用于感测电路中的骤回事件的设备、装置及方法

摘要

本文中所揭示的实例标的物涉及设备及/或装置及/或供在其中使用的各种方法，其中可响应于确定电路中已发生骤回事件而起始且随后改变电位到电路的施加。举例来说，电路可包括可由于所施加电位而经历骤回事件的存储器单元。在一些实例实施方案中，可提供感测电路，所述感测电路对存储器单元中发生的骤回事件作出响应而产生反馈信号以起始施加到所述存储器单元的电位的改变。

权利要求

1.一种用于操作电路的方法，所述方法包括：

起始电位到所述电路的施加；及

响应于确定所述电路中已发生骤回事件而起始所述电位的所述施加的改变，其中所述电路能够产生多个骤回事件电平，且其中起始所述电位到所述电路的所述施加进一步包括通过选择用于所述多个骤回事件电平中的特定一者的所述电位而区分所述多个骤回事件电平。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

限制穿过所述电路的电流。

3.根据权利要求2所述的方法，其中限制穿过所述电路的所述电流进一步包括：将所述电流限制到超过泄漏电流阈值的量。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述电路包括存储器单元，且其中所述方法进一步包括：至少部分地基于确定是否已发生所述骤回事件而确定所述存储器单元的状态。

5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括：

至少部分地基于所述存储器单元的所述状态而起始编程电信号到所述存储器单元的施加。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

响应于确定从起始所述电位的所述施加起已经过一时间周期而起始所述电位的所述施加的所述改变。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述电路包括存储器单元，且起始所述电位的所述施加进一步包括：至少部分地基于将检测到的所述存储器单元的特定状态而选择所述电位。

8.根据权利要求1所述的方法，其中起始所述电位的所述施加的所述改变遵循由所述骤回事件导致的所述电位的所述改变。

9.根据权利要求1所述的方法，其中起始所述电位的所述施加的所述改变包括停止所述电位的产生。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述电路包括存储器单元，且其中在所述存储器单元处于第一状态中时，所述存储器单元响应于所述电位的所述施加而产生所述骤回事件。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述电路包括存储器单元，且其中在所述存储器单元处于第二状态中时，所述存储器单元不响应于所述电位的所述施加而产生所述骤回事件，且其中在已经过一时间周期之后移除所施加的所述电位。

12.一种用于操作电路的方法，所述方法包括：

起始电位到所述电路的施加；及

响应于确定所述电路中已发生骤回事件而起始所述电位的所述施加的改变，其中所述电路能够产生多个骤回事件电平，且其中起始所述电位到所述电路的所述施加进一步包括通过设定供在确定已发生所述多个骤回事件电平中的特定一者中使用的阈值电压电平而区分所述多个骤回事件电平。

13.根据权利要求12所述的方法，其中起始所述电位的所述施加的所述改变是在由所述骤回事件造成的所述电位的所述改变之后。

14.一种用于操作存储器单元的设备，所述设备包括：感测电路，其对所述存储器单元中发生的骤回事件作出响应而产生反馈信号以起始施加到所述存储器单元的电位的改变，其中所述存储器单元能够产生多个骤回事件电平，且其中所述感测电路经配置以区分所述多个骤回事件电平以确定所述存储器单元的状态。

15.根据权利要求14所述的设备，其中所述存储器单元包括第一节点及第二节点，所述第二节点展现比所述第一节点低的电容，且所述感测电路耦合到所述第二节点并对所述第二节点处的电压信号作出响应。

16.根据权利要求15所述的设备，其中所述第二节点处的所述电压信号至少部分地是由于从经受所述骤回事件的所述存储器单元释放的电荷被放置于与所述第二节点相关联的寄生电容上所导致。

