高导热图案化电路基板

摘要

本发明涉及一种高导热图案化电路基板，属于半导体器件印刷线路板的技术领域，所述金属基板上形成有树脂绝缘层和高导热绝缘层，并且所述高导热绝缘层用作半导体元器件的基座，所述树脂绝缘层用作其他电子元器件的基座，并且所述半导体元器件与所述其他电子元器件通过金属连接体电性连接；并且所述金属连接体为采用银、金或铜的引线、隆起物和/或桥接物。本发明的电路基板可提供散热性得到显著改善以及高可靠性，可以应用于各种含半导体芯片的基体，例如可以提高计算机电路中CPU等的散热，提高逆变器电路中IGBTbipolar等半导体芯片的散热，提高无线通讯电路中无线模块等的散热，提高电源管理电路中管理芯片的散热。

权利要求

1.一种高导热图案化电路基板，包括金属基板，其特征在于：所述金属基板上形成有树脂绝缘层和高导热绝缘层，并且所述高导热绝缘层用作半导体元器件的基座，所述树脂绝缘层用作其他电子元器件的基座，并且所述半导体元器件与所述其他电子元器件通过金属连接体电性连接；并且所述金属连接体为采用银、金或铜的引线、隆起物和/或桥接物；所述金属基板为铝板基底，并且所述铝板基底上形成有厚度为10～20μm阳极氧化铝膜；所述阳极氧化铝膜的制备方法如下：在柠檬酸水溶液中进行阳极氧化处理，所述柠檬酸水溶液含有：20～35g/L的柠檬酸，3～5g/L的DL-半胱氨酸，0.5～1.0g/L的过氧化氢，3～5g/L的柠檬2

酸铝；在液温为10～20℃、电流密度为0.5～1A/dm、电解处理20～30min。

2.根据权利要求1所述的高导热图案化电路基板，其特征在于：所述半导体芯片为逆变器电路中IGBT bipolar芯片、CPU芯片、无线通讯芯片或管理芯片。

3.根据权利要求1所述的高导热图案化电路基板，其特征在于：所述金属基板上具有多个树脂绝缘层和多个高导热绝缘层；并且所述树脂绝缘层之间相邻设置或者间隔设置；所述高导热绝缘层之间相邻或者间隔设置；所述树脂绝缘层与所述高导热绝缘层之间相邻设置或者间隔设置。

4.根据权利要求1所述的高导热图案化电路基板，其特征在于：所述金属基板经过表面处理工序，所述的表面处理工序包含粗化处理、酸洗、碱洗、酸蚀刻或者碱蚀刻工序中的任意一种或几种。

5.根据权利要求1所述的高导热图案化电路基板，其特征在于：所述高导热绝缘层的材料由溅射、沉淀或者烧结的方式结合在金属基板表面。

6.根据权利要求1所述的高导热图案化电路基板，其特征在于：所述高导热绝缘层的导热系数的范围为50～500W/mK，厚度为20～200μm。

7.根据权利要求1所述的高导热图案化电路基板，其特征在于：所述高导热绝缘层的材料为铝、硅、锆、钛的氧化物或者氮化物。

8.根据权利要求1所述的高导热图案化电路基板，其特征在于：所述树脂绝缘层的热导率为0.5W/mK～30W/mK，厚度为20～200μm。

9.根据权利要求1所述的高导热图案化电路基板，其特征在于：所述树脂绝缘层由含有热固性树脂、固化剂和无机填料的固化性树脂组合物制成。

说明书

高导热图案化电路基板

技术领域

[0001] 本发明属于电子元件印刷线路板的技术领域，更具体的说，本发明涉及一种具有优异散热性能的高导热图案化电路基板。

背景技术

[0002] 随着集成电路的发展，电子封装变得更轻、更薄、更小、功能更强，逐步满足人类对便捷、舒适、强大功能的追求，同时也对电子封装提出了更高的要求。电子元件功耗的增加必然会导致电路发热量的提高，从而使工作温度不断上升。一般来说，在半导体器件中，温度每升高18℃，失效的可能性就增加2～3倍。因此散热成为制约电子元件向高功率化发展的瓶颈问题。

