一种参数控制方法和参数控制系统。所述方法包括：建立待测参数间的关联性，分别为每个待测参数设定初始阈值范围；获取每个待测参数的数值，并比较数值是否位于对应的初始阈值范围内；当数值超出对应的初始阈值范围时，根据待测参数之间的关联性，调整待测参数或者与待测参数相关的其它待测参数的初始阈值范围。所述系统包括：设置模块，建立待测参数间的关联性，分别为每个待测参数设定初始阈值范围；获取模块，获取每个待测参数的数值；比较模块，判断数值是否位于对应的初始阈值范围内；优化模块，根据待测参数之间的关联性，调整待测参数或者与待测参数相关的其它待测参数的初始阈值范围。本发明可提高参数控制的精准度，最终降低生产成本。
建立所述待测参数之间的关联性，且分别为每个所述待测参数设定初始阈值范围；
获取每个待测参数的数值，并比较所述数值是否位于对应的初始阈值范围内；
当发生所述数值超出对应的初始阈值范围时，进行优化处理，所述优化处理包括：根据待测参数之间的关联性，调整所述待测参数或者与所述待测参数相关的其它待测参数的初始阈值范围。
2.如权利要求1所述的参数控制方法，其特征在于，在进行优化处理之前，还包括：通过重新检测确认所述数值是否超出对应的初始阈值范围。
3.如权利要求1或2所述的参数控制方法，其特征在于，当发生所述数值超出对应的初始阈值范围时，还包括：进行报警。
4.如权利要求1所述的参数控制方法，其特征在于，还包括：对所述待测参数进行分类，将与其它待测参数存在关联性的待测参数设置为主要参数，剩余待测参数设置为一般参数；
当所述数值是一般参数时，增大所述数值对应的初始阈值范围，使所述数值位于新的阈值范围内；
当所述数值是主要参数时，根据所述待测参数的关联性，调整所述数值对应的初始阈值范围或者与所述数值相关的其它待测参数的初始阈值范围。
5.如权利要求4所述的参数控制方法，其特征在于，所述主要参数至少包括：第一级参数和第二级参数，所述第二级参数晚于所述第一级参数获取，且所述第一级参数和第二级参数具有关联性；当发生第一级参数的数值超出对应的初始阈值范围时，所述优化处理包括前向反馈处理，所述前向反馈处理包括：提取与超出范围的所述数值具有关联性的第二级参数的数值；
判断提取的所述第二级参数的数值是否位于对应的初始阈值范围内；
当是时，增大所述第一级参数的数值对应的初始阈值范围；
当否时，缩小与所述第一级参数的数值相关联的其它未超出范围的主要参数对应的初始阈值范围。
6.如权利要求5所述的参数控制方法，其特征在于，还包括：在缩小与所述第一级参数的数值相关联的其它未超出范围的主要参数对应的初始阈值范围的同时，调整所述第一级参数的数值对应的初始阈值范围。
7.如权利要求4所述的参数控制方法，其特征在于，所述主要参数至少包括：第二级参数和第三级参数，所述第三级参数晚于所述第二级参数获取，且所述第二级参数和第三级参数具有关联性；当发生第三级参数的数值超出对应的初始阈值范围时，所述优化处理包括后向反馈处理，所述后向反馈处理包括：提取与所述第三级参数的数值具有关联性的第二级参数；
8.如权利要求1所述的参数控制方法，其特征在于，所述待测参数包括：晶圆生产线参数、晶圆出厂测试参数、晶圆良率测试参数、封装生产线参数、芯片最终测试参数和终端客户反馈参数中的一种或多种。
9.如权利要求3所述的参数控制方法，其特征在于，所述参数包括：第一参数、第二参数和第三参数，所述第三参数分别与所述第一参数和所述第二参数具有关联性；所述第一参数的初始阈值范围包括第一部分和第二部分，所述第二参数的初始阈值范围包括第三部分和第四部分，当只有所述第一参数位于第二部分且所述第二参数位于第三部分，所述第三参数超出对应的初始阈值范围时，通过逻辑与运算进行第三参数的报警。
10.如权利要求4所述的参数控制方法，其特征在于，所述主要参数包括：第一级参数、第二级参数和第三级参数，所述第二级参数晚于所述第一级参数获取，所述第三级参数晚于所述第二级参数获取，且所述第一级参数和第二级参数具有关联性，所述第二级参数和所述第三级参数具有关联性；当所述第二级参数的数值超出对应的初始阈值范围时，所述优化处理包括：提取与所述数值具有关联性的第一级参数和第三级参数；
判断提取的所述第三级参数是否位于对应的初始阈值范围内；
当是时，增大所述第二级参数的数值的初始阈值范围；当否时，缩小与所述第二级参数的数值相关的其它第二级参数的初始阈值范围；
判断提取的所述第一级参数是否位于对应的初始阈值范围内；
当否时，如果增大所述第二级参数的数值的初始阈值范围，则增大或维持所述第一级参数的初始阈值范围；如果减小或维持所述第二级参数的数值的初始阈值范围，则缩小或维持所述第一级参数的初始阈值范围。