17.根据权利要求15所述的设备，所述感测电路响应于所述电压信号电压超过阈值电压电平而产生所述反馈信号。

18.一种存储器装置，其包括：

存储器单元阵列，其包含耦合到位线节点及字线节点的第一存储器单元；

切换电路，其用以将电位施加到所述第一存储器单元，且其中在所述第一存储器单元处于第一状态中的情况下，所述第一存储器单元响应于所述电位而产生骤回事件；

感测节点，其耦合到所述位线节点或所述字线节点中的一者；

限制电路，其用以响应于在所述骤回事件之后穿过所述第一存储器单元的电流的增加而在所述感测节点处确立大于阈值所感测电压电平的电压电平；及感测电路，其用以响应于所述电压电平超过所述阈值所感测电压电平而起始所述电位的改变。

19.根据权利要求18所述的装置，其中在所述第一存储器单元不处于所述第一状态中的情况下，所述第一存储器单元不响应于所述电位而产生骤回事件，且其中所述切换电路作出响应以在已经过一时间周期之后移除所述电位而使其不被施加到所述第一存储器单元。

20.根据权利要求18所述的装置，所述感测电路至少部分地响应于所述电压电平而起始所述第一存储器单元的状态的改变。

21.一种存储器装置，其包括：

接口，其用以接收程序命令；

存储器单元，其用以响应于所述程序命令而接收编程电位；及感测电路，其用以响应于所述存储器单元中发生的骤回事件而提供反馈信号以减小所述编程电位，其中所述存储器单元能够产生多个骤回事件电平，且其中所述感测电路经配置以区分所述多个骤回事件电平以确定所述存储器单元的状态。

22.根据权利要求21所述的存储器装置，所述感测电路用以提供所述反馈信号以减小以下各项中的至少一者：所述编程电位施加到所述存储器单元的时间量；或所述存储器的电力消耗。

说明书

用于感测电路中的骤回事件的设备、装置及方法

技术领域

[0001] 本文中所揭示的标的物涉及存储器装置，且更明确地说，涉及用于感测电路的骤回事件的设备、装置及方法。

背景技术

[0002] 存储器装置可包括多个存储器单元。举例来说，多个存储器单元可布置成阵列配置及/或堆叠配置。存储器装置还可包括可(举例来说)在存取存储器单元中使用的接口。举例来说，接口可(例如)作为读取操作的一部分存取存储器单元以确定存储器单元的经编程状态。举例来说，接口可(例如)作为写入操作的一部分存取存储器单元以确立存储器单元中的经编程状态。举例来说，接口可耦合到可使用存储器装置的一个或一个以上其它电路装置(例如，处理器、收发器等)。

[0003] 在一些实例例子中，存储器装置可提供为可耦合到其它电路装置的单独组件(例如，芯片、半导体裸片等)。在一些其它例子中，举例来说，存储器装置可连同一个或一个以上其它电路装置一起提供为多个芯片封装的一部分、一个或一个以上半导体裸片、单芯片系统，仅举几个例子。

[0004] 在一些例子中，存储器装置可包括相变存储器(PCM)。在一些例子中，存储器单元可包括PCM组件(例如，硫属化物组件，例如双向存储器开关(OMS)等)及选择组件(例如，阈值组件，例如双向阈值开关(OTS))。举例来说，此存储器单元可称为PCM及开关(PCMS)存储器单元。

附图说明

[0005] 将参考以下各图描述非限制性且非穷尽性实施方案，其中除非另有指定，否则相似元件符号是指在所有各种图中的相似部分。

[0006] 图1是根据实施方案的展示包括实例电路的实例设备的示意图。

[0007] 图2是根据实施方案的展示具有可在图1的存储器装置中使用的存储器单元及感测电路的实例电路的示意图。

[0008] 图3是根据实施方案的图解说明由(例如)如图2中的实例存储器单元展现的实例骤回事件的曲线图。

[0009] 图4是根据实施方案的图解说明与(例如)如图2中的存储器单元及感测电路相关联的电信号的一些实例时间线的一组曲线图。

[0010] 图5是根据实施方案的图解说明供与(例如)如图2中的感测电路一起使用的限制电路的实例非线性特性的曲线图。

[0011] 图6是根据实施方案的可在图1的存储器装置中使用的方法的图式。

具体实施方式

[0012] 本说明书通篇中对“一个实施方案”、“一实施方案”或“一些实施方案”的提及意指结合所描述实施方案所描述的特定特征、结构或特性可包含于所主张标的物的至少一个实施方案中。因此，在本说明书通篇中的各个地方出现的短语“在一个实例实施方案中”、“在一实例实施方案中”或“在一些实例实施方案中”未必全部是指相同实施方案。此外，可将特定特征、结构或特性组合在一个或一个以上实施方案中。

