忆阻存储器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种忆阻存储器，采用氮化钛材料作为器件的下电极，氮化钛相对于铝能够承受更高的温度，能实现在较高高温环境下通氢气/氮气退火改善阻变材料的金属氧化物阻变特性和均匀性，从而能改善阻变材料的初始态形貌，提高器件的初始电阻和低电阻状态的电阻值，降低器件的最大操作电流和功耗，还能降低器件的初始操作电压。本发明忆阻存储器的下电极的氮化钛材料能同时作为CMOS工艺的内部金属互连层的材料，能实现和CMOS工艺集成。本发明还公开了忆阻存储器的制造方法。