11.如权利要求4所述的参数控制方法，其特征在于，当相互关联的所述主要参数的数值均位于对应的初始阈值范围内时，还包括：调整所述主要参数的初始阈值范围，使调整后所述主要参数的初始阈值范围之间具有与所述主要参数相同的关联性。
12.如权利要求1所述的参数控制方法，其特征在于，所述关联性包括：正比、反比、和、差、指数、幂函数或对数中的一种或多种。
设置模块，用于提供多个待测参数，建立所述待测参数之间的关联性，且分别为每个所述待测参数设定初始阈值范围；
获取模块，连接所述设置模块，用于获取每个所述待测参数的数值；
比较模块，连接所述获取模块和所述设置模块，用于判断所述数值是否位于对应的初始阈值范围内；
优化模块，连接所述设置模块和所述比较模块，用于根据待测参数之间的关联性，调整所述待测参数或者与所述待测参数相关的其它待测参数的初始阈值范围，且将新的阈值范围替换所述设置模块中对应的初始阈值范围。
14.如权利要求13所述的参数控制系统，其特征在于，还包括：确认模块，连接所述比较模块和所述优化模块，用于通过重新检测确认所述数值是否超出对应的初始阈值范围，且将确认信息发送给所述优化模块。
15.如权利要求13或14所述的参数控制系统，其特征在于，还包括：报警模块，连接所述比较模块，用于当发生所述数值超出对应的初始阈值范围时，进行报警。
16.如权利要求13所述的参数控制系统，其特征在于，还包括：分类模块，连接所述设置模块，用于对所述待测参数进行分类，将与其它待测参数存在关联性的待测参数设置为主要参数，剩余待测参数设置为一般参数；
判断单元，连接所述比较模块和所述分类模块，用于判断超出范围的所述数值是主要参数还是一般参数；
调整单元，连接所述判断单元和所述设置模块，当所述数值是一般参数时，增大所述数值对应的初始阈值范围，使所述数值位于新的阈值范围内；当所述数值是主要参数时，根据所述待测参数的关联性，调整所述数值或者与所述数值相关的其它待测参数的初始阈值范围；
替换单元，连接所述设置模块和所述调整单元，用于将新的阈值范围替换所述设置模块中对应的初始阈值范围。
17.如权利要求16所述的参数控制系统，其特征在于，所述设置模块中至少包括具有关联性的第一级参数和第二级参数，所述分类模块将所述第一级参数和所述第二级参数设置为主要参数，所述获取模块获取所述第二级参数数值的时间晚于获取所述第一级参数数值的时间，所述比较模块判断得知所述第一级参数数值超出对应的初始阈值范围；所述优化模块还包括：提取单元，连接所述设置模块和所述比较模块，用于从设置模块中提取与超出范围的所述数值具有关联性的第二级参数的数值；
所述判断单元连接所述提取单元，还用于判断提取的所述第二级参数的数值是否位于对应的初始阈值范围内；
当是时，所述调整单元增大所述第一级参数的数值对应的初始阈值范围；
当否时，所述调整单元缩小与所述第一级参数的数值相关联的其它未超出范围的主要参数对应的初始阈值范围。
18.如权利要求17所述的参数控制系统，其特征在于，所述调整单元在缩小与所述数值相关联的其它未超出范围的主要参数对应的初始阈值范围的同时，还调整所述数值对应的初始阈值范围。
19.如权利要求16所述的参数控制系统，其特征在于，所述设置模块中至少包括具有关联性的第一级参数和第二级参数，所述分类模块将所述第一级参数和所述第二级参数设置为主要参数，所述获取模块获取所述第二级参数数值的时间晚于获取所述第一级参数数值的时间，所述比较模块判断得知所述第二级参数数值超出对应的初始阈值范围；所述优化模块还包括：提取单元，连接所述设置模块和所述比较模块，用于从设置模块中提取与超出范围的所述数值具有关联性的第一级参数的数值；
所述调整单元连接所述提取单元，还用于缩小提取的所述第一级参数对应的初始阈值范围。
20.如权利要求16所述的参数控制系统，其特征在于，所述设置模块中至少包括具有关联性的第一级参数、第二级参数和第三级参数，所述分类模块将所述第一级参数、所述第二级参数和所述第三级参数设置为主要参数，所述获取模块依次获取第一级参数的数值、第二级参数的数值和第三级参数的数值，所述比较模块判断得知所述第二级参数数值超出对应的初始阈值范围；所述优化模块还包括：提取单元，连接所述设置模块和所述比较模块，用于从设置模块中提取与超出范围的所述数值具有关联性的第一级参数和第三级参数；
所述判断单元连接所述提取单元，还用于判断提取的所述第三级参数是否位于对应的初始阈值范围内；
当是时，所述调整单元增大所述第二级参数数值的初始阈值范围；当否时，所述调整单元缩小与所述第二级参数数值相关的其它第二级参数的初始阈值范围；
所述判断单元还用于判断提取的所述第一级参数是否位于对应的初始阈值范围内；
