本发明公开了一种双投切电容补偿装置，包括第一电容补偿器、第二电容补偿器、信号采样电路、信号放大器、中央处理器、电源转换电路、温度传感放大器、第一投切组、第二投切组和投切选择电路，第一投切组包括第一过零投切电路和第二过零投切电路，第二投切组包括第三过零投切电路和第四过零投切电路，第一过零投切电路和第二过零投切电路均与第一电容补偿器电连接，第三过零投切电路和第四过零投切电路均与第二电容补偿器电连接。本发明的结构简单，有效的减少投切电容涌流，提高了电容器投切开关触点的使用寿命，采用双投切组和双电容补偿器，在使用过程中可有效的提高投切时效性和投切效率，当出现故障时，方便检修，适用性好。
1.一种双投切电容补偿装置，包括第一电容补偿器、第二电容补偿器、信号采样电路、信号放大器、中央处理器、电源转换电路、温度传感放大器、第一投切组、第二投切组和投切选择电路，其特征在于：所述信号采样电路与所述信号放大器的输入端电连接，所述信号放大器的输出端与所述中央处理器电连接，所述温度传感放大器与所述中央处理器电连接，所述投切选择电路与所述中央处理器的控制端相连接，所述第一投切组电连接在所述投切选择电路与所述第一电容补偿器之间，所述第二投切组电连接在所述投切选择电路与所述第二电容补偿器之间，所述第一投切组与所述第二投切组并联设置，所述电源转换电路为所述第一电容补偿器、第二电容补偿器、信号采样电路、信号放大器、中央处理器、温度传感放大器、第一投切组、第二投切组和投切选择电路提供电源，所述第一投切组包括第一过零投切电路和第二过零投切电路，所述第二投切组包括第三过零投切电路和第四过零投切电路，所述第一过零投切电路和第二过零投切电路相并联，且所述第一过零投切电路和第二过零投切电路的输出端均与所述第一电容补偿器电连接，所述第三过零投切电路和第四过零投切电路相并联，且所述第三过零投切电路和第四过零投切电路的输出端均与所述第二电容补偿器电连接。
2.根据权利要求1所述的双投切电容补偿装置，其特征在于：所述第一过零投切电路、第二过零投切电路、第三过零投切电路和第四过零投切电路均包括磁保持继电器J1、第一可控硅SCR1、第二可控硅SCR2、过零投切芯片IC，所述第一可控硅SCR1的阳极与所述第二可控硅SCR2的阴极电连接，所述第一可控硅SCR1的阴极与所述第二可控硅SCR2的阳极电连接，且所述第一可控硅SCR1的阳极和阴极分别电连接与磁保持继电器J1的常开触点上，且所述第一可腔硅SCR1的阴极与所述第一电容补偿器电连接，所述第一可控硅SCR1的门极与所述过零投切芯片IC的第一控制端电连接，所述第二可控硅SCR2的门极与所述过零投切芯片IC的第二控制端电连接。
3.根据权利要求2所述的双投切电容补偿装置，其特征在于：所述过零投切芯片IC的型号为MOC3083，所述第一电容补偿器和第二电容补偿器均包括电抗器L与三相电容器C，所述电抗器L与三相电容器C串联。
4.根据权利要求3所述的双投切电容补偿装置，其特征在于：所述信号采样电路包括型号为CT05-1的电流互感器和型号为TR3121CH的电压互感器，所述信号放大器的型号为LM224，所述电流互感器与所述信号放大器的第九引脚电连接，所述电压互感器与所述信号放大器的第二引脚电连接。
5.根据权利要求4所述的双投切电容补偿装置，其特征在于：所述温度传感放大器包括热敏电阻RT和第一电阻R1，所述热敏电阻RT与所述第一电阻R1串联后与所述中央处理器的温度信号输入端电连接。
6.根据权利要求5所述的双投切电容补偿装置，其特征在于：所述投切选择电路包括第一三极管Q1、第二三极管Q2和第二电阻R2，所述第一三极管Q1、第二三极管Q2的基极分别与所述中央控制器的输出端电连接，所述第一三极管Q1、第二三极管Q2的发射极均接地，所述第一三极管Q1的集电极通第二电阻R2与所述第一过零投切电路、第二过零投切电路、第三过零投切电路和第四过零投切电路中过零投切芯片IC的输入端电连接，所述第二三极管Q2的集电极与第一过零投切电路、第二过零投切电路、第三过零投切电路和第四过零投切电路中磁保持继电器J1的一端电连接。
7.根据权利要求6所述的双投切电容补偿装置，其特征在于：所述中央处理器的型号为STC12C5A60S2。
8.根据权利要求1至7中任意一项所述的双投切电容补偿装置，其特征在于：还包括与所述中央处理器相连接的RS-485通迅电路。
9.根据权利要求1至7中任意一项所述的双投切电容补偿装置，其特征在于：还包括与所述中央处理器相连接的输入操作电路。
10.根据权利要求8所述的双投切电容补偿装置，其特征在于：还包括与所述中央处理器相连接的输入操作电路。
