硅片湿法刻蚀设备及其刻蚀方法

摘要

本发明涉及一种硅片湿法刻蚀设备及其刻蚀方法，包括输送滚轮、储液盒和进液管道，储液盒内具有储液腔体，储液盒设置在输送滚轮的上方，反应液通过进液管道进入储液盒，储液盒的底部设置多个将反应液喷向通过输送滚轮输送的硅片的上表面的喷液孔。反应液从硅片上方的储液盒的喷液孔均匀喷向通过其下方的硅片，使反应液在硅片表面溢流。本发明的有益效果是：通过喷射反应液，使反应液在硅片表面溢流，即提高了反应液与硅片的反应速率，又保证了刻蚀均匀性。

权利要求

1.一种硅片湿法刻蚀设备，其特征是：包括输送滚轮（1）、储液盒（2）和进液管道（3），储液盒（2）内具有储液腔体，储液盒（2）设置在输送滚轮（1）的上方，反应液通过进液管道（3）进入储液盒（2），储液盒（2）的底部设置多个将反应液喷向通过输送滚轮（1）输送的硅片（4）的上表面的喷液孔（5）。

2.根据权利要求1所述的硅片湿法刻蚀设备，其特征是：每个喷液孔（5）的周围设置与喷液孔（5）同心的用于隔离喷液孔（5）喷出的流体的环槽（6）。

3.根据权利要求2所述的硅片湿法刻蚀设备，其特征是：所述的环槽（6）的截面为V形。

4.根据权利要求1所述的硅片湿法刻蚀设备，其特征是：所述的储液盒（2）内设置一个及一个以上的分液管道（7），进液管道（3）与分液管道（7）连接，进液管道（3）内的反应液通过分液管道（7）分液。

5.根据权利要求1所述的硅片湿法刻蚀设备，其特征是：在所述的储液盒（2）底部设置两排喷液孔（5），两排喷液孔（5）相对交错设置，每排喷液孔（5）的排列方向与硅片（4）的输送方向垂直。

6.一种权利要求1所述的硅片湿法刻蚀设备的硅片湿法刻蚀方法，其特征是：硅片（4）通过输送滚轮（1）向前输送，反应液从硅片（4）上方的储液盒（2）的喷液孔（5）均匀喷向通过其下方的硅片（4），使反应液在硅片（4）表面溢流。

7.根据权利要求6所述的的硅片湿法刻蚀方法，其特征是：通过调节储液盒（2）内的液面高低，来调节反应液从喷液孔（5）流出的流速。

说明书

硅片湿法刻蚀设备及其刻蚀方法

技术领域

[0001] 本发明涉及硅片刻蚀技术领域，特别是一种硅片湿法刻蚀设备及其刻蚀方法。

背景技术

[0002] 现有技术中硅片湿法刻蚀技术分为两种，分别是滴液和涂覆技术。

[0003] 滴液技术：是将反应液（用于刻蚀硅片表面）滴在硅片表面,硅片通过传送的滚轮缓慢前行。此技术优点是硅片表面刻蚀均匀性好，但硅片的传送速度不能太快，否则硅片表面的反应液很容易被晃动下来，造成硅片表面刻蚀不均匀。

[0004] 涂覆技术：通过在滴管下加装一套涂覆滚轮，药液在涂覆滚轮上和硅片接触，刻蚀硅片。此种技术硅片的传送速度可以加快，但刻蚀不均匀。因为涂覆滚轮上吸附的药液不是很均匀。

发明内容

[0005] 本发明所要解决的技术问题是：提供一种硅片湿法刻蚀设备及其刻蚀方法，在加快硅片表面刻蚀速度的同时，保证刻蚀的均匀性。

[0006] 本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种硅片湿法刻蚀设备，包括输送滚轮、储液盒和进液管道，储液盒内具有储液腔体，储液盒设置在输送滚轮的上方，反应液通过进液管道进入储液盒，储液盒的底部设置多个将反应液喷向通过输送滚轮输送的硅片的上表面的喷液孔。

[0007] 从喷液孔流出的反应液的流速越快，反应液的流向就越不稳定，极易出现几股反应液合并，形成紊流，如果出现紊流，则硅片表面的反应液的均匀性就会变差，为避免反应液从喷液孔流出后，不会和其他的喷液孔的反应液合并，进一步限定，每个喷液孔的周围设置与喷液孔同心的用于隔离喷液孔喷出的流体的环槽。

[0008] 进一步限定，环槽的截面为V形。

[0009] 进一步限定，储液盒内设置一个及一个以上的分液管道，进液管道与分液管道连接，进液管道内的反应液通过分液管道分液。

[0010] 进一步限定，在储液盒底部设置两排喷液孔，两排喷液孔相对交错设置，每排喷液孔的排列方向与硅片的输送方向垂直。

[0011] 该硅片湿法刻蚀设备的硅片湿法刻蚀方法是：硅片通过输送滚轮向前输送，反应液从硅片上方的储液盒的喷液孔均匀喷向通过其下方的硅片，使反应液在硅片表面溢流。

[0012] 通过调节储液盒内的液面高低，来调节反应液从喷液孔流出的流速。

[0013] 本发明的有益效果是：通过喷射反应液，使反应液在硅片表面溢流，提高了反应液与硅片的反应速率，又保证了刻蚀均匀性。

[0014] 通过试验，硅片产出的速度从2200Pcs/H提升到3000Pcs/H，硅片表面的均匀性表现良好。

附图说明

[0015] 下面结合附图和实施例对本发明进一步说明；

[0016] 图1是本发明的硅片湿法刻蚀设备的结构示意图；

[0017] 图2是本发明的储液盒的底部结构示意图；

[0018] 图3是图2的I处放大图；

[0019] 图4是本发明的喷液孔的结构示意图

[0020] 图中，1.输送滚轮，2.储液盒，3.进液管道，4.硅片，5.喷液孔，6.环槽，7.分液管道。

具体实施方式

[0021] 如图1、2、3和4所示，一种硅片湿法刻蚀设备，包括输送滚轮1、储液盒2和进液管道3，储液盒2内具有储液腔体，储液盒2设置在输送滚轮1的上方，反应液通过进液管道3进入储液盒2，储液盒2内设置一个及一个以上的分液管道7，进液管道3与分液管道7连接，进液管道3内的反应液通过分液管道7分液。储液盒2的底部设置多个将反应液喷向通过输送滚轮1输送的硅片4的上表面的喷液孔5，喷液孔5分成两排，两排喷液孔5相对交错设置，每排喷液孔5的排列方向与硅片4的输送方向垂直。每个喷液孔5的周围设置与喷液孔5同心的用于隔离喷液孔5喷出的流体的环槽6。环槽6的截面为V形，在喷液孔周围形成喇叭孔，V形环槽6加工方便，隔离效果好。

[0022] 一种硅片湿法刻蚀方法，硅片4通过输送滚轮1向前输送，反应液从进液管道3进入储液盒2，硅片4上方的储液盒2的喷液孔5均匀喷向通过其下方的硅片4，使反应液在硅片4表面溢流。为加快刻蚀反应的速度，需加快反应液流出的速度，储液盒2的储液腔体中的反应液高度越高，通过喷液孔5流出的反应液流速越大，硅片表面的刻蚀反应也就越快。喷液孔5的周围的环槽6保障液体从孔内流出后不会和其他的孔的反应液混在一起。

[0023] 在实际生产中，为了提高产能，可以将输送滚轮1的转速加大，而硅片和储液盒2的间距设为相对固定，通过调整储液盒2中反应液的高度来配合输送滚轮1的转速。