[0003] 当前，散热问题无疑已成为摆在电子设计者们面前的最大挑战之一。一方面随着印刷线路板向着高密度、高精度、小型多层SMT方向的不断发展,元器件的安装空间大幅减少；而另一方面对功率元器件的功率要求却又越来越高。小空间大功率不可避免地产生更多的热量聚集，造成元器件电气性能下降甚至毁损。早先的解决办法是采用冷却硬件或陶瓷功能块散热，前者本身需要大量空间，而后者更由于陶瓷的热膨胀系数较大，而不能形成大的陶瓷绝缘层，而如果陶瓷绝缘层大于一定尺寸时在反复多次的冷热循环中焊点处由于应力易形成裂纹或脱落而导致连接失效甚至容易引起短路而失效。另外，随着电子元器件的引脚越来越多的参与散热，要求导电层也要具有良好的散热能力。因此，随着封装密度及对可靠性要求的提高，应考虑选用导热性能更好的基材和导热层。

[0004] 目前的电子器件普遍使用FR4印刷线路板，对于电子器件来说，影响其可靠性指标的一个重要因素就是元器件的工作温度。根据相关文献记载，电子设备的失效率有55%是由温度超过电子元件的规定值引起的。温度对各种类型元器件的性能影响是不同的，在常见的元器件中，温度对于半导体器件的影响最大。电子设备中大量应用的半导体器件如集成运放、TTL逻辑芯片、各种电源稳压芯片等，其基本组成单元都是P-N结，对温度变化非常敏感，一般温度每升高10℃，反向漏电流将增加一倍。这种随温度的变化，将直接导致产品正常工作点发生漂移，最大允许功耗下降。温度对阻容元件的性能参数也有一定的影响。温度升高时，会造成电阻内热噪声加剧，阻值偏离标称值，允许耗散功率下降等。对电容器的影响是使电容量和介质损耗角等参数发生变化，从而导致电路中的阻容时间常数等参数改变，影响整个电子设备的可靠性。为了减少温度对元器件的性能影响，必须要使用散热良好而且可靠性高的线路板。

发明内容

[0005] 为了解决上述技术问题，本发明的目的在于提供一种高导热图案化电路基板。采用本发明所述的高导热图案化电路基板不仅成本相对较低而还具有高导热率、抗击穿并且性能可靠的特点。

[0006] 本发明所述的高导热图案化电路基板，包括金属基板，其特征在于：所述金属基板上形成有树脂绝缘层和高导热绝缘层，并且所述高导热绝缘层用作半导体元器件的基座，所述树脂绝缘层用作其他电子元器件的基座，并且所述半导体元器件与所述其他电子元器件通过金属连接体电性连接；并且所述金属连接体为采用银、金或铜的引线、隆起物和/或桥接物。

[0007] 其中，所述金属基板上具有多个树脂绝缘层和多个高导热绝缘层；并且所述树脂绝缘层之间相邻设置或者间隔设置；所述高导热绝缘层之间相邻或者间隔设置；所述树脂绝缘层与所述高导热绝缘层之间相邻设置或者间隔设置。

[0008] 其中，所述金属基板经过表面处理工序，所述的表面处理工序包含粗化处理、酸洗、碱洗、酸蚀刻或者碱蚀刻工序中的任意一种或几种。

[0009] 其中，所述金属基板表面经过表面处理在其表面上形成有阳极氧化膜。

[0010] 其中，所述高导热绝缘层的导热系数的范围为50～500W/mK，优选为100～500W/mK。

[0011] 其中，所述高导热绝缘层的厚度优选为20～200μm。

[0012] 其中，所述半导体元器件或其他电子元器件通过波峰焊接、回流焊接、共晶焊接或使用导电粘合剂与金属导线或金属连接柱连接。

[0013] 其中，所述半导体元器件的功率为0.5W以上，优选为3W以上，更优选为5W以上。

[0014] 其中，所述树脂绝缘层的热导率为0.5W/mK～30W/mK，厚度为20～200μm。

[0015] 其中，所述树脂绝缘层为含有热固性树脂、固化剂和无机填料的树脂固化物。

[0016] 与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下有益效果：

[0017] 本发明通过设置不同导热系数以及不同材质的陶瓷绝缘板以及树脂绝缘板，可提供散热性得到显著改善以及高可靠性的电子元器件封装用绝缘金属基板，由于半导体器件的性能对温度敏感，因此对于半导体器件使用导热和散热性能优异的陶瓷基座，而对于其它电子元器件使用普通的树脂绝缘材料，这样避免了陶瓷板的大型化可能导致的脆性失效，提高了电路基板的可靠性；此外本发明还通过对金属基板的处理，能够在金属基板的表面形成耐高压击穿的绝缘层，例如特殊处理的阳极氧化层或漆膜层，能够进一步提高封装密度以及封装的可靠性。本发明所述的电路基板可以用于各种含半导体芯片的基体，例如可以提高计算机电路中CPU等的散热，提高逆变器电路中IGBT bipolar等半导体芯片的散热，提高无线通讯电路中无线模块等的散热，提高电源管理电路中管理芯片的散热。

