光刻胶曝光装置

摘要

本发明公开了一种光刻胶曝光装置，包括掩模板、反射金属薄膜和光束发生装置，掩模板的透光部分为光栅，曝光时，掩模板位于涂敷有光刻胶的基板的正上方，反射金属薄膜置于基板上与光栅对应的位置处，光束发生装置产生的曝光光束透过掩模板上的光栅均匀的直射到基板上的光刻胶上，实现光刻胶的曝光，同时，反射金属薄膜的边缘对照射到其上的曝光光束产生散射。采用本发明的光刻胶曝光装置进行光刻胶曝光时，正性光刻胶可以产生边缘与基板表面成锐角的光刻胶图案，负性光刻胶可以产生边缘与基板表面成钝角的光刻胶图案，配合传统的光刻胶曝光方法，可以通过一种光刻胶实现不同光刻胶图案的要求，简化光刻胶曝光工艺，减低成本。

权利要求

1.一种光刻胶曝光装置，其特征在于：包括掩模板、反射金属薄膜和光束发生装置，掩模板的透光部分为光栅，曝光时，掩模板位于涂敷有光刻胶的基板的正上方，反射金属薄膜置于基板上与光栅对应的位置处，光束发生装置产生的曝光光束透过掩模板上的光栅均匀的直射到基板上的光刻胶上，实现光刻胶的曝光，同时，反射金属薄膜的边缘对照射到其上的曝光光束产生散射。

2.根据权利要求1所述的光刻胶曝光装置，其特征在于：所述光栅的1个周期宽度为

0.1微米到3微米。

说明书

光刻胶曝光装置

技术领域

[0001] 本发明属于OLED显示技术领域，具体涉及一种光刻胶曝光装置。

背景技术

[0002] 光刻技术是现代微电子和平板产业最常用的工程技术，采用该技术可以将掩模板上的电路图案转移到基板上。在光刻方法中，光刻胶是最关键的光刻原材料，光刻胶按照吸收紫外光所产生的溶解度的不同变化，可以分为正性光刻胶和负性光刻胶两种，正性光刻胶受光照溶解度变大，负性光刻胶受光照溶解度变小。

[0003] 现有的光刻方法中，掩膜板1＇位于涂敷有光刻胶2＇的基板3＇的正上方，光束发生装置产生的曝光光束4＇透过掩模板1＇上的电路图案的透光部分11＇照射到基板3＇上的光刻胶2＇上，实现光刻胶2＇的曝光，如图1所示，掩模板1＇上透光部分11＇的边缘会产生光线散射，因此与透光部分11＇边缘处对应的光刻胶2＇吸收紫外光的能量是渐变的，如图2所示，又由于光刻胶2＇在一定的温度下烘烤会产生流动性，因此经过曝光显影烘烤后的光刻胶图案会在其边缘会产生角度，按照光刻胶2＇性质的不同，正性光刻胶产生边缘与基板3＇表面成钝角的光刻胶图案，负性光刻胶产生边缘与基板3＇表面成锐角的光刻胶图案，分别如图3、4所示。

[0004] 在制作光刻胶图案时，光刻胶图案边缘与基板间的角度往往起很关键的作用，正性光刻胶产生的钝角有利于后续工序中薄膜对光刻胶图案的覆盖，负性光刻胶产生的锐角则有利于后续工序中光刻胶图案对薄膜的切断，在一套光刻过程中，基于不同的图案制作需要，经常需要交替使用正性光刻胶和负性光刻胶，使得光刻过程非常复杂性，而且成本居高不下。

发明内容

[0005] 本发明的目的在于克服现有技术中的上述问题，提供一种可以使正性光刻胶产生边缘与基板表面成锐角的光刻胶图案，负性光刻胶产生边缘与基板表面成钝角的光刻胶图案的光刻胶曝光装置，以期简化光刻过程、降低光刻成本。

