极绝缘层通孔区域51的光刻胶，形成绝缘层通孔，同时剥离上述有源层9上的光刻胶；

[0085] 至此栅极绝缘层通孔的制作完成，以下步骤为钝化层通孔的制作过程。

[0086] 步骤209、如图19所示，在包括上述绝缘层通孔的基板上沉积源漏金属层10，使上述开关TFT的漏极通过上述绝缘层通孔与上述驱动TFT的栅极连接；

[0087] 步骤210、在包括源漏金属层10的基板上涂布光刻胶2；

[0088] 步骤211、如图20和21所示，对源漏金属层刻蚀区域的光刻胶2进行完全曝光并显影，使上述源漏金属层刻蚀区域的光刻胶2被去除，钝化层通孔区域52为不进行曝光的区域，对上述钝化层通孔区域52之外的光刻胶2进行半曝光并显影，使上述钝化层通孔区域52之外的光刻胶厚度变薄；

[0089] 步骤212、对上述源漏金属层刻蚀区域的源漏金属层10进行刻蚀，形成包括数据线11、固定电压线12(即驱动TFT的源极)、开关TFT源极13、开关TFT漏极14和驱动TFT漏极15的图案，钝化层通孔区域52位于驱动TFT的漏极15处；

[0090] 步骤213、如图22所示，对上述源漏金属层刻蚀区域之外的光刻胶2进行灰化，使上述钝化层通孔区域之外的光刻胶2被去除，使上述钝化层通孔区域的光刻胶2厚度变薄；

[0091] 步骤214、如图23所示，在包括钝化层通孔区域光刻胶2的基板上沉积钝化层16，[0092] 步骤215、如图24所示，剥离上述钝化层通孔区域的光刻胶，形成钝化层通孔；

[0093] 步骤216、如图24和25所示，在包括上述钝化层通孔的基板上形成透明电极17，透明电极17通过上述钝化层通孔与上述驱动TFT的漏极连接。

[0094] 需要说明的是，本实施例仅通过一种典型的包括开光TFT和驱动TFT的底栅型结构的OLED阵列基板为例具体说明阵列基板的制作过程，其他结构的OLED阵列基板也可以通过实施例一的方法进行制作。

[0095] 本实施例中阵列基板的制作方法，通过半曝光工艺使作为金属层掩模板的光刻胶在通孔区域保留，在沉积绝缘层之后，剥离通孔区域的光刻胶，此时通孔区域的绝缘层被同时剥离，因此无需单独的构图工艺来制作通孔，简化了绝缘层通孔的制作过程，避免了较多的曝光和干刻处理工序对器件均匀性和稳定性的影响。

[0096] 上述实施例二和实施例三仅以钝化层通孔和栅极绝缘层通孔的制作过程来说明本发明提供的阵列基板制作方法，该方法同样适用于阵列基板上其他类型的非金属层通孔制作。

[0097] 以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。