光取出部件及应用其的有机电致发光器件及制备方法

摘要

本发明提供一种光取出部件及其制备方法，所述光取出部件包括高折射率透明基片和成型在所述高折射率透明基片表面的光取出层。高折射率透明基片的折射率固定，可以有效消除有机层至基片的全反射，光取出层可以通过改变全反射光路，提高光取出率，结构简单、光取出率高。本发明还提供含所述光取出部件的有机电致发光器件及其的制备方法，所述光取出部件设置在基板和第一电极间，可以取出限制在有机功能层内部的光束，具有高效的光取出效率，而且器件封装后，水汽和氧气进入的通道少，有效的提高了器件的寿命。

权利要求

1.一种用于有机电致发光器件中的光取出部件，其特征在于，包括，折射率高于有机电致发光器件中透明基板的折射率的高折射率透明基片；

成型在所述高折射率透明基片表面的光取出层，用于抑制从所述高折射率透明基片出射的光入射到所述透明基板的全反射；

所述光取出层为散射层，所述散射层包括透光率大于80％的基质和折射率大于有机电致发光器件中有机功能层的折射率的散射颗粒；

所述光取出部件的制备方法，包括以下步骤：

(1)获取折射率高于有机电致发光器件中透明基板的折射率的高折射率透明基片；

(2)在所述高折射率透明基片表面成型光取出层，其中的光取出层用于抑制从所述高折射率透明基片出射的光入射到所述透明基板的全反射。

2.根据权利要求1所述的光取出部件，其特征在于，所述基质为光刻胶，所述散射颗粒为TiO2或SiO2或ZnO或ZrO2的微细粒子。

3.根据权利要求2所述的光取出部件，其特征在于，所述散射颗粒的初始粒径为0.02-

0.8μm。

4.根据权利要求3所述的光取出部件，其特征在于，所述散射层厚度为0.3-3μm。

5.根据权利要求1所述的光取出部件，其特征在于：所述光取出层为微透镜阵列层。

6.一种用于有机电致发光器件中的光取出部件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)获取折射率高于有机电致发光器件中透明基板的折射率的高折射率透明基片；

(2)在所述高折射率透明基片表面成型光取出层，其中的光取出层用于抑制从所述高折射率透明基片出射的光入射到所述透明基板的全反射；

所述光取出层为高折射率散射层，所述步骤(2)具体包括以下步骤：(21)制备散射层溶液：将散射颗粒、分散剂、溶剂混合研磨后过滤取滤液，再将所得滤液与基质混合制得散射层溶液；所述基质的透光率大于80％，所述散射颗粒的折射率大于有机电致发光器件中有机功能层的折射率；

(22)将散射层溶液在高折射率透明基片上涂布成膜，获得连续的散射层。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述基质为光刻胶，所述散射颗粒为TiO2或SiO2或ZnO或ZrO2的微细粒子。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述散射颗粒的初始粒径为0.02-0.8μm。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述散射层厚度为0.3-3μm。

10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述光取出层为微透镜阵列层，所述步骤(2)具体包括以下步骤：(31)在所述高折射率透明基片的一面上旋转涂布一层光刻胶层；

(32)采用光刻技术，将光刻胶层制作为柱状结构的基片；

(33)将步骤(32)中的柱状结构的基片加热，熔融的每个柱状结构的上底面凸起形成一个微透镜。

11.一种有机电致发光器件，包括透明基板、第一透明电极、有机功能层、第二电极，以及设置在所述透明基板与所述第一透明电极之间光取出部件，其特征在于，所述光取出部件为权利要求1-5任一项所述的光取出部件；且所述光取出部件的所述光取出层与所述透明基板直接贴合，所述高折射率透明基片与第一透明电极直接贴合。

12.一种如权利要求11所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(10)将所述光取出部件贴合在所述透明基板上，贴合后所述光取出部件的所述光取出层与所述透明基板直接贴合；