当否时，所述调整单元如果增大所述第二级参数数值的初始阈值范围，则所述调整单元增大所述第一级参数的初始阈值范围；所述调整单元如果减小所述第二级参数数值的初始阈值范围，所述调整单元则缩小所述第一级参数的初始阈值范围。
21.如权利要求16所述的参数控制系统，其特征在于，当相互关联的所述主要参数的数值均位于对应的初始阈值范围内时，所述优化模块还调整所述主要参数的初始阈值范围，使调整后所述主要参数的初始阈值范围之间具有与所述主要参数相同的关联性。
参数控制方法和参数控制系统
技术领域
[0001] 本发明涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及一种参数控制方法和参数控制系统。
背景技术
[0002] 在企业的生产部门中，每天都要生产或加工大量产品，产品的性能和品质关系到企业的命脉，对产品质量进行技术的监控和检测分析显得尤为重要。现有技术中集成电路制造工艺一般包括以下几个阶段：晶圆生产过程（FAB process）、晶圆出厂测试（wafer acceptance test，WAT）过程、晶圆良率测试（circuit probing，CP）过程、芯片封装（assembly）过程和芯片最终测试（final test，FT）过程，从而涉及到的参数类型包括：晶圆生产线参数（inline parameter）、晶圆出厂测试参数（WAT parameter）、晶圆良率测试参数（CPparameter）、封装生产线参数（assembly house inline parameter）、芯片最终测试参数（FT parameter）。
[0003] 为了降低产品品质的变异，集成电路制造的整个生产过程都会应用统计过程控制（Statistical Process Control，SPC）技术进行控制。具体地，根据内部客户或外部客户的需求预先为参数设定一个对应的规范取值（Spec’s），或者根据统计计算或统计经验为参数设定一个对应的控制界限（control limits），以下将规范取值和控制界限统称为阈值范围；在对各阶段的各参数对收集的各生产过程中的多个参数进行分析，将分析的数据以统计信号的形式提供给工程师，比如对生产过程中所收集的样本数据做成控制图、直方图等，并使用对应的阈值范围观测生产过程中控制图中数据点的波动情况，以监控生产工艺过程，一旦有参数超过对应的阈值范围，则发出相应的警报，从而工艺和生产人员会采取适当措施，实现生产过程的持续改进。
[0004] 但是在SPC技术的实际应用中，存在以下问题：因为时间有限、数据有限或人员有限，导致在对参数进行分析时为监控参数所设定的阈值范围根本就是不合理的，有时甚至是错误的，这些问题都会导致生产的整体成本增加。如：阈值范围太宽时，对于一些会产生问题的数据会监测不到，最后会导致检测合格的产品实际存在质量问题，从而影响整个产品的投入使用；阈值范围太窄时，会导致不必要的错误报警及进行不必要的处理工作，最终导致监测不合格的产品实际不存在质量问题，甚至导致好的晶圆被报废掉，不但浪费人力成本，而且因错误报警导致的错误处理（如晶圆报废）会带来更大的经济损失。
[0005] 更多关于统计控制的技术可以参考申请公布号为CN101782762A的中国专利申请。
[0006] 因此，如何通过提供精准的参数控制来降低集成电路制造的成本就成为本领域技术人员亟待解决的问题之一。
发明内容
[0007] 本发明解决的问题是提供一种参数控制方法和参数控制系统，可以提高参数控制的精准度，最终降低生产成本。
[0008] 为解决上述问题，本发明提供了一种参数控制方法，包括：
[0009] 提供多个待测参数；
[0010] 建立所述待测参数之间的关联性，且分别为每个所述待测参数设定初始阈值范围；
[0011] 获取每个待测参数的数值，并比较所述数值是否位于对应的初始阈值范围内；
[0012] 当发生所述数值超出对应的初始阈值范围时，进行优化处理，所述优化处理包括：根据待测参数之间的关联性，调整所述待测参数或者与所述待测参数相关的其它待测参数的初始阈值范围。
[0013] 为解决上述问题，本发明还提供了一种参数控制系统，包括：
[0014] 设置模块，用于提供多个待测参数，建立所述待测参数之间的关联性，且分别为每个所述待测参数设定初始阈值范围；
[0015] 获取模块，连接所述设置模块，用于获取每个所述待测参数的数值；
[0016] 比较模块，连接所述获取模块和所述设置模块，用于判断所述数值是否位于对应的初始阈值范围内；
[0017] 优化模块，连接所述设置模块和所述比较模块，用于根据待测参数之间的关联性，调整所述待测参数或者与所述待测参数相关的其它待测参数的初始阈值范围，且将新的阈值范围替换所述设置模块中对应的初始阈值范围。
[0018] 与现有技术相比，本发明技术方案具有以下优点：
