PECVD设备

摘要

本发明提出一种PECVD设备，包括：腔体，晶片托架，多个射频电极，传输装置和升降装置。具体地，所述腔体上设有进气口和出气口，所述腔体设有第一传输口和第二传输口；所述晶片托架包括沿前后方向间隔布置且竖直放置的多个载板，所述晶片托架在所述反应腔内沿竖向在上部位置和下部位置之间可移动；所述多个射频电极设在所述反应腔的顶部且垂直于顶面放置，所述多个射频电极沿前后方向间隔布置，且在所述晶片托架位于所述反应腔的上部位置时所述多个射频电极分别对应地插入到相邻载板之间。根据本发明的PECVD设备，增加设备的产能，而且降低设备的占地面积，降低设备加工的难度和成本，削弱射频电极上的驻波效应,提高膜的表面质量。

权利要求

1.一种PECVD设备，其特征在于，包括：

腔体，所述腔体内具有反应腔，所述腔体上设有进气口和出气口，所述腔体的左侧壁设有第一传输口而右侧壁上设有与所述第一传输口相对的第二传输口；

晶片托架，所述晶片托架包括沿前后方向间隔布置且竖直放置的多个载板，所述晶片托架在所述反应腔内沿竖向在上部位置和下部位置之间可移动；

多个射频电极，所述多个射频电极设在所述反应腔的顶部且垂直于顶面放置，所述多个射频电极沿前后方向间隔布置，且在所述晶片托架位于所述上部位置时所述多个射频电极分别对应地插入到相邻载板之间，使得工艺气体在所述载板与相邻的射频电极之间被激发成等离子体；

传输装置，所述传输装置设在所述反应腔的底部，用于通过所述第一和第二传输口将所述晶片托架传入和传出所述反应腔；和升降装置，所述升降装置与地连接，所述升降装置用于在所述反应腔内升降所述晶片托架。

2.根据权利要求1所述的PECVD设备，其特征在于，所述晶片托架还包括第一和第二连接件以及多个分隔块，每个所述载板的两端分别与所述第一和第二连接件相连且所述多个分隔块分别设在相邻的所述载板之间。

3.根据权利要求1所述的PECVD设备，其特征在于，所述载板的至少一个侧面上设有用于固定晶片的固定件，所述固定件为固定块，所述固定块面对所述载板的表面上设有斜面部，所述斜面部与所述载板的表面限定出晶片定位槽。

4.根据权利要求1所述的PECVD设备，其特征在于，所述传输装置包括多个转轴，每个所述转轴沿前后方向延伸且每个所述转轴的两端延伸出所述反应腔，所述转轴与所述腔体之间通过密封件密封。

5.根据权利要求4所述的PECVD设备，其特征在于，所述密封件为磁流体密封件。

6.根据权利要求1所述的PECVD设备，其特征在于，所述进气口包括第一和第二进气口，所述出气口包括第一和第二出气口，所述第一和第二进气口分别设在所述腔体的顶盖的左右两端且所述第一和第二出气口分别设在所述腔体的底盖的左右两端，且所述第一和第二进气口以及所述第一和第二出气口与相邻所述载板的间隙对应。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的PECVD设备，其特征在于，还包括用于夹紧和释放所述升降装置的夹紧装置。

8.根据权利要求7所述的PECVD设备，其特征在于，所述升降装置包括升降杆，所述升降杆沿竖向设置且所述升降杆的两端分别从所述反应腔的上盖和底盖伸出。

9.根据权利要求8所述的PECVD设备，其特征在于，所述夹紧装置包括设在所述腔体外顶面上的上夹紧机构和设在所述腔体外底面上的下夹紧机构，所述上夹紧机构和所述下夹紧机构分别用于夹紧和释放所述升降杆的上端和下端。

10.根据权利要求7所述的PECVD设备，其特征在于，所述夹紧机构为波纹管结构。

说明书

PECVD设备

技术领域

[0001] 本发明涉及等离子体技术领域，尤其是涉及一种PECVD（等离子体增强化学气相沉积）设备。

背景技术

[0002] 随着等离子体（Plasma）技术的不断发展，等离子体装置已经被广泛地应用于制造集成电路（IC）或光伏（PV）产品的制造工艺中，同时由于平行板电容耦合等离子体
（Capacitively Coupled Plasma，简称CCP）装置放电的原理简单，相对于ECR（电子回旋共
振等离子体），ICP（感应耦合等离子体）产生的等离子体更加均匀，所以，目前在PV行业中等
到了广泛的应用。

