一种单键开关控制电路及灯具转让专利

申请号 : CN201210278581.6

文献号 : CN103582219A

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法律信息:

相似专利:

发明人 : 周明杰管伟芳

申请人 : 海洋王照明科技股份有限公司深圳市海洋王照明工程有限公司

摘要 :

本发明属于电源开关控制领域,提供了一种单键开关控制电路及灯具。在本发明中,单键开关控制电路采用分立元件构成,通过三个开关管和功能电阻及电容的组合连接,在按下开关时,出现不同的高低电平状态,进而使负载出现不同的工作状态,不会产生很大的瞬间电流,进而不存在打火、氧化、接触不良等现象,提高了开关的可靠性。

权利要求 :

1.一种单键开关控制电路,其特征在于,所述电路包括:

正反馈电阻R1、充放电电阻R2、限流电阻R3、限流电阻R4、上拉电阻R5,限流电阻R6、上拉电阻R7、电容C1、电源BT1、开关S1、第一开关管、第二开关管以及第三开关管;

所述电源BT1的正极共接于所述上拉电阻R5的第一端和所述上拉电阻R7的第一端以及所述限流电阻R4的第一端,所述电源BT1的负极接地,所述上拉电阻R5的第二端和所述第二开关管的高电位端共接于所述充放电电阻R2的第二端和所述限流电阻R6的第一端,所述充放电电阻R2的第一端接所述开关S1的第一端,所述开关S1的第二端接所述正反馈电阻R1的第一端,所述第二开关管的控制端接所述开关S1和所述正反馈电阻R1的公共连接端,所述电容C1接于所述充放电电阻R2与所述开关S1的公共连接端和地之间,所述第二开关管的低电位端接地,所述限流电阻R6的第二端接所述第三开关管的控制端,所述第三开关管的高电位端接所述上拉电阻R7的第二端,所述第三开关管的低电位端接地,所述限流电阻R3的第一端接所述上拉电阻R7和所述第三开关管的公共连接端,所述正反馈电阻R1的第二端接所述上拉电阻R7和所述限流电阻R3的公共连接端,所述限流电阻R3的第二端接所述第一开关管的控制端,所述第一开关管的高电位端接所述限流电阻R4的第二端,所述第一开关管的低电位端接负载的正极,所述负载的负极接地。

2.如权利要求1所述的单键开关控制电路,其特征在于,所述第一开关管采用NPN型三极管Q1,所述NPN型三极管Q1的基极为第一开关管的控制端,所述NPN型三极管Q1的集电极为第一开关管的高电位端,所述NPN型三极管Q1的发射极为第一开关管的低电位端。

3.如权利要求1所述的单键开关控制电路,其特征在于,所述第二开关管采用NPN型三极管Q2,所述NPN型三极管Q2的基极为第二开关管的控制端,所述NPN型三极管Q2的集电极为第二开关管的高电位端,所述NPN型三极管Q2的发射极为第二开关管的低电位端。

4.如权利要求1所述的单键开关控制电路,其特征在于,所述第三开关管采用NPN型三极管Q3,所述NPN型三极管Q3的基极为第三开关管的控制端,所述NPN型三极管Q3的集电极为第三开关管的高电位端,所述NPN型三极管Q3的发射极为第三开关管的低电位端。

5.如权利要求1所述的单键开关控制电路,其特征在于,所述第一开关管采用N型MOS管Q4,所述N型MOS管Q4的栅极为第一开关管的控制端,所述N型MOS管Q4的漏极为第一开关管的高电位端,所述N型MOS管Q4的源极为第一开关管的低电位端。

6.如权利要求1所述的单键开关控制电路,其特征在于,所述第二开关管采用N型MOS管Q5,所述N型MOS管Q5的栅极为第二开关管的控制端,所述N型MOS管Q5的漏极为第二开关管的高电位端,所述N型MOS管Q5的源极为第二开关管的低电位端。

7.如权利要求1所述的单键开关控制电路,其特征在于,所述第三开关管采用N型MOS管Q6,所述N型MOS管Q6的栅极为第三开关管的控制端,所述N型MOS管Q6的漏极为第三开关管的高电位端,所述N型MOS管Q6的源极为第三开关管的低电位端。

8.一种灯具,包括发光二极管,其特征在于,所述灯具还包括与所述发光二极管连接的如权利要求1至权利要求7任一所述单键开关控制电路。

说明书 :

一种单键开关控制电路及灯具

技术领域

[0001] 本发明属于电源开关控制领域,具体涉及一种单键开关控制电路及灯具。

背景技术

[0002] 目前很多电子产品采用机械开关对电源进行直接开关控制,由于机械开关在接通时会产生很大的瞬间电流,开关弹片的触点容易产生打火,打火容易使开关弹片的触点氧化造成开关接触不良,造成开关的可靠性下降,导致开关功能失效。