[0019] 1）本发明中充分考虑待测参数之间的关联性，从而在获取的数值超过对应的初始阈值范围时，不仅可以调整该数值对应的初始阈值范围，而且还可以调整与该数值相关的其它待测参数的初始阈值范围，实现全局优化，提高参数控制的精准度，最终降低生产成本。
[0020] 2）可选方案中，将待测参数分为主要参数和一般参数，当超出范围的所述数值是一般参数时，可以直接增大所述数值对应的初始阈值范围，使所述数值位于新的阈值范围内，从而在不影响其它待测参数的前提下，简化工艺，提高了成品率，降低了生产成本。
[0021] 3）可选方案中，当相互关联的所述主要参数的数值均位于对应的初始阈值范围内时，还可以调整所述主要参数的初始阈值范围，使调整后所述主要参数的初始阈值范围之间具有与所述主要参数相同的关联性，从而进一步提高参数控制的精准度。
附图说明
[0022] 图1是本发明实施方式中参数控制方法的流程示意图；
[0023] 图2是本发明实施方式中参数控制系统的结构示意图；
[0024] 图3是图2中优化模块的结构示意图。
具体实施方式
[0025] 为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
[0026] 在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
[0027] 正如背景技术部分所述，现有的集成电路生产过程中，会采用SPC技术来监控各个生产阶段的关键参数，以降低产品品质的变异。但是由于各个参数的阈值范围最初通常是基于经验或者有限数据的统计计算结果来设定的，因此应用到实际生产过程中就会发生很多问题，甚至错误，从而严重影响产品的良率，且提高了产品的生产成本。类似地，在其他技术领域的参数控制中，也存在类似的问题。
[0028] 针对上述问题，本发明提供了一种参数控制方法及参数控制系统，不仅为每个待测参数提供了对应的初始阈值范围，而且还建立了各待测参数之间的关联性，从而在发生待测参数的数值超过对应的初始阈值范围时，就启动优化处理，即根据待测参数之间的关联性，调整所述待测参数或者与所述待测参数相关的其它待测参数的初始阈值范围，以在提高控制精准度的前提下，提高产品的成品率，最终达到降低生产成本的目的。
[0029] 下面结合附图进行详细说明。
[0030] 参考图1所示，本实施方式一实施例提供了一种参数控制方法，包括：
[0031] 步骤S1，提供多个待测参数，建立所述待测参数之间的关联性，且分别为每个所述待测参数设定初始阈值范围；
[0032] 步骤S2，对所述待测参数进行分类，将与其它待测参数存在关联性的待测参数设置为主要参数，剩余待测参数设置为一般参数；
[0033] 步骤S3，获取每个待测参数的数值，并比较所述数值是否位于对应的初始阈值范围内；
[0034] 步骤S4，当发生所述数值超出对应的初始阈值范围时，进行报警；
[0035] 步骤S5，判断超出范围的所述数值是主要参数还是一般参数；
[0036] 步骤S6，当所述数值是一般参数时，增大所述数值对应的初始阈值范围，使所述数值位于新的阈值范围内；
[0037] 步骤S7，当所述数值是主要参数时，根据所述待测参数的关联性，调整所述数值对应的初始阈值范围或者与所述数值相关的其它待测参数的初始阈值范围。
[0038] 本实施例在获取待测参数的数值之前，先为每个待测参数设定对应的初始阈值范围，建立待测参数之间的关联性，并根据关联性将待测参数分为主要参数和一般参数，从而当发生待测参数的数值超过对应的初始阈值范围时，不仅进行报警，而且判断超出范围的数值的类型，从而采取不同的措施。具体地，当所述数值是一般参数时，由于该待测参数对其它待测参数没有影响，因此可以直接增大所述数值对应的初始阈值范围，至少使所述数值位于新的阈值范围内，从而可以保证后续工艺的顺序进行；当所述数值是主要参数时，则根据所述待测参数的关联性，调整所述数值对应的初始阈值范围或者与所述数值对应的其它待测参数的初始阈值范围，以减少报警的发生次数，提高产品的成品率，最终在提高控制精准度的前提下，降低了生产成本。
[0039] 为了简单起见，以下以对集成电路生产过程中的参数进行数据处理为例进行说明，但其不限制本发明的保护范围。
[0040] 首先，确定集成电路生产过程中需要检测的各个参数（即待测参数）。本实施例中所述待测参数可以包括晶圆生产线参数、晶圆出厂测试参数、晶圆良率测试参数、封装生产线参数、芯片最终测试参数和终端客户反馈参数中的一种或多种，其分别对应FAB过程、WAT过程、CP过程、Assembly过程和FT过程。需要说明的是，上述各个参数指的是一具体生产过程中的参数总称，其又可以包括多个具体参数。如：晶圆出厂测试参数可以包括MOS管的电阻值和饱和漏电流等。