(11)在所述光取出部件的所述高折射率透明基片所在的面上制作第一透明电极；

(12)在所述第一透明电极上顺次制作有机功能层和第二电极；

(13)器件封装。

13.根据权利要求12所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述步骤(10)中在将光取出部件贴合在基板之前还包括裁剪的步骤，具体是：将光取出部件裁剪成与发光区域大小尺寸对应的光取出部件单元的步骤。

14.根据权利要求13所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，裁剪后的所述光取出部件单元为台型。

说明书

光取出部件及应用其的有机电致发光器件及制备方法

技术领域

[0001] 本发明涉及有机电致发光器件领域，具体是一种光取出部件、应用其的有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

[0002] OLED（英文全称为Organic Light Emitting Device，意思为有机电致发光器件，简称为OLED）作为下一代显示技术，具有色域宽、响应快、广视角、无污染、高对比度、平面化等优点。

[0003] 典型的OLED器件结构，一般包括玻璃基板、第一电极、第二电极、以及设置在两个电极间的有机发光功能层，由于各层材料的折射率匹配造成的反射，使得发光层发出的光大部分被限制在器件中。如空气的折射率近似为1，玻璃的折射率一般为1.5，有机功能层为1.7-1.8，当光束从高折射率材料到达低折射率材料时，大于临界角的光束就会在界面发生全反射，被反射回的光将在各功能层之间来回反射、折射，最终消耗在器件内部无法被取出应用。研究表明，OLED实际发出到空气中的光输出效率只有20%左右，有80%的光束被限制或消耗在器件内部，其中，限制在有机功能层内部的占50%，限制在玻璃基板中的占30%。如何提高限制在OLED内部的光束将是提高OLED器件效率和寿命的关键技术。

[0004] 针对不同的光限制机制，已经发展了多种方法提高OLED的光取出效率。为取出限制在基板中的光束：中国专利文献CN102620235A公开了一种光取出膜及应用其的发光元件，光取出膜置于基板的发光面即外表面上，用于取出限制在基板中的光束，该光取出膜包括一微透镜阵列薄膜以及至少一光学薄膜，微透镜阵列薄膜具有相对第一表面与第二表面，且具有多个微透镜设于第一表面上，光学薄膜覆盖于第一表面上，且光学薄膜包括多个光学粒子以及一层膜，其中光学粒子设于膜层中，膜层具有小于为透镜阵列薄膜的折射率且大于或者等于空气的折射率，以减少光线从光学薄膜进入空气时产生的全反射的数量。其中，光学薄膜的膜层材料为聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘酸乙酯等具有高折射率的材料。众所周知，单纯的高折射率光学膜层可以有效消除全反射；微透镜阵列和具有高折射率的光学粒子可以通过折射改变全反射光束的光路，可以有效的提高器件的发光效率。但是，膜材料的折射率很大程度上取决于膜的厚度和平整度，该专利文献中，光学薄膜成型于微透镜阵列之上，平整度很差，而且将光学粒子掺杂在膜层中，使得光学薄膜膜厚不均匀，同时容易透气透水，这些都严重影响了高折射膜层本该发挥的效果，降低了光取出膜的光取出效率；而且该光取出膜为多层薄膜，结构复杂、制作工艺繁冗。在该专利文献公开的发光元件中，该光学膜置于基板的外侧，仅能取出被限制在玻璃基板中的光束，而大量被限制在有机功能层中的光束经过来回反射、折射，最终消耗在器件内部无法被取出应用。

[0005] 为取出限制在有机功能层中的光束，Society for Information Display,2009,International Symposium Digest of Technical Papers（译为：2009年度国际信息显示学会国际研讨会科技论文文摘）907页报道了一篇文章《High Efficiency 200-lm/W Green Light Emitting Organic Devices Prepared on High-Index of Refraction Substrate》（译为：高折射率基板制备高光效的200-lm/W绿光有机发光器件），通过采用高折射率的玻璃，消除有机功能层与玻璃基板界面的全反射，提高OLED器件效率。这个方法虽然具有较好的光取出效果，但是高折射率玻璃制造技术难度大、成本高。