[0003] 光伏晶硅产品制造过程中用到的平板式PECVD设备根据成膜方式的不同主要分为直接法和间接法两种。直接法和间接法各有优缺点。直接法成膜致密，可以实现表面钝化和
体钝化，有利于提高少子寿命，所以短路电流一般比较高。但直接法为了载板接地，都是采
用向上镀膜的方式，成膜表面朝上，在工艺过程中产生的颗粒，或长时间运行后上电极剥落
的颗粒会掉落到成膜表面上，影响电池片的外观和质量。间接法多为下镀膜方式，镀膜时硅
片放在腔室顶部，等离子体源在下面，成膜面朝下，这种设备可靠性、维护性好，成膜均匀，
产能高，但由于只能实现表面钝化，所以限制了短路电流的进一步提升。

[0004] 图6为目前晶硅太阳能电池生产中常用的平板式直接法上镀膜PECVD装置示意图，反应腔61内部一般处于真空状态，工艺气体通过上极板62上的进气孔601进入反应腔内部，
并通过真空计63与排气口602把腔室内部控制在一定压力下，射频电源64通过上极板62向
反应腔内部提供能量，下极板65作为晶片66的载体可以直接接地，也可另接射频电源（图中
未示出），在两个极板之间产生射频电场，将工艺气体激发成等离子体，从而对放置于下极
板上的晶片66等进行处理，反应后的气体通过排气口602排出反应腔61。

[0005] 但是，其存在如下缺陷：

[0006] 首先，在工艺过程中产生的颗粒，或长时间运行后上电极剥落的颗粒会掉落到成膜表面上，影响电池片的外观和质量；

[0007] 其次，为了获得较大的产能，此种方式中的载板面积较大，一般可以放置几十甚至上百片太阳能电池片，因此设备占地面积较大，维护困难；

[0008] 第三，为了获得较大的产能，设备的尺寸不断增大，图6所示的CCP装置的上下极板尺寸也就随之不断增大，这就增加了极板上的驻波效应，同时将导致极板中间与边缘的气
流均匀性变差，这些都将对工艺结果产生不好的影响。此外，设备及零件尺寸的增大，增加
的原材料成本及加工成本与难度。

发明内容

[0009] 本发明旨在至少在一定程度上解决上述技术问题之一或至少提供一种有用的商业选择。为此，本发明的一个目的在于提出一种占地面积小、生产成本低且提高晶片表面质
量的PECVD设备。

[0010] 根据本发明实施例的PECVD设备，包括：腔体，晶片托架，多个射频电极，传输装置和升降装置。具体而言，所述腔体内具有反应腔，所述腔体上设有进气口和出气口，所述腔
体的左侧壁设有第一传输口而右侧壁上设有与所述第一传输口相对的第二传输口；所述晶
片托架包括沿前后方向间隔布置且竖直放置的多个载板，所述晶片托架在所述反应腔内沿
竖向在上部位置和下部位置之间可移动；所述多个射频电极设在所述反应腔的顶部且垂直
于顶面放置，所述多个射频电极沿前后方向间隔布置，且在所述晶片托架位于所述上部位
置时所述多个射频电极分别对应地插入到相邻载板之间，使得工艺气体在所述载板与相邻
的射频电极之间被激发成等离子体；所述传输装置设在所述反应腔的底部，用于通过所述
第一和第二传输口将所述晶片托架传入和传出所述反应腔；所述升降装置与地连接，用于
在所述反应腔内升降所述晶片托架。

[0011] 根据本发明实施例的PECVD设备，用于放置晶片的多个载板竖直放置，并将多个载板与多个射频电极间隔设置，用于对多个载板上的晶片进行镀膜。不仅增加了单次工艺处
理的晶片数量，增加了设备的产能，而且降低了设备的占地面积，并可有效的控制射频电极
的面积，降低了设备加工的难度和成本，且削弱射频电极上的驻波效应,从而使镀制在晶片
表面的膜获得较好的表面质量。此外，在射频电极或晶片托架堆积的膜层达到一定厚度时，
堆积的膜层会由射频电极或晶片托架上脱落，由于载板和射频电极均竖直设置，可以避免
脱落的膜层掉落于晶片的镀膜表面，进一步地提高膜的表面质量。