[0041] 接着，分别为每个所述待测参数设定初始阈值范围，并建立所述待测参数之间的关联性。
[0042] 所述初始阈值范围可以包括一端或多段取值范围，也可以仅包括上限或下限，还可以是一个或多个离散的数值点等，只要限定了具体可取的值即可。
[0043] 本实施例中设定初始阈值范围的方法与现有技术相同，具体可以基于经验或者有限数据的统计结果，在此不再赘述。
[0044] 所述待测参数之间的关联性可以包括两个或两个以上待测参数之间的关系，如：正比、反比、和、差、指数、幂函数、对数等。所述关联性既可以是本领域技术人员公知的理论关系，也可以是由统计数据分析得出的关系。
[0045] 接着，根据待测参数之间的关联性，对所述待测参数进行分类。
[0046] 具体地，将与其它待测参数存在关联性的待测参数设置为主要参数，即主要参数可以与前一生产过程中的一个或多个待测参数、后一生产过程中的一个或多个待测参数、同一生产过程中其它待测参数存在任意的关系；与其它待测参数没有任何关联性的待测参数则被设置为一般参数，如：FAB过程中的缺陷个数。
[0047] 接着，获取每个待测参数的数值。
[0048] 本实施例可以采用现有的检测设备去分别自动检测待测参数的数值，也可以人工去检测待测参数的数值，其对于本领域的技术人员是熟知的，在此不再赘述。
[0049] 接着，比较获取的数值是否位于对应的初始阈值范围内。
[0050] 当初始阈值范围包括一段或多段取值时，只要所述数值位于所述取值内，则所述数值位于该初始阈值范围内；当初始阈值范围仅包括上限时，只要所述数值小于或等于所述上限，则所述数值位于该初始阈值范围内；当初始阈值范围仅包括下限时，只要所述数值大于或等于所述下限，则所述数值位于该初始阈值范围内；当初始阈值范围仅包括一个或多个离散数值点时，只要所述数值与其中一个离散数值点相同，则所述数值位于该初始阈值范围内。
[0051] 接着，当至少有一个所述数值超出对应的初始阈值范围内，进行报警。
[0052] 具体地，所述报警可以包括：文字报警、语音报警和灯光报警中的一种或多种，用于及时通知检测人员。
[0053] 优选地，为了防止由于检测设备自身的问题或者检测人员的问题而造成检测错误，因此本实施例可以在报警之后，通过重新检测确认所述数值是否超出对应的初始阈值范围，从而进一步提高控制的准确性。
[0054] 在一个具体例子中，当所述参数包括：第一参数、第二参数和第三参数，所述第三参数分别与所述第一参数和所述参数具有关联性；所述第一参数的初始阈值范围包括第一部分和第二部分，所述第二参数的初始阈值范围包括第三部分和第四部分，当只有所述第一参数位于第二部分且所述第二参数位于第三部分，所述第三参数超出对应的初始阈值范围时，通过逻辑与运算进行第三参数的报警。具体地，可以将第一参数的数值位于第一部分时定义为第一参数的取值为1，将第一参数的数值位于第二部分时定义为第一参数的取值为0，将第二参数的数值位于第三部分时定义为第二参数为0，将第二参数的数值位于第四部分时定义为第二参数为1，第三参数的取值为第一参数的取值和第二参数的取值的逻辑与，且定义当第三参数的取值为1时触发报警。
[0055] 当确认所述数值超过对应的初始阈值范围时，需要对初始阈值范围进行优化处理，具体如下。
[0056] 接着，根据前面的分类信息，判断超出范围的所述数值是主要参数还是一般参数。
[0057] 由于一般参数对其它待测参数没有影响，即对产品的成品率没有影响，因此当超出范围的所述数值是一般参数时，可以直接增大该一般参数的初始阈值范围，使所述一般参数的数值位于新的阈值范围内，从而可以避免所述一般参数仍为该数值时发生报警，在不影响产品成品率的前提下，简化了控制步骤，节省了人力成本。
[0058] 由于主要参数与其它待测参数有影响，因此会直接或间接影响产品的成品率，因此此时需要根据待测参数之间的关联性，调整所述待测参数或者与所述待测参数相关的其它待测参数的初始阈值范围。
[0059] 在第一个具体例子中，所述主要参数至少包括：第一级参数和第二级参数，所述第二级参数晚于所述第一级参数获取，且所述第一级参数和第二级参数具有关联性；当发生第一级参数的数值超出对应的初始阈值范围时，所述优化处理包括前向反馈处理，所述前向反馈处理包括：
[0060] 提取与超出范围的所述数值具有关联性的第二级参数的数值；
[0061] 判断提取的所述第二级参数的数值是否位于对应的初始阈值范围内；
[0062] 当是时，增大所述第一级参数的数值对应的初始阈值范围；
[0063] 当否时，缩小与所述第一级参数的数值相关联的其它未超出范围的主要参数对应的初始阈值范围。