[0006] 同时，中国专利文献CN102299266A公开了一种有机电致发光器件的基板及制造方法，该基板的透明衬底与第一电极间设置有散射层和平坦化层，生产工艺相对简单，可量产；可以有效的将限制在有机功能层中的光束取出，但是散射层和平坦化层直接成型在基板上，器件封装时该散射层和平坦化层提供了水汽和氧气进入器件内部的通道，直接使得器件的寿命变差，同时也会影响光效性能。

[0007] 如果改变中国专利文献CN102620235A中公开的光取出膜将其设置在基板的衬底上，用于取出有机功能层中的光束，则同样会存在光取出膜直接成型在基板上，器件封装时水汽和氧气容易通过该光取出膜进入器件内部，该光取出膜提供了氧气和水气进入器件内部的通道，直接影响器件的寿命，同时也会影响光效性能。

发明内容

[0008] 为此，本发明所要解决的技术问题是现有技术中为取出限制在有机发光功能层中的光束的光取出部件要么结构复杂、不适合量产，要么光取出部件构成水汽、氧气进入器件内部的通道而影响器件寿命的问题。从而提供一种光取出效率高、工艺简单且不影响器件寿命的光取出部件，以及应用这种光取出部件的有机电致发光器件及制备方法。

[0009] 为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：

[0010] 提供一种光取出部件，包括，

[0011] 一种用于有机电致发光器件中的光取出部件，包括，

[0012] 折射率高于有机电致发光器件中透明基板的折射率的高折射率透明基片；

[0013] 成型在所述高折射率透明基片表面的光取出层，用于抑制从所述高折射率透明基片出射的光入射到所述透明基板的全反射。

[0014] 所述光取出层为散射层或微透镜阵列层。

[0015] 所述散射层包括透光率大于80%的基质和折射率大于有机功能层的折射率的散射颗粒。

[0016] 所述基质为光刻胶，所述散射颗粒为TiO2或SiO2或ZnO或ZrO2的微细粒子。

[0017] 所述散射颗粒的初始粒径为0.02-0.8μm。

[0018] 所述散射层厚度为0.3-3μm。

[0019] 一种用于有机电致发光器件中的光取出部件的制备方法，包括以下步骤：

[0020] （1）获取折射率高于有机电致发光器件中透明基板的折射率的高折射率透明基片；

[0021] （2）在所述高折射率透明基片表面成型光取出层，其中的光取出层用于抑制从所述高折射率透明基片出射的光入射到所述透明基板的全反射。

[0022] 所述光取出层为散射层或微透镜阵列层。

[0023] 所述光取出层为高折射率散射层，所述步骤（2）具体包括以下步骤：

[0024] （21）制备散射层溶液：将散射颗粒、分散剂、溶剂混合研磨后过滤取滤液，再将所得滤液与基质混合制得散射层溶液；

[0025] （22）将散射层溶液在高折射率透明基片上涂布成膜，获得连续的散射层。

[0026] 所述步骤（21）中，所述基质的透光率大于80%，所述散射颗粒的折射率大于有机功能层的折射率。

[0027] 所述基质为光刻胶，所述散射颗粒为TiO2或SiO2或ZnO或ZrO2的微细粒子。

[0028] 所述散射颗粒的初始粒径为0.02-0.8μm。

[0029] 所述散射层厚度为0.3-3μm。

[0030] 所述光取出层为微透镜阵列层，所述步骤（2）具体包括以下步骤：

[0031] （31）在所述高折射率透明基片的一面上旋转涂布一层光刻胶层；

[0032] （32）采用光刻技术，将光刻胶层制作为柱状结构的基片；

[0033] （33）将步骤（32）中的柱状结构的基片加热，熔融的每个柱状结构的上底面凸起形成一个微透镜。

[0034] 同时，提供一种有机电致发光器件，包括透明基板、第一透明电极、有机功能层、第二电极，以及设置在所述透明基板与所述第一电极之间光取出部件，所述光取出部件为上述的光取出部件；且所述光取出部件的所述光取出层与所述透明基板直接贴合，所述高折射率透明基片与第一电极直接贴合。