[0013] 图1是根据实施方案的展示包括实例存储器装置116的实例设备100的示意图。如所展示，存储器装置116可提供为电子装置118的一部分或供在电子装置118中使用。

[0014] 电子装置118可表示可存取存储器装置116的任何电子装置或其部分(例如)以传送表示一些形式的信息(例如，编码为位、数据、值、元素、符号、字符、物项、数字、编号或类似物)的一个或一个以上电信号。举例来说，电子装置118可包括计算机、通信装置、机器等，其中存储器装置116可(例如)经由接口140由电路装置150存取。电路装置150可表示可耦合到存储器装置116的任何电路。因此，电路装置150可包括一些形式的处理电路(例如，微处理器、微控制器等)、一些形式的通信电路(例如，接收器、发射器、总线接口等)、一些形式的译码电路(例如，模/数转换器、数/模转换器、惯性传感器、相机、麦克风、显示装置等)、另一存储器装置(例如，非易失性存储器、存储媒体等)及/或其组合，仅举几个实例。

[0015] 在一些实例例子中，存储器装置116可提供为可耦合到电路装置150的单独组件(例如，芯片、半导体裸片等)。在一些其它例子中，举例来说，存储器装置116可连同一个或一个以上其它电路装置一起提供为多个芯片封装的一部分、一个或一个以上半导体裸片
及/或单芯片系统，仅举几个例子。

[0016] 如所展示，举例来说，存储器装置116可包括多个存储器单元102-1到102-z。为简洁起见，在此说明中，术语“存储器单元102(“memory cell102”或“memory cells102”)”可用作对多个存储器单元102-1到102-z中的一者或一者以上的泛指。举例来说，存储器单元102可选择性地以表示一些形式的信息(例如，例如二进制逻辑位(例如，“1”或“0”))的状态进行编程。在一些实例实施方案中，存储器单元102可能够选择性地以三种或三种以上状态进行编程，其中所述状态中的至少一者可表示两个或两个以上二进制逻辑位。

[0017] 在此实例中，存储器单元102-1到102-z布置为存储器单元阵列114的一部分。在一些实例实施方案中，存储器单元阵列114可根据例如位线及/或字线的连接栅格的型式而布置。在一些实例实施方案中，存储器单元阵列114可包括存储器单元102的堆叠(例如，多个分层布置)。在一些实例实施方案中，存储器单元102可(例如)经由适用位线(BL)节点106及字线(WL)节点108使用接口140存取。

[0018] 虽然在本文中使用短语“位线”及“字线”，但应理解，此些特征未必打算限于如可在特定电子装置中采用的任何特定“位”或“字”布置。因此，举例来说，在较一般意义上，“位线”或“字线”可称为“行线”或“列线”，或反之亦然。

[0019] 举例来说，存储器单元102-1可包括选择组件110及存储器组件112。以非限制性实例方式，如图1中所图解说明，在一些实施方案中，选择组件110可包括OTS且存储器组件112可包括OMS。因此，在一些实例实施方案中，存储器单元114可包括PCMS存储器单元。

[0020] 如图1中所图解说明，选择组件110可与存储器组件112串联耦合且包括第一节点120及第二节点122。如所展示，举例来说，第一节点120可耦合到位线(BL)节点106且因此，可称为“位线节点”；且举例来说，第二节点122可耦合到字线(WL)节点108且因此，可称为“字线节点”。在一些其它实例实施方案中，存储器单元102-1可以相反方式布置，使得第二节点122在其改为耦合到BL节点106的情况下可为“位线节点”，且第一节点120在其改为耦合到WL节点108的情况下可为“字线节点”。应理解，在一些实施方案中，第一节点120或第二节点122可直接耦合(例如，经由导电元件)或间接耦合(例如，经由一个或一个以上其它经耦合电路元件)到BL节点106或WL节点108。