发明内容

[0003] 本发明的目的在于提供一种单键开关控制电路及灯具,旨在解决现在的电子产品采用机械开关进行开关控制,存在打火、氧化、接触不良等现象,造成开关的可靠性下降,功能失效的问题。
[0004] 为了解决上述问题,本发明是这样实现的:一种单键开关控制电路,所述电路包括:
[0005] 正反馈电阻R1、充放电电阻R2、限流电阻R3、限流电阻R4、上拉电阻R5,限流电阻R6、上拉电阻R7、电容C1、电源BT1、开关S1、第一开关管、第二开关管以及第三开关管;
[0006] 所述电源BT1的正极共接于所述上拉电阻R5的第一端和所述上拉电阻R7的第一端以及所述限流电阻R4的第一端,所述电源BT1的负极接地,所述上拉电阻R5的第二端和所述第二开关管的高电位端共接于所述充放电电阻R2的第二端和所述限流电阻R6的第一端,所述充放电电阻R2的第一端接所述开关S1的第一端,所述开关S1的第二端接所述正反馈电阻R1的第一端,所述第二开关管的控制端接所述开关S1和所述正反馈电阻R1的公共连接端,所述电容C1接于所述充放电电阻R2与所述开关S1的公共连接端和地之间,,所述第二开关管的低电位端接地,所述限流电阻R6的第二端接所述第三开关管的控制端,所述第三开关管的高电位端接所述上拉电阻R7的第二端,所述第三开关管的低电位端接地,所述限流电阻R3的第一端接所述上拉电阻R7和所述第三开关管的公共连接端,所述正反馈电阻R1的第二端接所述上拉电阻R7和所述限流电阻R3的公共连接端,所述限流电阻R3的第二端接所述第一开关管的控制端,所述第一开关管的高电位端接所述限流电阻R4的第二端,所述第一开关管的低电位端接负载的正极,负载的负极接地。
[0007] 进一步地,所述第一开关管采用NPN型三极管Q1,所述NPN型三极管Q1的基极为第一开关管的控制端,所述NPN型三极管Q1的集电极为第一开关管的高电位端,所述NPN型三极管Q1的发射极为第一开关管的低电位端。
[0008] 进一步地,所述第二开关管采用NPN型三极管Q2,所述NPN型三极管Q2的基极为第二开关管的控制端,所述NPN型三极管Q2的集电极为第二开关管的高电位端,所述NPN型三极管Q2的发射极为第二开关管的低电位端。
[0009] 进一步地,所述第三开关管采用NPN型三极管Q3,所述NPN型三极管Q3的基极为第三开关管的控制端,所述NPN型三极管Q3的集电极为第三开关管的高电位端,所述NPN型三极管Q3的发射极为第三开关管的低电位端。
[0010] 进一步地,所述第一开关管采用N型MOS管Q4,所述N型MOS管Q4的栅极为第一开关管的控制端,所述N型MOS管Q4的漏极为第一开关管的高电位端,所述N型MOS管Q4的源极为第一开关管的低电位端。
[0011] 进一步地,所述第二开关管采用N型MOS管Q5,所述N型MOS管Q5的栅极为第二开关管的控制端,所述N型MOS管Q5的漏极为第二开关管的高电位端,所述N型MOS管Q5的源极为第二开关管的低电位端。
[0012] 进一步地,所述第三开关管采用N型MOS管Q6,所述N型MOS管Q6的栅极为第三开关管的控制端,所述N型MOS管Q6的漏极为第三开关管的高电位端,所述N型MOS管Q6的源极为第三开关管的低电位端。
[0013] 本发明的另一目的在于提供一种灯具,包括发光二极管,所述灯具还包括与所述发光二极管连接的如上述的单键开关控制电路。
[0014] 本发明提供的单键开关控制电路采用分立元件构成,通过三个开关管和功能电阻及电容的组合连接,在按下开关时,出现不同的高低电平状态,进而使负载出现不同的工作状态,不会产生很大的瞬间电流,进而不存在打火、氧化、接触不良等现象,提高了开关的可靠性。

附图说明

[0015] 图1是本发明第一实施例提供的单键开关控制电路的电路结构图;
[0016] 图2是本发明第二实施例提供的单键开关控制电路的电路结构图;
[0017] 图3是本发明第一实施例提供的采用单键开关控制电路的灯具电路结构图;
[0018] 图4是本发明第二实施例提供的采用单键开关控制电路的灯具电路结构图。