[0012] 此外，根据本发明的一个实施例，所述晶片托架还包括第一和第二连接件以及多个分隔块，每个所述载板的两端分别与所述第一和第二连接件相连且所述多个分隔块分别
设在相邻的所述载板之间。由此，不仅提高了装置的镀膜效率，而且提高了膜的表面质量。
晶片托架的结构简单，便于晶片托架的安装。

[0013] 在本发明的一个具体实施例中，所述载板的至少一个侧面上设有用于固定晶片的固定件，所述固定件为固定块，所述固定块面对所述载板的表面上设有斜面部，所述斜面部
与所述载板的表面限定出晶片定位槽。由此，使晶片稳定的设在载板上，并便于晶片存放在
载板上和从载板上取下晶片的时间，提高了设备的工作效率，结构简单，降低设备的成本。

[0014] 此外，根据本发明的一些示例，所述传输装置包括多个转轴，每个所述转轴沿前后方向延伸且每个所述转轴的两端延伸出所述反应腔，所述转轴与所述腔体之间通过密封件
密封。由此，结构简单，可稳定的传输晶片托架，并提高了反应腔的密封性能，提高了PECVD
设备的工作性能。

[0015] 有利地，在本发明的一个具体示例中，所述密封件为磁流体密封件。由此，提高了反应腔的密封效果及密封件的使用寿命。

[0016] 此外，根据本发明的一些具体实施例，所述进气口包括第一和第二进气口，所述出气口包括第一和第二出气口，所述第一和第二进气口分别设在所述腔体的顶盖的左右两端
且所述第一和第二出气口分别设在所述腔体的底盖的左右两端，且所述第一和第二进气口
以及所述第一和第二出气口与相邻所述载板的间隙对应。由此，可以使第一进气口和第四
出气口组成一组而第二进气口和以出气口组成一组进行交替工作，提高了反应腔内的工艺
气体的均匀性，提高了晶片表面膜层的表面质量。

[0017] 进一步地，根据本发明的一个实施例，还包括用于夹紧和释放所述升降装置的夹紧装置。由此，使晶片托架定位稳定，提高了PECVD设备的稳定性。

[0018] 有利地，根据本发明的一个实施例，所述升降装置包括升降杆，所述升降杆沿竖向设置且所述升降杆的两端分别从所述反应腔的上盖和底盖伸出。

[0019] 此外，根据本发明的一个实施例，所述夹紧装置包括设在所述腔体外顶面上的上夹紧机构和设在所述腔体外底面上的下夹紧机构，所述上夹紧机构和所述下夹紧机构分别
用于夹紧和释放所述升降杆的上端和下端。

[0020] 进一步地，根据本发明的一个实施例，所述夹紧机构为波纹管结构。

[0021] 本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

[0022] 本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

[0023] 图1是本发明的一个实施例的PECVD设备的示意图；

[0024] 图2是本发明的一个实施例的PECVD设备的晶片托架的示意图；

[0025] 图3是本发明的一个实施例的PECVD设备的剖面示意图；

[0026] 图4是本发明的另一实施例的PECVD设备的剖面示意图；

[0027] 图5是本发明的另一实施例的PECVD设备的载板的示意图；

[0028] 图5a是图5中A-A方向的剖面示意图；

[0029] 图6是现有技术中的PECVD设备的载板的示意图。

具体实施方式

[0030] 下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附
图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

[0031] 在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特
定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

[0032] 此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者
隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，
除非另有明确具体的限定。

[0033] 在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元
件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发
明中的具体含义。

[0034] 在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它
们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特
征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在
第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示
第一特征水平高度小于第二特征。

[0035] 下面参照附图详细描述根据本发明实施例的PECVD设备100。

[0036] 如图1、图2和图3所示，根据本发明实施例的PECVD设备100，包括：腔体110，晶片托架120，多个射频电极130，传输装置140及升降装置150。

