发光二极管

摘要

一种发光二极管，包括相互电绝缘设置的电极、固定于所述电极的上表面且电性连接所述电极的发光芯片、固定于所述电极的上表面的粘接层及固定在所述粘接层上表面上且与所述电极电绝缘并围设发光芯片的反光杯，所述电极的上表面形成有凹槽，所述粘接层收容于所述凹槽内。与现有技术相比，本发明中，因电极承载发光芯片的上表面形成有收容粘接层于其内的凹槽，使粘接层收容于所述凹槽内，从而较小了粘接层自电极向外凸伸的高度，达到了薄型化发光二极管的目的。

权利要求

1.一种发光二极管，包括相互电绝缘设置的电极、固定于所述电极的上表面且电性连接所述电极的发光芯片、固定于所述电极的上表面的粘接层及固定在所述粘接层上表面上且与所述电极电绝缘并围设发光芯片的反光杯，其特征在于：所述电极的上表面形成有凹槽，所述粘接层收容于所述凹槽内，所述粘接层具有一内侧面、与所述内侧面相对的外侧面及连接内侧面与外侧面的上表面，所述反光杯的底端全部固定于所述粘接层的上表面，所述发光二极管还包括封装层，所述封装层同时覆盖于所述电极、所述粘接层的内侧面、连接所述内侧面的部分上表面和所述反光杯的内表面。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述粘接层部分收容于所述凹槽内，所述粘接层的上表面超出所述电极的上表面。

3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述粘接层的上表面与所述电极的上表面的距离小于等于80微米。

4.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述粘接层的上表面与所述电极的上表面的距离小于等于40微米。

5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述粘接层完全收容在所述凹槽内。

6.如权利要求5所述的发光二极管，其特征在于：所述粘接层的上表面与所述电极的上表面平齐。

7.如权利要求5所述的发光二极管，其特征在于：粘接层的上表面超出所述电极的上表面。

8.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于：所述粘接层的上表面与所述电极的上表面之间的距离小于等于40微米。

9.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述粘接层的上表面与所述电极的上表面平行。

10.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述反光杯的内表面形成有反光膜。

说明书

发光二极管

技术领域

[0001] 本发明涉及一种发光元件，尤其涉及一种发光二极管。

背景技术

[0002] 传统的发光二极管（LED）包括一基板、固定在基板上的一发光芯片及固定在基板上并将发光芯片围设其内的一反光杯。所述反光杯用以控制发光芯片的光的出光方向。通常，所述反光杯通过高分子粘胶直接粘接在基板上。并且为了保持反光杯与基板之间的电绝缘性，高分子粘胶的厚度通常较厚，如此，使得发光二极管在高度方向上厚度加大，从使其薄化的限制增加。

发明内容

[0003] 有鉴于此，有必要提供一种薄型化的发光二极管。

[0004] 一种发光二极管，包括相互电绝缘设置的电极、固定于所述电极的上表面且电性连接所述电极的发光芯片、固定于所述电极的上表面的粘接层及固定在所述粘接层上表面上且与所述电极电绝缘并围设发光芯片的反光杯，所述电极的上表面形成有凹槽，所述粘接层收容于所述凹槽内。

[0005] 与现有技术相比，本发明中，因电极承载发光芯片的上表面形成有收容粘接层于其内的凹槽，使粘接层收容于所述凹槽内，从而较小了粘接层自电极向外凸伸的高度，达到了薄型化发光二极管的目的。

[0006] 下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。

附图说明

[0007] 图1是本发明第一实施例的发光二极管的剖视图。

[0008] 图2是本发明第二实施例的发光二极管的剖视图。

[0009] 图3是本发明第三实施例的发光二极管的剖视图。

[0010] 主要元件符号说明

[0011]发光二极管 100、200、300
第一电极 10
第一凹槽 11
第二电极 20
第二凹槽 21
绝缘体 30
发光芯片 40
金属引线 41、42
粘接层 50、50a、50b
内侧面 51
上表面 52、52a、52b
外侧面 53
反光杯 60
通孔 61
反光层 62
封装层 70

[0012] 如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

[0013] 请参阅图1，本发明第一实施例所述的发光二极管100包括一第一电极10、一第二电极20、电绝缘连接所述第一电极10及第二电极20的一绝缘体30、固定于第一电极10上且电性连接第一电极10及第二电极20的一发光芯片40、分别固定于第一电极10、第二电极20上的二粘接层50、固定于粘接层50上且围设发光芯片40的一反光杯60及填充于反光杯60内的一封装层70。