[0021] 举例来说，接口140可表示允许对存储器单元102进行存取的电路。举例来说，接口140可提供一个或一个以上存储器单元的选择性读取(例如)以支持读取操作。举例来说，接口140可提供一个或一个以上存储器单元的选择性编程(例如)以支持写入操作。因此，举例来说，在一些实施方案中，接口140可接收程序命令且作为响应，将编程(电)电位施加到存储器单元。

[0022] 根据一些实例实施方案，可在存储器装置116中提供感测电路130以确定存储器单元102的状态。因此，举例来说，感测电路130可支持接口140可经由其存取存储器单元102的一个或一个以上存储器操作(例如，读取操作、写入操作等)。

[0023] 举例来说，感测电路130可对在一些条件下存储器单元102中可能发生的骤回事件作出响应。骤回事件可在一些条件下产生突然“负电阻”。虽然骤回事件的物理原点可能未完全理解，如图3中所图解说明且如在本文中的后续部分中所描述，但发生骤回事件往往显著影响存储器单元的电流-电压行为。因此，举例来说，可提供感测电路130，所述感测电路对存储器单元102中发生的骤回事件作出响应而产生起始施加到存储器单元102的电位的改变的一个或一个以上反馈信号。以实例方式，一个或一个以上反馈信号可起始电位的改变以减小电位、使电位断开连接、停止电位的产生等。举例来说，在一些例子中，响应于确定存储器单元102中已发生骤回事件，来自感测电路130的一个或一个以上反馈信号可通过影响可用于将电位施加到存储器单元102的一个或一个以上开关而起始对施加到存储器单元
102的电位的改变。因此，举例来说，在一些实施方案中，感测电路130可通过提供一个或一个以上反馈信号减小编程(电)电位可施加到存储器单元的时间量或减小存储器单元的电
力消耗。

[0024] 在一些实例实施方案中，感测电路130可经提供以与单个存储器单元102一起使用。因此，举例来说，可在存储器装置116内提供多个感测电路。在一些实例实施方案中，感测电路130的全部或部分可经提供以与多个存储器单元102一起使用。

[0025] 接下来将注意力放在图2上，图2展示可(举例来说)提供于存储器装置116(图1)内的设备200。

[0026] 如所展示，举例来说，设备200可包括耦合于第一节点(例如，位线节点106)与第二节点(例如，字线节点108)之间的存储器单元102-1。举例来说，第一节点可耦合到开关204-1且第二节点可耦合到开关204-2。如所图解说明，举例来说，开关204-1可至少部分地基于信号206-1作出断开及闭合响应，且举例来说，开关204-2可至少部分地基于信号206-2作出断开及闭合响应。在一些实例实施方案中，开关204-1及204-2可为切换电路204的一部分。
在一些实例实施方案中，信号206-1及206-2可为组合的或单独的。在一些实例实施方案中，信号206-1或信号206-2可由感测电路130产生，例如，作为反馈信号206。在一些实例实施方案中，信号206(即，信号206-1或信号206-2)可由控制器220产生。在一些实例实施方案中，接口140(图1)可包括控制器220及/或切换电路204的全部或部分。

[0027] 使开关204-1及204-2闭合完成用于由电位源202提供的电位的穿过存储器单元102-1的电路路径。因此，举例来说，电位可通过使开关204-1及204-2闭合而施加于存储器单元102-1的位线节点与字线节点之间且通过使开关204-1或开关204-2断开而改变(例如，移除)。在一些实例实施方案中，接口140(图1)可包括电位源202的全部或部分。举例来说，电位源202可包括一个或一个以上DC电压源、脉冲电压源、一个或一个以上切换电容器等。