附图说明

[0018] 图1为本发明所述的带有半导体元器件以及其他电子元器件的高导热图案化电路基板的结构示意图。

具体实施方式

[0019] 如附图1所示，为本发明所述的大功率LED光引擎的一个典型的例子（但本发明的保护范围以核准的权利要求限定的范围为准），所述的高导热图案化电路基板上设置有半导体元器件和其他电子元器件，其包括金属基板10，所述金属基板10上形成有树脂绝缘层20和高导热绝缘层25，并且所述高导热绝缘层25上设置有金属图案电路30和半导体元器件
40，所述树脂绝缘层20上设置有金属图案电路30和其他电子元器件50，并且所述半导体元器件40与所述其他电子元器件50可以通过金属连接体60电性连接。所述金属连接体为采用银、金或铜的引线、隆起物和/或桥接物。具体来说，例如可以采用软钎焊、硬钎焊、高导热性粘结剂等来进行电连接，优选为软钎焊。在本发明中所述半导体芯片例如可以为逆变器电路中IGBT bipolar芯片、CPU芯片、无线通讯芯片、管理芯片或其它半导体芯片。

[0020] 其中，所述金属基板上具有多个树脂绝缘层和多个高导热绝缘层；并且所述树脂绝缘层之间相邻设置或者间隔设置；所述高导热绝缘层之间相邻或者间隔设置；所述树脂绝缘层与所述高导热绝缘层之间相邻设置或者间隔设置。

[0021] 作为优选地，所述金属基体经过表面处理工序，所述的表面处理工序可包含粗化处理、酸洗、碱洗、酸蚀刻或者碱蚀刻等各种工序。作为用于形成粗化表面的代表性方法，可以举出对金属基板依次实施机械性粗面化处理、碱蚀刻处理、采用酸的清洗处理和使用了电解液的电化学粗面化处理等方法；对金属基板实施多次机械性粗面化处理、碱蚀刻处理、采用酸的除垢处理和使用了不同的电解液的电化学粗面化处理的方法；但本发明并不限于这些。作为酸可以为无机酸和/或有机酸，所述的无机酸例如可以为硫酸、盐酸、硝酸、磷酸等；所述的有机酸例如可以为羧酸或磺酸，例如甲酸、乙酸、酒石酸、草酸、苹果酸、抗坏血酸以及苯甲酸等。作为常用的碱例如可以为碱金属的氢氧化物，例如氢氧化钠或氢氧化钾，另外也可以使用四甲基氢氧化铵、三甲基（羟乙基）氢氧化铵等有机碱。为了减少酸洗或碱蚀刻处理过程中金属基体材料的蚀刻量，在所述的碱溶液或酸溶液中可以含有耐蚀剂，此外还可以含有表面活性剂以及螯合剂等其它组分。此外，所述的表面处理，还可以是在所述的金属基体表面形成阳极氧化膜或电绝缘的漆膜层，从而改善粘结性以及所述金属基体的耐高压击穿强度。