[0035] 同时，提供一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：

[0036] （10）将所述光取出部件贴合在所述透明基板上，贴合后所述光取出部件的所述光取出层与所述透明基板直接贴合；

[0037] （11）在所述光取出部件的所述高折射率透明基片所在的面上制作第一透明电极；

[0038] 在所述第一透明电极上顺次制作有机功能层和第二电极；

[0039] （13）器件封装。

[0040] 所述步骤（10）中在将光取出部件贴合在基板之前还包括裁剪的步骤，具体是：将光取出部件裁剪成与发光区域大小尺寸对应的光取出部件单元的步骤。

[0041] 裁剪后的所述光取出部件单元为台型。

[0042] 本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：

[0043] （1）所述光取出部件包括高折射率透明基片和光取出层，所述光取出层为高折射率散射层或微透镜阵列层。高折射率透明基片的折射率固定，可以有效消除有机层至基片的全反射，高折射率散射层或微透镜阵列层可以通过改变全反射光路，提高光取出率；结构简单，光取出率高；所述设置有光取出部件的有机电致发光器件，所述光取出部件设置在基板和第一电极间，可以有效地取出限制在有机功能层内部的光束，具有高效的光取出效率；所述光取出部件的所述光取出层与所述透明基板贴合，第一透明电极制作在所述光取出部件的所述高折射率透明基片上，高折射率透明基片密度大且表面平整，在进行器件封装时，即使封装盖和高折射率透明基片配合封装，也能达到隔离水汽和氧气的效果，有效的提高了器件的寿命。

[0044] （2）所述光取出部件的光取出层可以通过旋转涂布工艺和光刻工艺制备，工艺简单，适合大规模生产。

[0045] （3）所述高折射率透明基片的材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯基片或聚萘二甲酸乙二醇酯或聚苯硫醚，不但具备较高的折射率，而且成本相对较低。

[0046] （4）所述散射颗粒的粒径为0.02-0.8μm，其粒径大小与光线波长处于同等级，可避免光线损耗，有效散射可见光光线。

[0047] （5）所述散射层厚度比散射颗粒的粒径稍大，可保证散射颗粒全部位于散射层内，使得制得的散射层表面平整。

[0048] （6）将光取出部件裁剪成发光区域大小尺寸的光取出部件单元，再将所述膜单元贴合在所述发光区域在透明基板上的对应位置，封装时，光取出部件位于封装盖内，保证更好的封装效果。

[0049] （7）裁剪后的所述光取出部件单元为台型，避免蒸镀的ITO电极层出现断裂，保证ITO电极层的连续性，进而保证导电效果。

附图说明

[0050] 为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中

[0051] 图1为本发明一个实施例的一种含有光取出部件的有机电致发光器件的制备方法流程图；

[0052] 图2是图1中所制备的OLED结构示意图；

[0053] 图3是实施例四中所制备的OLED结构示意图；

[0054] 图4是实施例四中所述光取出部件单元的结构示意图；

[0055] 图中附图标记表示为：1-高折射率透明基片，2-光取出层，3-透明玻璃基板，4-ITO透明阳极层，5-有机功能层、6-阴极层、7-封装胶、8-封装盖、41-小片PEN透明基片、42-小片散射层。