[0028] 举例来说，存储器单元102-1可响应于施加到选择组件110及PCM112(图1)的适用电压电平的电位而展现可检测到的骤回事件。骤回事件的发生或不存在可指示存储器单元
102-1的状态。

[0029] 举例来说，接下来将注意力放在图3上，图3是图解说明在适用电压电平(例如，VApplied)可施加到选择组件110及PCM112(图1)的情况下可或可不由存储器单元102-1展现的实例骤回事件300的曲线图。在图3中所展示的曲线图中，水平轴描绘增加的正电压电平，且垂直轴描绘增加的正电流电平。在此实例中，VApplied在水平轴上展示为具有介于第一阈值电压(VT1)与第二阈值电压(VT2)的电压电平之间的电压电平，所述VT1可与存储器单元
102-1的第一可能状态相关联，所述VT2可与存储器单元102-1的第二可能状态相关联。应注意，可存在其它阈值电压，例如，如由第三阈值电压(VT3)表示，所述VT3可与存储器单元102-
1的仍其它可能状态相关联，例如，例如在多级单元(MLC)布置中等。

[0030] 如由线302所图解说明，如果存储器单元102-1响应于VApplied的施加而处于第一状态中，那么骤回事件可在VT1处发生，此可增加穿过存储器单元102-1的电流(例如，如由线308的猛增所图解说明)。如果存储器单元102-1响应于VApplied的施加而处于第二状态中，那么骤回事件可不在VT1处发生(例如，如由线304所图解说明)。然而，在其它例子中，如果存储器单元102-1处于第二状态中且如果VApplied将要超过VT2，那么骤回事件可在VT2处发生，此可增加穿过存储器单元102-1的电流(例如，如由线308的猛增所图解说明)。在仍其它例子中，如果存储器单元102-1处于第三状态中且如果VApplied将要超过VT3，那么骤回事件可在VT3处发生(参见线306)，此可增加穿过存储器单元102-1的电流(例如，如由线308的猛增所图解说明)。如所图解说明，线308可与保持电压Vx相关联。

[0031] 骤回事件300提供为仅用以图解说明一个或一个以上骤回事件电平可在各种条件下发生的实例，且如同本文中所提供的所有实例一样，所主张标的物并不打算受此些实例限制。

[0032] 返回图2，举例来说，感测电路130可对感测节点210处的电压作出响应。如在此实例中所展示，感测节点210在开关204-2闭合的情况下可耦合到字线节点108。举例来说，感测节点210可与由电容器212表示的电容相关联。举例来说，电容可包括与字线节点108相关联的寄生电容或类似物。因此，在一些实例例子中，电容(C)可具有低电平(例如，小于300毫微微法拉)。如果骤回事件发生，那么电荷(Q)可施加于感测节点210处。因此，举例来说，感测节点210处的所感测电压电平(例如，VSense)可与电荷(Q)除以电容(C)成比例。

[0033] 因此，根据一些实例实施方案，感测电路130可包括反相器、下拉晶体管、锁存器或响应于VSense超过特定阈值电压电平可产生反馈信号206以起始施加到存储器单元102-1的电位的改变的其它相似电路及/或组件。

[0034] 在一些实例实施方案中，迅速地改变(例如，移除)施加到存储器单元102-1的电位对将不加延迟地施加到开关204-1或204-2中的一者或两者的反馈信号206可是有益的。举例来说，可通过减小电位可施加到存储器单元102-1的时间量而减小可在存储器单元102-1中使用的硫属化物材料或类似物的应力。另外，减小电位施加到存储器单元102-1的时间量可减小电力消耗。同样地，减小电位施加到存储器单元102-1的时间量可增加存取存储器单元102-1的一些存储器操作的操作速度。

[0035] 根据一些实例实施方案，控制器220或其它相似电路可起始开关204-1及204-2的闭合以(例如)作为存储器操作的一部分起始存储器单元状态感测。控制器220随后可发信号使一个或两个开关204-1或204-2断开。举例来说，控制器220随后可发信号使一个或两个开关204-1或204-2在从起始存储器单元状态感测起经过一时间周期之后断开。在一些实例实施方案中，开关204-1及204-2中的一者或两者可经布置以在从被闭合起经过一时间周期之后断开。因此，如果骤回事件在存储器单元状态感测期间不发生，那么可改变(例如，移除)所施加电位。