[0022] 在本发明中，作为本发明中的所述高导热绝缘层的导热系数的范围为50～500W/mK，作为优选地，所述高导热绝缘层的导热系数的范围为100～500W/mK。所述高导热绝缘层的厚度优选为20～200μm。所述高导热绝缘层可以由陶瓷材料或非金属单晶材料制成，作为陶瓷材料可以选择但不限于氧化锌、氧化铍、氧化铝、二氧化钛、二氧化硅、氮化硅、蓝宝石、氮化铝、碳化硅、氮氧化硅或氮氧化铝。在本发明中所述的陶瓷材料可以通过切割烧制的陶瓷板并焊接在本发明所述的金属基板上，所述的焊接方法例如可以是钎焊的方法，例如软钎焊、硬钎焊或活性钎焊等。在本发明中所述的陶瓷材料还可以通过原位形成方法制备得到，例如通过真空镀膜方法，例如常用的物理气相沉积方法或化学气相沉积方法制备得到。作为物理气相沉积的例子例如蒸镀、溅射或离子镀沉积方法。其中，真空蒸发沉积具有简单便利、操作容易、成膜速度快以及效率高等优点，是薄膜制备中最为广泛使用的技术。其原理是在真空环境下，给待蒸发材料，例如本发明中的陶瓷材料提供足够的热量以获得蒸发所必需的蒸气压。在适当的温度下，蒸发粒子在金属基体上凝结，这样既可实现真空蒸发薄膜沉积。作为蒸镀的例子例如可以选择电阻加热蒸镀、闪烁蒸镀、电子束蒸发、激光蒸发、电弧蒸发或者射频加热蒸发等。溅射是指具有足够高能量的离子轰击靶材表面使其中的原子发射出来，溅射过程实际上入射粒子(通常为离子)通过与靶材碰撞，进行一系列能量交换的过程，而入射粒子能量的95%用于激励靶中的晶格热振动，只有5%左右的能量是传递给溅射原子。作为溅射沉积的例子例如通过，通过中高频磁控溅射陶瓷靶材并沉积在所述金属基板表面上，溅射所获得的薄膜与基体结合良好，而且薄膜纯度较高、致密性较好，而且膜厚可控，能够获得厚度均匀的薄膜。作为溅射沉积的例子例如可以选择辉光直流溅射、磁控溅射、射频溅射、离子束溅射、反应溅射等。另外，所述陶瓷材料还可以通过离子镀方法沉积得到。离子镀是指在真空条件下，利用气体放电使气体或被蒸发物部分离子化，产生离子轰击效应，最终将蒸发物或反应物沉积在基片上。作为化学气相沉积方法例如可以采用一般化学气相沉积方法或者等离子体增强化学气相沉积方法。

[0023] 在本发明中，根据其它电子元器件的类型，所述树脂绝缘层的热导率为0.5W/mK以上，更优选地，其导热率为1.0W/mK以上，例如可以为0.5～30W/mK的范围。如此可以将其它电子元器件或者金属导线所产生的热量扩散掉而不产生积累。所述树脂绝缘层的厚度优选为20～200μm。因为厚度如果小于20μm，则电绝缘性变得不充分，如果大于200μm，则散热性可能会受损。而所述树脂绝缘层为含有热固性树脂和固化剂的树脂固化物。作为优选地，所述树脂绝缘层为含有热固性树脂、固化剂和无机填料的树脂固化物。此外，在用于形成绝缘层的固化性树脂组合物中，还可以根据需要还可以使用催化剂、硅烷类偶联剂、钛酸脂类偶联剂、稳定剂以及固化促进剂等。

[0024] 作为无机填料，优选具有电绝缘性且热传导性良好的无机填料，例如可以使用二氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮化硅、氮化硼等。为保持适当的流动性，绝缘层中的无机填料的含量较好为5～15wt%。无机填料的粒度较好是包含平均粒径为0.6μm～2.4μm以及5μm～20μm的两种粒度。通过将平均粒径较大的粗粒子和平均粒径较小的微粒子混合，与单独使用各微粒时相比，可实现更多的填充，能够获得良好的热传导性。此外，粒子形状可以是粉碎的、球形的、或鳞片状的。

[0025] 金属基板以及阳极氧化铝膜

[0026] 在本实施例中所述金属基板选择为铝板基底，例如99.99wt%的纯铝，并且在所述铝板基底上形成有阳极氧化铝膜；所述铝板基底的厚度为2～20mm，阳极氧化铝膜的厚度为10～20μm；所述阳极氧化铝膜的绝缘耐久时间大于1000小时，所述的绝缘耐久时间是指在
50℃、85%RH的条件下在阳极氧化铝膜上施加100V的直流电压，而将电阻值下降至106Ω以下的时间。

[0027] 所述的阳极氧化膜的制备方法如下：首先对铝板进行清洗和除垢，然后在柠檬酸水溶液中进行阳极氧化处理，所述柠檬酸水溶液含有：20～35g/L的柠檬酸，3～5g/L的DL-半胱氨酸，0.5～1.0g/L的过氧化氢，3～5g/L的柠檬酸铝；在液温为10～20℃、电流密度为0.5～1A/dm2、电解处理20～30min。采用上述阳极氧化方法，由于采用柠檬酸作为处理溶液，并在其中添加了适量的过氧化氢和DL-半光氨酸，在阳极氧化处理时能够使得铝离子的供应充足，从而能够得到致密的阳极氧化铝膜，在膜厚为10μm及以上的条件下，即使不经过封孔处理即可满足绝缘耐久时间大于1000小时的要求。