具体实施方式

[0019] 为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
[0020] 以下结合具体实施例对本发明的具体实现进行详细描述:
[0021] 一种单键开关控制电路包括:
[0022] 正反馈电阻R1、充放电电阻R2、限流电阻R3、限流电阻R4、上拉电阻R5,限流电阻R6、上拉电阻R7、电容C1、电源BT1、开关S1、第一开关管101、第二开关管102以及第三开关管103;
[0023] 电源BT1的正极共接于上拉电阻R5的第一端和上拉电阻R7的第一端以及限流电阻R4的第一端,电源BT1的负极接地,上拉电阻R5的第二端和第二开关管102的高电位端共接于充放电电阻R2的第二端和限流电阻R6的第一端,充放电电阻R2的第一端接开关S1的第一端,开关S1的第二端接正反馈电阻R1的第一端,第二开关管102的控制端接开关S1和正反馈电阻R1的公共连接端,电容C1接于充放电电阻R2与开关S1的公共连接端和地之间,第二开关管102的低电位端接地,限流电阻R6的第二端接第三开关管103的控制端,第三开关管103的高电位端接上拉电阻R7的第二端,第三开关管103的低电位端接地,限流电阻R3的第一端接上拉电阻R7和第三开关管103的公共连接端,正反馈电阻R1的第二端接上拉电阻R7和限流电阻R3的公共连接端,限流电阻R3的第二端接第一开关管101的控制端,第一开关管101的高电位端接限流电阻R4的第二端,第一开关管101的低电位端接负载104的正极,负载104的负极接地。
[0024] 实施例一:
[0025] 图1示出了本发明第一实施例所提供的单键开关控制电路的电路结构,为了便于说明,仅示出了与本发明第一实施例相关的部分,详述如下:
[0026] 作为本发明一实施例,第一开关管101采用NPN型三极管Q1,NPN型三极管Q1的基极为第一开关管101的控制端,NPN型三极管Q1的集电极为第一开关管101的高电位端,NPN型三极管Q1的发射极为第一开关管101的低电位端。
[0027] 作为本发明一实施例,第二开关管102采用NPN型三极管Q2,NPN型三极管Q2的基极为第二开关管102的控制端,NPN型三极管Q2的集电极为第二开关管102的高电位端,NPN型三极管Q2的发射极为第二开关管102的低电位端。
[0028] 作为本发明一实施例,第三开关管103采用NPN型三极管Q3,NPN型三极管Q3的基极为第三开关管103的控制端,NPN型三极管Q3的集电极为第三开关管103的高电位端,NPN型三极管Q3的发射极为第三开关管103的低电位端。
[0029] 实施例二:
[0030] 图2示出了本发明第二实施例所提供的单键开关控制电路的电路结构,为了便于说明,仅示出了与本发明第二实施例相关的部分,详述如下:
[0031] 作为本发明一实施例,第一开关管101采用N型MOS管Q4,N型MOS管Q4的栅极为第一开关管101的控制端,N型MOS管Q4的漏极为第一开关管101的高电位端,N型MOS管Q4的源极为第一开关管101的低电位端。
[0032] 作为本发明一实施例,第二开关管102采用N型MOS管Q5,N型MOS管Q5的栅极为第二开关管102的控制端,N型MOS管Q5的漏极为第二开关管102的高电位端,N型MOS管Q5的源极为第二开关管102的低电位端。
[0033] 作为本发明一实施例,第三开关管103采用N型MOS管Q6,N型MOS管Q6的栅极为第三开关管103的控制端,N型MOS管Q6的漏极为第三开关管103的高电位端,N型MOS管Q6的源极为第三开关管103的低电位端。
[0034] 如图3和图4所示,本发明实施例还提供一种灯具,包括发光二极管LED,灯具还包括与发光二极管LED连接的如上述单键开关控制电路。
[0035] 下面以第一开关管101采用NPN型三极管Q1,第二开关管102采用NPN型三极管Q2,第三开关管103采用NPN型三极管Q3,负载104采用发光二极管LED为例,对单键开关控制电路的工作原理进行说明:
[0036] 当电源接通通电后,由于NPN型三极管Q3会导通,NPN型三极管Q3高电位端为低电平,使NPN型三极管Q1截止,则发光二极管LED熄灭。NPN型三极管Q3高电位端的低电平反馈至NPN型三极管Q2的控制端,NPN型三极管Q2维持截止,NPN型三极管Q3维持导通,发光二极管LED维持熄灭状态,同时电容C1通过充放电电阻R2、上拉电阻R5充电至高电平。
[0037] 当按下S1开关时,电容C1上的高电平加在NPN型三极管Q2的控制端,使NPN型三极管Q2的高电位端输出低电平,NPN型三极管Q3截止,NPN型三极管Q3高电位端为高电平输出,并通过正反馈电阻正反馈电阻R1得以维持该高电平,使发光二极管LED点亮,当NPN型三极管Q2的高电位端输出为低电平时,电容C1上的高电平通过充放电电阻R2放电至低电平。
[0038] 当再次按下开关S1时,电容C1上的电压为低电平,整个电路输出又循环转换为低电平,发光二极管LED熄灭,为实现下次的开关做好准备,这样实现了单键开关控制的功能。
[0039] 在实际应用中,第一开关管101、第二开关管102和第三开关管103可以使用NPN型三极管和N型MOS管组合使用,例如,第一开关管101、第二开关管102使用NPN型三极管,第三开关管103使用N型MOS管,或者第一开关管101使用N型MOS管,第二开关管102、第三开关管103使用NPN型三极管,等其他的组合都可以。
[0040] 本发明实施例提供的单键开关控制电路采用分立元件构成,通过三个开关管和功能电阻及电容的组合连接,在按下开关时,出现不同的高低电平状态,进而使负载出现不同的工作状态,不会产生很大的瞬间电流,进而不存在打火、氧化、接触不良等现象,提高了开关的可靠性。
[0041] 以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。