[0014] 所述第一电极10与所述第二电极20并排且间隔设置。所述第一电极10的上表面与所述第二电极20的上表面平行共面。所述第一电极10的下表面与所述第二电极20的下表面平行共面。所述第一电极10及所述第二电极20相互远离的外端、自其上表面向下凹陷分别形成有一第一凹槽11及一第二凹槽21。所述第一凹槽11及第二凹槽21的纵截面呈L形，用以收容所述粘接层50于其内。于本实施例中，所述第一电极10及第二电极20为铜板或铬板。

[0015] 所述绝缘体30位于所述第一电极10与第二电极20之间，且其相对两侧表面分别连接所述第一电极10与第二电极20的内侧面。所述绝缘体30的上下相对两端分别与第一电极10的上、下表面共面。于本实施例中，所述绝缘体30为环氧树脂、塑胶或硅树脂。

[0016] 所述发光芯片40固定于所述第一电极10的上表面靠近第二电极20的内端且通过金属引线41、42分别与第一电极10及第二电极20电性连接。

[0017] 所述粘接层50由高分子材料如聚酰亚胺形成，分别收容于第一凹槽11及第二凹槽21中。每一粘接层50具有一内侧面51、与内侧面51相对的外侧面53及连接内侧面51与外侧面53的上表面52。本实施例中，所述二粘接层50的下端分别收容于第一凹槽11及第二凹槽
21中、其上端分别超出第一电极10及第二电极20的上表面。其中一粘接层50的内侧面51抵顶第一凹槽11靠近第二电极20的一侧表面且其上端超出所述第一电极10的上表面，其外侧面53与第一电极10的外侧面共面。另一粘接层50的内侧面51抵顶第二凹槽21靠近第一电极
10的一侧表面且其上端超出所述第二电极20的上表面，其外侧面53与第二电极20的外侧面共面。所述二粘接层50的内侧面51的上端超出第一电极10的上表面的部分围绕发光芯片40设置。所述二粘接层50的上表面52平行共面且位于所述第一电极10的上表面上方。所述粘接层50的上表面52与第一电极10的上表面平行且二者之间的距离不大于80微米。为进一步减小粘接层50自第一电极10及第二电极20向上凸伸的垂直距离，在其它实施例中，所述粘接层50的上表面52与第一电极10的上表面之间的距离不大于40微米。

[0018] 本申请中，因粘接层50的下端收容于第一凹槽11及第二凹槽21中，有效的降低了粘接层50凸伸出第一电极10及第二电极20上表面的垂直高度，从而减小了发光二极管100的垂直厚度，有利于发光二极管100薄型化的发展。

[0019] 更进一步的，本申请中，由于仅粘接层50内侧面51的一部分超出第一电极10及第二电极20上表面并围绕发光芯片40，从而使所述二粘接层50吸收发光芯片40发出的光线的面积减小，进而导致发光二极管100的出光效率提高。

[0020] 所述反光杯60为一筒体，其底端固定在二粘接层50的上表面52上，且其外周缘与所述第一电极10及第二电极20的外端共面。所述反光杯60的中部开设有一贯穿的通孔61，用以收容所述封装层70于其内。所述通孔61的孔径自远离粘接层50的顶端向连接粘接层50的底端逐渐减小。所述发光芯片40收容在通孔61的底端中部。所述反光杯60的内表面用于反射发光芯片40发出的光线，用以提高发光二极管100的出光效率。为进一步提高发光二极管100的出光效率，于所述通孔61的内表面上形成有一厚度均匀的反光层62。本实施例中，所述反光杯60由散热性能良好的金属材料制成，用以增强反光杯60的抗衰变能力，所述反光层62为反射性强的银膜。

[0021] 所述封装层70填满所述通孔61且包覆所述发光芯片40于其内，从而保护发光芯片40。所述封装层70由透明硅胶混合荧光粉制成，发光芯片40发出的光线经由所述封装层70向外均匀出射。

[0022] 请参阅图2，本发明第二实施例所示的发光二极管200与第一实施例所示的发光二极管100的区别在于：降低了粘接层50的厚度而得到厚度较小的粘接层50a，使粘接层50a收容在第一凹槽11及第二凹槽21后，其上表面52a与第一电极10及第二电极20的上表面平行共面。如此，不仅降低了发光二极管200在竖直方向的高度，同时了避免了粘接层50a超出第一电极10及第二电极20造成的吸光。

[0023] 请参阅图3，本发明第三实施例所示的发光二极管300与第一实施例所示的发光二极管100的区别在于：降低了粘接层50的厚度而得到厚度较小的粘接层50b，使粘接层50b收容在第一凹槽11及第二凹槽21后，其上表面52b与第一电极10及第二电极20的上表面平行且位于第一电极10的上表面下方。如此，进一步降低了发光二极管300在竖直方向的高度。本实施例中，粘接层50b的上表面52b与第一电极10的上表面之间的距离不大于40微米。