[0028] 实施例1

[0029] 本实施例所述的阳极氧化膜的制备方法如下：首先对铝板进行清洗和除垢，然后在柠檬酸水溶液中进行阳极氧化处理，所述柠檬酸水溶液含有：20g/L的柠檬酸，3g/L的DL-半胱氨酸，1.0g/L的过氧化氢，3g/L的柠檬酸铝；在液温为10℃、电流密度为1A/dm2、电解处理20min。得到的致密阳极氧化铝膜绝缘耐久时间大于1000小时。

[0030] 实施例2

[0031] 本实施例所述的阳极氧化膜的制备方法如下：首先对铝板进行清洗和除垢，然后在柠檬酸水溶液中进行阳极氧化处理，所述柠檬酸水溶液含有：30g/L的柠檬酸，4g/L的DL-半胱氨酸，1.0g/L的过氧化氢，5g/L的柠檬酸铝；在液温为20℃、电流密度为1A/dm2、电解处理20min。得到的致密阳极氧化铝膜绝缘耐久时间大于1000小时。

[0032] 实施例3

[0033] 本实施例所述的阳极氧化膜的制备方法如下：首先对铝板进行清洗和除垢，然后在柠檬酸水溶液中进行阳极氧化处理，所述柠檬酸水溶液含有：35g/L的柠檬酸，5g/L的DL-半胱氨酸，1.0g/L的过氧化氢，5g/L的柠檬酸铝；在液温为10℃、电流密度为1A/dm2、电解处理30min。得到的致密阳极氧化铝膜绝缘耐久时间大于1500小时。

[0034] 对比例1

[0035] 对铝板进行酸洗除垢，然后在草酸溶液中进行阳极氧化处理，所述草酸溶液中含有35g/L的草酸，5g/L的草酸铝；在液温为20℃、电流密度为1A/dm2、电解处理30min；然后在硼酸水溶液中进行封闭处理，所述硼酸水溶液中含有0.5mol/L的硼酸和0.2mol/L的四硼酸2
钠；封孔条件为液温20℃、电流密度1A/dm 、电解处理时间5分钟，其绝缘耐久时间为300～
500小时。

[0036] 对比例2

[0037] 对铝板进行酸洗除垢，然后在硫酸溶液中进行阳极氧化处理，所述硫酸溶液中含2
有35g/L的草酸，5g/L的硫酸铝；在液温为20℃、电流密度为1A/dm 、电解处理30min；然后在硼酸水溶液中进行封闭处理，所述硼酸水溶液中含有0.5mol/L的硼酸和0.2mol/L的四硼酸钠；封孔条件为液温20℃、电流密度1A/dm2、电解处理时间5分钟，其绝缘耐久时间为250～
400小时。

[0038] 高导热绝缘层

[0039] 在本发明中，所述高导热绝缘层的导热系数的范围为50～500W/mK。所述高导热绝缘层厚度范围为20～200μm，例如为50μm。在本发明中所述的陶瓷材料可以通过切割烧制的陶瓷板并焊接在本发明所述的金属基板上，所述的焊接方法例如可以是钎焊的方法，例如软钎焊、硬钎焊或活性钎焊等，优选使用活性钎焊，所述活性钎焊的成分例如可以选择2.25wt%的Ti、2.00wt%的Al、3.00wt%的Si和余量的Cu；例如可以选择1.25wt%的Ti、
32.250wt%的Cu和余量的Ag；例如可以选择1.25wt%的Ti、12.50wt%的In、27.25wt%的Cu和余量的Ag。此外，所述的高导热绝缘层还可以采用蒸镀、溅射镀或反应离子镀以及化学气相沉积的方法制备得到，例如采用申请人为苏州晶品光电科技有限公司，公开号为CN103354221A、CN103353065A、CN103354219A、CN103354222A、CN103354698A、CN103354220A、CN103354269A、CN103354697A、CN103354699A、CN103354254A、CN103327736A、CN103327735A、CN103325921A、CN103338588A，或者公告号为CN203340413U、CN203339213U、CN203339139U、CN203340409U、CN203340407U、CN203340408U、CN203339224U、CN203336288U、CN203339140U和CN203339145U中记载的制备方法，并且上述文献记载在此，作为参考。