具体实施方式

[0056] 为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。

[0057] 作为本发明实施例一的含有光取出部件的有机电致发光器件，如图2所示，包括透明玻璃基板3、ITO（氧化铟）透明阳极层4、有机功能层5、阴极层6，以及设置在所述透明玻璃基板3与所述ITO透明阳极层4之间的光取出部件，其中，ITO透明阳极层4构成本实施例的第一电极层，阴极层6构成本实施例中的第二电极层，所述光取出部件进一步包括，高折射率透明基片1和成型在所述高折射率透明基片1表面的光取出层2，本实施例中，所述高折射率透明基片1为PEN（英文名称为polyethylene naphtha late，意为聚萘二甲酸乙二醇酯）透明基片，所述光取出层2为散射层；散射层与所述透明玻璃基板3的衬底直接贴合，所述PEN透明基片与ITO透明阳极层4直接贴合。其中的所述散射层包括透光率大于80%的光刻胶和折射率大于有机功能层5的折射率的TiO（2 二氧化钛）散射颗粒，所述TiO2的初始粒径为0.02-0.8μm，制得的所述散射层的厚度为0.3-3μm，作为优选，所述散射层的厚度大于所述散射颗粒的初始粒径，能保证更多的散射颗粒位于所述散射层中，保证制得的所述散射层的平整度。

[0058] 本实施例中，PEN透明基片的折射率固定，可以有效消除全反射，散射层可以通过改变全反射光路，提高光取出率；整个光取出部件的结构简单，光取出率高；所述设置有光取出部件的有机电致发光器件，所述光取出部件设置在玻璃透明基板3和ITO透明阳极层4之间，可以有效地取出限制在有机功能层内部的光束；ITO透明阳极层4制作在所述光取出部件的所述PEN透明基片上，PEN透明基片密度大且表面平整，在进行器件封装时，封装盖和高折射率透明基片配合封装，也能达到隔离水汽和氧气的效果，有效的提高了器件的寿命。

[0059] 作为上述实施例的变形，所述PEN透明基片可为现有技术中的PET（英文名称为Polyethylene terephthalate，意为聚对苯二甲酸乙二醇酯）或者PSS（英文名称为Polyphenylene sulfide，意为聚苯硫醚）透明基片替代，其它同上述实施例，同样能实现本发明的目的，属于本发明的保护范围；而且，采用的透明基片的折射率越好，光取出的效果就越好。其中，采用PSS（英文名称为Polyphenylene sulfide，意为聚苯硫醚）透明基片作为所述高折射率透明基片构成本发明的实施例三。

[0060] 作为上述实施例的变形，所述散射颗粒TiO2也可为SiO（2 二氧化硅）、ZnO（氧化锌）或ZrO（2 氧化锆）的微细粒子取代，其它同上述实施例，同样能实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。

[0061] 作为本发明的其它实施例，所述光取出层可以为其它能抑制从所述高折射率透明基片出射的光入射到所述透明基板的全放射的其它部件取代，比如金字塔型光取出层或光栅衍射层，其中金字塔型光取出层通过折射抑制全反射，光栅衍射层通过衍射抑制全发射；同样能实现本方明的目的，属于本发明的保护范围。

[0062] 参见附图1所示，上述实施例一中含有光取出部件的有机电致发光器件的制作方法，具体包括如下步骤：

[0063] 首先，制备光取出部件：

[0064] S1，制备光取出部件，在PEN透明基片上制作一层高折射率散射层，散射层由TiO2混合在透明光刻胶中通过普通的光刻旋涂工艺制成，其中，TiO2和光刻胶的质量比为1:4，所述高折射率散射层厚度为0.3－3μm。

[0065] S2，将步骤S1中所制备的光取出部件的散射层所在的面直接贴合在玻璃透明基板3的衬底上，贴合可以用双面胶、普通带粘性的液体胶等。

[0066] S3，在PEN透明基片未成型散射层的面上直接溅射一层ITO透明阳极层4:采用直流磁控溅射法制备150nm的ITO透明阳极层4，ITO靶材为铟锡合金，其成份比例In（铟）:Sn（锡）=90%:10%。制备过程中氧分压为0.4Sccm，氩分压为20Sccm；制备出ITO电极层后，采用刻蚀方法刻蚀出ITO透明阳极层4。