[0036] 因此，举例来说，存储器单元状态感测可经由反馈信号206的存在或不存在而识别存储器单元102-1是否可处于给定状态中。因此，举例来说，控制器220可监视反馈信号206或相反受反馈信号206影响。在一些实例例子中，作为存储器操作的一部分，存储器单元状态感测可将特定电位施加到存储器单元102-1且经由反馈信号206指示存储器单元102-1是否可处于特定状态中(例如，至少部分地基于骤回事件是否使用感测电路130感测)。

[0037] 在一些实例实施方案中，至少部分地基于感测节点210、字线节点108、位线节点106可展现的电容而将感测节点210耦合到字线节点108(例如，如图2中所图解说明)或位线节点106可是有益的。举例来说，由于感测节点处的电压的量值可受感测节点处所展现的电容影响，因此将感测节点210耦合到展现较低或最低电容的无论哪个字线节点或位线节点可是有益的。

[0038] 在一些实例实施方案中，电参数限制电路214(例如，图解说明为电流限制器)可耦合到感测节点210。举例来说，限制电路214可在存储器单元状态感测期间对可通过存储器单元102-1的电流作出响应。举例来说，限制电路214可响应于(例如)由于骤回事件而可能发生的穿过存储器单元102-1的电流的增加而特别地增加与感测节点210相关联的阻抗电平。举例来说，限制电路214可(例如)响应于在骤回事件之后穿过第一存储器单元102-1的电流的增加而在感测节点210处短暂地确立大于阈值所感测电压电平的电压电平，感测电路130可对所述阈值所感测电压电平作出响应。在一些实例实施方案中，然而，限制电路214可较少对可或可不围绕存储器单元102-1传递到感测节点210的一些泄漏电流216作出响
应。

[0039] 举例来说，图5中的曲线图500图解说明可由限制电路214提供的实例非线性特性。在曲线图500中，水平轴描绘增加的正电压电平，且垂直轴描绘增加的正电流电平。在此实例中，在水平轴上展示(例如)与感测电路130相关联的阈值所感测电压电平(VTS)。在此实例中，线502图解说明实例非线性特性，其中泄漏电流216可通常与操作区域504相关联且具有在垂直轴上的506处所指示的泄漏电流阈值电平。在此实例中，线502还图解说明实例非线性特性，其中可能与骤回事件有关的电流可通常与操作区域510相关联且具有对应于如在垂直轴上的508处所指示的VTS的(有限)电流电平。当然，如同本文中的所有其它实例一样，所主张标的物并不打算限于此实例实施方案。

[0040] 如先前所指示，在一些实例实施方案中，可提供存储器单元状态感测以感测多种不同可能状态。因此，应理解，电位源202可以多种方式实施，包含可调整电压供应器及/或多个不同可选择电压供应器、预充电到可调整电压的一个或一个以上可选择电容器等。此外，感测电路130可以多种方式实施，包含可调整感测电路及/或多个不同可选择感测电路；及/或限制电路214可以多种方式实施，包含可调整限制电路及/或多个不同可选择限制电路。另外，应理解，电位源202、感测电路130或限制电路214中的一者或一者以上的全部或部分可支持用于多个存储器单元的存储器单元状态感测。根据一些实例实施方案，电位的选择及/或施加可至少部分地包括将可在存储器单元的一个或一个以上节点处切换的一个或一个以上电容器预充电。

[0041] 接下来将注意力放在图4上，图4是图解说明与经由实例设备200(图2)的存储器单元状态感测相关联的电信号的一些时间线实例的一组曲线图。上部三个曲线图402-1与在存储器单元状态感测期间发生的骤回事件有关。下部三个曲线图402-2类似，但与在存储器单元状态感测期间发生的骤回事件的缺少有关。