双投切电容补偿装置
技术领域
[0001] 本发明属于电网电能中低压投切补偿技术领域，具体涉及一种双投切电容补偿装置。
背景技术
[0002] 当前电网电能主要是用于工业用电，而工业用电绝大部分是用于感性负载，而且随着电力电子设备等谐波源增加，谐波污染越来越严重，尤其以3、5和7次谐波较普遍。对此，低压无功补偿领域通常会在线路上并接电力电容器的前端串接抑制谐波的相应电抗率电抗器，以消除相应次数谐波对电容器的损害同时补偿线路的无功功率。
[0003] 现有的无功功率补偿装置包括：电力刀开关，熔断器，无功补偿控制器，小型断路器、热继电器、电容器投切开关，电力电容器等，如需达到抑制谐波功能，还需串接抑制谐波的电抗器。其存在如下缺点：投切电容电流大，会产生浪涌冲击电流，电容器投切开关触点寿命短，接线繁杂，占用空间大，维护检修不方便，成本高，电气连接部件多，设备容易失效。
发明内容
[0004] 本发明的目的是提供一种投切电容涌流小、使用稳定性高且使用寿命长，安装操作简便的双投切电容补偿装置。
[0005] 实现本发明目的的技术方案是一种双投切电容补偿装置，包括第一电容补偿器、第二电容补偿器、信号采样电路、信号放大器、中央处理器、电源转换电路、温度传感放大器、第一投切组、第二投切组和投切选择电路，所述信号采样电路与所述信号放大器的输入端电连接，所述信号放大器的输出端与所述中央处理器电连接，所述温度传感放大器与所述中央处理器电连接，所述投切选择电路与所述中央处理器的控制端相连接，所述第一投切组电连接在所述投切选择电路与所述第一电容补偿器之间，所述第二投切组电连接在所述投切选择电路与所述第二电容补偿器之间，所述第一投切组与所述第二投切组并联设置，所述电源转换电路为所述第一电容补偿器、第二电容补偿器、信号采样电路、信号放大器、中央处理器、温度传感放大器、第一投切组、第二投切组和投切选择电路提供电源，所述第一投切组包括第一过零投切电路和第二过零投切电路，所述第二投切组包括第三过零投切电路和第四过零投切电路，所述第一过零投切电路和第二过零投切电路相并联，且所述第一过零投切电路和第二过零投切电路的输出端均与所述第一电容补偿器电连接，所述第三过零投切电路和第四过零投切电路相并联，且所述第三过零投切电路和第四过零投切电路的输出端均与所述第二电容补偿器电连接。
[0006] 所述第一过零投切电路、第二过零投切电路、第三过零投切电路和第四过零投切电路均包括磁保持继电器J1、第一可控硅SCR1、第二可控硅SCR2、过零投切芯片IC，所述第一可控硅SCR1的阳极与所述第二可控硅SCR2的阴极电连接，所述第一可控硅SCR1的阴极与所述第二可控硅SCR2的阳极电连接，且所述第一可控硅SCR1的阳极和阴极分别电连接与磁保持继电器J1的常开触点上，且所述第一可腔硅SCR1的阴极与所述第一电容补偿器电连接，所述第一可控硅SCR1的门极与所述过零投切芯片IC的第一控制端电连接，所述第二可控硅SCR2的门极与所述过零投切芯片IC的第二控制端电连接。
[0007] 所述过零投切芯片IC的型号为MOC3083，所述第一电容补偿器和第二电容补偿器均包括电抗器L与三相电容器C，所述电抗器L与三相电容器C串联。
[0008] 所述信号采样电路包括型号为CT05-1的电流互感器和型号为TR3121CH的电压互感器，所述信号放大器的型号为LM224，所述电流互感器与所述信号放大器的第九引脚电连接，所述电压互感器与所述信号放大器的第二引脚电连接。
[0009] 所述温度传感放大器包括热敏电阻RT和第一电阻R1，所述热敏电阻RT与所述第一电阻R1串联后与所述中央处理器的温度信号输入端电连接。
[0010] 所述投切选择电路包括第一三极管Q1、第二三极管Q2和第二电阻R2，所述第一三极管Q1、第二三极管Q2的基极分别与所述中央控制器的输出端电连接，所述第一三极管Q1、第二三极管Q2的发射极均接地，所述第一三极管Q1的集电极通第二电阻R2与所述第一过零投切电路、第二过零投切电路、第三过零投切电路和第四过零投切电路中过零投切芯片IC的输入端电连接，所述第二三极管Q2的集电极与第一过零投切电路、第二过零投切电路、第三过零投切电路和第四过零投切电路中磁保持继电器J1的一端电连接。
[0011] 所述中央处理器的型号为STC12C5A60S2。
[0012] 还包括与所述中央处理器相连接的RS-485通迅电路。
[0013] 还包括与所述中央处理器相连接的输入操作电路。