[0006] 为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：

[0007] 一种光刻胶曝光装置，包括掩模板、反射金属薄膜和光束发生装置，掩模板的透光部分为光栅，曝光时，掩模板位于涂敷有光刻胶的基板的正上方，反射金属薄膜置于基板上与光栅对应的位置处，光束发生装置产生的曝光光束透过掩模板上的光栅均匀的直射到基板上的光刻胶上，实现光刻胶的曝光，同时，反射金属薄膜的边缘对照射到其上的曝光光束产生散射。

[0008] 进一步地，所述光栅的1个周期宽度为0.1微米到3微米。

[0009] 与现有技术中曝光光束直接透过掩模板上透光部分照射到光刻胶上的过程相比，本发明的光刻胶曝光装置使得照射到掩模板上的曝光光束透过光栅均匀的直射到光刻胶上，光刻胶的曝光更加均匀，所得光刻胶图案不易产生内应力，同时反射金属膜的设置，使得照射到金属膜上的光刻胶上的曝光光束发生反射和散射，一方面进一步加强受照射光刻胶的曝光程度，另一方面改变光刻胶内部的曝光能量分布，使得正性光刻胶可以产生边缘与基板表面成锐角的光刻胶图案，负性光刻胶可以产生边缘与基板表面成钝角的光刻胶图案，将本发明的光刻胶曝光装置与传统的光刻胶曝光装置一起使用，可以通过一种光刻胶实现不同光刻胶图案的要求，简化光刻胶曝光工艺，减低生产成本。

附图说明

[0010] 图1为现有的光刻胶曝光装置的结构示意图；

[0011] 图2为现有的光刻胶曝光装置在光刻胶内部形成的曝光能量分布图；

[0012] 图3为采用现有的光刻胶曝光装置形成的正性光刻胶的角度示意图；

[0013] 图4为采用现有的光刻胶曝光装置形成的负性光刻胶的角度示意图；

[0014] 图5为本发明的光刻胶曝光装置的结构示意图；

[0015] 图6为本发明的光刻胶曝光装置在光刻胶内部形成的曝光能量分布图；

[0016] 图7为采用本发明的光刻胶曝光装置形成的正性光刻胶的角度示意图；

[0017] 图8为采用本发明的光刻胶曝光装置形成的负性光刻胶的角度示意图。

具体实施方式

[0018] 为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

[0019] 如图5所示，本实施例中的光刻胶曝光装置包括掩模板1、反射金属薄膜5和光束发生装置，掩模板1的透光部分为光栅11，曝光时，掩模板1位于涂敷有光刻胶2的基板3的正上方，反射金属薄膜5置于基板3上与光栅11对应的位置处，光束发生装置产生的曝光光束4透过掩模板1上的光栅11均匀的直射到基板3上的光刻胶2上，实现光刻胶2的曝光，同时，反射金属薄膜5的边缘对照射到其上的曝光光束产生散射，进而在光刻胶2内部产生如图6所示的曝光能量分布。

[0020] 在图6所示的曝光能量的作用下，当光刻胶2为正性光刻胶时，将在基板3上形成如图7所示的光刻胶图案，即边缘与基板3的表面成锐角的光刻胶图案；当光刻胶2为负性光刻胶时，则在基板3上形成如图8所示的光刻胶图案，即边缘与基板3的表面成钝角的光刻胶图案，而采用传统的光刻胶曝光装置进行光刻胶的曝光时，正性光刻胶形成边缘与基板3的表面成钝角的光刻胶图案，负性光刻胶形成边缘与基板3的表面成锐角的光刻胶图案，因此，采用本实施例中的光刻胶曝光装置配合传统的光刻胶曝光装置一起进行光刻胶曝光时，可以通过一种光刻胶实现不同光刻胶图案的要求，简化光刻胶曝光工艺，减低成本。

[0021] 为了满足不同的光刻胶图案的尺寸和质量要求，本实施例中的光栅11的1个周期宽度为0.1微米到3微米。

[0022] 本领域的普通技术人员将会意识到，这里所述的实施例是为了帮助读者理解本发明的原理，应被理解为本发明的保护范围并不局限于这样的特别陈述和实施例。本领域的普通技术人员可以根据本发明公开的这些技术启示做出各种不脱离本发明实质的其它各种具体变形和组合，这些变形和组合仍然在本发明的保护范围内。