[0042] 图4中的曲线图中的每一者中的水平轴描绘以原点处的存储器单元状态感测的起始开始的增加的时间。另外，虚线420指示骤回事件的时间，虚线422指示反馈信号206被产生的时间，且虚线424指示从原点的一时间周期的结束。每一曲线图中的垂直轴标示为描绘电压或电流。这些实例中的垂直轴中的原点可或可不分别等同于零电压或电流。

[0043] 因此，在上部曲线图402-1中，举例来说，线406-1图解说明施加到存储器单元的电压电平(例如，位线节点电压减去字线节点电压)的一些改变。举例来说，线408-1图解说明由于骤回事件的通过存储器单元的电流电平的一些改变。举例来说，线410-1图解说明感测节点210(图2)处的电压电平的一些改变，其最终超过由虚线430所指示的阈值所感测电压电平(VTS)。

[0044] 在下部曲线图402-2(例如，其中不发生骤回事件)中，举例来说，线406-2图解说明施加到存储器单元的电压电平的一些改变。举例来说，线408-2图解说明通过存储器单元的电流电平的一些改变。举例来说，线410-2图解说明感测节点210(图2)处的电压电平的微小改变，其不超过由虚线430所指示的阈值所感测电压电平。

[0045] 接下来将注意力放在图6上，图6是供与(例如)如图1中的实例存储器装置一起使用以提供或以其它方式支持存储器单元状态感测的方法600的流程图。举例来说，方法600可(例如)使用各种电路、电路组件等至少部分地实施于各种设备或装置中。

[0046] 在实例框602处，可将电位施加到存储器单元(例如，第一节点与第二节点之间)。在一些例子中，举例来说，在框604处，可至少部分地基于第二节点(例如，所感测节点)处的所感测电压确定是否已发生骤回事件。在一些例子中，举例来说，在框606处，可选择性地限制穿过存储器单元的电参数(例如，电流)。在一些例子中，举例来说，在框608处，可选择且施加特定电压电平以确定(例如)在其中存储器单元或相似电路支持多个骤回事件电平的
实例实施方案中是否已发生几个骤回事件电平中的特定一者。在一些例子中，举例来说，在框610处，电位可选定用以检测存储器单元是否可处于特定状态中或可能地区分不同状态。

[0047] 在实例框612处，可响应于确定存储器单元中已发生骤回事件而改变(例如，移除)电位的施加。在一些例子中，举例来说，在框614处，随后可响应于确定从起始电位的施加起已经过一时间周期而改变(例如，移除)电位的施加。

[0048] 在实例框616处，可至少部分地基于确定已发生骤回事件或响应于确定从起始电位的施加起已经过一时间周期而确定存储器单元的状态。在一些例子中，举例来说，在框
618处，可选择性地起始编程电信号的施加以改变存储器单元的状态(例如，作为写入操作的一部分)。

[0049] 如本文中所使用的术语“及”、“或”以及“及/或”可包含还预期至少部分地取决于其中使用此些术语的上下文的多种含义。通常，在用于使例如A、B或C的列表相关联的情况下，“或”打算意指A、B及C(此处以包含意义使用)以及A、B或C(此处以互斥意义使用)。另外，如本文中所使用的术语“一个或一个以上”可用于以单数形式描述任何特征、结构或特性或者可用于描述多个特征、结构或特性或其某一其它组合。但是，应注意，此仅为说明性实例且所主张标的物并不限于此实例。

[0050] 可至少部分地取决于根据特定特征或实例的应用通过各种机制来实施本文中所描述的方法。举例来说，所述方法可实施于硬件、固件或其连同软件的组合中。在硬件实施方案中，举例来说，处理单元可实施于一个或一个以上专用集成电路(ASIC)、数字信号处理器(DSP)、数字信号处理装置(DSPD)、可编程逻辑装置(PLD)、现场可编程门阵列(FPGA)、处理器、控制器、微控制器、微处理器、电子装置、经设计以执行本文中所描述的功能的其它装置单元、模拟电路或其组合内。