[0040] 树脂绝缘层

[0041] 在本发明中，所述树脂绝缘层的导热率可选择为0.5～30W/mK，并且所述树脂绝缘层的厚度范围优选为20～200μm。

[0042] 所述树脂绝缘层由含有热固性树脂、固化剂和无机填料的固化性树脂组合物形成，此外，在用于形成绝缘层的固化性树脂组合物中，还可以根据需要还可以使用其它组分等。形成条件例如可以在160～180℃的条件下固化30～180秒。作为优选地，所述的固化性树脂组合物含有55～60wt%的双酚F二缩水甘油醚、12.5～15.0wt%的乙烯基三乙氧基硅烷、8.0～10.0wt%的苯烯酸-2-羟基乙酯、3.2～5.0wt%的三甲基硅咪唑、2.5～3.0wt%的邻苯二甲酸酐、0.5～1.0wt%的2，6-二叔丁基对甲酚，和3～8wt%的平均粒径为2.0μm的氧化铝微粒以及3～8wt%的平均粒径为5.0μm的氧化铝微粒。

[0043] 实施例4

[0044] 本实施例所述的固化性树脂组合物含有55wt%的双酚F二缩水甘油醚、15.0wt%的乙烯基三乙氧基硅烷、10.0wt%的苯烯酸-2-羟基乙酯、5.0wt%的三甲基硅咪唑、2.5wt%的邻苯二甲酸酐、1.0wt%的2，6-二叔丁基对甲酚，和5.5wt%的平均粒径为2.0μm的氧化铝微粒以及6.0wt%的平均粒径为5.0μm的氧化铝微粒。制备的树脂绝缘层厚度为50μm时，测得其热导率为20～25W/mK。

[0045] 实施例5

[0046] 本实施例所述的固化性树脂组合物含有60wt%的双酚F二缩水甘油醚、12.5wt%的乙烯基三乙氧基硅烷、8wt%的苯烯酸-2-羟基乙酯、3.2wt%的三甲基硅咪唑、3.0wt%的邻苯二甲酸酐、1.0wt%的2，6-二叔丁基对甲酚，和6.3wt%的平均粒径为2.0μm的氧化铝微粒以及6.0wt%的平均粒径为5.0μm的氧化铝微粒。制备的树脂绝缘层厚度为50μm时，测得其热导率为22～26W/mK。

[0047] 实施例6

[0048] 本实施例所述的固化性树脂组合物含有58wt%的双酚F二缩水甘油醚、15wt%的乙烯基三乙氧基硅烷、10wt%的苯烯酸-2-羟基乙酯、5wt%的三甲基硅咪唑、3.0wt%的邻苯二甲酸酐、1.0wt%的2，6-二叔丁基对甲酚，和4wt%的平均粒径为2.0μm的氧化铝微粒以及4wt%的平均粒径为5.0μm的氧化铝微粒。制备的树脂绝缘层厚度为50μm时，测得其热导率为18～22W/mK。

[0049] 实施例7

[0050] 本实施例所述的固化性树脂组合物含有78wt%的双酚F二缩水甘油醚、5wt%的2-甲基咪唑、3.0wt%的邻苯二甲酸酐、1.0wt%的2，6-二叔丁基对甲酚，和6.5wt%的平均粒径为2.0μm的氧化铝微粒以及6.5wt%的平均粒径为5.0μm的氧化铝微粒。制备的树脂绝缘层厚度为50μm时，测得其热导率为15～20W/mK。

[0051] 在本发明中所述的树脂绝缘层除了需要满足所需的导热率外，还应具有优异的耐热变色性。为了检测上述固化性树脂组合物的耐热变色性能，将所述的固化性树脂组合物，在170℃、8N/mm2以及固化时间为120秒的条件下加工成直径为50mm×厚度为3mm的圆盘作为样品，然后在150℃的条件下放置24小时，利用肉眼观察其耐热变色性，发现实施例4-6所述的样品没有发现变色现象，而实施例7所述的样品稍有变色或发生了变色。

[0052] 金属图案电路

[0053] 根据实际需要，在所述的树脂绝缘层,或者在所述的树脂绝缘层以及所述高导热绝缘层上均形成有金属图案电路。在所述缘层上可以通过粘结或按压铜箔形成导电铜膜，或者可以通过溅射、化学镀（需要事先进行活化）形成铜膜。所述铜膜的厚度例如为2～5μm厚，然后在带所述铜膜上涂上光刻胶，再在光刻机上利用金属光刻掩模版进行光刻，再经显影形成金属图案电路，或者，采用丝网印刷的方法直接形成导电金属层的图形；经烘烤固化后，再用湿法蚀刻工艺对所述铝层进行蚀刻，蚀刻后即可得到所述的金属图案电路。

[0054] 对于本领域的普通技术人员而言，具体实施例只是结合附图对本发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。