[0014] 本发明具有积极的效果：本发明的结构简单，设有双投切组和双电容补偿器，在使用过程中可有效的提高投切稳定性，而且设有双电容补偿器，一定程度上可以有效的减少投切电容涌流，提高了电容器投切开关触点的使用寿命，同时，采用双投切组和双电容补偿器，在使用过程中一定程度上也可有效的提高投切时效性和投切效率，并且当出现故障时，方便检修，适用性好，由于具有双电容补偿器，有效的提高了过压、过流和过温保护，整体上安装操作方便快捷，对操作的人员要求较低，适用范围广，实用性好。
附图说明
[0015] 为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中：
[0016] 图1为本发明的电路示意图。
具体实施方式
[0017] (实施例1)
[0018] 图1显示了本发明的一种具体实施方式，其中图1为本发明的电路示意图。
[0019] 见图1，一种双投切电容补偿装置，包括第一电容补偿器1、第二电容补偿器2、信号采样电路3、信号放大器4、中央处理器5、电源转换电路6、温度传感放大器7、第一投切组8、第二投切组9和投切选择电路10，所述信号采样电路3与所述信号放大器4的输入端电连接，所述信号放大器4的输出端与所述中央处理器5电连接，所述温度传感放大器7与所述中央处理器5电连接，所述投切选择电路10与所述中央处理器5的控制端相连接，所述第一投切8组电连接在所述投切选择电路10与所述第一电容补偿器1之间，所述第二投切组9电连接在所述投切选择电路10与所述第二电容补偿器2之间，所述第一投切组8与所述第二投切组9并联设置，所述电源转换电路6为所述第一电容补偿器1、第二电容补偿器2、信号采样电路3、信号放大器4、中央处理器5、温度传感放大器7、第一投切组8、第二投切组9和投切选择电路10提供电源，所述第一投切组8包括第一过零投切电路81和第二过零投切电路82，所述第二投切组9包括第三过零投切电路91和第四过零投切电路92，所述第一过零投切电路81和第二过零投切电路82相并联，且所述第一过零投切电路81和第二过零投切电路82的输出端均与所述第一电容补偿器1电连接，所述第三过零投切电路91和第四过零投切电路92相并联，且所述第三过零投切电路91和第四过零投切电路92的输出端均与所述第二电容补偿器2电连接。
[0020] 所述第一过零投切电路81、第二过零投切电路82、第三过零投切电路91和第四过零投切电路92均包括磁保持继电器J1、第一可控硅SCR1、第二可控硅SCR2、过零投切芯片IC，所述第一可控硅SCR1的阳极与所述第二可控硅SCR2的阴极电连接，所述第一可控硅SCR1的阴极与所述第二可控硅SCR2的阳极电连接，且所述第一可控硅SCR1的阳极和阴极分别电连接与磁保持继电器J1的常开触点上，且所述第一可腔硅SCR1的阴极与所述第一电容补偿器1电连接，所述第一可控硅SCR1的门极与所述过零投切芯片IC的第一控制端电连接，所述第二可控硅SCR2的门极与所述过零投切芯片IC的第二控制端电连接。
[0021] 所述过零投切芯片IC的型号为MOC3083，所述第一电容补偿器1和第二电容补偿器2均包括电抗器L与三相电容器C，所述电抗器L与三相电容器C串联。
[0022] 所述信号采样电路3包括型号为CT05-1的电流互感器31和型号为TR3121CH的电压互感器32，所述信号放大器4的型号为LM224，所述电流互感器31与所述信号放大器4的第九引脚电连接，所述电压互感器32与所述信号放大器4的第二引脚电连接。
[0023] 所述温度传感放大器7包括热敏电阻RT和第一电阻R1，所述热敏电阻RT与所述第一电阻R1串联后与所述中央处理器5的温度信号输入端电连接。
[0024] 所述投切选择电路10包括第一三极管Q1、第二三极管Q2和第二电阻R2，所述第一三极管Q1、第二三极管Q2的基极分别与所述中央控制器的输出端电连接，所述第一三极管Q1、第二三极管Q2的发射极均接地，所述第一三极管Q1的集电极通第二电阻R2与所述第一过零投切电路、第二过零投切电路、第三过零投切电路和第四过零投切电路中过零投切芯片IC的输入端电连接，所述第二三极管Q2的集电极与第一过零投切电路、第二过零投切电路、第三过零投切电路和第四过零投切电路中磁保持继电器J1的一端电连接。
[0025] 所述中央处理器5的型号为STC12C5A60S2。
[0026] 还包括与所述中央处理器5相连接的RS-485通迅电路11。
[0027] 还包括与所述中央处理器5相连接的输入操作电路12。
[0028] 显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而这些属于本发明的实质精神所引伸出的显而易见的变化或变动仍属于本发明的保护范围。