[0067] S4，放入蒸镀腔室中蒸镀各个功能层：依次蒸镀空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。蒸镀过程中腔室压强低于5.0×10-3Pa，首先蒸镀40nm厚的N,N-二（萘-1-基）-N,N’-二苯基-联苯胺（简称：NPB）作为空穴传输层；以双源共蒸的方法蒸镀30nm厚的9,10-二（2-萘基）蒽（简称：ADN）和四叔丁基苝（简称：TBPe）作为发光层，通过速率控制TBPe在ADN中的比例为7%；蒸镀20nm的Alq3作为电子传输层；蒸镀0.5nm的LiF作为电子注入层。有机功能层之上蒸镀150nm的铝（化学式为Al）作为阴极层层6。

[0068] S5，用UV封装胶、封装盖采用常规封装方式封装后，制成OLED器件。

[0069] 作为本发明实施例二的含光取出部件的有机电致发光器件，包括透明玻璃基板3、ITO透明阳极层4、有机功能层5、阴极层6，以及设置在所述透明玻璃基板3与所述ITO透明阳极层4之间的光取出部件，所述光取出部件进一步包括，高折射率透明基片1和成型在所述高折射基片表面的光取出层2。本实施例中，所述高折射率透明基片1为PEN透明基片，所述光取出层2为微透镜阵列层。其中，贴合后所述微透镜阵列层直接与所述玻璃透明基板3贴合，ITO透明阳极层4制作在所述光取出部件的所述PEN透明基片上。

[0070] 本实施例中，微透镜阵列层可以通过改变全反射光路，提高光取出率；整个光取出部件的结构简单，可以有效消除全反射，光取出率高；所述设置有光取出部件的有机电致发光器件，所述光取出部件设置在玻璃透明基板3和ITO透明阳极层4之间，可以有效地取出限制在有机功能层内部的光束；ITO透明阳极层4制作在所述光取出部件的所述PEN透明基片上，PEN透明基片密度大且表面平整，在进行器件封装时，封装盖和高折射率透明基片配合封装，也能达到隔离水汽和氧气的效果，有效的提高了器件的寿命。

[0071] 本发明实施例二的含光取出部件的有机电致发光器件制作方法如下：

[0072] 首先，制备光取出部件：

[0073] S21，制备光取出部件，在PEN透明基片上涂布一层光刻胶，厚度为20μm，采用光刻技术制作出柱状结构的图形，然后加热至熔融的柱状结构光刻胶由于表面张力作用，边缘部分先向上凸起，而后中间部分凸起，最终形成凸起的结构构成微透镜。

[0074] S22，将步骤S21中所制得的光取出部件的微透镜层面贴合在玻璃衬底3上，贴合可以用双面胶、普通带粘性的液体胶等；

[0075] S23，在贴合有薄膜基片的衬底上溅射一层ITO电极，采用直流磁控溅射法制备150nm的ITO透明阳极层层，ITO靶材为铟锡合金，其成份比例In:Sn=90%:10%。制备过程中氧分压为0.4Sccm，氩分压为20Sccm。制备出ITO电极层后，采用刻蚀方法刻蚀出ITO透明阳极层4。

[0076] S24，放入蒸镀腔室中蒸镀各个功能层,5。依次蒸镀空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。蒸镀过程中腔室压强低于5.0×10-3Pa，首先蒸镀40nm厚NPB作为空穴传输层；以双源共蒸的方法蒸镀30nm厚的ADN和TBPe作为发光层，通过速率控制TBPe在ADN中的比例为7%；蒸镀20nm的Alq3作为电子传输层；蒸镀0.5nm的LiF作为电子注入层。有机功能层之上蒸镀150nm的Al作为第二电极层。