[0064] 上述具体例子中，先获取的第一级参数的数值超过对应的初始阈值范围，当后续与其相关的第二级参数的数值位于对应的初始阈值范围时，则说明所述第一级参数的初始阈值范围设定的太小了，可以适当增大所述第一级参数的初始阈值范围，从而使所述第一级参数的数值位于新的初始阈值范围内时，仍可以保证第二级参数的数值不超过其对应的初始阈值范围，最终可以提高控制的精准度，降低因第一级参数的报警而产生的生产成本；而当第二级参数的数值也超过对应的初始阈值范围时，则第一级参数的数值超范围可能是由于与第一级参数相关联的其它主要参数的初始阈值范围太松造成的，因此可以通过缩小与所述第一级参数的数值相关联的其它未超出范围的主要参数对应的初始阈值范围，以使所述第一级参数的数值位于对应的初始阈值范围内。
[0065] 此外，在缩小与所述数值相关联得到其它未超出范围的主要参数对应的初始阈值范围的同时，还可以根据具体的情况，增大或缩小所述第一级参数的数值对应的初始阈值范围。
[0066] 在第二个具体例子中，所述主要参数至少包括：第二级参数和第三级参数，所述第三级参数晚于所述第二级参数获取，且所述第二级参数和第三级参数具有关联性；当发生第三级参数的数值超出对应的初始阈值范围时，所述优化处理包括后向反馈处理，所述后向反馈处理包括：
[0067] 提取与所述数值具有关联性的第二级参数；
[0068] 缩小提取的所述第二级参数对应的初始阈值范围。
[0069] 上述具体例子中，后获取的第三级参数的数值超过对应的初始阈值范围，则无论与所述数值具有关联性的第二级参数的数值是否超过对应的初始阈值范围，都说明所述第二级参数的初始阈值范围太宽了，因此需要缩小与所述第三级参数的数值具有关联性的第二级参数对应的初始阈值范围。
[0070] 此外，在缩小所述第二级参数对应的初始阈值范围的同时，也可以根据具体情况增大或缩小所述第三级参数对应的初始阈值范围。
[0071] 在第三个具体例子中，所述主要参数包括：第一级参数、第二级参数和第三级参数，所述第二级参数晚于所述第一级参数获取，所述第三级参数晚于所述第二级参数获取，且所述第一级参数和第二级参数具有关联性，所述第二级参数和所述第三级参数具有关联性；当所述第二级参数的数值超出对应的初始阈值范围时，所述优化处理包括：
[0072] 提取与所述数值具有关联性的第一级参数和第三级参数；
[0073] 判断提取的所述第三级参数是否位于对应的初始阈值范围内；
[0074] 当是时，增大所述数值的初始阈值范围；当否时，缩小与所述数值相关的其它第二级参数的初始阈值范围；
[0075] 判断提取的所述第一级参数是否位于对应的初始阈值范围内；
[0076] 当否时，如果增大所述数值的初始阈值范围，则增大或维持所述第一级参数的初始阈值范围；如果减小或维持所述数值的初始阈值范围，则缩小或维持所述第一级参数的初始阈值范围。
[0077] 上述具体例子中，综合了第一个具体例子和第二个具体例子的情况，在此不再赘述。
[0078] 本实施例中以MOS管尺寸作为晶圆生产线参数、MOS管阻值和MOS管的饱和漏电流作为晶圆出厂测试参数、MOS管的电源电流作为晶圆良率测试参数、芯片的电源电流作为封装生产线参数、芯片的功耗作为芯片最终测试参数，且MOS管尺寸分别与MOS管阻值和MOS管的饱和漏电流成反比，MOS管的电源电流分别与MOS管阻值和MOS管的饱和漏电流成正比，芯片的电源电流与MOS管的电源电流成正比，芯片的功耗与芯片的电源电流成正比。在出现以下情况时：
[0079] 1）当仅MOS管的尺寸超过对应的初始阈值范围时，则由于MOS管的尺寸与MOS管阻值和MOS管的饱和漏电流成反比，而MOS管阻值和MOS管的饱和漏电流均位于对应的初始阈值范围内，因此可以直接增大MOS管的尺寸对应的初始阈值范围。
[0080] 2）当MOS管的电源电流和芯片的电源电流均超过对应的初始阈值范围时，由于MOS管的电源电流和芯片的电源电流成正比，且MOS管的电源电流分别与MOS管阻值和MOS管的饱和漏电流成正比，因此MOS管阻值或/和MOS管的饱和漏电流的初始阈值范围太宽直接导致MOS管的电源电流超过对应的初始阈值范围，进而又导致芯片的电源电流超过对应的初始阈值范围，因此可以缩小MOS管阻值或/和MOS管的饱和漏电流对应的初始阈值范围。此外，还可以根据具体情况，增大、保持或缩小所述MOS管的电源电流的初始阈值范围。
[0081] 进一步地，在缩小MOS管阻值或/和MOS管的饱和漏电流对应的初始阈值范围的同时，还可以缩小MOS管尺寸的初始阈值范围；在增大或缩小MOS管的电源电流的同时，还可以增大或缩小芯片的电源电流。
[0082] 需要说明的是，由于芯片的功耗是由用户的需求决定的，因此芯片功耗的初始阈值范围一旦确定，一般就不会再发生变化。