[0051] 在前述详细说明中，已陈述众多特定细节以提供对所主张标的物的透彻理解。然而，所属领域的技术人员将理解，可在不存在这些特定细节的情况下实践所主张标的物。在其它例子中，未详细地描述所属领域的技术人员将知晓的方法或设备以便不使所主张标的物模糊。

[0052] 已就关于存储于特定设备或专用计算装置或平台的存储器内的二进制状态的操作的逻辑、算法或符号表示而呈现前述详细说明的一些部分。在此特定说明书的上下文中，术语特定设备或类似物包含通用计算机，一旦其经编程便执行依据来自程序软件的指令的特定功能。算法描述或符号表示为信号处理或相关领域的技术人员用来将其工作的实质传达给所属领域的其它技术人员的技术的实例。算法在此处且通常被视为通向所要结果的自相容操作或类似信号处理序列。在此上下文中，操作或处理涉及对物理数量的物理操纵。通常(但未必)，此些数量可采取能够存储、传送、组合、比较或以其它方式操纵为表示信息的电子信号的电信号或磁信号的形式。已不断地证明，主要出于常见用法的原因，将此些信号称为位、数据、值、元素、符号、字符、物项、数字、编号、信息或类似物是便利的。然而，应理解，所有这些或类似术语将与适当物理数量相关联且仅为方便的标示。除非另有具体说明，否则如从以下论述显而易见，应了解，本说明书论述通篇中利用例如“处理”、“计算
(computing)”、“计算(calculating)”、“确定”、“确立”、“获得”、“识别”、“选择”、“产生”或类似用语的术语可是指特定设备(例如，专用计算机或类似专用电子计算装置)的动作或处理程序。因此，在本说明书的上下文中，专用计算机或类似专用电子计算装置能够操纵或变换通常表示为所述专用计算机或类似专用电子计算装置的存储器、寄存器或其它信息存储装置、发射装置或显示装置内的物理电子或磁数量的信号。在此特定专利申请案的上下文中，术语“特定设备”可包含通用计算机，一旦其经编程便执行依据来自程序软件的指令的特定功能。

[0053] 在一些情形中，存储器装置的操作(举例来说，例如从二进制1到二进制0的状态改变，或反之亦然)可包括变换(例如物理变换)。借助特定类型的存储器装置，物理变换可包括物品到不同状态或事物的物理变换。举例来说，但不加限制地，针对一些类型的存储器装置，状态改变可涉及电荷的积累或存储或者所存储电荷的释放。同样地，在其它存储器装置中，状态改变可包括磁定向的物理改变或变换或者分子结构的物理改变或变换，例如从晶体到非晶形，或反之亦然。在仍其它存储器装置中，举例来说，物理状态的改变可涉及量子力学现象，例如叠加(superposition)、缠结(entanglement)或类似现象，此可涉及量子位(qubit)。前述内容并不打算是所有实例的穷尽性列表，其中存储器装置中的从二进制1到二进制0(或反之亦然)的状态改变可包括变换，例如物理变换。而是，前述内容打算作为说明性实例。

[0054] 计算机可读(存储)媒体通常可为非暂时性或包括非暂时性装置。在此上下文中，非暂时性存储媒体可包含有形的装置，此意指所述装置具有具体物理形式，但所述装置可改变其物理状态。因此，举例来说，非暂时性是指装置保持有形而不管状态改变如何。举例来说，计算机可读(存储)媒体可经提供以与电子装置118(图1)、控制器220(图2)或与设备100(图1)的其它电路一起使用。

[0055] 虽然已图解说明或描述当前视为实例特征的内容，但所属领域的技术人员将理解，可做出各种其它修改或可替换等效内容而不背离所主张标的物。另外，可做出许多修改以使特定情形适于所主张标的物的教示而不背离本文中所描述的中心概念。

[0056] 因此，所主张标的物并不打算限于所揭示的特定实例，但所述所主张标的物还可包含归属于所附权利要求书或其等效内容的可能范围内的所有方面。