[0077] S25，用UV封装胶、封装盖采用常规封装方式封装后，制成OLED器件。

[0078] 作为本发明的实施例四，如附图3-4所示，其结构与实施例一到实施例三中的结构相似，与上述实施例唯一不同的是所述光取出部件仅在发光区域分布。

[0079] 本发明的实施例四结构的OLED器件的制备方法如下：

[0080] S41，制备光取出部件，在PEN透明基片上制作一层高折射率散射层，散射层由TiO2混合在透明光刻胶中通过普通的光刻旋涂工艺制成，混合的TiO2和光刻胶的质量比为1:4，厚度为0.3-3μm。

[0081] S42，将步骤S41中所制备的光取出部件裁剪成发光区大小尺寸的光取出部件单元，裁切成的光取出部件单元为台型，其中小片散射层42为大尺寸面，小片PEN透明基片41为小尺寸面，小片散射层42贴合在透明玻璃基板3的发光区，贴合可以用双面胶、普通带粘性的液体胶等。裁剪后的所述光取出部件单元为台型，形成在不同面上的ITO电极层平缓过渡，避免出现断裂，保证ITO电极层的连续性，进而保证导电效果；同时，光取出部件为台型，仅在发光区域分布；封装后，所述光取出部件位于封装盖内，即器件通过封装盖和玻璃基板封装，能获得更好地隔离水汽和氧气的封装效果。

[0082] S43，在贴合有小片PEN透明基片41的衬底上溅射一层ITO电极，采用直流磁控溅射法制备150nm的ITO透明阳极层层，ITO靶材为铟锡合金，其成份比例In:Sn=90%:10%。制备过程中氧分压为0.4Sccm，氩分压为20Sccm。制备出ITO电极层后，采用刻蚀方法刻蚀出ITO透明阳极层4。

[0083] S44，放入蒸镀腔室中蒸镀各个有机功能层5。依次蒸镀空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。蒸镀过程中腔室压强低于5.0×10-3Pa，首先蒸镀40nm厚NPB作为空穴传输层；以双源共蒸的方法蒸镀30nm厚的ADN和TBPe作为发光层，通过速率控制TBPe在ADN中的比例为7%；蒸镀20nm的Alq3作为电子传输层；蒸镀0.5nm的LiF作为电子注入层。有机功能层之上蒸镀150nm的Al作为第二电极层。

[0084] S45，用UV封装胶、封装盖采用常规封装方式封装后，制成OLED器件。

[0085] 将光取出部件裁剪成发光区域大小尺寸的光取出部件单元，再将所述单元贴合在所述发光区域在透明玻璃基板3上的对应位置，封装时，光取出部件位于封装盖内，保证更好的封装效果。

[0086] 作为本发明的对比例一，参见实施例一中的结构与制备方法，与实施例一唯一不同的是对比例一中的OLED器件不含有光取出部件，其它同实施例一。

[0087] 作为本发明的对比例二，参见实施例一中的结构与制备方法，与实施例一唯一不同的是对比例二中的OLED器件不含有光取出部件，但是在玻璃基板3上涂布一层散射层，散射层由TiO2混合在透明光刻胶中通过普通的光刻旋涂工艺制成，其中混合的TiO2和光刻胶的质量比为1:4，厚度为0.3-3μm；再在涂布有散射层的衬底上溅射一层ITO电极。

[0088] 测试本发明的一种含光取出部件的有机电致发光器件的光取出率，将第一到第四实施例制备的OLED进行了亮度测试，并与对比例一到对比例二中的OLED器件进行比较，其中对比例一为比对的基础，测试结果如下表所示：

[0089]

[0090] 由上表可见，本发明的含有光取出部件的有机电致发光器件的亮度相比于代表现有技术的对比例一和对比例二的亮度有质的提升，发光效率大大提高。

[0091] 显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。