[0083] 3）当仅芯片的功耗超过对应的初始阈值范围时，由于芯片的功耗和芯片的电源电流成正比，因此需要缩小芯片的电源电流的初始阈值范围。此外，在缩小芯片的电源电流的初始阈值范围的同时，由于芯片的电源电流与MOS管的电源电流成正比，还可以进一步缩小MOS管的电源电流对应的初始阈值范围，进而还可以进一步缩小MOS管阻值、MOS管的饱和漏电流或/和MOS管尺寸对应的初始阈值范围。
[0084] 4）当MOS管的电源电流和MOS管的饱和漏电流均超过对应的初始阈值范围时，由于MOS管的电源电流分别与MOS管阻值、MOS管的饱和漏电流和芯片的电源电流成正比，且芯片的电源电流位于对应的初始阈值范围内，因此可以直接增大MOS管的电源电流；又由于MOS管的饱和漏电流超过对应的初始阈值范围，因此可以增大或维持所述MOS管的饱和漏电流的初始阈值范围。
[0085] 需要说明的是，以上仅为举例，只要是根据待测参数之间的关联性进行的合理调整都在本发明的保护范围之内。
[0086] 此外，当相互关联的所述主要参数的数值均位于对应的初始阈值范围内时，还包括：调整所述主要参数的初始阈值范围，使调整后所述主要参数的初始阈值范围之间具有与所述主要参数相同的关联性。如：主要参数A和主要参数B成线性关系，主要参数A的初始阈值范围为[A1，A2]，主要参数B的初始阈值范围为[B1，B2]。当主要参数A的数值为A0，主要参数B的数值为B0，且A0=（A1+A2）/2时，则通过调整主要参数A、主要参数B或与主要参数A、B相关联的其它主要参数的初始阈值范围，使B0等于或尽可能接近于（B1+B2）/2，即使得待测参数的阈值范围与待测参数之间的关联性保持一致，实现理论与实际的统一。
[0087] 至此完成优化处理，部分待测参数仍与初始阈值范围相对应，而部分待测参数可能与新的阈值范围相对应。接着就可以以优化处理后的阈值范围继续对待测参数进行数值获取和检测，其具体过程同上，在此不再赘述。
[0088] 本实施例中参数控制方法是一种全局优化，以实际获取的数值为依据，全面考虑待测参数之间的关联性，而不仅仅局限于单一的待测参数，通过前向反馈处理、后向反馈处理以及同级反馈处理等，更深入分析报警的待测参数与前后过程中待测参的关系，以最终造成的实际后果为标准来决定是否需要对所有有关联的待测参数的初始阈值范围进行调整，使各待测参数对应正确的阈值范围，从而提高了统计控制的精准度，减小了误报警的发生，提高了产品的成品率，大大降低了生产成本。
[0089] 相应地，参考图2所示，本实施方式还提供了一种参数控制系统，包括：
[0090] 设置模块100，用于提供多个待测参数，建立所述待测参数之间的关联性，且分别为每个所述待测参数设定初始阈值范围；
[0091] 分类模块200，连接所述设置模块100，用于对所述待测参数进行分类，将与其它待测参数存在关联性的待测参数设置为主要参数，剩余待测参数设置为一般参数；
[0092] 获取模块300，连接所述设置模块100，用于获取每个所述待测参数的数值；
[0093] 比较模块400，连接所述获取模块300和所述设置模块100，用于判断所述数值是否位于对应的初始阈值范围内；
[0094] 报警模块500，连接所述比较模块400，用于当发生所述数值超出对应的初始阈值范围时，进行报警；
[0095] 优化模块600，连接所述设置模块100、所述分类模块200和所述比较模块400，用于根据待测参数之间的关联性，调整所述待测参数或者与所述待测参数相关的其它待测参数的初始阈值范围，且将新的阈值范围替换所述设置模块100中对应的初始阈值范围。
[0096] 所述待测参数可以包括：晶圆生产线参数、晶圆出厂测试参数、晶圆良率测试参数、封装生产线参数、芯片最终测试参数和终端客户反馈参数中的一种或多种。
[0097] 优选地，所述参数控制系统还可以包括：确认模块（图中未示出），连接所述比较模块400和所述优化模块600，用于通过重新检测确认所述数值是否超出对应的初始阈值范围，且将确认信息发送给所述优化模块600，从而进一步提高检测的准确性。
[0098] 具体地，参考图3所示，所述优化模块600包括：
[0099] 判断单元610，连接所述比较模块400和所述分类模块200，用于判断超出范围的所述数值是主要参数还是一般参数；
[0100] 调整单元630，连接所述判断单元610和所述设置模块100，当所述数值是一般参数时，增大所述数值对应的初始阈值范围，使所述数值位于新的阈值范围内；当所述数值是主要参数时，根据所述待测参数的关联性，调整所述数值或者与所述数值相关的其它待测参数的初始阈值范围；