[0037] 具体而言，腔体110内具有反应腔，腔体110上设有进气口111和出气口（图1中未示出，参见图3），用于从进气口111向腔体110的反应腔内通入工艺气体，并由出气口排出腔体
110的反应腔内的工艺气体。如图1或图3所示，腔体110的左（即如图3所示向左的方向）侧壁
设有第一传输口113，腔体110的右（即如图3所示向右的方向）侧壁上设有与第一传输口113
相对的第二传输口114，用于向腔体110的反应腔内传入晶片托架120，及从腔体110的反应
腔内传出晶片托架120。晶片托架120包括多个载板121，每个载板121竖直（即如图1或图2的
沿上下的方向）放置在腔体110的反应腔内，且多个载板121沿前后方向（即如图2所示的前
后方向）间隔布置，晶片托架120在腔体110的反应腔内沿竖向在上部位置和下部位置之间
可移动，其中，上部位置为晶片托架120位于腔体110的反应腔的上部的位置，也就是对晶片
托架上的晶片进行镀膜位置；下部位置为晶片托架120位于腔体110的反应腔的下部的位
置，也就是晶片托架位于传输装置140上的位置。多个射频电极130设在腔体110的反应腔的
顶部（即如图1所示的顶部），其中，每个射频电极130垂直于腔体110的反应腔的顶面放置，
换言之，每个射频电极130竖直设置在腔体110的反应腔的顶面，多个射频电极130沿前后方
向（即如图1所示的前后方向）间隔布置，在晶片托架120位于腔体110的反应腔内的上部位
置时多个射频电极130分别对应地插入到相邻载板121之间，使得工艺气体在多对载板121
与相邻的射频电极130之间被激发成等离子体。传输装置140设在腔体110的反应腔的底部，
用于在腔体110的反应腔内运输晶片托架120。升降装置150用于在腔体110的反应腔内升降
晶片托架120，使晶片托架120位于上部位置或位于传输装置140上。升降装置150与地相连，
用于在晶片托架120与射频电极130之间形成稳定的电压差。

[0038] 根据本发明实施例的PECVD设备，用于放置晶片的多个载板121竖直放置，并将多个载板121与多个射频电极130间隔设置，用于对多个载板121上的晶片进行镀膜。不仅增加
了单次工艺处理的晶片数量，增加了设备的产能，而且降低了设备的占地面积，并可有效的
控制射频电极130的面积，降低了设备加工的难度和成本，且削弱射频电极130上的驻波效
应,从而使镀制在晶片表面的膜获得较好的表面质量。此外，在射频电极130或晶片托架120
堆积的膜层达到一定厚度时，堆积的膜层会由射频电极130或晶片托架120上脱落，由于载
板121和射频电极130均竖直设置，可以避免脱落的膜层掉落于晶片的镀膜表面，进一步地
提高膜的表面质量。

[0039] 如图1所示，在本发明的一个具体实施例中，腔体110包括顶端具有开口的盒体及顶盖，顶盖和盒体之间安装有密封装置，用于腔室110的反应腔的真空密封，密封装置可以
是O型密封圈等现有的密封装置，顶盖与盒体配合成密封的反应腔。多个射频电极130设在
顶板的下表面，且多个射频电极130之间电气隔离。顶板上设有与射频电极130连接的多个
射频连接装置，射频电源通过射频连接装置与多个射频电极相连，具体地，可通过单一射频
电源将所有的射频电极130连通，也可将多个射频电极130分组，同一组的射频电极130共用
一个射频电源。射频连接装置不仅可以将射频电源与射频电极130连通。此外，射频连接装
置还具有陶瓷等绝缘材料制成的隔离部，以实现射频电极130与顶盖的电气隔离。在腔体
110的反应腔的底部设有传输装置140，用于将晶片托架通过腔体110的第一传输口113传入
腔体110的反应腔内，并通过第二传输口113传出腔体110的反应腔内的晶片托架120。

[0040] 此外，本发明的PECVD设备100还具有其他部件，现有技术中可以已知的本发明不进行详细说明。

[0041] 图2为本发明的一个实施例的PECVD设备100的晶片托架120的示意图，参照图2，晶片托架120还包括第一连接件122和第二连接件123以及多个分隔块124。第一连接件122和
第二连接件123相对设置，每个载板121的两端分别与第一连接件122和第二连接件123相
连，多个分隔块124分别设在相邻的载板121之间。具体地说，每个载板121的左端与第一连
接件122相连，而每个载板121的右端与第二连接件123相连。每相邻的两个载板121的左端
采用位于第一连接件122上的分隔块124间隔开，而每相邻的两个载板121的右端采用位于
第二连接件123上的分隔块124间隔开，用于使两个载板121之间间隔预定距离，有利于控制
载板121之间的间距，便于对多个载板121上的晶片进行镀膜。其中，第一连接件122、第二连
接件123以及分隔块124均由铝合金、石墨或石墨复合材料等导电材料制成。由此，不仅提高
了装置的镀膜效率，而且提高了膜的表面质量。晶片托架120的结构简单，便于晶片托架120
的安装。