[0101] 替换单元650，连接所述设置单元100和所述调整单元630，用于将新的阈值范围替换所述设置模块100中对应的初始阈值范围。
[0102] 在第一个具体例子中，所述设置模块100中至少包括具有关联性的第一级参数和第二级参数，所述分类模块200将所述第一级参数和所述第二级参数设置为主要参数，所述获取模块300获取所述第二级参数数值的时间晚于获取所述第一级参数数值的时间，所述比较模块400判断得知所述第一级参数数值超出对应的初始阈值范围；所述优化模块600还包括：
[0103] 提取单元（图中未示出），连接所述设置模块100和所述比较模块400，用于从设置模块100中提取与超出范围的所述数值具有关联性的第二级参数的数值；
[0104] 所述判断单元610连接所述提取单元，还用于判断提取的所述第二级参数的数值是否位于对应的初始阈值范围内；
[0105] 当是时，所述调整单元630增大所述数值对应的初始阈值范围；
[0106] 当否时，所述调整单元630缩小与所述数值相关联的其它未超出范围的主要参数对应的初始阈值范围。
[0107] 此外，所述调整单元630在缩小与所述数值相关联得到其它未超出范围的主要参数对应的初始阈值范围的同时，还调整所述数值对应的初始阈值范围。
[0108] 在第二具体例子中，所述设置模块100中至少包括具有关联性的第一级参数和第二级参数，所述分类模块200将所述第一级参数和所述第二级参数设置为主要参数，所述获取模块300获取所述第二级参数数值的时间晚于获取所述第一级参数数值的时间，所述比较模块400判断得知所述第二级参数数值超出对应的初始阈值范围；所述优化模块600还包括：
[0109] 提取单元（图中未示出），连接所述设置模块100和所述比较模块400，用于从设置模块100中提取与超出范围的所述数值具有关联性的第一级参数的数值；
[0110] 所述调整单元630连接所述提取单元，还用于缩小提取的所述第一级参数对应的初始阈值范围。
[0111] 在第三个具体例子中，所述设置模块100中至少包括具有关联性的第一级参数、第二级参数和第三级参数，所述分类模块200将所述第一级参数、所述第二级参数和所述第三级参数设置为主要参数，所述获取模块300依次获取第一级参数的数值、第二级参数的数值和第三级参数的数值，所述比较模块400判断得知所述第二级参数数值超出对应的初始阈值范围；所述优化模块600还包括：
[0112] 提取单元（图中未示出），连接所述设置模块100和所述比较模块400，用于从设置模块100中提取与超出范围的所述数值具有关联性的第一级参数和第三级参数；
[0113] 所述判断单元610连接所述提取单元，还用于判断提取的所述第三级参数是否位于对应的初始阈值范围内；
[0114] 当是时，所述调整单元630增大所述数值的初始阈值范围；当否时，所述调整单元630缩小与所述数值相关的其它第二级参数的初始阈值范围；
[0115] 所述判断单元610还用于判断提取的所述第一级参数是否位于对应的初始阈值范围内；
[0116] 当否时，所述调整单元630如果增大所述数值的初始阈值范围，则所述调整单元630增大或维持所述第一级参数的初始阈值范围；所述调整单元630如果减小或维持所述数值的初始阈值范围，所述调整单元630则缩小或维持所述第一级参数的初始阈值范围。
[0117] 此外，当相互关联的所述主要参数的数值均位于对应的初始阈值范围内时，所述优化模块600还调整所述主要参数的初始阈值范围，使调整后所述主要参数的初始阈值范围之间具有与所述主要参数相同的关联性。
[0118] 所述参数控制系统中各模块的具体工作过程可以参考上述参数控制方法的相关描述，在此不做赘述。
[0119] 具体地，所述参数控制系统中各模块可以是单片机、ARM、FPGA（Field Programmable Gata Array，现场可编程门阵列）、ASIC（Application Specific Integrated Circuit，特定用途集成电路）、SOC（System on a Chip，片上系统）、CPU（Central Processing Unit，中央处理机）、MCU（Micro Controller Units，微控制单元）、DSP（Digital Signal Processor，数字信号处理器）或PLC（Programmable Logic Controller，可编程逻辑控制器）中的一种或多种器件的任意组合。
[0120] 本实施例同样可以提高参数控制的准确率，降低误检的概率，在保证产品质量合格的前提下，提高了产品的成品率，且降低了生产成本。
[0121] 虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