[0042] 在PECVD设备100工作时，在载板121的至少一个侧面上放置晶片，用于对晶片表面进行镀膜。因此，载板121的至少一个侧面上设有固定件用于固定晶片。换言之，载板121上
面对射频电极130的一个侧面上设有固定件用于固定晶片。具体地，固定件为固定块1211。
优选的，如图5所示，固定块1211为四个，其中两个固定块1211用于定位晶片20的下边，另外
两个固定块1211分别定位晶片20的左边和右边，定位晶片20下边的两个固定块1211分别邻
近晶片20的左边和右边设置，定位晶片20左边和右边的固定块1211分别邻近晶片20的下边
设置。此外，固定块1211面对载板121的表面上设有斜面部，固定块1211的斜面部与载板121
的表面限定出晶片定位槽，晶片20定位在晶片定位槽内。具体地，用于定位晶片20下边的两
个固定块1211与载板121的表面配合限定出开口向上的定位槽，用于定位晶片20的左边的
固定块1211与载板121的表面配合限定出开口向右的定位槽，用于定位晶片20的右边的固
定块1211与载板121的表面配合限定出开口向左的定位槽。该定位件可稳定地定位晶片，并
便于取出晶片20，减小了晶片20存放在载板121上和从载板121上取下晶片20的时间，提高
了设备的工作效率。此外，该定位件的结构简单，便于载板121的生产，降低设备的成本。

[0043] 载板121上用于放置晶片20的一个侧面上可以设置多个定位件，用于使载板121的一个侧面上可放置多个晶片。

[0044] 安装晶片时，将晶片由上到下插入固定块1211的定位槽内，使晶片稳定的定位在载板121上，晶片表面处理完成后，只需向上推动晶片使其离开固定块1211的定位槽即可取
下晶片。

[0045] 此外，在本发明的另一些实施例中，固定件包括六个固定块1211，其中，晶片的下边、左边及右边分别采用两个固定块1211定位。固定块1211的数量和分布具有多种形式，上
述对固定块1211的数量和分布形式的描述仅是本发明的一些具体示例，并非对本发明的限
制。

[0046] 当然，本发明的固定件也可以采用现有技术的其他定位件，例如形成在载板121上的卡扣结构等。

[0047] 如图1、图3或图4所示，在本发明的一些实施例中，传输装置140包括多个转轴141，多个转轴141沿左右方向（即如图1所述的左右方向）间隔布置在腔体110的容纳腔的下部，
其中每个转轴141沿前后方向（即如图1所述的前后方向）延伸。每个转轴141的两端延伸出
腔体110的反应腔，其中，每个转轴141的前端延伸出腔体110的反应腔的前表面，而每个转
轴141的后端延伸出腔体110的反应腔的后表面。将晶片托架120放置在多个转轴141上，转
动转轴141即可将晶片托架120输送至预定位置，结构简单，操作方便，可快速的将晶片托架
120定位在预定位置，提高了设备的工作性能和工作效率。此外，转轴141与腔体110之间通
过密封件142密封，避免空气由转轴141与腔体110进入腔体110的反应腔。

[0048] 由于磁流体密封件工作时无磨损且具有较长的使用寿命，本发明的密封件142采用磁流体密封件，使转轴141旋转过程中，对腔体110的反应腔进行有效的密封，提高了反应
腔的密封性能，使晶片表面镀制的膜具有较高的表面质量。

[0049] 此外本发明的密封件142还可以为骨架油封等，现有技术中已有的密封装置，在此不进行详细说明。

[0050] 如图3所示，在本发明的一个示例中，升降装置150包括升降杆，升降杆沿竖向（即如图1所示的上下方向）设置，升降杆的两端分别从腔体110的反应腔的上盖和底盖伸出。升
降杆可带动晶片托架120沿竖直方向运动，使晶片托架120位于腔体110的反应腔的上部或
位于传输装置140上。优选地，升降杆包括上升降杆151a和下升降杆151b，在晶片托架120由
传输装置140输送至预定位置时，下升降杆151b向上推动晶片托架120向上移动，并将晶片
托架120推动到腔体110的反应腔的上部，使晶片托架120上的多个载板121与多个射频电极
130间隔布置，此时，上升降杆151a向下移动并夹紧晶片托架120，从而使晶片托架120与升
降装置150紧密连接，同时升降装置150与地连接，同时能够通过此装置将晶片托架120稳定
的定位在预定的镀膜位置，便于对载板121上的晶片进行镀膜，保证多次工艺的一致性。此
外，该升降装置150结构简单，便于生产和装配。

[0051] 进一步地，在图3和图4所示，PECVD设备100还包括用于夹紧和释放升降装置150的夹紧装置160。在升降装置150将晶片托架120推动至预定位置时，夹紧装置160夹紧升降杆；
在晶片镀膜完成后，松开夹紧装置160，使升降杆可以将镀膜完成的晶片托架120放置在传
输装置140上。由此，进一步地提高了升降杆的稳定性，

[0052] 有利地，夹紧装置160包括设在腔体110外顶面上的上夹紧机构161和设在腔体110外底面上的下夹紧机构162，上夹紧机构161和下夹紧机构162分别用于夹紧和释放升降杆
的上端和下端。换言之，上夹紧机构161用于夹紧和释放上升降杆151a，下夹紧机构162用于
夹紧和释放下升降杆151b，

[0053] 优选地，夹紧机构为波纹管结构。具体地，上夹紧机构161和下夹紧机构162均为波纹管结构。不仅可以实现腔体110的反应腔的真空密封，也可能进行伸缩运动。

[0054] 此外，如图3所示，根据本发明的一些具体实施例，进气口111包括第一进气口111a和第二进气口111b，出气口包括第一出气口112a和第二出气口112b。第一进气口111a和第
二进气口111b分别设在腔体110的顶盖的左右两端，第一出气口112a和第二出气口112b分
别设在腔体110的底盖的左右两端。第一进气口111a和第二进气口111b以及第一出气口
112a和第二出气口112b分别包括多个，多个进气口和出气口与相邻载板121的间隙对应。换
言之，第一进气口111a和第二出气口112b分别包括多个，每个第一进气口111a和相对应的
第二出气口112b的连接线位于相邻的两个载板121之间；第二进气口111b和第一出气口
112a分别包括多个，每个第二进气口111b和相对应的第一出气口a的连接线位于相邻的两
个载板121之间。由此，使载板121之间充满工艺气体，提高了腔体110的反应腔内的工艺气
体分布的均匀性，提高了晶片表面膜层的表面质量。

[0055] 在PECVD设备100工作时，第一进气口111a和第二出气口112b为一组同时打开，或者第二进气口111b和第一出气口112a为一组同时打开。其中，第一进气口111a和第二出气
口112b同时打开时，工艺气体由第一进气口111a通入腔体110的反应腔内，并经过多个载板
121之间的间隙后，由第二出气口112b排出腔体110的反应腔；第二进气口111b和第一出气
口112a同时打开时，工艺气体由第二进气口111b通入腔体110的反应腔内，并经过多个载板
121之间的间隙后，由第一出气口112a排出腔体110的反应腔。

[0056] 下面参照附图简略描述本发明的一个具体实施例的PECVD设备100的工作过程。

[0057] 如图3所示，晶片托架120通过传输装置140驱动，经由第一传输口113传入腔体110的反应腔内，到达预定位置后，腔体110底部安装的升降装置150的下升降杆151b向上移动，
将晶片托架120支撑至工作位置。此时，多个载板121与多个射频电极130相互间隔设置。安
装在腔体110顶部的上升降杆151a向下移动并与下升降杆151b的配合作用夹紧晶片托架
120。上夹紧机构161夹紧上升降杆151a，且下夹紧机构162夹紧下升降杆151b。并开始对置
于晶片托架120上的晶片进行镀膜。

[0058] 镀膜过程中，首先将第一进气口111a和第二出气口112b打开，而第二进气口111b和第一出气口112a关闭，使工艺气体由第一进气口111a通入反应腔，并由第二出气口112b
排出反应腔；经过预定时间后，将第二进气口111b和第一出气口112a打开，而第一进气口
111a和第二出气口112b关闭，使工艺气体由第二进气口111b通入反应腔，并由第一出气口
112a排出反应腔。将上述步骤交替进行，用于使晶片表面镀膜均匀。

[0059] 镀膜完成后，上夹紧机构161松开上升降杆151a且下夹紧机构162松开下升降杆151b。上升降杆151a向上移动松开晶片托架120，下升降杆151b向下移动将晶片托架120放
置在传输装置140上，由传输装置140将镀膜完成的晶片托架120传出腔体110的反应腔。

[0060] 在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特
点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不
一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何
的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

[0061] 尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在不脱离本发明的原理和宗旨
的情况下在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。